CN101550339B - 阴极射线或x射线激发长余辉发光材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种阴极射线或X射线激发长余辉发光材料,其化学式为:KF-(3-x)YF3-xMFn其中:0.0015≤x≤1.5;n=2或3;M是稀土离子中的至少一种,其制备方法如下:按材料组成化学计量比称取氟化钾、氟化钇和三价稀土氟化物,充分混匀后置入坩埚,80℃-100℃烘12小时,在高纯氮气或氮气氢气保护气氛下培烧;200℃-300℃预烧2小时,700℃-800℃培烧8-10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎。本发明的长余辉荧光粉在阴极射线管和X射线辐照后,具有各种不同颜色的余辉,余辉衰减时间大于1秒,可涂敷在雷达显示器上,用于显示目标的速度、方位和距离。
Description
技术领域
本发明涉及一种长余辉发光材料及其制备方法,特别涉及一种具有被阴极射线或X射线辐照后产生长余辉发光的材料及其制备方法。
背景技术
雷达概念形成于20世纪初。雷达是英文radar的音译,其含意为无线电检测和测距,是利用发射和接收微波波段电磁波来搜索和探测目标的电子设备。雷达的信息载体是无线电波,有一定的穿透能力,应用雷达进行探测远距离的目标,不受白天黑夜的时间条件以及雨雾云等大气条件的影响。因此,它不仅可以在军事上探测飞机、舰艇、导弹以及其他军事目标,而且广泛应用于气象预报、资源探测、环境监测等,雷达还可以用于天体研究、大气物理、电离层结构研究等基础科学研究领域。
目前所用的长余辉材料主要是Ag和Cu激活的硫酸锌材料或是过渡族离子Mn2+激活的硅酸盐及氟化物材料体系,他们的余辉时间较短,通常在150毫秒至1秒,不适于雷达示波器的要求。可用于雷达示波器的长余辉荧光材料还很少。
发明内容
本发明要解决的一个技术问题是提供一种衰减时间长的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料。
为了解决上述技术问题,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的化学式为:
KF-(3-x)YF3-xMFn
其中:0.0015≤x≤1.5;n=2或3;M是稀土离子Ce3+,Pr3+,Nd3+,Sm3+,Eu3+,Gd3+,Tb3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+,Sm2+,Eu2+中的至少一种。
x取值范围优选0.0015≤x≤0.18。
本发明要解决的另一个技术问题是提供一种上述阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料用高温固相法制备,具体步骤如下:按材料组成化学计量比,称取氟化钾、氟化钇和三价稀土氟化物;将氟化钾、氟化钇和三价稀土氟化物充分混匀后,置入坩埚;将坩埚置于烘箱中,80℃-100℃烘12小时;将坩埚放入到管式炉中,在高纯氮气(100%N2)或氮气氢气混合气保护气氛下培烧,其中氮气氢气混合气中氮气所占体积百分比为90%,氢气所占体积百分比为10%;200℃-300℃预烧2小时,然后升温到700℃-800℃培烧8-10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。
本发明的长余辉发光材料为稀土离子激活的氟化物材料,其中的稀土离子是公认的优良发光中心。在阴极射线管或X射线管辐照下激发能存储于材料存在的陷阱中,然后在热激活下与稀土发光中心复合发光,产生余辉。试验表明当M是稀土离子Ce3+,Pr3+,Nd3+,Sm3+,Eu3+,Gd3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+,Sm2+,Eu2+中的一种,0.0015≤x≤0.18时,余辉衰减时间为11~74秒;M是稀土离子Tb3+,0.0015≤x≤1.5时,余辉衰减时间为18~35秒。本发明的长余辉荧光粉在阴极射线管和X射线辐照后,具有各种不同颜色的余辉,并且较传统的余辉材料具有较长的余辉衰减时间,余辉衰减时间大于1秒,可涂敷在雷达显示器的荧光屏上,用于显示目标的速度、方位和距离。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1(a)~1(m)分别为本发明实施例27~39中KF-2.994YF3-0.06MF3材料在阴极射线或X射线辐照后的余辉发射光谱。
图2为本发明实施例7,20,33,46,53,54,55,56,57不同Tb3+浓度下,KF-(3-x)YF3-xTbF3材料在阴极射线或X射线辐照后的余辉发射光谱。
图3为本发明实施例33中KF-2.994YF3-0.06TbF3材料在阴极射线或X射线激发开始后发光的上升曲线和激发停止后,余辉开始释放和衰减曲线。
具体实施方式
如图1(a)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xCeF3,Ce3+激活的材料余辉发射峰位于300nm~450nm光谱范围,具有紫色余辉,来自Ce3+的5d能级向下能级的跃迁。
如图1(b)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xPrF3,Pr3+激活的材料余辉发射峰位于450nm~660nm光谱范围,具有蓝色和红色两组余辉发光,来自Pr3+的3P0能级向下能级的跃迁。
如图1(c)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xNdF3,Nd3+激活的材料余辉发射峰位于350nm~500nm光谱范围,具有蓝色余辉,来自Nd3+的4D3/2能级和2P3/2能级向下能级的跃迁。
如图1(d)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xSmF3,Sm3+激活的材料余辉发射峰位于550nm~675nm光谱范围,具有红色余辉,来自Sm3+的4G5/2能级向下能级的跃迁。
如图1(e)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xEuF3,Eu3+激活的材料余辉发射峰位于570nm~630nm光谱范围,具有红色余辉,来自Eu3+的5D0能级向下能级的跃迁。
如图1(f)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xGdF3,Gd3+激活的材料余辉发射峰位于305nm~320nm光谱范围,紫外余辉,来自Gd3+的6P7/2能级向下能级的跃迁。
如图(g)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xTbF3,Tb3+激活的材料余辉发射峰位于350nm~650nm光谱范围,具有蓝色和绿色两组余辉发光。如图2所示,Tb3+的蓝色余辉来自Tb3+的5D3能级向下能级的跃迁,Tb3+的蓝色余辉来自Tb3+的5D4能级向下能级的跃迁。Tb3+的5D3能级到5D4能级存在交叉弛豫,交叉弛豫随Tb3+浓度增加而加强,导致5D3能级的布居减少和5D4能级布居增加,也就是蓝色余辉变弱,黄绿色余辉增强。实验表明,Tb3+浓度从0.0015逐渐增加到0.18时,材料余辉从蓝色逐渐转变为黄绿色。
如图1(h)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xDyF3,Dy3+激活的材料余辉发射峰位于450nm~600nm光谱范围,具有蓝色和绿色两组余辉发光,来自Dy3+的4F9/2能级向下能级的跃迁。
如图1(i)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xHoF3,Ho3+激活的材料余辉发射峰位于525nm~570nm光谱范围,具有绿色余辉,来自Ho3+的5S2能级向下能级的跃迁。
如图1(j)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xErF3,Er3+激活的材料余辉发射峰位于380nm~570nm光谱范围,具有蓝色和绿色两组余辉发光,来自Er3+的2P3/2能级向下能级的跃迁。
如图1(k)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xTmF3,Tm3+激活的材料余辉发射峰位于430nm~675nm光谱范围,具有蓝色和红色两组余辉发光,来自Tm3+的1D2能级和1G4能级向下能级的跃迁。
如图1(l)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xYbF3,Yb3+激活的材料余辉发射峰位于900nm~1100nm光谱范围,具有红外余辉,来自Yb3+的2F5/2能级向下能级的跃迁。
