JP2001056467A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＦＴ基板上にカラーフィルタを設けるオンチ
ップカラーフィルタ構造において、、従来のＴＦＴ／Ｃ
Ｆ分離型液晶表示装置にくらべて、対向電極ＩＴＯや画
素電極ＩＴＯによる外光の反射や、信号線や走査線の反
射が大きいという問題があった。 【解決手段】配向膜であるポリイミドの屈折率がＩＴＯ
と液晶の屈折率の中間にあることを利用して、所定の膜
厚設定をＩＴＯを配向膜に施すことにより、配向膜を反
射防止膜として用いるようにし、外光による反射の少な
い表示品質の優れたオンチップカラーフィルタ構造の液
晶表示装置を提供する。
ップカラーフィルタ構造において、、従来のＴＦＴ／Ｃ
Ｆ分離型液晶表示装置にくらべて、対向電極ＩＴＯや画
素電極ＩＴＯによる外光の反射や、信号線や走査線の反
射が大きいという問題があった。 【解決手段】配向膜であるポリイミドの屈折率がＩＴＯ
と液晶の屈折率の中間にあることを利用して、所定の膜
厚設定をＩＴＯを配向膜に施すことにより、配向膜を反
射防止膜として用いるようにし、外光による反射の少な
い表示品質の優れたオンチップカラーフィルタ構造の液
晶表示装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカラーフィルタを薄
膜トランジスタの設けられた透明基板に備えた構造を有
し、特に、所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施すこと
により透明電極と配向膜の組み合わせと膜厚を最適化さ
せ、更に外光による反射を減少させ表示品質の優れたオ
ンチップカラーフィルタ構造の液晶表示装置に関する。
膜トランジスタの設けられた透明基板に備えた構造を有
し、特に、所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施すこと
により透明電極と配向膜の組み合わせと膜厚を最適化さ
せ、更に外光による反射を減少させ表示品質の優れたオ
ンチップカラーフィルタ構造の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
略記する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装
置の開発が活発に行われている。
略記する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装
置の開発が活発に行われている。
【０００３】図３は従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置（以下ＴＦＴ・ＣＦ分離型液晶表示装置と呼
ぶ）を説明する図であり、（ａ）はその概略図であり、
（ｂ）はその画素部の断面図である。従来の液晶表示装
置では、画素駆動用のＴＦＴを有するＴＦＴ基板４０１
と、カラーフィルタ（以下ＣＦ)を有するＣＦ基板４０
２と、それらに挟まれた液晶４０３から構成される。
表示装置（以下ＴＦＴ・ＣＦ分離型液晶表示装置と呼
ぶ）を説明する図であり、（ａ）はその概略図であり、
（ｂ）はその画素部の断面図である。従来の液晶表示装
置では、画素駆動用のＴＦＴを有するＴＦＴ基板４０１
と、カラーフィルタ（以下ＣＦ)を有するＣＦ基板４０
２と、それらに挟まれた液晶４０３から構成される。
【０００４】ＴＦＴ基板４０１は、ＴＦＴガラス基板４
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線４０５
と、書き込む信号をもつ信号線４０６と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ４０７と、ＴＦＴ４０７に接続
された画素電極４０８を有する。また、ＣＦ基板４０２
はＣＦ基板上に各画素に対応するＲＧＢを３原色とする
カラーフィルタ４０９と、ＴＦＴおよび光漏れ領域を遮
光するブラックマトリクス（ＢＭ)４１０と、それらを
保護するオーバーコート４１１と対向電極４１２からな
る。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２で挟まれた液晶
４０３は画素電極４０８と対向電極４１２間の電界方向
に並ぶ特性を有し、その特性を利用して画素電極と対向
電極間の電圧により階調表示を行う。
０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線４０５
と、書き込む信号をもつ信号線４０６と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ４０７と、ＴＦＴ４０７に接続
された画素電極４０８を有する。また、ＣＦ基板４０２
はＣＦ基板上に各画素に対応するＲＧＢを３原色とする
カラーフィルタ４０９と、ＴＦＴおよび光漏れ領域を遮
光するブラックマトリクス（ＢＭ)４１０と、それらを
保護するオーバーコート４１１と対向電極４１２からな
る。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２で挟まれた液晶
４０３は画素電極４０８と対向電極４１２間の電界方向
に並ぶ特性を有し、その特性を利用して画素電極と対向
電極間の電圧により階調表示を行う。
【０００５】これらの従来の液晶表示装置に対して、Ｔ
ＦＴ基板側にカラーフィルタを設けるオンチップカラー
フィルタ構造が、特開平８−１２２８２４に開示されて
いる。
ＦＴ基板側にカラーフィルタを設けるオンチップカラー
フィルタ構造が、特開平８−１２２８２４に開示されて
いる。
【０００６】図５は特開平８−１２２８２４（従来例
１）に開示された従来例のオンチップカラーフィルタ構
造の単位画素部の断面図を示している。
１）に開示された従来例のオンチップカラーフィルタ構
造の単位画素部の断面図を示している。
【０００７】図において、ＴＦＴ基板５０１は、ＴＦＴ
ガラス基板５０４上に、信号を書き込む画素を選択する
走査線と、書き込む信号をもつ信号線と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ５０７を有する。
ガラス基板５０４上に、信号を書き込む画素を選択する
走査線と、書き込む信号をもつ信号線と、それらの交点
