CN101606137B - 非易失存储器的高速接口 - Google Patents

非易失存储器的高速接口 Download PDF

Info

Publication number
CN101606137B
CN101606137B CN200780046893.1A CN200780046893A CN101606137B CN 101606137 B CN101606137 B CN 101606137B CN 200780046893 A CN200780046893 A CN 200780046893A CN 101606137 B CN101606137 B CN 101606137B
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
demux
mux
memory device
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200780046893.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101606137A (zh
Inventor
S·S·埃勒特
R·R·罗茨曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of CN101606137A publication Critical patent/CN101606137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101606137B publication Critical patent/CN101606137B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
    • G06F13/4204Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus
    • G06F13/4234Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus
    • G06F13/4243Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus with synchronous protocol
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/10Program control for peripheral devices
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus

Abstract

NAND闪速存储装置通常用于存储将要大块读出的数据(例如数字化图像或音乐)。由于NAND闪存的缓慢访问时间,若干装置可并行放置于公共总线,并且在大致相同的时间被访问。当来自各装置的数据可用时,可每次一个装置地对它进行读取。但是,并行放置所有那些输入/输出(170)引脚可引起使总线上的信号质量降级的电容性负载,由此降低总线上的最大有效吞吐量。备选地,一次仅存储一个装置可使访问时间累积,从而也降低总线的总吞吐量。

