TWI388684B - 化學氣相沈積設備 - Google Patents

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Description

化學氣相沈積設備
本發明係關於一種化學氣相沈積設備，特別是指一種將一基板傳輸到在一裝載室的一精確位置，或者是傳輸到一製程腔室，藉以避免由於一傳輸模組腔室因其內部壓力改變或是如振動的外力而使其底部變形，所導致一基板處理自控裝置位置改變的化學氣相沈積設備。
平板顯示器係已廣泛地應用在電視產品、電腦螢幕、或是個人手提終端機上。而平板顯示器可以包括液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel)、以及有機發光二極體(organic light emitting diode)。在這些平板顯示器中，液晶顯示器是使用藉由將介於固態與液態之間的中間物質的液晶，注入在二薄板的上、下玻璃基板之間的空間的一種光開關現象以顯示數字或影像，且使用在上、下玻璃基板電極之間的電壓差改變液晶分子的方向，藉以產生不同亮度。
目前液晶顯示器廣泛地使用在從如電子手錶、電子計算機、電視機的電子產品，到車用產品、里程計及飛機的操作系統等。普遍來說，當顯示螢幕的尺寸小於17吋時，液晶顯示電視已經具有20到30吋的尺寸。然而，近來比較暢銷的液晶顯示電視的尺寸是40吋或以上，且電腦螢幕的尺寸也從20吋或以上而繼續在增加中。
於是，液晶顯示器的製造商係發展較大尺寸基板的製造方法。再者，所謂具有約2公尺水平及垂直長度的第八代玻璃基板量產，已準備或者是目前正在生產中。液晶顯示器係經由一薄膜電晶體陣列製程(TFT Array process)、一液晶胞製程(Cell process)以及一模組製程(module process)大量製造，其中薄膜電晶體陣列製程包括重覆沈積(deposition)、黃光(photolithography)、蝕刻(etching)以及化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)等步驟，液晶胞製程係將上、下玻璃基板附著地相互結合在一起，而模組製程係用以完成液晶顯示器產品。
上述薄膜電晶體陣列製程之一的化學氣相沈積製程，係在一製程腔室(process chamber)中進行，而製程腔室具有化學氣相沈積製程的一最佳環境。特別是，在一短時間內處理多個基板，則廣泛地使用具有複數個且以一預定間隔而設置的製程腔室的一化學氣相沈積設備。
化學氣相沈積設備包括一傳輸模組腔室，連結到傳輸模組腔室一側的一裝載室，以及連結到傳輸模組腔室另一側的複數個製程模組腔室。當一基板須經一工作而輸入到裝載室時，設置在傳輸模組腔室的一基板處理自控裝置(圖未示)，係將基板移動到傳輸模組腔室，然後再傳輸到其中之一製程模組腔室。因此，在製程模組腔室中在基板上進行一沈積製程。在完成此一工作之後，基板即以反向順序取出。
圖1係表示習知一化學氣相沈積設備的橫斷面圖。請參考圖1，設置在傳輸模組腔室30內的一基板處理自控裝置40，係用以將在一裝載室(圖未示)內的基板傳輸到一製程模組腔室(圖未示)，或者是將已完成沈積製程的基板從製程模組腔室傳輸到裝載室。基板處理自控裝置40的組裝或是裝設位置是很重要的，因為在將基板傳輸到裝載室或是製成模組腔室時，基板必須不僅要傳輸到一精確位置，而且要將振動最小化。
如圖1所示的實線，基板處理自控裝置40通常組裝到傳輸模組腔室30內側的一底部35。亦即，在基板處理自控裝置40的組裝期間，在移除傳輸模組腔室30內側的一真空狀態後，基板處理自控裝置40係組裝到傳輸模組腔室30的底部35，以便進入一大氣壓力狀態。