に画素を駆動するＴＦＴ５０７を有する。
【０００８】このうち、ＴＦＴ５０７はＴＦＴガラス基
板５０４上に設けられたゲート電極５２０と、ゲート電
極５２０を覆うようにして設けられたゲート絶縁膜５２
１と、ゲート絶縁膜５２１上に形成された半導体層５２
２とドレイン電極５２３およびソース電極５２４と、そ
れらのすべてを覆うようにして設けられたパッシベーシ
ョン膜５２５を備えている。
板５０４上に設けられたゲート電極５２０と、ゲート電
極５２０を覆うようにして設けられたゲート絶縁膜５２
１と、ゲート絶縁膜５２１上に形成された半導体層５２
２とドレイン電極５２３およびソース電極５２４と、そ
れらのすべてを覆うようにして設けられたパッシベーシ
ョン膜５２５を備えている。
【０００９】また走査線はゲート電極５２０に対して、
信号線はドレイン電極５２３に対して接続されている。
信号線はドレイン電極５２３に対して接続されている。
【００１０】パッシベーション膜５２５上にはカラーフ
ィルタ５０９、ブラックマトリクス５１０が設けられ、
さらにそれらを保護するオーバーコート膜５１１が形成
されている。オーバーコート膜５１１上に画素電極５０
８が設けられ、コンタクトホール５２６を介してＴＦＴ
のソース電極５２４と接続されている。
ィルタ５０９、ブラックマトリクス５１０が設けられ、
さらにそれらを保護するオーバーコート膜５１１が形成
されている。オーバーコート膜５１１上に画素電極５０
８が設けられ、コンタクトホール５２６を介してＴＦＴ
のソース電極５２４と接続されている。
【００１１】画素電極５０８は信号線および走査線とオ
ーバーラップすることにより、画素電極まわりの光漏れ
を防いでいる。
ーバーラップすることにより、画素電極まわりの光漏れ
を防いでいる。
【００１２】また、オーバーコートおよび画素電極上に
は、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
（プレチルト）を制御するための配向膜が設けられてお
り、ＴＦＴガラス基板から配向膜までの構成要素にてＴ
ＦＴ基板５０１を形成している。
は、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
（プレチルト）を制御するための配向膜が設けられてお
り、ＴＦＴガラス基板から配向膜までの構成要素にてＴ
ＦＴ基板５０１を形成している。
【００１３】対向基板５０２は、対向ガラス基板５１３
上に、対向電極５１２と、配向膜が設けられており、対
向ガラス基板５１３から配向膜までの構成要素にて対向
基板５０２を形成している。さらに、このＴＦＴ基板５
０１と、対向基板５０２とそれらに挟まれた液晶層５０
３により１つの液晶素子を形成している。
上に、対向電極５１２と、配向膜が設けられており、対
向ガラス基板５１３から配向膜までの構成要素にて対向
基板５０２を形成している。さらに、このＴＦＴ基板５
０１と、対向基板５０２とそれらに挟まれた液晶層５０
３により１つの液晶素子を形成している。
【００１４】ここで、従来例１の特徴は、カラーフィル
タおよびブラックマトリクスがＴＦＴ基板上に形成され
るため、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の重ねあわせずれによ
り、カラーフィルタおよびブラックマトリクスの画素に
対するアライメント誤差が小さい。このため画素の微細
化および高開口率化が可能である。
タおよびブラックマトリクスがＴＦＴ基板上に形成され
るため、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の重ねあわせずれによ
り、カラーフィルタおよびブラックマトリクスの画素に
対するアライメント誤差が小さい。このため画素の微細
化および高開口率化が可能である。
【００１５】ところが、従来例１で開示されたオンチッ
プカラーフィルタ構造のパネルでは外光による反射が従
来の液晶パネルに比べて大きく、外光の明るい場所で表
示品位が悪いという問題を有していた。これについて図
２を用いて説明する。外光の反射成分としては、配向膜
の屈折率ｎ〜１．６、ガラス基板の屈折率 ｎ〜１．４
に比べてＩＴＯの屈折率ｎ〜２．０が大きいため対向Ｉ
ＴＯからの反射や画素電極のＩＴＯからの反射が主であ
る。また走査線や信号線からの反射が顕著である。図２
（ａ）で示す通り、従来のＴＦＴ・ＣＦ分離型液晶表示
装置においては反射光がＲＧＢのカラーフィルタを２回
通過するために、反射光は十分に減衰するのに対し、図
２（ｂ）に示す通りオンチップカラーフィルタ構造のパ
ネルでは反射光はカラーフィルタにより減衰することが
ないので、反射光が従来品に比べて大きい。特に、λ＝
５５０ｎｍ付近の緑の光が反射光として気になる問題点
を有していた。
プカラーフィルタ構造のパネルでは外光による反射が従
来の液晶パネルに比べて大きく、外光の明るい場所で表
示品位が悪いという問題を有していた。これについて図
２を用いて説明する。外光の反射成分としては、配向膜
の屈折率ｎ〜１．６、ガラス基板の屈折率 ｎ〜１．４
に比べてＩＴＯの屈折率ｎ〜２．０が大きいため対向Ｉ
ＴＯからの反射や画素電極のＩＴＯからの反射が主であ
る。また走査線や信号線からの反射が顕著である。図２
（ａ）で示す通り、従来のＴＦＴ・ＣＦ分離型液晶表示
装置においては反射光がＲＧＢのカラーフィルタを２回
通過するために、反射光は十分に減衰するのに対し、図
２（ｂ）に示す通りオンチップカラーフィルタ構造のパ
ネルでは反射光はカラーフィルタにより減衰することが
ないので、反射光が従来品に比べて大きい。特に、λ＝
５５０ｎｍ付近の緑の光が反射光として気になる問題点
を有していた。
【００１６】ところで、反射を抑制するには反射防止膜
を設けるのが一般的であり、特開平６−２１４２５２
（特願平５−１９７０６５）では、反射型の液晶ライト
バルブの反射効率を高めるために、対向電極ＩＴＯの上
下に反射防止膜を設け、反射光を有効にとりだす技術が
開示されている。しかし、この場合は反射防止膜が反射
光を有効に取り出すことに使われているために反射防止
膜の屈折率や膜厚を正確に制御しないと、反射光すなわ
ち表示映像の場所依存性が大きく、高品位の表示性能を
得られないことになる。そのため、反射防止膜として無
機物質をスパッタ法などで付ける必要があり、液晶表示
装置の製造工数が増えるという問題を有していた。
