CN101591774B - 化学气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明是一种化学气相沉积设备，包括一传输模块腔室，连接一装载室与一制程模块腔室，且具有形成在底部中心区域的一自控装置设置孔；一支撑框架，支撑传输模块腔室的下表面；一基板处理自控装置，具有以将基板处理自控装置插入在自控装置设置孔内的状态而设置在传输模块腔室的一上部件，以将一基板传输到装载室以及制程模块腔室；以及一变形吸收单元，连结到底部与基板处理自控装置，以缓冲且吸收底部的变形，避免将底部的变形转换到基板处理自控装置。

Description

化学气相沉积设备

技术领域

本发明涉及将一基板传输到在一装载室的一精确位置，或者是传输到一制程腔室，以避免由于一传输模块腔室因其内部压力改变或是如振动的外力而使其底部变形，所导致一基板处理自控装置位置改变的化学气相沉积设备。

背景技术

平板显示器是已广泛地应用于电视产品、电脑萤幕、或是个人手提终端机上。而平板显示器可以包括液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、等离子显示面板(plasma display panel)、以及有机发光二极管(organic light emitting diode)。在这些平板显示器中，液晶显示器是使用凭借将介于固态与液态之间的中间物质的液晶，注入在两个薄板的上、下玻璃基板之间的空间的一种光开关现象以显示数字或影像，且使用于上、下玻璃基板电极之间的电压差改变液晶分子的方向，以产生不同亮度。

目前液晶显示器广泛地使用于从如电子手表、电子计算机、电视机的电子产品，到车用产品、里程计以及飞机的操作系统等。普遍来说，当显示萤幕的尺寸小于17时时，液晶显示电视已经具有20到30时的尺寸。然而，近来比较畅销的液晶显示电视的尺寸是40时或以上，且电脑萤幕的尺寸也从20时或以上而继续在增加中。

于是，液晶显示器的制造商是发展较大尺寸基板的制造方法。再者，所谓具有约2公尺水平以及垂直长度的第八代玻璃基板量产，已准备或者是目前正在生产中。液晶显示器是经由一薄膜电晶体阵列制程(TFT Array process)、一液晶胞制程(Cell process)以及一模块制程(module process)大量制造，其中薄膜电晶体阵列制程包括重复沉积(deposition)、黄光(photolithography)、蚀刻(etching)以及化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)等步骤，液晶胞制程是将上、下玻璃基板附着地相互结合于一起，而模块制程是用来完成液晶显示器产品。

上述薄膜电晶体阵列制程的一的化学气相沉积制程，是在一制程腔室(process chamber)中进行，而制程腔室具有化学气相沉积制程的一最佳环境。特别是，在一短时间内处理多个基板，则广泛地使用具有复数个且以一预定间隔而设置的制程腔室的一化学气相沉积设备。

化学气相沉积设备包括一传输模块腔室，连结到传输模块腔室一侧的一装载室，以及连结到传输模块腔室另一侧的复数个制程模块腔室。当一基板须经一工作而输入到装载室时，设置在传输模块腔室的一基板处理自控装置(图未示)，是将基板移动到传输模块腔室，然后再传输到其中的一制程模块腔室。因此，在制程模块腔室中在基板上进行一沉积制程。在完成此一工作之后，基板即以反向顺序取出。

图1是表示现有一化学气相沉积设备的横断面图。请参考图1，设置在传输模块腔室30内的一基板处理自控装置40，是用来将在一装载室(图未示)内的基板传输到一制程模块腔室(图未示)，或者是将已完成沉积制程的基板从制程模块腔室传输到装载室。基板处理自控装置40的组装或是装设位置是很重要的，因为在将基板传输到装载室或是制成模块腔室时，基板必须不仅要传输到一精确位置，而且要将振动最小化。

如图1所示的实线，基板处理自控装置40通常组装到传输模块腔室30内侧的一底部35。也即，在基板处理自控装置40的组装期间，在移除传输模块腔室30内侧的一真空状态后，基板处理自控装置40是组装到传输模块腔室30的底部35，以便进入一大气压力状态。