雖然基板處理自控裝置40的組裝係在一大氣壓力狀態下進行，由於在進行化學氣相沈積製程期間，傳輸模組腔室30係維持在一真空狀態下，因此傳輸模組腔室30的底部35係由於從一外部大氣壓力的一相對壓差，而可以如圖1所示朝一方向A變形。在此狀況下，當機板處理自控裝置40的部位，由於底部35的變形從在初始組裝狀態下的H1到H2而改變時，則難以將基板傳輸到在裝載室或是製程模組腔室的一精確位置。
為了解決上述及/或其他問題，本發明係提供一種化學氣相沈積設備，用以將一基板傳輸到在一裝載室或者是一製程模組腔室的精確位置，藉以避免由於在傳輸模組腔室的內部壓力改變或是在如振動的外力改變所導致傳輸模組腔室一底部變形，而改變一基板處理自控裝置位置的改變。
依據本發明的一目的，一種化學氣相沈積設備包括一傳輸模組腔室，連接一裝載室與一製程模組腔室，並具有形成在該傳輸模組腔室的一底部的中心區域的一自控裝置設置孔；一支撐框架，用以支撐該傳輸模組腔室的一下表面；一基板處理自控裝置，具有一設置在該傳輸模組腔室一上部部位，係以將該基板處理自控裝置的一部位插入在該自控裝置設置孔；以及一變形吸收單元，連結到該底部與該基板處理自控裝置，且緩衝並吸收該底部的變形以避免該底部的變形轉換到該基板處理自控裝置。
該變形吸收單元係包括一上結合部件，連結到該基板處理自控裝置的一側；一下結合部件，連結到該底部的一側；以及一波紋管，用以連接該上結合部件與該下結合部件，且垂直地有彈性地壓縮及延伸，以吸收該底部的變形。
該傳輸模組腔室係包括一第一側板部件，設置在該底部的一端部而直立站立其上；一上板部件，設置在與該底部平行的第一側板部件的一上端；以及一第二側板部件，設置在與該第一側板部件平行的上板部件的一端部。
該基板處理自控裝置係包括依自控裝置柄，以穿經該自控裝置設置孔的手段而插設在該自控裝置設置孔；一自控裝置主體，設置在傳輸模組腔室底部的一上部；以及一延伸凸緣，放射狀地且向外地從在該自控裝置柄與該自控裝置主體之間的一區域延伸。
該上結合部件係設置在該延伸凸緣的一上表面上，且連結到該延伸凸緣；而且該下結合部件係設置該底部的一上表面上，連結到該底部。
一O型環係設置在該上結合部件與該延伸凸緣之間的一區域，以及該下結合部件與該底部之間的一區域。
該化學氣相沈積設備更進一步包含一自控裝置支撐部件，其一端係連結到該支撐框架並支撐該基板處理自控裝置。
該自控裝置支撐部件係包括一上水平部，連結到該基板處理自控裝置的一側；一下水平部，連結到該支撐框架的一側；以及一垂直部，用以連接該上水平部與該下水平部。
一間隙係形成在該底部與該支撐框架之間，用以補償並允許該傳輸模組腔室相對於該支撐框架的組裝。
該間隙係從該底部的一上表面向上地擠壓。
相較於該底部與該上板部件，該第一側板部件係相對地比較薄，而且至少一補強肋係更進一步設置在該底部、該第一側板部件與該上板部件之間。
該變形吸收單元係由一金屬材質所製成。
該變形吸收單元係包括一上結合部件，連結到該基板處理自控裝置；一連接部件，連結到該底部；一單元本體，連結到該連接部件的一端部；一下連結部件，係連結到該單元本體的一側；以及一鋼板彈簧，用以連接該上結合部件與該下結合部件，且垂直地有彈性地壓縮與延伸，以吸收該底部的變形。
為使　貴審查委員對於本發明之結構、功效及其方法有更進一步之了解與認同，茲配合圖示詳細說明如後。
本申請案已在韓國智慧財產局於2008年5月29日所申請的韓國專利申請案號10-2008-0050280號聲明優先權。
所附的圖式係用以說明本發明的實施例，並引以獲得對本發明足夠的瞭解及其中的優點。在下文中，係參考所附的圖式解釋本發明的實施例並詳加描述。而相同的參考元件編號係表示相同的元件。
下列敘述可供參考，以下所述的一基板可以是指平面顯示器，包括液晶顯示器(LCD)基板、電漿顯示器面板(PDP)基板以及有機發光二極體(OLED)基板。為了方便解釋，在目前實施例所使用的「基板」一詞，係可為上述任一類型的基板。
圖2係表示依據本發明一化學氣相沈積設備的結構圖。圖3係表示圖1中傳輸模組腔室的平面圖。圖4係表示一傳輸模組腔室區域外觀的透視圖。