を設けるのが一般的であり、特開平６−２１４２５２
（特願平５−１９７０６５）では、反射型の液晶ライト
バルブの反射効率を高めるために、対向電極ＩＴＯの上
下に反射防止膜を設け、反射光を有効にとりだす技術が
開示されている。しかし、この場合は反射防止膜が反射
光を有効に取り出すことに使われているために反射防止
膜の屈折率や膜厚を正確に制御しないと、反射光すなわ
ち表示映像の場所依存性が大きく、高品位の表示性能を
得られないことになる。そのため、反射防止膜として無
機物質をスパッタ法などで付ける必要があり、液晶表示
装置の製造工数が増えるという問題を有していた。
【００１７】ここで従来例を簡単に説明する。特開平８
−１２２８２４号公報は、画素の高精細化および高開口
率化に適したオンチップカラーフィルタ構造のアクティ
ブマトリクス型のカラー表示装置に関する。特に、カラ
ーフィルタの表面荒れ、エッチング残り、リバースチル
トドメインの発生の生じないオンティップカラーフィル
タ構造を提供するものである。特に、カラーフィルタお
よびブラックマトリクスがＴＦＴ基板上に形成されるた
めＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の重ね合わせのずれ
により、カラーフィルタ及びブラックマトリクスの画素
に対するアライメント誤差が小さいので、画素の微細化
と高開口率化が可能となる。
−１２２８２４号公報は、画素の高精細化および高開口
率化に適したオンチップカラーフィルタ構造のアクティ
ブマトリクス型のカラー表示装置に関する。特に、カラ
ーフィルタの表面荒れ、エッチング残り、リバースチル
トドメインの発生の生じないオンティップカラーフィル
タ構造を提供するものである。特に、カラーフィルタお
よびブラックマトリクスがＴＦＴ基板上に形成されるた
めＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の重ね合わせのずれ
により、カラーフィルタ及びブラックマトリクスの画素
に対するアライメント誤差が小さいので、画素の微細化
と高開口率化が可能となる。
【００１８】特開平９−２９２６３３号公報は、低電圧
駆動で良好なコントラスト特性を有するカラー液晶表示
装置を安価に提供するものである。即ち、ガラス基板上
にＴＦＴを作りこみ、該ＴＦＴ間の開口領域に硬化性イ
ンクをインクジェット方式によって付与し、硬化させる
ことでカラーフィルタを形成し、このオンチップ・カラ
ーフィルタ上に透明画素電極を形成する。
駆動で良好なコントラスト特性を有するカラー液晶表示
装置を安価に提供するものである。即ち、ガラス基板上
にＴＦＴを作りこみ、該ＴＦＴ間の開口領域に硬化性イ
ンクをインクジェット方式によって付与し、硬化させる
ことでカラーフィルタを形成し、このオンチップ・カラ
ーフィルタ上に透明画素電極を形成する。
【００１９】特開平７−２４８４９０号公報は、反射光
を低減して視認性を改善した液晶表示装置とその製造方
法に関する。この公報の液晶表示装置では、基板両面に
ＳｉＯ２／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／ＩＴＯ／ポリイミドの
積層材からなる反射防止膜を設けているが、このような
ＣＦ／ＴＦＴ分離構造ではＣＦ基板上の段差が大きなＲ
ＧＢ．ＢＭ上に反射防止膜を形成するため膜厚制御が難
しく特に、ポリイミドなどを塗布法で用いることが難し
いという欠点を有していた。
を低減して視認性を改善した液晶表示装置とその製造方
法に関する。この公報の液晶表示装置では、基板両面に
ＳｉＯ２／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／ＩＴＯ／ポリイミドの
積層材からなる反射防止膜を設けているが、このような
ＣＦ／ＴＦＴ分離構造ではＣＦ基板上の段差が大きなＲ
ＧＢ．ＢＭ上に反射防止膜を形成するため膜厚制御が難
しく特に、ポリイミドなどを塗布法で用いることが難し
いという欠点を有していた。
【００２０】之に対して、本願では、透明電極と配向膜
の組み合わせと膜厚の最適化により、本発明の光透過型
液晶表示装置では反射を減少させることができ、又反射
型液晶表示装置では表示に寄与しない光の反射を減少さ
せることができる。更に、本発明のようなＣＦオンアレ
イ構造では対向側が平坦なガラス基板であるため、塗布
法を用いても膜厚制御が容易であるので、反射防止膜を
簡便に作成する事が可能である。
の組み合わせと膜厚の最適化により、本発明の光透過型
液晶表示装置では反射を減少させることができ、又反射
型液晶表示装置では表示に寄与しない光の反射を減少さ
せることができる。更に、本発明のようなＣＦオンアレ
イ構造では対向側が平坦なガラス基板であるため、塗布
法を用いても膜厚制御が容易であるので、反射防止膜を
簡便に作成する事が可能である。
【００２１】特開平６−２１４２５２号公報は、高輝
度、高コントラスト表示ができるライトバルブ装置関す
る。このライトバルブ装置は、光り変調層を対向電極を
形成した透明基板と反射電極を形成した基板で挟持し、
透明基板側に透明結合体を介して透明板を結合したもの
である。更に、対向電極はＩＴＯ薄膜とその両面に形成
した第１及び第２の誘電体薄膜で反射防止膜を構成す
る。誘電体薄膜は屈折率が１．６―１．８の材料で形成
する。誘電体薄膜は光学的膜厚をλ／４（λは設計主波
長）に、ＩＴＯ薄膜は光学的膜厚をλ／２にする。各画
素は反射電極を有し、薄膜トランジスタへの信号により
反射電極上の液晶を配向させる。液晶には高分子分散液
晶を用いる。入射光は対向電極側より入射し、液晶層を
通り反射電極で反射されて対向電極側より出射するもの
である。反射型の液晶ライトバルブの反射効率を向上さ
せるために、対向電極ＩＴＯの上下に反射防止膜を設
け、反射光を有効に取り出すことが特徴である。
度、高コントラスト表示ができるライトバルブ装置関す
る。このライトバルブ装置は、光り変調層を対向電極を
形成した透明基板と反射電極を形成した基板で挟持し、
透明基板側に透明結合体を介して透明板を結合したもの
である。更に、対向電極はＩＴＯ薄膜とその両面に形成
した第１及び第２の誘電体薄膜で反射防止膜を構成す
る。誘電体薄膜は屈折率が１．６―１．８の材料で形成
する。誘電体薄膜は光学的膜厚をλ／４（λは設計主波
長）に、ＩＴＯ薄膜は光学的膜厚をλ／２にする。各画
