CN101598989B - 触摸屏引线的加工工艺 - Google Patents
触摸屏引线的加工工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101598989B CN101598989B CN2009101085966A CN200910108596A CN101598989B CN 101598989 B CN101598989 B CN 101598989B CN 2009101085966 A CN2009101085966 A CN 2009101085966A CN 200910108596 A CN200910108596 A CN 200910108596A CN 101598989 B CN101598989 B CN 101598989B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sputter
- lead
- etching
- processing technology
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nitric acid;phosphoric acid Chemical compound CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括：首先在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入反应气N2；然后采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线即得。本发明提供的加工工艺不同于采用特殊蚀刻液在引线断面处刻蚀出斜坡状结构的传统做法，工艺过程简单，易于控制，效率高，且降低了成本。
Description
【技术领域】
本发明属于触摸屏制造领域，尤其涉及触摸屏引线的加工工艺。
【背景技术】
在触摸屏制作过程中，通常采用Mo-Al-Mo作为边缘引线(上下两层Mo层分别起保护Al层和增加附着力作用)将纵横向电极与FPC连通。制作过程中，通常先在玻璃基片上依次溅镀底层Mo层、中间Al层和表层Mo层，溅镀体系通常是以氩气为保护气体；接着对溅镀好的Mo-Al-Mo层进行刻蚀，以得到相应的Mo-Al-Mo引线，最后在上面再溅镀ITO层。实践证明，若刻蚀后的Mo-Al-Mo断面处为斜坡状时(如图1所示，即在玻璃表面上Mo-Al-Mo层的刻蚀断面处底层Mo层延伸出中间Al层而同时Al层又延伸出表层Mo层)，再在其上溅镀的ITO层就与MO-Al-Mo层在断面处充分接触，不留间隙，最终制得的器件可靠性就比较高。
但是在实际工艺过程中，由于普通蚀刻液对Al的刻蚀速率比Mo快，这样刻蚀出来的结果是Mo凸出，Al凹进，往往是中间的Al层刻蚀的多，而底层与表层的Mo刻蚀的少，在断面处容易出现底切现象(如图2所示)。这样的话，一方面断面凹陷处Al的边缘容易残留蚀刻液，容易对Al层进行进一步的腐蚀，降低了最终制得的器件的可靠性和缩短了其寿命；另一方面，当在刻蚀后的Mo-Al-Mo层上面镀ITO时，由于断面处存在Al层的凹陷，不能保证Al层与ITO层的充分接触而容易形成断路。
为解决上述存在问题，业界普遍采用的方法是，在刻蚀时，采用特殊的蚀刻液Mo-Al-Mo层进行刻蚀，以达到使Mo-Al-Mo的断面处为斜坡状的结构。但是这种特殊的蚀刻液价格昂贵，且需要分步刻蚀，工艺过程不易控制，带来刻蚀成本高和效率低下的缺陷。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，使得溅镀后的Mo-Al-Mo层采用普通蚀刻液即可刻蚀出斜坡状断面的效果。
为达到上述发明目的，本发明提出以下的技术方案：
一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括以下步骤：
S1在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入反应气N2；
S2采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
上述加工工艺中，还包括在溅镀底层Mo时向溅射体系中通入氮气，该通入的氮气的比例低于在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气的比例。
上述加工工艺中，所述在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的3-10％。
上述加工工艺中，所述在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的3-10％，在溅镀底层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的1-5％。
上述加工工艺中，所述蚀刻液是磷酸-醋酸-硝酸体系的蚀刻液。
上述加工工艺中，所述底层Mo层厚度为300-600埃；所述表层Mo层厚度为300-600埃；所述中间Al层厚度为2200-2800埃。
本发明的引线加工工艺，由于在溅镀表层Mo层的过程中通入了N2作为反应气，这样溅镀出来的Mo层中就相当于均匀掺杂了MoN3，致使Mo层结构变得比较疏松，在后续的刻蚀工序中使得掺杂后的Mo层相比较于未掺杂的Mo层较易刻蚀，提高了Mo层的刻蚀速率，从而使得刻蚀后的Mo-Al-Mo层在断面处为斜坡状的结构。该工艺不同于采用特殊蚀刻液在引线断面处刻蚀出斜坡状结构的传统做法，工艺过程简单，易于控制，效率高，且降低了成本。
【附图说明】
图1所示为理想状态下Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面示意图；
图2所示为现有技术中采用常规工艺得到的Mo-Al-Mo引线在断面处出现底切现象的扫描电镜图；
图3所示为本发明一个实施例所得到的Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面的扫描电镜图；
图4所示为本发明另一个实施例所得到的Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面的扫描电镜图。
图5所示为本发明再一个实施例所得到的Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面的扫描电镜图
【具体实施方式】
实施例1
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上溅镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层，在溅镀表层Mo时向溅射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的5％；溅镀后底层Mo层厚300埃，表层Mo层厚500埃，中间Al层厚2800埃。
溅镀完成后，采用磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图3所示。
实施例2
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上溅镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层；在溅镀底层Mo时向溅射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的1％，同时在溅镀表层Mo时也向溅射体系中通入占气体总量的3％的N2作反应气；溅镀后底层Mo层厚600埃，表层Mo层厚300埃，中间Al层厚2200埃。
溅镀完成后，采用磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图4所示。
实施例3
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上溅镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层；在溅镀表层Mo时向溅射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的10％，同时在溅镀底层Mo时也向溅射体系中通入占气体总量的5％的N2作反应气；溅镀后底层Mo层厚500埃，表层Mo层厚600埃，中间Al层厚2500埃。
溅镀完成后，采用磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图5所示。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (4)
1.一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括以下步骤：
S1在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入氮气，在溅镀底层Mo时也向溅射体系中通入氮气，该通入的氮气的比例低于在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气的比例；
S2采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
2.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述蚀刻液是磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液。
3.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述底层Mo层厚度为300-600埃。
4.根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述中间Al层厚度为2200-2800埃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101085966A CN101598989B (zh) | 2009-07-06 | 2009-07-06 | 触摸屏引线的加工工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101085966A CN101598989B (zh) | 2009-07-06 | 2009-07-06 | 触摸屏引线的加工工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101598989A CN101598989A (zh) | 2009-12-09 |