請參考圖2到圖4，依據本發明一實施例的一化學氣相沈積設備包括複數個製程模組腔室200，係可以提供在一基板(圖未示)上進行一化學氣相沈積製程；一裝載室100，形成供基板在進入一相對應的其中一製程模組腔室200之前，進入其中一製程模組腔室200的一環境；以及一傳輸模組腔室300，以連接製程模組腔室200與裝載室100。
在製程模組腔室200中，化學氣相沈積製程係在高溫低壓的環境下對基板進行。雖然並未在圖式中繪製，但是每一製程模組腔室200係為從一電極(圖未示)射出預定的反應性氣體離子沈積到放置在一石墨基座(圖未示)上的基板表面上而形成一厚度，亦即，沈積製程大致地在基板上進行的位置。
在本實施例中，由於五個製程模組腔室200係相對一裝載室100而設置，所以可以改善生產率。然而，由於本發明的範圍並不以此為限，因此製程模組腔室數200的數量可以是五個或是五個以上。
為了進行在製程模組腔室200中基板的沈積製程，一基板處理自控裝置400以一工作將基板傳輸到一相對應的其中一製程模組腔室200。由於難以允許在一大氣壓力下的基板直接進入到在高溫低壓環境下的其中一製程模組腔室200，因此如與製程模組腔室200相同的環境必須在基板傳輸到製程模組腔室200之前先行形成。為達此目的，則設置裝載室100。
裝載室100係設置在，如同當進行化學氣相沈積製程的基板由一傳輸自控裝置(圖未示)傳輸時的那些製程模組腔室200的相同的環境下，亦即，在相同的溫度與壓力下。在大致地形成如與製程模組腔室200相同環境的裝載室100中的基板，係由設置在傳輸模組腔室300的基板處理自控裝置400所取出，且傳輸到進行一沈積製程的一相對應其中一製程模組腔室200。相反地，在其中一製程模組腔室200中已完成沈積製程的基板，係由基板處理自控裝置400所取出，且係由大致地維持與外部相同溫度與壓力狀態的一傳輸自控裝置(圖未示)所傳輸。
在基板進入其中一製程模組腔室200或是從製程模組腔室200取出之前，裝載室100係將基板容置在大致地與製程模組腔室200或外部環經相同的一環境中。雖然並未舉例說明，但在本實施例的裝載室100係包括一三階單組腔室(圖未示)，以在一垂直方向容置基板。
傳輸模組腔室300係為用以連接製程模組腔室200與裝載室100的一腔室。傳輸模組腔室300係如圖3所示為一巨大的六角型結構。亦即，因為所謂的第八代基板具有大約為兩米的一垂直/水平長度，且由在傳輸模組腔室300中的基板處理自控裝置400所傳輸，所以傳輸模組腔室300係建設成一巨大結構。
傳輸模組腔室300係設座在如圖2及圖3所示的一支撐框架310上。將傳輸模組腔室300設座於支撐框架310上的結構，係也應用在裝載室100與製程模組腔室200。一安全防護器320係設置在傳輸模組腔室300的外表面上。在傳輸模組腔室300的上部工作期間，安全防護器320可以維持工作者的安全。
形成在基板處理自控裝置400的一入口的一上開啟/關閉板330，係設置在傳輸模組腔室300的上表面上。由於上開啟/關壁板的手動開啟/關閉是不可能的，因此用以連接一起重機之繩索的起重連接部件331係設置在上開啟/關閉板330的中央區域。
用以開啟/關閉一艙口的一對維護門335，可使一工作者進入傳輸模組腔室300而不需要打開巨大的上開啟/關閉板330，且維護門335係環繞上開啟/關閉板330而設置。
傳輸模組腔室300更進一步包括一基板損壞感測器340，以感測基板進入或是移出傳輸模組腔室300是否有損壞。此基板損壞感測器340，如圖3所示，係可拆卸地聯結到傳輸模組腔室300的角落區域。基板損壞感測器340係為一組的設置且感測在傳輸模組腔室300角落區域的一相對位置的基板損壞。基板損壞感測器340係可以使用雷射感測器，其係在光線發射到基板之後，感測一反射光的速度差異。然而，本發明並不以此為限。