素は反射電極を有し、薄膜トランジスタへの信号により
反射電極上の液晶を配向させる。液晶には高分子分散液
晶を用いる。入射光は対向電極側より入射し、液晶層を
通り反射電極で反射されて対向電極側より出射するもの
である。反射型の液晶ライトバルブの反射効率を向上さ
せるために、対向電極ＩＴＯの上下に反射防止膜を設
け、反射光を有効に取り出すことが特徴である。
【００２２】特開平６−１１７１２号公報は、小型の液
晶パネルに表示された画像をスクリーン上に拡大投映す
る液晶表示装置、及びこれに用いる液晶パネルに関す
る。これは、光透過性を有する画素電極と、該画素電極
に信号を印加するスイッチング素子が形成された第１の
基板と、反射電極が形成された第２の基板とを具備し、
該画素電極と反射電極関に高分子分散液晶を挟持する液
晶パネルである。
晶パネルに表示された画像をスクリーン上に拡大投映す
る液晶表示装置、及びこれに用いる液晶パネルに関す
る。これは、光透過性を有する画素電極と、該画素電極
に信号を印加するスイッチング素子が形成された第１の
基板と、反射電極が形成された第２の基板とを具備し、
該画素電極と反射電極関に高分子分散液晶を挟持する液
晶パネルである。
【００２３】特開昭５８−２０９７２０号公報は、液晶
表示装置に関し、ガラス基板表面あるいは、偏光板表面
に反射防止膜を形成して、これらの表面での反射を防止
するものである。
表示装置に関し、ガラス基板表面あるいは、偏光板表面
に反射防止膜を形成して、これらの表面での反射を防止
するものである。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来例
（例えば特開平８−１２２８２４号公報）ではＴＦＴ基
板上にカラーフィルタを設けるオンチップカラーフィル
タ構造が開示されているが、従来のＴＦＴ／ＣＦ分離型
液晶表示装置に比べて、対向電極ＩＴＯや画素電極ＩＴ
Ｏによる外光の反射や、信号線や走査線の反射が大きい
という問題点があった。
（例えば特開平８−１２２８２４号公報）ではＴＦＴ基
板上にカラーフィルタを設けるオンチップカラーフィル
タ構造が開示されているが、従来のＴＦＴ／ＣＦ分離型
液晶表示装置に比べて、対向電極ＩＴＯや画素電極ＩＴ
Ｏによる外光の反射や、信号線や走査線の反射が大きい
という問題点があった。
【００２５】更に、それを防ぐためにＩＴＯの上下に反
射防止膜を設けるにはスパッタ法などで所定の屈折率・
膜厚の無機物質を成膜する必要があり、液晶表示装置の
製造工程が増えて複雑化するという問題を有した。
射防止膜を設けるにはスパッタ法などで所定の屈折率・
膜厚の無機物質を成膜する必要があり、液晶表示装置の
製造工程が増えて複雑化するという問題を有した。
【００２６】本発明では上述した問題点を解決するもの
で有り、その目的とするところは、外光による反射の少
ない表示品位に優れた構造のオンチップカラーフィルタ
を提供することにある。
で有り、その目的とするところは、外光による反射の少
ない表示品位に優れた構造のオンチップカラーフィルタ
を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成するため、基本的には、以下に記載されたような
技術構成を採用するものである。すなわち、本発明に係
る対向電極ＩＴＯによる反射を防止する液晶表示装置の
第１の態様は、第１の透明基板、第２の透明基板および
これらに挟持された液晶層を有し、前記第１の透明基板
上には複数の走査線と、該走査線にマトリクス状に交差
する複数の信号線と、該走査線と該信号線の配線のそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、前記薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原
色とするカラーフィルタ層およびブラックマトリクス
と、それを保護するオーバーコート膜を有し、該オーバ
ーコート膜上にコンタクトホールを介して前記薄膜トラ
ンジスタと接続した画素電極が形成されており、さらに
それらを覆うように液晶の初期配向を定める配向膜が設
けられており、前記第２の透明基板上には反射防止膜と
対向電極と反射防止膜を兼ねた配向膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置に関する。
を達成するため、基本的には、以下に記載されたような
技術構成を採用するものである。すなわち、本発明に係
る対向電極ＩＴＯによる反射を防止する液晶表示装置の
第１の態様は、第１の透明基板、第２の透明基板および
これらに挟持された液晶層を有し、前記第１の透明基板
上には複数の走査線と、該走査線にマトリクス状に交差
する複数の信号線と、該走査線と該信号線の配線のそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、前記薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原
色とするカラーフィルタ層およびブラックマトリクス
と、それを保護するオーバーコート膜を有し、該オーバ
ーコート膜上にコンタクトホールを介して前記薄膜トラ
ンジスタと接続した画素電極が形成されており、さらに
それらを覆うように液晶の初期配向を定める配向膜が設
けられており、前記第２の透明基板上には反射防止膜と
対向電極と反射防止膜を兼ねた配向膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置に関する。
【００２８】また、本発明に係る第２の態様は、第１の
透明基板、第２の透明基板およびこれらに挟持された液
晶層を有し、前記第１の透明基板上には複数の走査線
と、該走査線にマトリクス状に交差する複数の信号線
と、該走査線と該信号線の配線のそれぞれの交点に対応
して形成された複数の薄膜トランジスタとを有し、前記
薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原色とするカラーフ
ィルタ層およびブラックマトリクスと、それを保護する
オーバーコート膜を有し、前記オーバーコート膜上にコ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続し
た画素電極が形成されており、さらにそれらを覆うよう