Description

非易失存储器的高速接口
技术领域
背景技术
NAND闪速存储装置通常用于存储将要大块读出的数据(例如数字化图像或音乐)。由于NAND闪存的缓慢访问时间,若干装置可并行放置于公共总线,并且在大致相同的时间被访问。当来自各装置的数据可用时,可每次一个装置地对它进行读取。但是,并行放置所有那些输入/输出(I/O)引脚可引起使总线上的信号质量降级的电容性负载,由此降低总线上的最大有效吞吐量。备选地,一次仅访问一个装置可使访问时间累积,从而也降低总线的总吞吐量。
发明内容
附图说明
通过参照以下用于说明本发明的实施例的描述和附图,可了解本发明的一些实施例。附图包括:图1示出根据本发明的一个实施例的非易失性存储器系统的框图。图2示出根据本发明的一个实施例的存储装置的框图。图3A、图3B和图3C示出根据本发明的一个实施例、由存储装置所执行的方法的流程图。图4示出根据本发明的一个实施例、由主控制器所执行的方法的流程图。
具体实施方式
在以下描述中提出许多具体细节。但是要理解,即使没有这些具体细节也可实施本发明的实施例。在其它情况下,没有详细示出众所周知的电路、结构和技术,以免影响对本描述的理解。
对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“各种实施例”等的提法指明这样描述的本发明的实施例可包括具体特征、结构或特性,但不是每一实施例都一定包括所述具体特征、结构或特性。此外,一些实施例可具有部分、全部或者没有对于其它实施例所述的特征。
在以下描述和权利要求书中,可使用术语“耦合”和“连接”及其派生词。应该理解,这些术语不是要作为彼此的同义词。在具体实施例中,“连接”而是用于指明两个或更多元件相互直接物理或电接触。“耦合”用于指明两个或更多元件相互配合或交互,但它们可以有或者可以没有直接物理或电接触。
除非另加说明,否则,权利要求书用于描述共同元件的序数词“第一”、“第二”、“第三”等只是指明涉及到相似元件的不同实例,而不是要表示这样描述的元件必须在时间上、空间上、排列或者以其它任何方式处于给定序列中。
本发明的各种实施例可通过硬件、固件和软件中之一或者它们的任何组合来实现。本发明还可实现为包含在机器可读介质之中或之上的指令,所述指令可由一个或多个处理器读取和运行以便实现本文所述操作的执行。机器可读介质可包括用于存储、传送和/或接收具有机器(如计算机)可读形式的信息的任何机构。例如,机器可读介质可包括存储介质,例如但不限于只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁盘存储介质、光存储介质、闪速存储装置等。机器可读介质还可包括已经调制成对指令进行编码的传播信号,例如但不限于电磁、光或声载波信号。
本发明的各种实施例可通过菊花链(daisy chain)方式对多个闪速存储控制器进行连接,使得多个存储装置可连接在一起,而没有将装置引脚并联连接所引起的总线负载和固有的信号降级。如果装置只是用作另一个装置的传递(pass-through)站,则信号还可快速通过各控制器,或者可被缓冲以便对关联存储器阵列进行读写。在一些实施例中,各存储装置包括包含存储器阵列和关联存储控制器的单集成电路,所述关联存储控制器控制所述存储器阵列的操作以及对传递操作进行控制,在传递操作中被寻址到其它存储装置的命令或数据通过该控制器供那些其它装置使用。一些实施例包括与存储装置分离的主控制器,所述主控制器发起命令并将数据写入存储装置,并且还可接收来自存储装置的读数据。注意:虽然描述和附图经常提到闪速存储器,具体来说提到NAND闪速存储器,但是所述原理还可与其它类型的非易失性存储器配合使用;在这些非易失性存储器中,访问时间长到足以保证依次访问多个存储装置的每个存储装置以便获得原本毗邻的数据块,且将这些装置并行放置于公共总线可引起不可接受的总线负载。
图1示出根据本发明的一个实施例的非易失性存储器系统。在所示系统100中,主控制器110可提供对编号为120至12n的、标记为#0、#1、...#n的、数量为n+1的闪速存储装置的总体控制。时钟信号CLK可由主控制器始发,并且传递给第一存储装置120,第一存储装置120将CLK传递给下一存储装置121,依此类推,直至CLK到达该链中的最后一个存储装置、即存储装置12n。数据可通过图中集中标记为DATA的多个并行数据线双向传递。并行数据线的数量可以是任何可行的量,例如但不限于4、8、16、32等。写数据可在主控制器中始发,并且从一个存储装置传递到另一存储装置,直至它到达指定存储装置为止,在指定存储装置将写数据写入该装置的内部存储器阵列。读数据可在所选存储装置中始发,并且通过多个存储器置直至到达主控制器为止,主控制器然后可处理该数据。到各种装置的电源连接未示出,以免使附图杂乱。