圖5係表示基板處理自控裝置位在傳輸模組腔室之區域的橫斷面圖。圖6係表示圖5中一主要部位的放大透視圖。圖7~圖10係表示基板處理裝置一步一步之組裝流程的橫斷面圖。
請參考圖5到圖10，基板處理自控裝置400係設置在傳輸模組腔室300內部，用以將進行一沈積製程的基板從裝載室100傳輸到一相對應其中一製程模組腔室200，或是將已完成沈積製程的基板從其中一製程模組腔室200傳輸到裝載室100。
在本實施例中，如圖2所示，由於五個製程模組腔室200係設置在相對應的一裝載室100，因此具有多關結手臂的自控裝置可以在相對應位置轉動與往復移動。
如上所述，當基板處理自控裝置400組裝在如相關前案的傳輸模組腔室300底部350上時，傳輸模組腔室300底部350會變型以致於改變了基板處理自控裝置400的位置。因此，難以將基板傳輸到裝載室100或是製程模組腔室200的精確位置。由於在沈積製程進行期間，傳輸模組腔室300的內側係維持在真空狀態，因此導因於從外部大氣壓力的相對壓差，使得傳輸模組腔室300底部350主要地朝圖3所示的方向A而變形。為了解決此一問題，在本實施例中，改善了基板處理自控裝置400的組裝位置與周圍結構。
如圖5到圖10所示，在本實施例的化學氣相沈積設備中，雖然係組裝到傳輸模組腔室300底部350的區域，但是基板處理自控裝置400並非如相關前案一樣而直接地組裝到底部350。為了詳細地敘述基板處理自控裝置400的組裝位置，傳輸模組腔室300包括一第一側板部件351，直立站立在底部350的一端部上，一上板部件352，設置在與底部350平行的第一側板部件351的上端部上，以及一第二側板部件353，設置在與第一側板部件351平行的上板部件352的端部上。
底部350、第一側板部件351、上板部件352及第二側板部件353係由一金屬材質所製成，且具有一所需的長度。由於傳輸模組腔室300係為一巨大結構，因此難以將底部350、第一側板部件351、上板部件352及第二側板部件353結合為一體。於是，底部350、第一側板部件351、上板部件352及第二側板部件353係分開製造在相互焊接。
第一側板部件351係薄於底部350、上板部件352及第二側板部件353任何其中之一。因此，用以強化第一側板部件351強度的補強肋354係設置在底部350、第一側板部件351與上板部件352之間。然而，由於本發明的權利範圍並不以此為限，因此底部350、第一側板部件351、上板部件352及第二側板部件353的厚度可以相同，而使補強肋354從結構中排除。
當底部350、第一側板部件351、上板部件352及第二側板部件353組裝起來而形成傳輸模組腔室300時，傳輸模組腔室300可以具有一箱型結構，箱型結構附有一開放的上表面。在此狀態下，傳輸模組腔室300係容置在支撐框架310上，且底部350與支撐框架310係相互螺合在一起。當例如螺合在一起的底部350的支撐框架310的結合部，在本實施例中為八個或八個以上的結合部，並非精確地以表面接觸，而是相互間隔，且並未獲得在底部350與支撐框架310之間的一結實的結合力。
由於上述現象係導因於一典型地組裝寬裕度，為解決此問題，在本實施例中，一間隙G(請參考圖7)係進一步設置在底部350與支撐框架310間，以補償相對於支撐框架310的底部350的組裝寬裕度。
間隙G係可以沿著底部350周圍間歇地設置。導因於間隙G，相對於支撐框架310的底部350的組裝寬裕度係可以補償。為了形成間隙G，支撐框架310的上表面係可以向下擠壓，或者是底部350的底面係可以向上擠壓。在本實施例中，係應用一最近的方法。由於本發明的權利範圍並不以此為限，因此可以不形成間隙G。
在如上的傳輸模組腔室300的架構中，如圖5所示，基板處理自控裝置400上部的一區域係以基板處理自控裝置300的一部位插入形成在傳輸模組腔室300底部350的自控裝置設置孔350a的狀態，而設置在傳輸模組腔室300中。