虽然基板处理自控装置40的组装是在一大气压力状态下进行，由于在进行化学气相沉积制程期间，传输模块腔室30是维持在一真空状态下，因此传输模块腔室30的底部35是由于从一外部大气压力的一相对压差，而可以如图1所示朝一方向A变形。在此状况下，当机板处理自控装置40的部位，由于底部35的变形从在初始组装状态下的H1到H2而改变时，则难以将基板传输到在装载室或是制程模块腔室的一精确位置。

发明内容

为了解决上述以及/或其他问题，本发明是提供一种化学气相沉积设备，用来将一基板传输到在一装载室或者是一制程模块腔室的精确位置，以避免由于在传输模块腔室的内部压力改变或是在如振动的外力改变所导致传输模块腔室一底部变形，而改变一基板处理自控装置位置的改变。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种化学气相沉积设备，其特征在于，包含：

一传输模块腔室，连接一装载室以及一制程模块腔室，且在所述传输模块腔室一底部的一中心部位形成一自控装置设置孔；

一支撑框架，支撑所述传输模块腔室的一下部；

一基板处理自控装置，设置在传输模块腔室的一上部，其是将所述基板处理自控装置的一部位插入到自控装置设置孔，并将一基板传输到所述装载室以及所述制程模块腔室；以及

一变形吸收单元，连结到所述底部以及所述基板处理自控装置，并吸收所述底部的变形，以避免所述底部的变形转换到所述基板处理自控装置。

所述变形吸收单元是包括一上结合部件，连结到所述基板处理自控装置的一侧；一下结合部件，连结到所述底部的一侧；以及一波纹管，用来连接所述上结合部件与所述下结合部件，且垂直地有弹性地压缩以及延伸，以吸收所述底部的变形。

所述传输模块腔室是包括一第一侧板部件，设置在所述底部的一端部而直立站立其上；一上板部件，设置在与所述底部平行的第一侧板部件的一上端；以及一第二侧板部件，设置在与所述第一侧板部件平行的上板部件的一端部。

所述基板处理自控装置是包括依自控装置柄，以穿经所述自控装置设置孔的手段而插设在所述自控装置设置孔；一自控装置主体，设置在传输模块腔室底部的一上部；以及一延伸凸缘，放射状地且向外地从在所述自控装置柄与所述自控装置主体之间的一区域延伸。

所述上结合部件是设置在所述延伸凸缘的一上表面上，且连结到所述延伸凸缘；而且所述下结合部件是设置所述底部的一上表面上，连结到所述底部。

一O型环是设置在所述上结合部件与所述延伸凸缘之间的一区域，以及所述下结合部件与所述底部之间的一区域。

所述化学气相沉积设备更进一步包含一自控装置支撑部件，其一端是连结到所述支撑框架并支撑所述基板处理自控装置。

所述自控装置支撑部件是包括一上水平部，连结到所述基板处理自控装置的一侧；一下水平部，连结到所述支撑框架的一侧；以及一垂直部，用来连接所述上水平部与所述下水平部。

一间隙是形成在所述底部与所述支撑框架之间，用来补偿并允许所述传输模块腔室相对于所述支撑框架的组装。

所述间隙是从所述底部的一上表面向上地挤压。

所述第一侧板部件比所述底部与所述上板部件薄，而且至少一补强肋是更进一步设置在所述底部、所述第一侧板部件与所述上板部件之间。

所述变形吸收单元是由一金属材质所制成。

所述变形吸收单元是包括一上结合部件，连结到所述基板处理自控装置；一连接部件，连结到所述底部；一单元本体，连结到所述连接部件的一端部；一下连结部件，是连结到所述单元本体的一侧；以及一钢板弹簧，用来连接所述上结合部件与所述下结合部件，且垂直地有弹性地压缩与延伸，以吸收所述底部的变形。

与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：由于避免了因在传输模块腔室内部压力或如振动的外部施力而使传输模块腔室底部变形导致基板处理自控装置位置的改变，因此化学气相沉积设备将基板传输到在装载室或是制程模块腔室的一精确位置。