如图1(m)所示,本发明的阴极射线或X射线激发长余辉发光材料KF-(3-x)YF3-xEuF2,Eu2+激活的材料余辉发射峰位于350nm~440nm光谱范围,具有紫外和蓝色余辉,来自Eu2+的6P7/2及4f65d能级向下能级的跃迁。
实验观察到,KF-2.994YF3-0.06TbF3材料在阴极射线或X射线激发开始后发光的上升过程,反映了储能过程;激发停止后,余辉开始释放和衰减,余辉强度衰减到初始强度10%所需时间达29秒,表现出优异余辉性能,完全能达到雷达示波器的要求。如图3所示。
实施例1:x=0.0015;n=3;M为Ce3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0029g CeF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫色长余辉,波长范围为300nm~450nm,余辉时间为11秒。
实施例2:x=0.0015;n=3;M为Pr3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0029g PrF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为450nm~660nm,余辉时间为61秒。
实施例3:x=0.0015;n=3;M为Nd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.003g NdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~500nm,余辉时间为51秒。
实施例4:x=0.0015;n=3;M为Sm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748gYF3和0.0031g SmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为550nm~675nm,余辉时间为31秒。
实施例5:x=0.0015;n=3;M为Eu3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0031g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为570nm~630nm,余辉时间大38秒。
实施例6:x=0.0015;n=3;M为Gd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0032g GdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外长余辉,波长范围为305nm~320nm,余辉时间为36秒。
实施例7:x=0.0015;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0032g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为30秒。
实施例8:x=0.0015;n=3;M为Dy3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0033g DyF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为450nm~600nm,余辉时间为45秒。
实施例9:x=0.0015;n=3;M为Ho3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0033g HoF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生绿色长余辉,波长范围为525nm~570nm,余辉时间为54秒。
实施例10:x=0.0015;n=3;M为Er3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0033g ErF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为380nm~570nm,余辉时间为39秒。
实施例11:x=0.0015;n=3;M为Tm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0033g TmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为430nm~675nm,余辉时间为42秒。
实施例12:x=0.0015;n=3;M为Yb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0034g YbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红外长余辉,波长范围为900nm~1100nm,余辉时间为32秒。
实施例13:x=0.0015;n=2;M为Eu2+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3748g YF3和0.0031g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在氮气氢气保护气氛下(90%N2+10%H2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外及蓝色长余辉,波长范围为350nm~440nm,余辉时间为12秒。
实施例14:x=0.03;n=3;M为Ce3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0592g CeF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫色长余辉,波长范围为300nm~450nm,余辉时间为21秒。
实施例15:x=0.03;n=3;M为Pr3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0594g PrF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为450nm~660nm,余辉时间为38秒。
实施例16:x=0.03;n=3;M为Nd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0604g NdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~500nm,余辉时间为26秒。
实施例17:x=0.03;n=3;M为Sm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0622g SmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为550nm~675nm,余辉时间为45秒。
实施例18:x=0.03;n=3;M为Eu3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0627g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为570nm~630nm,余辉时间为52秒。
实施例19:x=0.03;n=3;M为Gd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0643g GdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃-预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外长余辉,波长范围为305nm~320nm,余辉时间为32秒。
实施例20:x=0.03;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0648g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为28秒。
实施例21:x=0.03;n=3;M为Dy3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0659g DyF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为450nm~600nm,余辉时间为21秒。