图2示出根据本发明的一个实施例的存储装置的框图。在所示实施例中,时钟、数据和数据有效(DV)线与图1中的时钟、数据和数据有效线对应。闪速存储装置编号为120,但是可对应于图1所示的任一闪速存储装置。闪存阵列230包括闪速存储装置的实际存储器部分,数据可存储在该部分中供其它装置使用。如图所示,在主控制器始发的时钟信号CLK可通过clkin输入来引入,并且用于给命令状态机240提供时钟,通过使用缓冲器210以便减小要是把所有存储装置直接连接到同一时钟线会引起的负载,还可将时钟信号从clkin传递到clkout。命令状态机240可用于根据通过data1线所引入的命令来控制闪速存储装置中的总体操作。
为了便于描述,在本文档的上下文中,‘上游’表示朝主控制器移动的数据,而‘下游’表示远离主控制器移动的数据。例如,图1中,装置121将在装置120的下游,而装置120将在装置121的上游。主控制器110在所有存储装置12x的上游。
参照图2,数据信号可去往上游或下游,并且可通过存储装置传递、或者始发于该存储装置始发或者指定给该存储装置。复用器/解复用器(mux/demux)271可用于在命令状态机240的控制下为这个装置与下一上游装置之间沿任一方向传播的数据提供适当的数据通路。mux/demux 271可将下游数据从data1路由到寄存器262,数据可锁存在寄存器262中并且在data2对下一下游装置可用。类似地,来自data2的、已锁存在寄存器261中的上游数据可通过mux/demux271而在data1可用于传递给下一上游装置。虽然mux/demux 271示为单个功能电路,但是在一些实施例中,它可实现为复用器和独立的解复用器。
为了给传递数据提供适当时序,数据有效(DV)信号也可以任一方向传递,其中下游信号锁存在寄存器263中而上游信号锁存在寄存器264中。在某些情况下,例如当存储装置正从它自己的存储器阵列提供数据而不是传递来自另一存储装置的数据时,mux/demux272可设置成在DV1提供时序信号fclk,而不是传递来自下游装置的DV信号。在一些实施例中,信号fclk可以是在命令状态机240的控制下从clkin得出的、但仅在某些时间才是活动的时钟信号。
当主控制器正尝试从这个特定闪速存储装置读取数据时,从闪存阵列230所读取的数据可放入先进先出缓冲器(FIFO)251,mux/demux 271可从所述先进先出缓冲器中选取数据以提供在data1供下一上游装置读取。当主控制器正尝试将数据写入这个特定存储装置时,在data1的数据可由mux/demux 271路由到FIFO 252,可将数据从FIFO 252写入闪存阵列。
FIFO可用于允许可具有较慢的数据传输率的阵列与可具有较高的数据传输率的菊花链总线之间的数据传输率的差异。在一些实施例中,一页(或其它块大小)数据在通过data1向上游传递之前可由阵列230完全写入FIFO 251。类似地,完整数据块可在从FIFO252写入阵列230之前通过data1写入FIFO 252。
这种在FIFO中进行缓冲的技术可有利地用来通过对一个存储装置执行操作的同时另一存储装置正用其FIFO进行内部传输而提高存储器系统的总吞吐量。例如,可指示存储装置#0从其阵列读取数据。当它正将那个数据从其阵列移到其FIFO时,存储装置#1可被指示从它自己的阵列读取数据。然后可对其它存储装置开始类似的读操作。到已经开始所有读操作时,存储装置#0可能已经填充其FIFO,并且可将那个数据传送给主控制器。当那个传输完成时,可指示存储装置#0从其阵列读取它将要开始放入其FIFO的另一数据块。这时,存储装置#1可能已经填充其FIFO,且可将那个数据传送给主控制器并被指示将另一数据块读入其FIFO。这个过程可对其余存储装置继续进行,直到它们均已将其数据传送给主控制器。那时,可指示存储装置#0将其第二数据块从其FIFO传送给主控制器,并且该过程可重复进行。在不同存储装置之间进行交替的这个过程可继续直到已经传送所有必要的数据。可通过将数据依次写入各存储装置的FIFO,并且在其它装置正从主控制器接收其数据的同时令一个装置将数据从其FIFO写入其阵列,接着对写操作进行类似的过程。虽然这个过程描述为按照采用菊花链方式连接在一起的顺序来选择存储装置,但是一些操作可按照不同顺序来选择装置。