に液晶の初期配向を定める配向膜が設けられており、前
記第２の透明基板上には反射防止膜と対向電極と反射防
止膜を兼ねた配向膜が設けられている液晶表示装置にお
いて、第２の透明基板の対向電極がポリイミドからなる
配向膜で挟持されていることを特徴とする液晶表示装置
に関する。
透明基板、第２の透明基板およびこれらに挟持された液
晶層を有し、前記第１の透明基板上には複数の走査線
と、該走査線にマトリクス状に交差する複数の信号線
と、該走査線と該信号線の配線のそれぞれの交点に対応
して形成された複数の薄膜トランジスタとを有し、前記
薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原色とするカラーフ
ィルタ層およびブラックマトリクスと、それを保護する
オーバーコート膜を有し、前記オーバーコート膜上にコ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続し
た画素電極が形成されており、さらにそれらを覆うよう
に液晶の初期配向を定める配向膜が設けられており、前
記第２の透明基板上には反射防止膜と対向電極と反射防
止膜を兼ねた配向膜が設けられている液晶表示装置にお
いて、第２の透明基板の対向電極がポリイミドからなる
配向膜で挟持されていることを特徴とする液晶表示装置
に関する。
【００２９】本発明に係る第３の態様は、オンチップカ
ラーフィルタ構造の液晶表示装置において、第１の透明
基板、第２の透明基板および第１、第２の透明基板に挟
持された液晶層を形成する工程、前記第１の透明基板上
に複数の走査線を設ける工程、該走査線にマトリクス状
に複数の信号線を設ける工程、該走査線と該信号線の配
線の各交点に対応して複数の薄膜トランジスタを形成す
る工程、該薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原色とす
るカラーフィルタ層及びブラックマトリクスと、それら
を保護するオーバコート膜を形成する工程、該オーバコ
ート膜上にコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ
と接続する画素電極を形成する工程、少なくとも配向膜
を前記第１透明基板に形成する工程、および反射防止
膜、対向電極および反射防止膜を兼ねた配向膜を前記第
２透明基板に形成する工程、を具備することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法に関する。
ラーフィルタ構造の液晶表示装置において、第１の透明
基板、第２の透明基板および第１、第２の透明基板に挟
持された液晶層を形成する工程、前記第１の透明基板上
に複数の走査線を設ける工程、該走査線にマトリクス状
に複数の信号線を設ける工程、該走査線と該信号線の配
線の各交点に対応して複数の薄膜トランジスタを形成す
る工程、該薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原色とす
るカラーフィルタ層及びブラックマトリクスと、それら
を保護するオーバコート膜を形成する工程、該オーバコ
ート膜上にコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ
と接続する画素電極を形成する工程、少なくとも配向膜
を前記第１透明基板に形成する工程、および反射防止
膜、対向電極および反射防止膜を兼ねた配向膜を前記第
２透明基板に形成する工程、を具備することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法に関する。
【実施例】（実施例１）図１は本実施例のオンチップカ
ラーフィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位素子部を表
す断面図である。ＴＦＴ基板２０１は、ＴＦＴガラス基
板１０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線１
４０と、書き込む信号をもつ信号線１４１と、それらの
交点に画素を駆動するＴＦＴ１０７を有する。このう
ち、ＴＦＴ１０７はＴＦＴガラス基板１０４上に設けら
れたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０を覆うよう
にして設けられたゲート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜
１２１上に形成された半導体層１２２とドレイン電極１
２３およびソース電極１２４と、それらのすべてを覆う
ようにして設けられたパッシベーション膜１２５を備え
ている。
ラーフィルタ構造を持つ液晶表示装置の単位素子部を表
す断面図である。ＴＦＴ基板２０１は、ＴＦＴガラス基
板１０４上に、信号を書き込む画素を選択する走査線１
４０と、書き込む信号をもつ信号線１４１と、それらの
交点に画素を駆動するＴＦＴ１０７を有する。このう
ち、ＴＦＴ１０７はＴＦＴガラス基板１０４上に設けら
れたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０を覆うよう
にして設けられたゲート絶縁膜１２１と、ゲート絶縁膜
１２１上に形成された半導体層１２２とドレイン電極１
２３およびソース電極１２４と、それらのすべてを覆う
ようにして設けられたパッシベーション膜１２５を備え
ている。
【００３０】また走査線１４０はゲート電極１２０に対
して、信号線１４１はドレイン電極１２３に対して接続
されている。
して、信号線１４１はドレイン電極１２３に対して接続
されている。
【００３１】パッシベーション膜１２５上にはカラーフ
ィルタ１３０、ブラックマトリクス１１０が設けられて
おり、それらを覆うようにオーバーコート膜１１１が形
成されている。オーバーコート膜１１１上にはコンタク
トホール１２６を介してＴＦＴ１０７と接続された画素
電極１０８が配置されている。
ィルタ１３０、ブラックマトリクス１１０が設けられて
おり、それらを覆うようにオーバーコート膜１１１が形
成されている。オーバーコート膜１１１上にはコンタク
トホール１２６を介してＴＦＴ１０７と接続された画素
電極１０８が配置されている。
【００３２】また、画素電極１０８上には、液晶分子を
液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を