实施例22:x=0.03;n=3;M为Ho3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0666g HoF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生绿色长余辉,波长范围为525nm~570nm,余辉时间为35秒。
实施例23:x=0.03;n=3;M为Er3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0673g ErF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为380nm~570nm,余辉时间为28秒。
实施例24:x=0.03;n=3;M为Tm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0678g TmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为430nm~675nm,余辉时间为37秒。
实施例25:x=0.03;n=3;M为Yb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0690g YbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红外长余辉,波长范围为900nm~1100nm,余辉时间为22秒。
实施例26:x=0.03;n=2;M为Eu2+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3332g YF3和0.0627g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在氮气氢气保护气氛下(90%N2+10%H2)培烧。250℃预烧2小时,750℃-培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外及蓝色长余辉,波长范围为350nm~440nm,余辉时间为35秒。
实施例27:x=0.06;n=3;M为Ce3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0592g CeF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫色长余辉,波长范围为300nm~450nm,余辉时间为58秒。
实施例28:x=0.06;n=3;M为Pr3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0594g PrF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为450nm~660nm,余辉时间为74秒。
实施例29:x=0.06;n=3;M为Nd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0604g NdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~500nm,余辉时间为56秒。
实施例30:x=0.06;n=3;M为Sm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0622g SmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为550nm~675nm,余辉时间为47秒。
实施例31:x=0.06;n=3;M为Eu3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0627g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为570nm~630nm,余辉时间为39秒。
实施例32:x=0.06;n=3;M为Gd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0643g GdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外长余辉,波长范围为305nm~320nm,余辉时间为36秒。
实施例33:x=0.06;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0648g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为29秒。
实施例34:x=0.06;n=3;M为Dy3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0659g DyF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为450nm~600nm,余辉时间为21秒。
实施例35:x=0.06;n=3;M为Ho3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0666g HoF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生绿色长余辉,波长范围为525nm~570nm,余辉时间为36秒。
实施例36:x=0.06;n=3;M为Er3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0673g ErF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为380nm~570nm,余辉时间为45秒。
实施例37:x=0.06;n=3;M为Tm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0678g TmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为430nm~675nm,余辉时间为52秒。
实施例38:x=0.06;n=3;M为Yb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0690g YbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红外长余辉,波长范围为900nm~1100nm,余辉时间为35秒。
实施例39:x=0.06;n=2;M为Eu2+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2895g YF3和0.0627g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在氮气氢气保护气氛下(90%N2+10%H2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外及蓝色长余辉,波长范围为350nm~440nm,余辉时间为45秒。
实施例40:x=0.18;n=3;M为Ce3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3548g CeF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫色长余辉,波长范围为300nm~450nm,余辉时间为32秒。
实施例41:x=0.18;n=3;M为Pr3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3564g PrF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为450nm~660nm,余辉时间为52秒。
实施例42:x=0.18;n=3;M为Nd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3624g NdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~500nm,余辉时间为17秒。
实施例43:x=0.18;n=3;M为Sm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3735g SmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为550nm~675nm,余辉时间为25秒。
实施例44:x=0.18;n=3;M为Eu3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3762g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红色长余辉,波长范围为570nm~630nm,余辉时间为36秒。