应当注意,所有内部数据通路虽然在图中以单线表示,但是实际上可包含多个并行线,在一些实施例中,所述并行线可在数量上等于存储装置之间的并行数据线的数量。类似地,FIFO 251和252、寄存器261和262以及mux/demux 271可配置成处理所需数量的并行信号。
图3A、图3B和图3C示出根据本发明的一个实施例、由存储装置所执行的方法的流程图。在流程图300的所示实施例中,在310,存储装置接收命令。命令可以是若干不同类型的命令中之一。如在315所确定的,如果命令是寻址到另一存储装置的读命令,则在316,当前存储装置可将其内部复用器/解复用器(例如图2的mux/demux 271)配置用于读传递操作。当直接或者通过另一下游装置间接接收到来自所选下游存储装置的读数据时,在317,这个读数据可通过当前存储装置的控制电路向上游传递。
如在320所确定的,如果命令是对于另一装置的写命令,则在321,当前存储装置可将其mux/demux配置用于传递写操作。当直接或者通过另一上游装置间接接收到来自主控制器的写数据时,在322,这个写数据可通过当前存储装置的控制电路向下游传递。
如在325所确定的,如果命令是寻址到这个存储装置的读命令,则该过程可在图3B继续进行。在340,存储装置可将其mux/demux配置用于内部读取。如在345所确定的,如果先前所请求数据在FIFO中可用,则在350,那个数据可从那个FIFO发送给下一上游装置,可从所述下一上游装置将它传递给主控制器。如果FIFO为空,则在355,存储装置可使用读命令来触发数据从其自己的阵列到其FIFO的传送。一旦该存储装置在350已经完成向上游传送其FIFO数据,或者在355已经开始将数据从其阵列传送到其FIFO,则可返回到图3A中的‘A’以便等待下一命令。甚至在存储装置返回到A之后,在355的操作也可继续完成。
回到图3A,如在330所确定的,如果在310所示的命令是寻址到这个存储装置的写命令,则该过程可在图3C继续进行。在360,存储装置可将其mux/demux配置用于内部写入。如在365所确定的,如果FIFO因为仍然包含来自前一写操作的数据而没有预备接收更多数据,则该存储装置可不进行操作(除了继续将剩余数据从FIFO写入阵列之外),并且返回到A以便等待另一命令。如在365所确定的,如果FIFO预备接收数据,则在375,可从上游接收到那个数据并将其写入FIFO。一旦该数据处于FIFO中,则在380,可开始将那个数据写入阵列。一旦已经完成在375新数据到FIFO的传送,并且在380开始了数据到阵列的传送,则甚至在存储装置已经返回到A以便等待另一命令之后,也可继续完成数据到阵列的传送。
如果在310接收到与刚才所述的四个命令不同的命令,则在335,存储装置可移动到需要的任何其它处理(未描述)。在一些实施例中,如果存储装置在接收到来自主控制器的命令时没有预备执行所述选项的任一个,则可返回‘忙’或‘错误’状态。
图4示出根据本发明的一个实施例、由主控制器所执行的方法的流程图。在一些实施例中,这可以是图1的主控制器110。在所示流程图400中,在410,主控制器选择多个存储装置的第一存储装置,并且在420,在菊花链总线上发送寻址到那个存储装置的命令。为了描述的简洁起见,在这里用X=0至X=n的递增值表示对0至n的各存储装置依次寻址,但是其它实施例可使用其它过程来识别和选择各个存储装置。如在430所确定的,如果所选存储装置预备传送数据,则在440,主控制器可执行数据传输。‘预备传送数据’表示所选存储装置在其FIFO中具有预备传送给主控制器的数据(在读命令的情况下),或者所选存储装置具有预备接收来自主控制器的数据的可用FIFO(在写命令的情况下)。在450,主控制器可在数据传输之后(或者如果没有传送数据就立即)选择下一存储装置(X=X+1),并且对那个新选择的存储装置重复该过程。如在460所确定的,当已经通过这种方式与所有预期存储装置进行了通信时,主控制器可对第一存储装置继续进行操作,并且重复具有更多读或写数据的序列。如在470所确定的,当已经完成所有传输时,主控制器可继续进行其它处理。在一些实施例中,在读操作的情况下,在480,从数据传输到主控制器的所有数据可正确装配成单个数据块。将来的数据传输稍后可在410再次开始。类似地,在写操作的情况下,数据块最初可分成各个部分,其中的每个部分单独发送给各个存储装置中的各个FIFO。
以上描述意在是说明性而不是限制性的。本领域的技术人员会想到一些变更。那些变更意在包含于发明的各种实施例中,本发明的各种实施例仅受到随附权利要求书的精神和范围限制。