制御するための配向膜１５０が設けられており、ＴＦＴ
ガラス基板から配向膜１５０までの構成要素にてＴＦＴ
基板２０１を形成している。
液晶の動作モードに適した配列や傾き（プレチルト）を
制御するための配向膜１５０が設けられており、ＴＦＴ
ガラス基板から配向膜１５０までの構成要素にてＴＦＴ
基板２０１を形成している。
【００３３】走査線や信号線の一部の領域は１つ以上の
カラーフィルタまたはブラックマトリクスにて覆われて
おり、配線の反射が目立たないようにしている。
カラーフィルタまたはブラックマトリクスにて覆われて
おり、配線の反射が目立たないようにしている。
【００３４】対向基板２０２は、ガラス基板２１３上
に、配向膜と同じ材料のポリイミドからなる反射防止膜
２５２と、ＩＴＯからなる対向電極２１２と、配向膜２
５１が設けられており、ガラス基板から配向膜までの構
成要素にて対向基板２０２を形成している。ここで対向
電極ＩＴＯの屈折率はｎ（ＩＴＯ）〜２．０，配向膜で
あるポリイミドはｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）〜１．５
５、液晶分子の短軸方向の屈折率はｎ（ＬＣ）〜1.4程
度であるので、 ｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）〜√(n(ＩＴＯ)*n(ＬＣ)) の関係が成り立ち、対向電極であるＩＴＯの膜厚をλ／
２に、配向膜の膜厚をλ／４にすることでＩＴＯ−液晶
（配向膜）界面での波長λ（ｎｍ）の反射光を抑えるこ
とができる。
に、配向膜と同じ材料のポリイミドからなる反射防止膜
２５２と、ＩＴＯからなる対向電極２１２と、配向膜２
５１が設けられており、ガラス基板から配向膜までの構
成要素にて対向基板２０２を形成している。ここで対向
電極ＩＴＯの屈折率はｎ（ＩＴＯ）〜２．０，配向膜で
あるポリイミドはｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）〜１．５
５、液晶分子の短軸方向の屈折率はｎ（ＬＣ）〜1.4程
度であるので、 ｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）〜√(n(ＩＴＯ)*n(ＬＣ)) の関係が成り立ち、対向電極であるＩＴＯの膜厚をλ／
２に、配向膜の膜厚をλ／４にすることでＩＴＯ−液晶
（配向膜）界面での波長λ（ｎｍ）の反射光を抑えるこ
とができる。
【００３５】特に反射では緑の反射光が顕著であるの
で、対向電極ＩＴＯの膜厚を λ／２ｎ（ＩＴＯ）=５５
０/ ２＊２=１２５ｎｍ 配向膜の膜厚を λ／４n(Ｐｏ
ｌｙｉｍｉｄｅ) = ５５０／４＊１．５５=９０ｎｍに
設定した。
で、対向電極ＩＴＯの膜厚を λ／２ｎ（ＩＴＯ）=５５
０/ ２＊２=１２５ｎｍ 配向膜の膜厚を λ／４n(Ｐｏ
ｌｙｉｍｉｄｅ) = ５５０／４＊１．５５=９０ｎｍに
設定した。
【００３６】またガラス基板の屈折率もｎ（Ｇｌａｓ
ｓ）〜1.4程度であるので、ｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）
〜√（ｎ（ＩＴＯ）＊ｎ（Ｇｌａｓｓ））の関係が成り
立ち、対向電極であるＩＴＯの膜厚をλ／２に、配向膜
の膜厚をλ／４にすることでガラス−ＩＴＯ界面での波
長λ（ｎｍ）の反射光を抑えることができる。よって上
と同様に対向電極ＩＴＯの膜厚を１２５ｎｍ、配向膜の
膜厚９０ｎｍに設定した。
ｓ）〜1.4程度であるので、ｎ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）
〜√（ｎ（ＩＴＯ）＊ｎ（Ｇｌａｓｓ））の関係が成り
立ち、対向電極であるＩＴＯの膜厚をλ／２に、配向膜
の膜厚をλ／４にすることでガラス−ＩＴＯ界面での波
長λ（ｎｍ）の反射光を抑えることができる。よって上
と同様に対向電極ＩＴＯの膜厚を１２５ｎｍ、配向膜の
膜厚９０ｎｍに設定した。
【００３７】さらに画素電極ＩＴＯからの反射を抑える
ために同様の膜厚設定を行い、対向電極ＩＴＯの膜厚を
125ｎｍに、配向膜の膜厚を90ｎｍに設定した。
ために同様の膜厚設定を行い、対向電極ＩＴＯの膜厚を
125ｎｍに、配向膜の膜厚を90ｎｍに設定した。
【００３８】なお、反射防止膜としてのポリイミドは通
常と同様の印刷法により成膜できるので、スパッタ法な
どで無機膜を成膜するのにくらべて、工程数を大幅に増
加することはない。
常と同様の印刷法により成膜できるので、スパッタ法な
どで無機膜を成膜するのにくらべて、工程数を大幅に増
加することはない。
【００３９】さらに、このＴＦＴ基板２０１と、対向基
板２０２とそれらに挟まれた液晶層２０３により１つの
液晶素子を形成している。
板２０２とそれらに挟まれた液晶層２０３により１つの
液晶素子を形成している。
【００４０】本発明に係る図１ないし図３において、前
記第２の透明基板の屈折率をｎ１、前記反射防止膜の屈
折率をｎ２、前記対向電極の屈折率をｎ３、前記配向膜
の屈折率をｎ４として、 ｎ１＜ｎ２, ｎ４＜ｎ３ の関係を満たし、前記反射防止膜の膜厚をｄ１、前記対
向電極の膜厚をｄ２、前記配向膜の膜厚をｄ３として、 ５００Ａ ≦ｎ１＊ｄ１≦２０００Ａ １０００Ａ ≦ｎ２＊ｄ２≦４０００Ａ ５００Ａ≦ｎ３＊ｄ３≦２０００Ａ の関係が第２の透明基板、反射防止膜、対向電極および
配向膜に対して与えられる。更に、前記対向電極または
画素電極の屈折率をｎ３，前記配向膜の屈折率をｎ４と
して、 ｎ３＞ｎ４ の関係を満たし、前記対向電極または画素電極の膜厚を
ｄ３、前記配向膜の膜厚をｄ４として、 1000Ａ ≦ｎ３＊ｄ３≦4000Ａ 500Ａ≦ｎ４＊ｄ４≦2000Ａ の関係を満たす対向電極又は画素電極の屈折率と配向膜
の屈折率の関係も与えられる。
記第２の透明基板の屈折率をｎ１、前記反射防止膜の屈
折率をｎ２、前記対向電極の屈折率をｎ３、前記配向膜
の屈折率をｎ４として、 ｎ１＜ｎ２, ｎ４＜ｎ３ の関係を満たし、前記反射防止膜の膜厚をｄ１、前記対
向電極の膜厚をｄ２、前記配向膜の膜厚をｄ３として、 ５００Ａ ≦ｎ１＊ｄ１≦２０００Ａ １０００Ａ ≦ｎ２＊ｄ２≦４０００Ａ ５００Ａ≦ｎ３＊ｄ３≦２０００Ａ の関係が第２の透明基板、反射防止膜、対向電極および
配向膜に対して与えられる。更に、前記対向電極または
