CN1885505A - 一种钴硅化物的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行Si注入，使单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅；其次，通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变。本发明可以减小对硅村底的硅的损耗，降低结漏电，减小村底表面缺陷对钴硅化物造成的影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属硅化物的形成方法，尤其涉及一种钴硅化物的形成方法。
背景技术
某些集成电路半导体器件对漏电有很高的要求，结漏电和STI(浅槽隔离层)的漏电是器件的关键参数，目前0.18微米工艺及0.15微米工艺通常采用的Salicide(硅化物)工艺都是Co Salicide(钴硅化物)工艺。
如图1所示，在Co Salicide工艺中，通常是先通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅，然后溅射Co或Co/TiN等金属，接着进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变，之后再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除，再通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变。
在现有的Co Salicide工艺中，Co Salicide形成所需的硅原子都是由硅片上的单晶硅或多晶硅提供的，要形成一定厚度的Co Salicide，必须消耗单晶硅或多晶硅表面一定量的硅原子。而且单晶硅或多晶硅表面的缺陷也会对之后生成的Co Salicide造成很大的影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种钴硅化物的形成方法，该方法可以减小对硅村底的硅的损耗，降低结漏电，减小村底表面缺陷对钴硅化物造成的影响。
为解决上述技术问题，本发明一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行Si注入，使单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅；其次，通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：可以减小对硅村底的硅的损耗，减小HF刻蚀对STI顶部边缘小角的影响作用，具有降低漏电流，减小村底表面缺陷对Salicide影响的作用效果。
附图说明
图1是现有技术Co Salicide工艺的流程图；
图2是本发明一种钴硅化物的形成方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
如图2所示，本发明一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行Si注入，使单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅；其次，通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变。
新工艺与原工艺相比较，在HF刻蚀之前多了一次Si注入，其目的是在单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅。由于无定型硅的硅原子排列不像单晶硅和多晶硅一样具有一定的规律性，而这种不规律的排列有利于Salicide的界面在靠近单晶硅和多晶硅的表面上保持较好的均一性。同时，这次Si注入在单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅结构也可有效地消除单晶硅或多晶硅表面的缺陷对之后生成的Co Salicide造成的影响。
Si注入之后的HF刻蚀是去除单晶硅和多晶硅上的剩余氧化硅。由于之前Si注入使得硅片表面单晶硅和多晶硅上的氧化硅变得更为疏松，所以，这里HF刻蚀的时间可以相对于原工艺减少一些，从而减小HF刻蚀对STI顶部边缘小角的影响。这对于获得较小STI边缘漏电是有帮助的。
第一次灯退火处理是目前salicide工艺中的第一次晶型转变，由于之前的Si注入已经在单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅，其中一部分硅原子来自Si注入，这样这部分的硅原子可以加入到第一次晶型转变所需要的硅原子中，减少了第一次晶型转变对硅村底的硅原子的损耗，从而达到了降低结漏电的效果。
之后再进行选择性刻蚀及第二次灯退火，形成最终的所需要的钴硅化物。
Claims (2)
1、一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变；其特征在于，在进行HF刻蚀之前先做一次Si注入。
2、如权利要求1所述的钴硅化物的形成方法，其特征在于，所述的Si注入使单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅。
Priority Applications (1)
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| CN 200510026915 CN1885505A (zh) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 一种钴硅化物的形成方法 |
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| CN 200510026915 CN1885505A (zh) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 一种钴硅化物的形成方法 |
Publications (1)
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| CN1885505A true CN1885505A (zh) | 2006-12-27 |
Family
ID=37583593
Family Applications (1)
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| CN 200510026915 Pending CN1885505A (zh) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 一种钴硅化物的形成方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN1885505A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102487002A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 连接件的制造方法 |
| CN102117744B (zh) * | 2010-01-05 | 2013-04-03 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 自对准金属硅化物的形成方法 |
| CN110911280A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种金属硅化物的形成方法 |
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2005
- 2005-06-20 CN CN 200510026915 patent/CN1885505A/zh active Pending
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