附图说明

图1是表示一现有化学气相沉积设备的结构图；

图2是表示依据本发明一化学气相沉积设备的结构图；

图3是表示图2中传输模块腔室的平面图；

图4是表示一传输模块腔室区域外观的透视图；

图5是表示基板处理自控装置位于传输模块腔室的区域的横断面图；

图6是表示图5中一主要部位的放大透视图；

图7～图10是表示基板处理装置一步一步的组装流程的横断面图；以及

图11是表示依据本发明另一实施例中基板处理自控装置位于一化学气相沉积设备的区域的横断面图。

具体实施方式

本申请案已在韩国知识产权局在2008年5月29日所申请的韩国专利申请案号10-2008-0050280号声明优先权。

所附的图式是用来说明本发明的实施例，并引以获得对本发明足够的了解及其中的优点。在下文中，是参考所附的图式解释本发明的实施例并详加描述。而相同的参考元件编号是表示相同的元件。

下列叙述可供参考，以下所述的一基板可以是指平面显示器，包括液晶显示器(LCD)基板、等离子显示器面板(PDP)基板以及有机发光二极管(OLED)基板。为了方便解释，在目前实施例所使用的「基板」一词，是可为上述任一类型的基板。

图2是表示依据本发明一化学气相沉积设备的结构图。图3是表示图2中传输模块腔室的平面图。图4是表示一传输模块腔室区域外观的透视图。

请参考图2到图4，依据本发明一实施例的一化学气相沉积设备包括复数个制程模块腔室200，是可以提供在一基板(图未示)上进行一化学气相沉积制程；一装载室100，形成供基板在进入一相对应的其中一制程模块腔室200的前，进入其中一制程模块腔室200的一环境；以及一传输模块腔室300，以连接制程模块腔室200与装载室100。

在制程模块腔室200中，化学气相沉积制程是在高温低压的环境下对基板进行。虽然并未在图式中绘制，但是每一制程模块腔室200是从一电极(图未示)射出预定的反应性气体离子沉积到放置在一石墨基座(图未示)上的基板表面上而形成一厚度，也即，沉积制程大致地在基板上进行的位置。

在本实施例中，由于五个制程模块腔室200是相对一装载室100而设置，所以可以改善生产率。然而，由于本发明的范围并不以此为限，因此制程模块腔室数200的数量可以是五个或是五个以上。

为了进行在制程模块腔室200中基板的沉积制程，一基板处理自控装置400以一工作将基板传输到一相对应的其中一制程模块腔室200。由于难以允许在一大气压力下的基板直接进入到在高温低压环境下的其中一制程模块腔室200，因此如与制程模块腔室200相同的环境必须在基板传输到制程模块腔室200的前先行形成。为达此目的，则设置装载室100。

装载室100是设置在，如同当进行化学气相沉积制程的基板由一传输自控装置(图未示)传输时的那些制程模块腔室200的相同的环境下，也即，在相同的温度与压力下。在大致地形成如与制程模块腔室200相同环境的装载室100中的基板，是由设置在传输模块腔室300的基板处理自控装置400所取出，且传输到进行一沉积制程的一相对应其中一制程模块腔室200。相反地，在其中一制程模块腔室200中已完成沉积制程的基板，是由基板处理自控装置400所取出，且是由大致地维持与外部相同温度与压力状态的一传输自控装置(图未示)所传输。

在基板进入其中一制程模块腔室200或是从制程模块腔室200取出的前，装载室100是将基板容置在大致地与制程模块腔室200或外部环经相同的一环境中。虽然并未举例说明，但在本实施例的装载室100是包括一三阶单组腔室(图未示)，以在一垂直方向容置基板。

传输模块腔室300是用来连接制程模块腔室200与装载室100的一腔室。传输模块腔室300是如图3所示为一巨大的六角型结构。也即，因为所谓的第八代基板具有大约为两米的一垂直/水平长度，且由于传输模块腔室300中的基板处理自控装置400所传输，所以传输模块腔室300是建设成一巨大结构。

传输模块腔室300是设座在如图2以及图3所示的一支撑框架310上。将传输模块腔室300设座在支撑框架310上的结构，是也应用于装载室100与制程模块腔室200。一安全防护器320是设置在传输模块腔室300的外表面上。在传输模块腔室300的上部工作期间，安全防护器320可以维持工作者的安全。

形成在基板处理自控装置400的一入口的一上开启/关闭板330，是设置在传输模块腔室300的上表面上。由于上开启/关壁板的手动开启/关闭是不可能的，因此用来连接一起重机的绳索的起重连接部件331是设置在上开启/关闭板330之中央区域。

用来开启/关闭一舱口的一对维护门335，可使一工作者进入传输模块腔室300而不需要打开巨大的上开启/关闭板330，且维护门335是环绕上开启/关闭板330而设置。

传输模块腔室300更进一步包括一基板损坏感测器340，以感测基板进入或是移出传输模块腔室300是否有损坏。此基板损坏感测器340，如图3所示，是可拆卸地联结到传输模块腔室300的角落区域。基板损坏感测器340是一组的设置且感测在传输模块腔室300角落区域的一相对位置的基板损坏。基板损坏感测器340是可以使用雷射感测器，其是在光线发射到基板之后，感测一反射光的速度差异。然而，本发明并不以此为限。

图5是表示基板处理自控装置位于传输模块腔室的区域的横断面图。图6是表示图5中一主要部位的放大透视图。图7～图10是表示基板处理装置一步一步的组装流程的横断面图。

请参考图5到图10，基板处理自控装置400是设置在传输模块腔室300内部，用来将进行一沉积制程的基板从装载室100传输到一相对应其中一制程模块腔室200，或是将已完成沉积制程的基板从其中一制程模块腔室200传输到装载室100。

在本实施例中，如图2所示，由于五个制程模块腔室200是设置在相对应的一装载室100，因此具有多关结手臂的自控装置可以在相对应位置转动与往复移动。

如上所述，当基板处理自控装置400组装在如相关前案的传输模块腔室300底部350上时，传输模块腔室300底部350会变型以致在改变了基板处理自控装置400的位置。因此，难以将基板传输到装载室100或是制程模块腔室200的精确位置。由于在沉积制程进行期间，传输模块腔室300的内侧是维持在真空状态，因此导因在从外部大气压力的相对压差，使得传输模块腔室300底部350主要地朝图3所示的方向A而变形。为了解决此一问题，在本实施例中，改善了基板处理自控装置400的组装位置与周围结构。

如图5到图10所示，在本实施例的化学气相沉积设备中，虽然是组装到传输模块腔室300底部350的区域，但是基板处理自控装置400并非如相关前案一样而直接地组装到底部350。为了详细地叙述基板处理自控装置400的组装位置，传输模块腔室300包括一第一侧板部件351，直立站立在底部350的一端部上，一上板部件352，设置在与底部350平行的第一侧板部件351的上端部上，以及一第二侧板部件353，设置在与第一侧板部件351平行的上板部件352的端部上。

底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353是由一金属材质所制成，且具有一所需的长度。由于传输模块腔室300是一巨大结构，因此难以将底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353结合为一体。于是，底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353是分开制造再相互焊接。

第一侧板部件351是薄于底部350、上板部件352以及第二侧板部件353任何其中之一。因此，用来强化第一侧板部件351强度的补强肋354是设置在底部350、第一侧板部件351与上板部件352之间。然而，由于本发明的权利范围并不以此为限，因此底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353的厚度可以相同，而使补强肋354从结构中排除。

当底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353组装起来而形成传输模块腔室300时，传输模块腔室300可以具有一箱型结构，箱型结构附有一开放的上表面。在此状态下，传输模块腔室300是容置在支撑框架310上，且底部350与支撑框架310是相互螺合在一起。当例如螺合在一起的底部350的支撑框架310的结合部，在本实施例中为八个或八个以上的结合部，并非精确地以表面接触，而是相互间隔，且并未获得在底部350与支撑框架310之间的一结实的结合力。

由于上述现象是导因在一典型地组装宽裕度，为解决此问题，在本实施例中，一间隙G(请参考图7)是进一步设置在底部350与支撑框架310间，以补偿相对于支撑框架310的底部350的组装宽裕度。

间隙G是可以沿着底部350周围间歇地设置。导因在间隙G，相对于支撑框架310的底部350的组装宽裕度是可以补偿。为了形成间隙G，支撑框架310的上表面是可以向下挤压，或者是底部350的底面是可以向上挤压。在本实施例中，是应用一最近的方法。由于本发明的权利范围并不以此为限，因此可以不形成间隙G。

在如上的传输模块腔室300的架构中，如图5所示，基板处理自控装置400上部的一区域是以基板处理自控装置300的一部位插入形成在传输模块腔室300底部350的自控装置设置孔350a的状态，而设置在传输模块腔室300中。

基板处理自控装置400是包括一自控装置柄410，插入且穿过自控装置设置孔350a，一自控装置主体420，设置在传输模块腔室300底部350的一上区域，以及一延伸凸缘430，放射状地且向外地从在自控装置柄410与自控装置主体420之间的一区域延伸。

自控装置柄410具有一中空圆筒结构，以将自控装置主体420从传输模块腔室300外侧连接到不同的控制装置，或者是连接线。

由于基板处理自控装置400是以自控装置柄410穿经自控装置设置孔350a而组装在传输模块腔室300底部350的区域，因此可以组装并装设基板处理自控装置400，以便于基板处理自控装置400与底部350之间可以产生一预定之间隙。当尚未密封间隙时，在制程进行期间，传输模块腔室的内侧400则无法维持在真空状态。

因此，在本实施例中，变形吸收单元500是设置在基板处理自控装置400与底部350之间。变形吸收单元500的功能是密封在基板处理自控装置400与底部350之间的一间隙，且缓冲并吸收底部350的变形以避免底部350变形转换到基板处理自控装置400。

由于变形吸收单元500是在一相对位置大致地执行两个功能，因此本实施例提供用来密封在基板处理自控装置400与底部350之间间隙的结构，以及避免底部350变形转换到基板处理自控装置400的结构，而在相关前案中其是分离地提供。也即，由于本实施例相较于相关前案具有一简单结构，因此易于进行组装、保养与维修以便可以降低成本。

变形是表示导因在从外部压力的一相对压差而使传输模块腔室300底部350变形的一现象，且朝如图10所示的一方向A而上升。此现象也包括导因在如一外部振动的外部施力而使传输模块腔室300的底部350朝如图10的方向A而上升。

如上所述，应用于本实施例的变形吸收单元500是执行密封在基板处理自控装置400与底部350之间间隙的功能，以及执行避免将底部350变形转换到基板处理自控装置400的功能。在后序的叙述中，将主要地描述变形吸收单元500的避免将底部350变形转换到基板处理自控装置400功能。

变形吸收单元500包括一上结合部件510，连结到基板处理自控装置400的延伸凸缘430，一下结合部件520，连结到底部350，以及一波纹管530，具有一波状结构且在上结合部件510与下结合部件520之间作连接，以凭借有弹性地延伸与垂直地压缩而吸收底部350的变形。

如上所述，由于变形吸收单元500是执行密封在基板处理自控装置400与底部350之间间隙的功能，因此用来密封的一O型环是进一步设置在上结合部件510与延伸凸缘430之间的一区域，以及在下结合部件520与底部350之间的一区域。虽然单一个O型环的结构是如图所示，但也可以使用复数个O型环。

当上结合部件510设置在延伸凸缘430的上表面上且螺合到延伸凸缘430，以及下结合部件520设置在底部350的上表面上且螺合到延伸凸缘430时，如上述架构的变形吸收单元500是连接基板处理自控装置400与底部350。于是，当底部350导因在压差或是振动而朝图10的方向A变形且上升时，波纹管530是有弹性地压缩与底部350的变形一样以吸收底部350的变形量，以便避免将底部350的变形转换到基板处理自控装置400。当移除传输模块腔室300内部的真空状态以便将传输模块腔室300内部改变到大气压力状态时，底部350即下降到原状态。当波纹管530延伸到与底部350下降的一距离相同时，则波纹管530即回复到原状态。甚至是当导因在压差或是振动而在底部350产生变形时，具有波纹管530的变形吸收单元500即吸收此变形以便可以避免基板处理自控装置400位置的改变。

在本实施例中，变形吸收单元500是由一金属材质所制成，如不锈钢。因此，甚至当波纹管530频繁地在垂直方向操作时，变形吸收单元500可具有耐久性。然而，本发明的权利范围并不以此为限，变形吸收单元500，特别是波纹管530，是可以由一橡胶材质所制成。另，当波纹管530是由橡胶材质所制成时，橡胶材质可以是高强度合成橡胶，不易损坏或撕裂，且合成橡胶并不是一简单的橡胶材质。

在本实施例中，自控装置支撑部件600更进一步为用来为基板处理自控装置400的坚固支撑的单元。由于基板处理自控装置400并不直接地连结到取决在基板处理自控装置400结构的支撑框架3 10，因此提供一自控装置支撑部件600。

基板支撑部件600是包括一上水平部610，设置在基板处理自控装置的延伸凸缘430下表面上，且螺合到延伸凸缘430，一下水平部620，设置在支撑框架310上表面上且螺合到支撑框架310，以及一垂直部630，用来连接上水平部610与下水平部620。基板支撑部件600的横断面结构是大致呈∏型。一细长空间是形成在基板处理自控装置400的垂直部630与自控装置柄410之间。

如上架构的基板处理自控装置400的组装与操作，是将在参考图7到图10进行叙述。请参考图7，底部350、第一侧板部件351、上板部件352以及第二侧板部件353是组装以形成传输模块腔室300，传输模块腔室300是具有一几乎呈箱型的结构，附有座设在支撑框架310上的一开放上表面。底部350与支撑框架310的结合区域是螺合结合。

再者，如图8所示，自控装置支撑部件600的下水平部620是设置在支撑框架310的上表面上，且下水平部620与支撑框架310是相互螺合而结合。基板处理自控装置400是如图9所示组装。也即，传输模块腔室300的内部凭借打开上开启/关闭板330而改变到一大气压力状态下之后，基板处理自控装置400即插入到传输模块腔室300。以基板处理自控装置400的自控装置柄410穿经底部350的自控装置设置孔350a，是将基板处理自控装置400的延伸凸缘430设置在基板处理自控装置400的上水平部件610上表面上。然后，延伸凸缘430以及上水平部件610是相互螺合而结合。基板处理自控装置400的位置与高度是根据所需的情况而设定。

最后，变形吸收单元500是如图10所示组装。也即，变形吸收单元500的上结合部件510是设置在延伸凸缘430上表面上，且螺合到延伸凸缘430。变形吸收单元500的下结合部件520是设置在底部350上表面上，且螺合到底部350以便完成基板处理自控装置400的组装。

在完成基板处理自控装置400的组装之后，传输模块腔室300的内部则改变到一真空状态且执行一沉积制程。在化学气相沉积制程期间，传输模块腔室300内部是维持在一真空状态。在此状况下，传输模块腔室300的底部350会因从外部大气压力的一相对压差而朝如图10的方向A而变形。

若是底部350朝如图10的方向A变形且上升，底部350的变形量则由波状结构的波纹管530所吸收，而波状结构有弹性地压缩量是与底部350的变形量相同。因此，避免底部350的变形转换到基板处理自控装置400。

因此，基板处理自控装置400的位置不会像相关前案一样从初始组装状态改变。由于基板处理自控装置400的位置不会改变，因此可以将基板传输到装载室100或是制程模块腔室200的一精确位置。

当传输模块腔室300内部改变到因为化学气相沉积制程之中止，或者是用来保养与维修传输模块腔室300，而改变到大气压力状态时，则将底部350降下到原位置。

图11是表示依据本发明另一实施例中基板处理自控装置位于一化学气相沉积设备的区域的横断面图。请参考图11，依据本实施例变形吸收单元500a的操作是与上述变形吸收单元500相类似，但其中有部分的结构不同在变形吸收单元500。也即，变形吸收单元500a是包括一上结合部件510a、一下结合部件520a、以及一钢板弹簧530a。上结合部件510a是连结到基板处理自控装置400的延伸凸缘430。下结合部件520a是包括连结到底部350的一连接部350b，以及连结到连接部350b一端的一单元本体350c。下结合部件520a是连结到单元本体350c。钢板弹簧530a是连接上结合部件510a与下结合部件520a，且有弹性地压缩与垂直地延伸，以在图11的方向A吸收底部350的变形。

虽然在上述实施例中变形吸收单元500的上结合部件510是设置在延伸凸缘430上表面上且与延伸凸缘430螺合而结合，但在本实施例中，上结合部件510a是设置在延伸凸缘430的下表面且与延伸凸缘430螺合而结合。因此，自控装置支撑部件600a的上部是连结到变形吸收单元500a的上结合部件510a。上述的结构是无须任何困难而可以及上述的实施例达到相同的效果。

依据图11的结构，当底部350变形而朝方向A上升时，连接部350b以及单元本体350c即与底部350一起上升。然而，当压缩钢板弹簧530a时，底部350全部的变形量是由连接部350b与单元本体350c所吸收。结果就是，可以避免基板处理自控装置400位置的改变。

如上所述，由于避免了因在传输模块腔室内部压力或如振动的外部施力而使传输模块腔室底部变形导致基板处理自控装置位置的改变，因此化学气相沉积设备将基板传输到在装载室或是制程模块腔室的一精确位置。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包含：

一传输模块腔室，连接一装载室以及一制程模块腔室，且在所述传输模块腔室一底部的一中心部位形成一自控装置设置孔；

一支撑框架，支撑所述传输模块腔室的一下部；

一基板处理自控装置，设置在传输模块腔室的一上部，其是将所述基板处理自控装置的一部位插入到自控装置设置孔，并将一基板传输到所述装载室以及所述制程模块腔室；以及

一变形吸收单元，连结到所述底部以及所述基板处理自控装置，并吸收所述底部的变形，以避免所述底部的变形转换到所述基板处理自控装置。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述变形吸收单元包括：

一上结合部件，连结到所述基板处理自控装置的一侧；

一下结合部件，连结到所述下部的一侧；以及

一波纹管，连接于所述上结合部件与所述下结合部件，而且垂直地有弹性地压缩与延伸以吸收所述底部的变形。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述传输模块腔室包括：

一第一侧板部件，设置在所述底部的一端部，以直立站立在其上；

一上板部件，设置在与所述底部平行的所述第一侧板部件的一上端；以及

一第二侧板部件，设置在与所述第一侧板部件平行的所述上板部件的一端部。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述基板处理自控装置包括：

一自控装置柄，凭借穿经所述自控装置设置孔而插入在所述自控装置设置孔；

一自控装置主体，设置在所述传输模块腔室底部的一上部；以及

一延伸凸缘，放射状地且向外地从在所述自控装置柄与所述自控装置主体之间而延伸。

5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述上结合部件是设置在所述延伸凸缘的一上表面上且连结到所述延伸凸缘，所述下结合部件是设置在所述底部的一上表面且连结到所述底部。

6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备，其特征在于，进一步包括一O型环，所述的O型环插入到在所述上结合部件与所述延伸凸缘之间的一区域，以及在所述下结合部件与所述底部之间的一区域。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，进一步包括一自控装置支撑部件，具有连结到所述支撑框架且支撑所述基板处理自控装置的一端。

8.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述自控装置支撑部件包括：

一上水平部，连结到所述基板处理自控装置的一侧；

一下水平部，连结到所述支撑框架的一侧；以及

一垂直部，连结到所述上水平部以及所述下水平部。

9.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，给予一组件补偿的一间隙，是允许相对于所述支撑框架的传输模块腔室形成在所述底部与所述支撑框架之间。

10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述间隙是从所述底部的一下表面向上减少。

11.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一侧板部件比所述底部与所述上板部件薄，且至少一补强肋是更进一步设置在所述底部、所述第一侧板部件与所述上板部件之间。

12.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述变形吸收单元是由一金属材质所制成。

13.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述变形吸收单元包括：

一上结合部件，连结到所述基板处理自控装置的一侧；

一连接部件，连结到所述底部；

一单元本体，连结到所述连接部件的一端部；

一下结合部件，连结到所述单元本体的一侧；以及

一钢板弹簧，连结到所述上结合部件与所述下结合部件，且垂直地有弹性地压缩与延伸以吸收所述底部的变形。

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