画素電極の屈折率をｎ３，前記配向膜の屈折率をｎ４と
して、 ｎ３＞ｎ４ の関係を満たし、前記対向電極または画素電極の膜厚を
ｄ３、前記配向膜の膜厚をｄ４として、 1000Ａ ≦ｎ３＊ｄ３≦4000Ａ 500Ａ≦ｎ４＊ｄ４≦2000Ａ の関係を満たす対向電極又は画素電極の屈折率と配向膜
の屈折率の関係も与えられる。
【００４１】本実施例の特徴として、配向膜であるポリ
イミドの屈折率がＩＴＯと液晶の屈折率の中間にあるこ
とを利用して、所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施し
たことにより、配向膜を反射防止膜として用いた点が挙
げられる。また、ガラス−ＩＴＯ間にもポリイミドを反
射防止膜として用いることにより、さらに反射の少ない
オンチップカラーフィルタ構造を用いた液晶表示装置が
得られた。
イミドの屈折率がＩＴＯと液晶の屈折率の中間にあるこ
とを利用して、所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施し
たことにより、配向膜を反射防止膜として用いた点が挙
げられる。また、ガラス−ＩＴＯ間にもポリイミドを反
射防止膜として用いることにより、さらに反射の少ない
オンチップカラーフィルタ構造を用いた液晶表示装置が
得られた。
【００４２】
【発明の効果】本発明の効果は、ＴＦＴ基板上にカラー
フィルターを設けるオンチップカラーフィルタ構造の液
晶表示装置において、配向膜であるポリイミドの屈折率
がＩＴＯと液晶の屈折率の中間にあることを利用して、
所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施したことにより、
配向膜を反射防止膜として用いた点にある。これにより
反射防止膜を設けることなく、反射の少ない表示性能の
良い液晶表示装置の作成が可能となった。
フィルターを設けるオンチップカラーフィルタ構造の液
晶表示装置において、配向膜であるポリイミドの屈折率
がＩＴＯと液晶の屈折率の中間にあることを利用して、
所定の膜厚設定をＩＴＯを配向膜に施したことにより、
配向膜を反射防止膜として用いた点にある。これにより
反射防止膜を設けることなく、反射の少ない表示性能の
良い液晶表示装置の作成が可能となった。
【００４３】また、配線上にカラーフィルタやブラック
マトリクスをオーバーラップさせたことにより配線の反
射の少ない表示性能の良い液晶表示装置の作成が可能と
なった。
マトリクスをオーバーラップさせたことにより配線の反
射の少ない表示性能の良い液晶表示装置の作成が可能と
なった。
【図１】図１は本発明にかかる液晶表示装置の第１の実
施例の液晶層を示す断面図である。
施例の液晶層を示す断面図である。
【図２】図２は本発明にかかる液晶表示装置の外光によ
る反射を説明する図である。
る反射を説明する図である。
【図３】図３は従来の液晶表示装置の一例を示す図であ
り、（ａ）は外観図、（ｂ）は断面図である。
り、（ａ）は外観図、（ｂ）は断面図である。
【図４】図４は特開平８−１２２８２４号公報に開示さ
れた従来例の液晶表示装置におけるオンチップカラーフ
ィルタの単位画素部の断面図である。
れた従来例の液晶表示装置におけるオンチップカラーフ
ィルタの単位画素部の断面図である。
【図５】図５は従来例のオンチップカラーフィルタ構造
の単位画素部の断面図である。
の単位画素部の断面図である。
104…ＴＦＴガラス基板 107… ＴＦＴ 108… 画素電極 110… ブラックマトリクス 111…オ−バコート膜 112… 対向電極 113… 対向ガラス基板 120… ゲート電極 121… ゲート絶縁膜 122… 半導体層 123…ドレイン電極 124…ソース電極 125…パシベーション膜 126…コンタクトホール 130… カラーフィルタ 140… 走査線 141…Ｗ信号線 150… 配向膜 201…ＴＦＴ基板 202…対向基板 203…液晶層 212…対向電極 213…ガラス基板 251…配向膜 252…反射防止膜 401…ＴＦＴ基板 402…ＣＦ基板 403…液晶 404…ＴＦＴガラス基板 405…走査線 406…信号線 407…ＴＦＴ 408…画素電極 409…カラーフィルタ 410…ブラックマトリクス 411…オ−バ−コ−ト 412…対向電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｂ (72)発明者 中田 慎一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 山本 勇司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 渡邉 貴彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 井原 浩史 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 吉川 周憲 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA08 HB08X HC06 HD06 JA06 JB12 JD06 LA01 LA04 LA15 LA20 2H091 FA02Y FA35Y FA37Y FB02 FC12 FD06 GA03 GA06 GA07 GA13 KA01 LA16 2H092 JA26 JB07 JB16 JB52 JB56 JB57 KB21 KB23 KB24 NA02 PA02 PA08 PA09 PA12 2K009 AA02 BB02 CC32 FF02 5F033 GG04 HH38 JJ38 KK04 RR22 SS21 VV15 WW00 WW02
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の透明基板、第２の透明基板および
これらに挟持された液晶層を有し、前記第１の透明基板
上には複数の走査線と、該走査線にマトリクス状に交差
する複数の信号線と、該走査線と該信号線の配線のそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、前記薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原
色とするカラーフィルタ層およびブラックマトリクス