基板處理自控裝置400係包括一自控裝置柄410，插入且穿過自控裝置設置孔350a，一自控裝置主體420，設置在傳輸模組腔室300底部350的一上區域，以及一延伸凸緣430，放射狀地且向外地從在自控裝置柄410與自控裝置主體420之間的一區域延伸。
自控裝置柄410具有一中空圓筒結構，以將自控裝置主體420從傳輸模組腔室300外側連接到不同的控制裝置，或者是連接線。
由於基板處理自控裝置400係以自控裝置柄410穿經自控裝置設置孔350a而組裝在傳輸模組腔室300底部350的區域，因此可以組裝並裝設基板處理自控裝置400，以便在基板處理自控裝置400與底部350之間可以產生一預定的間隙。當尚未密封間隙時，在製程進行期間，傳輸模組腔室的內側400則無法維持在真空狀態。
因此，在本實施例中，變形吸收單元500係設置在基板處理自控裝置400與底部350之間。變形吸收單元500的功能係密封在基板處理自控裝置400與底部350之間的一間隙，且緩衝並吸收底部350的變形以避免底部350變形轉換到基板處理自控裝置400。
由於變形吸收單元500係在一相對位置大致地執行兩個功能，因此本實施例提供用以密封在基板處理自控裝置400與底部350之間間隙的結構，以及避免底部350變形轉換到基板處理自控裝置400的結構，而在相關前案中其係分離地提供。亦即，由於本實施例相較於相關前案具有一簡單結構，因此易於進行組裝、保養與維修以便可以降低成本。
變形係表示導因於從外部壓力的一相對壓差而使傳輸模組腔室300底部350變形的一現象，且朝如圖10所示的一方向A而上升。此現象也包括導因於如一外部振動的外部施力而使傳輸模組腔室300的底部350朝如圖10的方向A而上升。
如上所述，應用於本實施例的變形吸收單元500係執行密封在基板處理自控裝置400與底部350之間間隙的功能，以及執行避免將底部350變形轉換到基板處理自控裝置400的功能。在後序的敘述中，將主要地描述變形吸收單元500的避免將底部350變形轉換到基板處理自控裝置400功能。
變形吸收單元500包括一上結合部件510，連結到基板處理自控裝置400的延伸凸緣430，一下結合部件520，連結到底部350，以及一波紋管530，具有一波狀結構且在上結合部件510與下結合部件520之間作連接，以藉由有彈性地延伸與垂直地壓縮而吸收底部350的變形。
如上所述，由於變形吸收單元500係執行密封在基板處理自控裝置400與底部350之間間隙的功能，因此用以密封的一O型環係進一步設置在上結合部件510與延伸凸緣430之間的一區域，以及在下結合部件520與底部350之間的一區域。雖然單一個O型環的結構係如圖所示，但也可以使用複數個O型環。
當上結合部件510設置在延伸凸緣430的上表面上且螺合到延伸凸緣430，以及下結合部件520設置在底部350的上表面上且螺合到延伸凸緣430時，如上述架構的變形吸收單元500係連接基板處理自控裝置400與底部350。於是，當底部350導因於壓差或是振動而朝圖10的方向A變形且上升時，波紋管530係有彈性地壓縮與底部350的變形一樣以吸收底部350的變形量，以便避免將底部350的變形轉換到基板處理自控裝置400。當移除傳輸模組腔室300內部的真空狀態以便將傳輸模組腔室300內部改變到大氣壓力狀態時，底部350即下降到原狀態。當波紋管530延伸到與底部350下降的一距離相同時，則波紋管530即回復到原狀態。甚至是當導因於壓差或是振動而在底部350產生變形時，具有波紋管530的變形吸收單元500即吸收此變形以便可以避免基板處理自控裝置400位置的改變。
在本實施例中，變形吸收單元500係由一金屬材質所製成，如不鏽鋼。因此，甚至當波紋管530頻繁地在垂直方向操作時，變形吸收單元500可具有耐久性。然而，本發明的權利範圍並不以此為限，變形吸收單元500，特別是波紋管530，係可以由一橡膠材質所製成。另，當波紋管530係由橡膠材質所製成時，橡膠材質可以是高強度合成橡膠，不易損壞或撕裂，且合成橡膠並不是一簡單的橡膠材質。
