CN1889239A - 一种钛硅化物的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行第一次Si注入；然后，通过HF刻蚀后进行金属钛的溅射；接着，进行第二次Si注入；之后，通过第一次灯退火及选择性刻蚀；最后，通过第二次灯退火以形成钛硅化物。本发明可以改善钛硅化物方块电阻的均一性。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属硅化物的形成方法，尤其涉及一种钛硅化物的形成方法。
背景技术
某些集成电路半导体产品的良率和可靠性对一些方块电阻的均一性有很高的要求，钛硅化物方块电阻的均一性是器件方块电阻的关键参数之一，目前工业界常用的0.25微米工艺以上的钛salicide(硅化物)工艺形成钛salicide的方法。如图1所示，首先进行Si注入，然后通过HF刻蚀后进行金属钛和氮化钛的溅射，之后再通过第一次灯退火及选择性刻蚀，最后再通过第二次灯退火以形成salicide。
在现有的工艺中，在溅射金属钛之前先做一次Si注入的目的是，通过Si的注入，在硅片的表面尤其是在单晶硅表面形成硅原子排列的非晶体化，以利于钛salicide的形成。这种方法得到的salicide方块电阻相对于未通过Si的注入，直接在硅片表面溅射金属钛来形成钛salicide的方块电阻，要有更好的均一性。但是由于在实际工艺中，受到硅片本身表面的均一性的影响，钛salicide的厚度的均一性总是表现的不是非常理想。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种钛硅化物的形成方法，该方法可以改善钛硅化物方块电阻的均一性。
为解决上述技术问题，本发明一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行第一次Si注入；然后，通过HF刻蚀后进行金属钛的溅射；接着，进行第二次Si注入；之后，通过第一次灯退火及选择性刻蚀；最后，通过第二次灯退火以形成钛硅化物。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：使得Salicide的界面在靠近单晶硅和多晶硅的表面具有更好的均一性，可以有效地改善钛Salicide方块电阻的均一性。同时，salicide与硅村底之间界面的平滑性，也会有利于减少由于salicide而造成的结漏电。
附图说明
图1是现有技术钛硅化物工艺的流程图；
图2是本发明一种钛硅化物的形成方法的工艺流程图；
图3是采用原工艺和新工艺形成的钛硅化物方块电阻的测试结果对比图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
如图2所示，本发明一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：步骤一，进行第一次Si注入；步骤二，进行HF刻蚀；步骤三，进行金属钛的溅射；步骤四，进行第二次Si注入；步骤五，进行第一次灯退火；步骤六，进行选择性刻蚀；步骤七，进行第二次灯退火，最终形成钛硅化物。
其中，第一次Si注入的目的是在单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅，由于无定型硅的硅原子排列不像单晶硅和多晶硅一样具有一定的规律性，而这种不规律的排列有利于Salicide的界面在靠近单晶硅和多晶硅的表面上保持较好的均一性。
HF刻蚀的目的是去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅，使得Salicide能够在单晶硅和多晶硅上得以形成。
在HF刻蚀后，在硅片表面溅射金属钛，去除了通常工艺中在金属钛溅射之后还在上面溅射一层TiN用于保护下面的金属钛被氧化，这里将TiN去除的原因是为了之后的第二次Si注入(Si注入时的硅原子无法透过致密的TiN)。这里第二次Si注入的目的是使金属钛中含有一定量的硅原子，由于在Ti salicide的形成过程中主要的扩散机理是硅原子向钛原子内扩散，而第二次Si注入可以弥补一些在灯退火形成salicide的时候，硅村底向金属钛层扩散而造成的硅原子的损失，使得salicide的界面在靠近单晶硅和多晶硅的表面具有更好的均一性。同时，salicide与硅村底之间界面的平滑性，也会有利于减少由于salicide而造成的结漏电。
之后，通过第一次灯退火，使得硅化物第一次转形，然后进行选择性刻蚀，去除未反应的金属钛，在第二次灯退火后，钛salicide就最终形成了。
采用新工艺和原工艺形成钛salicide的方法，都在硅片表面形成了钛salicide。图3显示了对硅片表面的N形多晶硅的方块电阻的测试结果。可见，采用两次分别在溅射金属钛前和溅射金属钛后的Si注入来形成salicide的方法，可以有效地改善钛salicide方块电阻的均一性。
Claims (2)
1、一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行Si注入；然后，通过HF刻蚀后进行金属溅射；之后，通过第一次灯退火及选择性刻蚀；最后，通过第二次灯退火以形成硅化物；其特征在于，在进行金属溅射之后、第一次灯退火之前，还要进行第二次Si注入。
2、如权利要求1所述的钛硅化物的形成方法，其特征在于，所述的金属为金属钛。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200510027260 CN1889239A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 一种钛硅化物的形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 200510027260 CN1889239A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 一种钛硅化物的形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN1889239A true CN1889239A (zh) | 2007-01-03 |
Family
ID=37578504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN 200510027260 Pending CN1889239A (zh) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 一种钛硅化物的形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1889239A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102184845A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-09-14 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法 |
| CN102110624B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-05-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测镍铂去除装置的方法 |
| CN102044422B (zh) * | 2009-10-19 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自对准金属硅化物的形成方法 |
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2005
- 2005-06-29 CN CN 200510027260 patent/CN1889239A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102110624B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-05-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测镍铂去除装置的方法 |
| CN102184845A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-09-14 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法 |
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