と、それを保護するオーバーコート膜を有し、該オーバ
ーコート膜上にコンタクトホールを介して前記薄膜トラ
ンジスタと接続した画素電極が形成されており、さらに
それらを覆うように液晶の初期配向を定める配向膜が設
けられており、前記第２の透明基板上には反射防止膜と
対向電極と反射防止膜を兼ねた配向膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第２の透明基板の屈折率をｎ１、前
記反射防止膜の屈折率をｎ２、前記対向電極の屈折率を
ｎ３、前記配向膜の屈折率をｎ４として、 ｎ１＜ｎ２, ｎ４＜ｎ３ の関係を満たし、前記反射防止膜の膜厚をｄ１、前記対
向電極の膜厚をｄ２、前記配向膜の膜厚をｄ３として、 ５００Ａ ≦ｎ１＊ｄ１≦２０００Ａ １０００Ａ ≦ｎ２＊ｄ２≦４０００Ａ ５００Ａ≦ｎ３＊ｄ３≦２０００Ａ の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項３】 前記対向電極または画素電極の屈折率を
ｎ３，前記配向膜の屈折率をｎ４として、 ｎ３＞ｎ４ の関係を満たし、前記対向電極または画素電極の膜厚を
ｄ３、前記配向膜の膜厚をｄ４として、 1000Ａ ≦ｎ３＊ｄ３≦4000Ａ 500Ａ≦ｎ４＊ｄ４≦2000Ａ の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 第１の透明基板、第２の透明基板および
これらに挟持された液晶層を有し、前記第１の透明基板
上には複数の走査線と、該走査線にマトリクス状に交差
する複数の信号線と、該走査線と該信号線の配線のそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数の薄膜トランジス
タとを有し、前記薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原
色とするカラーフィルタ層およびブラックマトリクス
と、それを保護するオーバーコート膜を有し、前記オー
バーコート膜上にコンタクトホールを介して前記薄膜ト
ランジスタと接続した画素電極が形成されており、さら
にそれらを覆うように液晶の初期配向を定める配向膜が
設けられており、前記第２の透明基板上には反射防止膜
と対向電極と反射防止膜を兼ねた配向膜が設けられてい
る液晶表示装置において、第２の透明基板の対向電極が
ポリイミドからなる配向膜で挟持されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 オンチップカラーフィルタ構造の液晶表
示装置において、 （１）第１の透明基板、第２の透明基板および第１、第
２の透明基板に挟持された液晶層を形成する工程、 （２）前記第１の透明基板上に複数の走査線を設ける工
程、 （３）該走査線にマトリクス状に複数の信号線を設ける
工程、 （４）該走査線と該信号線の配線の各交点に対応して複
数の薄膜トランジスタを形成する工程、 （５）該薄膜トランジスタを覆ってＲＧＢ３原色とする
カラーフィルタ層およびブラックマトリクスと、それら
を保護するオーバコート膜を形成する工程、 （６）該オーバコート膜上にコンタクトホールを介して
薄膜トランジスタと接続する画素電極を形成する工程、 （７）少なくとも配向膜を前記第１透明基板に形成する
工程、および （８）反射防止膜、対向電極、および反射防止膜を兼ね
た配向膜を前記第２透明基板に形成する工程、を具備す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１透明基板に配向膜を形成する工
程において、該配向膜は反射防止膜を兼ねることを特徴
とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記対向基板がガラス基板、ＩＴＯから
なる対向電極、および配向膜より構成され、 n(Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ)〜√(n(ＩＴＯ)*n(ＬＣ)) なる関係式より、ＩＴＯ−液晶（配向膜）界面での波長
をλ（ｎｍ）として、対向電極であるＩＴＯの膜厚をλ
／２にすることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項８】 前記対向基板がガラス基板、ＩＴＯから
なる対向電極、および配向膜より構成され、 n(Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ)〜√(n(ＩＴＯ)*n(ＬＣ)) なる関係式より、ＩＴＯ−液晶（配向膜）界面での波長
をλ（ｎｍ）として、配向膜の膜厚をλ／４にすること
を特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11234205A JP2001056467A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11234205A JP2001056467A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001056467A true JP2001056467A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16967351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11234205A Pending JP2001056467A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001056467A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2010055065A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
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- 1999-08-20 JP JP11234205A patent/JP2001056467A/ja active Pending
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