在本實施例中，自控裝置支撐部件600更進一步為用以為基板處理自控裝置400的堅固支撐之單元。由於基板處理自控裝置400並不直接地連結到取決於基板處理自控裝置400結構的支撐框架310，因此提供一自控裝置支撐部件600。
基板支撐部件600係包括一上水平部610，設置在基板處理自控裝置的延伸凸緣430下表面上，且螺合到延伸凸緣430，一下水平部620，設置在支撐框架310上表面上且螺合到支撐框架310，以及一垂直部630，用以連接上水平部610與下水平部620。基板支撐部件600的橫斷面結購係大致呈Π型。一細長空間係形成在基板處理自控裝置400的垂直部630與自控裝置柄410之間。
如上架構的基板處理自控裝置400的組裝與操作，係將於參考圖7到圖10進行敘述。請參考圖7，底部350、第一側板部件351、上板部件352以及第二側板部件353係組裝以形成傳輸模組腔室300，傳輸模組腔室300係具有一幾乎呈箱型的結構，附有座設在支撐框架310上的一開放上表面。底部350與支撐框架310的結合區域係為螺合結合。
再者，如圖8所示，自控裝置支撐部件600的下水平部620係設置在支撐框架310的上表面上，且下水平部620與支撐框架310係相互螺合而結合。基板處理自控裝置400係如圖9所示組裝。亦即，傳輸模組腔室300的內部藉由打開上開啟/關閉板330而改變到一大氣壓力狀態下之後，基板處理自控裝置400即插入到傳輸模組腔室300。
以基板處理自控裝置400的自控裝置柄410穿經底部350的自控裝置設置孔350a，係將基板處理自控裝置400的延伸凸緣430設置在基板處理自控裝置400的上水平部件610上表面上。然後，延伸凸緣430及上水平部件610係相互螺合而結合。基板處理自控裝置400的位置與高度係根據所需的情況而設定。
最後，變形吸收單元500係如圖10所示組裝。亦即，變形吸收單元500的上結合部件510係設置在延伸凸緣430上表面上，且螺合到延伸凸緣430。變形吸收單元500的下結合部件520係設置在底部350上表面上，且螺合到底部350以便完成基板處理自控裝置400的組裝。
在完成基板處理自控裝置400的組裝之後，傳輸模組腔室300的內部則改變到一真空狀態且執行一沈積製程。在化學氣相沈積製程期間，傳輸模組腔室300內部係維持在一真空狀態。在此狀況下，傳輸模組腔室300的底部350會因從外部大氣壓力的一相對壓差而朝如圖10的方向A而變形。
若是底部350朝如圖10的方向A變形且上升，底部350的變形量則由波狀結構的波紋管530所吸收，而波狀結構有彈性地壓縮量係與底部350的變形量相同。因此，避免底部350的變形轉換到基板處理自控裝置400。
因此，基板處理自控裝置400的位置不會像相關前案一樣從初始組裝狀態改變。由於基板處理自控裝置400的位置不會改變，因此可以將基板傳輸到裝載室100或是製程模組腔室200的一精確位置。
當傳輸模組腔室300內部改變到因為化學氣相沈積製程的中止，或者是用以保養與維修傳輸模組腔室300，而改變到大氣壓力狀態時，則將底部350降下到原位置。
圖11係表示依據本發明另一實施例中基板處理自控裝置位在一化學氣相沈積設備之區域的橫斷面圖。請參考圖11，依據本實施例變形吸收單元500a的操作係與上述變形吸收單元500相類似，但其中有部分的結構不同於變形吸收單元500。亦即，變形吸收單元500a係包括一上結合部件510a、一下結合部件520a、以及一鋼板彈簧530a。上結合部件510a係連結到基板處理自控裝置400的延伸凸緣430。下結合部件520a係包括連結到底部350的一連接部350b，以及連結到連接部350b一端的一單元本體350c。下結合部件520a係連結到單元本體350c。鋼板彈簧530a係連接上結合部件510a與下結合部件520a，且有彈性地壓縮與垂直地延伸，藉以在圖11的方向A吸收底部350的變形。