Claims (9)

1.一种存储设备,包括用于非易失存储装置的控制电路,所述控制电路包括:
第一组连接,连接到以菊花链连接配置的上游装置;
第二组连接,连接到以所述菊花链连接配置的下游装置;
第一mux/demux,耦合到所述第一组连接中的数据线;
第二mux/demux,耦合到所述第一组连接中的第一数据有效线;以及
命令状态机,对通过所述第一组连接所接收的命令进行解码,并且将所述第一mux/demux配置成提供用于在所述设备和所述上游装置之间以任一方向传递数据的数据通路,包括所述命令状态机将所述第一mux/demux配置成:
  1) 如果所述命令被寻址到另一装置,则在所述第一与第二组连接之间传递随后的数据;
  2) 如果所述命令是被寻址到所述控制电路的写命令,则把来自所述第一组连接的所述随后的数据存储在存储器阵列中;以及
  3) 如果所述命令是被寻址到所述控制电路的读命令,则从所述存储器阵列读取所述随后的数据,并且将所述随后的数据提供给所述第一组连接,
其中,所述第二mux/demux配置成:
  在所述设备从它自己的存储器阵列提供数据时,在所述第一数据有效线提供时序信号,而不是传递来自所述下游装置的数据有效信号通过所述设备;并且
  在其它情况下,在所述上游装置和所述下游装置之间以任一方向传递数据有效信号。
2.如权利要求1所述的设备,还包括:第一先进先出缓冲器(FIFO),在所述存储器阵列与所述第一组连接之间缓冲数据。
3.如权利要求1所述的设备,其中,所述非易失存储装置包括闪速存储装置。
4.如权利要求3所述的设备,其中,所述闪速存储装置包括NAND闪速存储装置。
5.如权利要求1所述的设备,还包括:与所述第一组连接耦合的主控制器。
6.一种用于数据传递的方法,包括:
由特定存储装置接收在主控制器与所选存储装置之间通过双向数据线传送数据的命令;
由所述特定存储装置将第一mux/demux配置成提供用于在所述特定存储装置和通过第一组连接耦合到所述特定存储装置的上游装置之间以任一方向传递数据的数据通路,包括:
  如果所述命令是读命令且所述所选存储装置是所述特定存储装置,则将所述第一mux/demux配置成为所述主控制器提供来自所述特定存储装置的存储器阵列的数据;
  如果所述命令是写命令且所述所选存储装置是所述特定存储装置,则将所述第一mux/demux配置成把来自所述主控制器的数据存储在所述特定存储装置的所述存储器阵列中;并且
  如果所述所选存储装置不是所述特定存储装置,则将所述第一mux/demux配置成传递所述数据通过所述特定存储装置;以及
其中,所述特定存储装置包括耦合到所述第一组连接的第一数据有效线的第二mux/demux,并且将所述第二mux/demux配置成:
  在所述特定存储装置从它自己的存储器阵列提供数据时,在所述第一数据有效线提供时序信号,而不是传递来自所述所选存储装置的数据有效信号通过所述特定存储装置;并且
  在其它情况下,在所述主控制器与所选存储装置之间以任一方向传递数据有效信号。
7.如权利要求6所述的方法,其中,将所述第一mux/demux配置成传递数据包括:将所述第一mux/demux配置成接收来自一个装置的数据并且将所述来自一个装置的数据提供给以菊花链连接布置的另一装置。
8.如权利要求6所述的方法,其中,将所述第一mux/demux配置成为所述主控制器提供数据包括将所述第一mux/demux配置成:
从所述特定存储装置的所述存储器阵列读取数据;
将所述数据放入先进先出缓冲器;以及
将所述数据从所述先进先出缓冲器传送到接口。
9.如权利要求6所述的方法,其中,将所述第一mux/demux配置成存储数据包括将所述第一mux/demux配置成:
在接口接收所述数据;
将所述数据放入先进先出缓冲器;以及
将所述数据从所述先进先出缓冲器传送给所述特定存储装置中的存储器阵列。
CN200780046893.1A 2006-12-21 2007-11-21 非易失存储器的高速接口 Expired - Fee Related CN101606137B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/644,270 US7650459B2 (en) 2006-12-21 2006-12-21 High speed interface for non-volatile memory
US11/644,270 2006-12-21
PCT/US2007/024346 WO2008079189A1 (en) 2006-12-21 2007-11-21 High speed interface for non-volatile memory