实施例45:x=0.18;n=3;M为Gd3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3858g GdF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外长余辉,波长范围为305nm~320nm,余辉时间为45秒。
实施例46:x=0.18;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3888g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为25秒。
实施例47:x=0.18;n=3;M为Dy3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3951g DyF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为450nm~600nm,余辉时间为33秒。
实施例48:x=0.18;n=3;M为Ho3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3996g HoF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生绿色长余辉,波长范围为525nm~570nm,余辉时间为31秒。
实施例49:x=0.18;n=3;M为Er3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.4038g ErF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝绿色长余辉,波长范围为380nm~570nm,余辉时间为21秒。
实施例50:x=0.18;n=3;M为Tm3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.4068g TmF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝红色长余辉,波长范围为430nm~675nm,余辉时间为34秒。
实施例51:x=0.18;n=3;M为Yb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.4140g YbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生红外长余辉,波长范围为900nm~1100nm,余辉时间为25秒。
实施例52:x=0.18;n=2;M为Eu2+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1144g YF3和0.3762g EuF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在氮气氢气保护气氛下(90%N2+10%H2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生紫外及蓝色长余辉,波长范围为350nm~440nm,余辉时间为26秒。
实施例53:x=0.003;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3726g YF3和0.0065g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为35秒。
实施例54:x=0.015;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.3551g YF3和0.0324g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生蓝色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为32秒。
实施例55:x=0.09;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2457g YF3和0.1943g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为26秒。
实施例56:x=0.12;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.2019g YF3和0.2591g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为23秒。
实施例57:x=0.15;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,4.1582g YF3和0.3239g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为22秒。
实施例58:x=0.3;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,3.9393g YF3和0.6478g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为24秒。
实施例59:x=0.6;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,3.5016g YF3和1.2956g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,90℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。250℃预烧2小时,750℃培烧9小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为20秒。
实施例60:x=0.9;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,3.0639g YF3和1.9434g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为19秒。
实施例61:x=1.2;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,2.6262g YF3和2.5912g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,80℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。200℃预烧2小时,700℃培烧8小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为21秒。
实施例62:x=1.5;n=3;M为Tb3+时,
按化学计量比称取0.5810g KF,2.1885g YF3和3.239g TbF3,将称取的原料充分研细混匀置入高纯刚玉坩埚或铂坩埚,置于烘箱中,100℃烘12小时,然后放入到管式炉中,在高纯氮气保护气氛下(100%N2)培烧。300℃预烧2小时,800℃培烧10小时,在氮气保护气氛下冷却,取出研碎即得体色为白色的长余辉荧光粉。得到的长余辉荧光粉在阴极射线或X射线辐照后产生黄绿色长余辉,波长范围为350nm~650nm,余辉时间为18秒。
Claims (6)
1.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;
KF-(3-x)YF3-xMFn (I)
其中:0.0015≤x≤1.5;n=2或3;M是稀土离子Ce3+,Pr3+,Nd3+,Sm3+,Eu3+,Gd3+,Tb3+,Dy3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+,Sm2+,Eu2+中的至少一种。
2.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;其中:0.0015≤x≤0.18。
3.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;其中:x=0.0015。
4.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;其中:x=0.03。
5.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;其中:x=0.06。
6.一种通式(I)发光材料作为阴极射线或X射线激发长余辉发光材料的应用;其中:x=0.18。
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