| CN101598989B true CN101598989B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=41420451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101085966A Expired - Fee Related CN101598989B (zh) | 2009-07-06 | 2009-07-06 | 触摸屏引线的加工工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101598989B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449817B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H.C. Stark, Inc. | Molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
| US8449818B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H. C. Starck, Inc. | Molybdenum containing targets |
| CN102176194B (zh) * | 2011-03-18 | 2014-06-25 | 深圳南玻显示器件科技有限公司 | 金属引线电极的加工方法 |
| CN103451665B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-02-17 | 东莞市平波电子有限公司 | 一种触摸屏引线的加工工艺 |
| CN106527795B (zh) * | 2016-10-24 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸屏绑定区金属接触结构、制备方法及显示装置 |
| CN106527839B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-08-16 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控引线结构及其制作方法 |
| CN110647255B (zh) * | 2019-08-15 | 2023-04-25 | 信利光电股份有限公司 | 一种触摸屏金属线的制作方法 |
| CN113421916B (zh) * | 2021-05-27 | 2024-03-01 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 金属导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831281A (en) * | 1995-11-28 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor |
| CN101392375A (zh) * | 2007-09-18 | 2009-03-25 | 株式会社东进世美肯 | 用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物 |
-
2009
- 2009-07-06 CN CN2009101085966A patent/CN101598989B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831281A (en) * | 1995-11-28 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor |
| CN101392375A (zh) * | 2007-09-18 | 2009-03-25 | 株式会社东进世美肯 | 用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101598989A (zh) | 2009-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101598989B (zh) | 触摸屏引线的加工工艺 | |
| KR102707568B1 (ko) | 다중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| CN101997040A (zh) | 用于制造具有带有纹理表面的透明传导氧化物层的多层结构的工艺和借此制成的结构 | |
| TW201307586A (zh) | Ｃｕ合金膜、及具備此之顯示裝置或電子裝置 | |
| CN102044429A (zh) | 一种硅片的刻蚀方法 | |
| CN101771072A (zh) | 主动元件阵列基板及其制作方法 | |
| CN102361539A (zh) | 凹槽类印制线路板的制作方法 | |
| KR20080045403A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 | |
| CN101887893A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| CN110647255B (zh) | 一种触摸屏金属线的制作方法 | |
| CN102154650A (zh) | 一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法 | |
| CN104582320A (zh) | 一种柔性线路板的前段制作工艺 | |
| WO2007083590A1 (ja) | 積層構造、それを用いた電気回路用電極及びその製造方法 | |
| CN103451665B (zh) | 一种触摸屏引线的加工工艺 | |
| CN101819930A (zh) | 降低沟槽内残留物的方法 | |
| CN100583456C (zh) | 玻璃基板表面金属层结构及其制作方法 | |
| CN1885505A (zh) | 一种钴硅化物的形成方法 | |
| CN1828847A (zh) | 一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法 | |
| EP1978400B1 (en) | Laminated structure, and electrode for electric circuit using the same | |
| CN102420173A (zh) | 一种提高铜互连可靠性的表面处理方法 | |
| CN101692422B (zh) | 显示面板及薄膜晶体管的栅极绝缘层的重工方法 | |
| CN106757033B (zh) | 一种铜或铜合金的选择性蚀刻液 | |
| CN201153117Y (zh) | 半导体机台的改良机构 | |
| CN104037062B (zh) | Mos电容的制造方法 | |
| CN103094188A (zh) | 一种制作芯片上熔丝窗口的方法及熔丝窗口 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN NANBO WELLLIGHT CONDUCTIVE COATING CO., L Free format text: FORMER OWNER: CSG HOLDING CORPORATION Effective date: 20110620 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518047 CROSSING OF GONGYE 6TH ROAD, SHEKOU INDUSTRIAL ZONE, NANSHAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE TO: 518000 CSG ELECTRONIC BUILDING, 3RD ROAD, NORTH INDUSTRIAL ZONE OF HIGH-TECH. ZONE, NANSHAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20110620 Address after: 518000 Guangdong Province, Shenzhen high tech Zone of Nanshan District City, North Industrial Zone No. three road of CSG Electronics Building Applicant after: Shenzhen Nanbo Welllight Conductive Coating Co., Ltd. Address before: Six industrial intersection, Shekou Industrial Zone, Shenzhen, Guangdong, Nanshan District 518047, China Applicant before: CSG Holding Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160127 Address after: 443005 No. 38, Dalian Road, Yichang, Hubei Patentee after: YICHANG NANBO DISPLAY DEVICES CO., LTD. Address before: 518000 Guangdong Province, Shenzhen high tech Zone of Nanshan District City, North Industrial Zone No. three road of CSG Electronics Building Patentee before: Shenzhen Nanbo Welllight Conductive Coating Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120725 Termination date: 20190706 |