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100426602A Division CN102156682B (zh) 2006-12-21 2007-11-21 非易失存储器的高速接口

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101606137A CN101606137A (zh) 2009-12-16
CN101606137B true CN101606137B (zh) 2015-01-14

Family

ID=39544599

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100426602A Expired - Fee Related CN102156682B (zh) 2006-12-21 2007-11-21 非易失存储器的高速接口
CN200780046893.1A Expired - Fee Related CN101606137B (zh) 2006-12-21 2007-11-21 非易失存储器的高速接口

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100426602A Expired - Fee Related CN102156682B (zh) 2006-12-21 2007-11-21 非易失存储器的高速接口

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7650459B2 (zh)
KR (1) KR101087419B1 (zh)
CN (2) CN102156682B (zh)
TW (1) TWI379302B (zh)
WO (1) WO2008079189A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1932158A4 (en) 2005-09-30 2008-10-15 Mosaid Technologies Inc MEMORY WITH OUTPUT CONTROL
US7652922B2 (en) 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
US20070165457A1 (en) * 2005-09-30 2007-07-19 Jin-Ki Kim Nonvolatile memory system
US8086785B2 (en) * 2007-02-22 2011-12-27 Mosaid Technologies Incorporated System and method of page buffer operation for memory devices
WO2008101316A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Mosaid Technologies Incorporated Apparatus and method for using a page buffer of a memory device as a temporary cache
US8683126B2 (en) * 2007-07-30 2014-03-25 Nvidia Corporation Optimal use of buffer space by a storage controller which writes retrieved data directly to a memory
KR101412524B1 (ko) 2008-01-31 2014-06-25 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 카드 시스템 및 그것의 카드 인식방법
US20110047318A1 (en) * 2009-08-19 2011-02-24 Dmitroca Robert W Reducing capacitive load in a large memory array
JP5254449B2 (ja) * 2009-12-07 2013-08-07 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置、ホスト装置、記憶システム、データ通信方法およびプログラム
US8208484B2 (en) * 2010-01-11 2012-06-26 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Forwarding a packet within a router using fragments over an interconnect
US8843692B2 (en) 2010-04-27 2014-09-23 Conversant Intellectual Property Management Inc. System of interconnected nonvolatile memories having automatic status packet
US8463959B2 (en) 2010-05-31 2013-06-11 Mosaid Technologies Incorporated High-speed interface for daisy-chained devices
US8856482B2 (en) 2011-03-11 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Systems, devices, memory controllers, and methods for memory initialization
US9021178B2 (en) * 2011-05-02 2015-04-28 Western Digital Technologies, Inc. High performance path for command processing
TW201347051A (zh) 2012-01-27 2013-11-16 Mosaid Technologies Inc 連接記憶體晶粒形成記憶體系統的方法與設備
US9471484B2 (en) 2012-09-19 2016-10-18 Novachips Canada Inc. Flash memory controller having dual mode pin-out
CN104937577B (zh) * 2013-03-15 2018-11-30 慧与发展有限责任合伙企业 支持扩展写入的存储器模块控制器
CN104216850B (zh) * 2013-05-31 2018-06-19 鸿富锦精密电子(天津)有限公司 接口传输设备
US10216685B1 (en) * 2017-07-19 2019-02-26 Agiga Tech Inc. Memory modules with nonvolatile storage and rapid, sustained transfer rates
CN115801541B (zh) * 2022-11-18 2024-03-22 湖南长银五八消费金融股份有限公司 全链路追踪平台中慢访问告警方法、装置和计算机设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1188279A (zh) * 1996-11-26 1998-07-22 村田机械株式会社 主机和信息处理装置
US5860080A (en) * 1996-03-19 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation
US6378018B1 (en) * 1997-10-10 2002-04-23 Intel Corporation Memory device and system including a low power interface
US6658509B1 (en) * 2000-10-03 2003-12-02 Intel Corporation Multi-tier point-to-point ring memory interface