雖然在上述實施例中變形吸收單元500的上結合部件510係設置在延伸凸緣430上表面上且與延伸凸緣430螺合而結合，但在本實施例中，上結合部件510a係設置在延伸凸緣430的下表面且與延伸凸緣430螺合而結合。因此，自控裝置支撐部件600a的上部係連結到變形吸收單元500a的上結合部件510a。上述的結構係無須任何困難而可以與上述的實施例達到相同的效果。
依據圖11的結構，當底部350變形而朝方向A上升時，連接部350b及單元本體350c即與底部350一起上升。然而，當壓縮鋼板彈簧530a時，底部350全部的變形量係由連接部350b與單元本體350c所吸收。結果就是，可以避免基板處理自控裝置400位置的改變。
如上所述，由於避免了因在傳輸模組腔室內部壓力或如振動的外部施力而使傳輸模組腔室底部變形導致基板處理自控裝置位置的改變，因此化學氣相沈積設備將基板傳輸到在裝載室或是製程模組腔室的一精確位置。
當本發明參考其較佳實施例已特別地圖示並敘述時，對熟悉本領域技術者所熟知且依本發明申請專利範圍的不同型態與局部的改變或修飾，係並不背離本發明專利的精神與範圍，仍應屬於本發明專利所涵蓋的範圍內。
唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以之限定本發明所實施之範圍。即大凡依本發明權利要求所作之均等變化與修飾，皆應仍屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請　貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。
30．．．傳輸模組腔室
35．．．底部
40．．．基板處理自控裝置
100．．．裝載室
200．．．製程模組腔室
300．．．傳輸模組腔室
310．．．支撐框架
320．．．安全防護器
330．．．上開啟/關閉板
331．．．起重連接部件
335．．．維護門
340．．．基板損壞感測器
350．．．底部
350a．．．自控裝置設置孔
350b．．．連接部
350c．．．單元本體
351．．．第一側板部件
352．．．上板部件
353．．．第二側板部件
354．．．補強肋
400．．．基板處理自控裝置
410．．．自控裝置柄
420．．．自控裝置主體
430．．．延伸凸緣
500．．．變形吸收單元
500a．．．變形吸收單元
510．．．上結合部件
510a．．．上結合部件
520．．．下結合部件
520a．．．下結合部件
530．．．波紋管
530a．．．鋼板彈簧
600．．．自控裝置支撐部件
600a．．．自控裝置支撐部件
610．．．上水平部
620．．．下水平部
630．．．垂直部
A．．．方向
G．．．間隙
H1．．．初始組裝狀態
H2．．．狀態
藉由參考附圖以及其實施例的詳細敘述，可使本發明上述及其他特徵與優點更加顯著：
圖1係表示一習知化學氣相沈積設備的結構圖；
圖2係表示依據本發明一化學氣相沈積設備的結構圖；
圖3係表示圖1中傳輸模組腔室的平面圖；
圖4係表示一傳輸模組腔室區域外觀的透視圖；
圖5係表示基板處理自控裝置位在傳輸模組腔室之區域的橫斷面圖；
圖6係表示圖5中一主要部位的放大透視圖；
圖7~圖10係表示基板處理裝置一步一步之組裝流程的橫斷面圖；以及
圖11係表示依據本發明另一實施例中基板處理自控裝置位在一化學氣相沈積設備之區域的橫斷面圖。
300．．．傳輸模組腔室
330．．．上開啟/關閉板
331．．．起重連接部件
335．．．維護門
340．．．基板損壞感測器

Claims (12)

  1. 一種化學氣相沈積設備，包含：一傳輸模組腔室，連接一裝載室及一製程模組腔室，且具有形成在該傳輸模組腔室一底部的一中心部位的一自控裝置設置孔；一支撐框架，支撐該傳輸模組腔室的一下部；一基板處理自控裝置，具有設置在傳輸模組腔室的一上部，其係將該基板處理自控裝置的一部位插入到自控裝置設置孔，並將一基板傳輸到該裝載室以及該製程模組腔室；一變形吸收單元，連結到該底部及該基板處理自控裝置，並吸收該底部的變形，以避免該底部的變形轉換到該基板處理自控裝置；以及一自控裝置支撐部件，具有連結到該支撐框架且支撐該基板處理自控裝置的一端。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積設備，其中，該變形吸收單元包括：一上結合部件，連結到該基板處理自控裝置的一側；一下結合部件，連結到該下部的一側；以及一波紋管，連接在該上結合部件與該下結合部件，而且垂直地有彈性地壓縮與延伸以吸收該底部的變形。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述之化學氣相沈積設備，其中，該傳輸模組腔室包括：一第一側板部件，設置在該底部的一端部，以直立站 立在其上；一上板部件，設置在與該底部平行的該第一側板部件的一上端；以及一第二側板部件，設置在與該第一側板部件平行的該上板部件的一端部。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述之化學氣相沈積設備，其中，該基板處理自控裝置包括：一自控裝置柄，藉由穿經該自控裝置設置孔而插入在該自控裝置設置孔；一自控裝置主體，設置在該傳輸模組腔室底部的一上部；以及一延伸凸緣，放射狀地且向外地從在該自控裝置柄與該自控裝置主體之間而延伸。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述之化學氣相沈積設備，其中，該上結合部件係設置在該延伸凸緣的一上表面上且連結到該延伸凸緣，該下結合部件係設置在該底部的一上表面且連結到該底部。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述之化學氣相沈積設備，其中，一O型環係插入到在該上結合部件與該延伸凸緣之間的一區域，以及另一O型環插入在該下結合部件與該底部之間的一區域。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積設備，其中，該自控裝置支撐部件包括：一上水平部，連結到該基板處理自控裝置的一側； 一下水平部，連結到該支撐框架的一側；以及一垂直部，連結到該上水平部及該下水平部。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積設備，其中，給予一組件補償的一間隙，係形成在該底部與該支撐框架之間，用以補償並允許該傳輸模組腔室相對於該支撐框架的組裝。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之化學氣相沈積設備，其中，該間隙係從該底部的一下表面向上減少。
  10. 依據申請專利範圍第3項所述之化學氣相沈積設備，其中，相較於該底部與該上板部件，該第一側板部件相向對地較薄，且至少一補強肋係更進一步設置在該底部、該第一側板部件與該上板部件之間。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積設備，其中，該變形吸收單元係由一金屬材質所製成。
  12. 依據申請專利範圍第1項所述之化學氣相沈積設備，其中，該變形吸收單元包括：一上結合部件，連結到該基板處理自控裝置的一側；一連接部件，連結到該底部；一單元本體，連結到該連接部件的一端部；一下結合部件，連結到該單元本體的一側；以及一鋼板彈簧，連結到該上結合部件與該下結合部件，且垂直地有彈性地壓縮與延伸以吸收該底部的變形。
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