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7130958B2 (en) * 2003-12-02 2006-10-31 Super Talent Electronics, Inc. Serial interface to flash-memory chip using PCI-express-like packets and packed data for partial-page writes
US6317352B1 (en) * 2000-09-18 2001-11-13 Intel Corporation Apparatus for implementing a buffered daisy chain connection between a memory controller and memory modules
US6996644B2 (en) * 2001-06-06 2006-02-07 Conexant Systems, Inc. Apparatus and methods for initializing integrated circuit addresses
US20050086413A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Super Talent Electronics Inc. Capacity Expansion of Flash Memory Device with a Daisy-Chainable Structure and an Integrated Hub
US20060129701A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Shekoufeh Qawami Communicating an address to a memory device
US20070076502A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Pyeon Hong B Daisy chain cascading devices
US20070165457A1 (en) * 2005-09-30 2007-07-19 Jin-Ki Kim Nonvolatile memory system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5860080A (en) * 1996-03-19 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation
CN1188279A (zh) * 1996-11-26 1998-07-22 村田机械株式会社 主机和信息处理装置
US6378018B1 (en) * 1997-10-10 2002-04-23 Intel Corporation Memory device and system including a low power interface
US6658509B1 (en) * 2000-10-03 2003-12-02 Intel Corporation Multi-tier point-to-point ring memory interface

Also Published As

Publication number Publication date
US20080155207A1 (en) 2008-06-26
CN102156682B (zh) 2013-03-06
WO2008079189A1 (en) 2008-07-03
CN102156682A (zh) 2011-08-17
CN101606137A (zh) 2009-12-16
US7650459B2 (en) 2010-01-19
TWI379302B (en) 2012-12-11
KR20090080568A (ko) 2009-07-24
KR101087419B1 (ko) 2011-11-25
TW200832415A (en) 2008-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101606137B (zh) 非易失存储器的高速接口
CN101568903B (zh) Nand闪存的基于命令的控制
KR101371815B1 (ko) 다수의 명령들을 처리하기 위한 메모리 제어기들, 메모리 시스템들, 고체상태 드라이버들 및 방법들
US7934070B2 (en) Streaming reads for early processing in a cascaded memory subsystem with buffered memory devices
US7337293B2 (en) Streaming reads for early processing in a cascaded memory subsystem with buffered memory devices
JP4532542B2 (ja) メモリハブ付きメモリモジュールでデータ転送を編成するためのシステムおよび方法
US6467015B1 (en) High speed bus interface for non-volatile integrated circuit memory supporting continuous transfer
US7543114B2 (en) System and controller with reduced bus utilization time
TW200822145A (en) Daisy chain cascade configuration recognition technique
CN101568904A (zh) 非易失性存储器的成扇形展开的高速系统体系结构和输入/输出电路
US11249913B2 (en) Continuous read with multiple read commands
CN102971795A (zh) 使用单个缓冲区同时读取多个存储器装置的方法和设备
CN104425041A (zh) 能够对多个存储器进行独立控制的测试装置
US7831755B2 (en) Method and system for interfacing a plurality of memory devices using an MMC/SD protocol
US20060179183A1 (en) Single burst completion of multiple writes at buffered DIMMs
JP2011520192A (ja) 構成可能な入出力ポートを伴うメモリモジュール
US20090043946A1 (en) Architecture for very large capacity solid state memory systems
JP5643896B2 (ja) デイジーチェーン接続されたデバイスのための高速インターフェイス
KR100761374B1 (ko) 플래시 메모리 제어 방법 및 장치
CN103186351A (zh) 高性能ahci接口
US6401161B1 (en) High speed bus interface for non-volatile integrated circuit memory supporting continuous transfer
KR102242957B1 (ko) 고속 낸드 메모리 시스템과 고속 낸드 메모리 패키지 디바이스
JP2012018639A (ja) メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ
JP2022002164A (ja) 非順次的ページ連続リード

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150114

Termination date: 20181121

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee