CN101540354A - 氧化锌基半导体发光组件及其制造方法 - Google Patents

氧化锌基半导体发光组件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明揭露一种氧化锌基半导体发光组件及其制造方法。根据本发明的制造方法，首先，制备一基材。接着，通过一基于原子层沉积的制程，在该基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，其中该氧化锌基多层结构包含一发光区域。

Description

氧化锌基半导体发光组件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体发光组件(Semiconductor light-emitting device)及其制造方法，特别涉及一种氧化锌基(ZnO-based)半导体发光组件及其制造方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)，是一种半导体组件，初时多用作为指示灯、显示板等。随着白光LED的出现，也被用作照明。它被誉为21世纪的新型光源，具有效率高，寿命长，不易破损等传统光源无法与之比较的优点。
氧化锌(ZnO)为II-VI族化合物半导体，能带结构为直接能带，能隙能量(bandgap energy)约为3.37eV，发光范围在紫外光的波段。作为制造白光LED的材料来说，氧化锌具有下列优点：
1.材料蕴藏丰富，且成本低廉。
2.氧化锌的激子(exciton)的束缚能(binding energy)高达60meV，可以达到相当高的发光效率。
3.氧化锌的发光波长为380nm左右，用来激发RGB荧光材料，较一般常用来制作白光LED的其它材料(如GaN)，效率较高，所以氧化锌相当合适于作为白光LED的材料。
4.氧化锌较一般常用来制作白光LED的其它材料(如GaN)容易利用酸碱蚀刻方法来加工。
然而，由于氧化锌中存在较多的施体(donor)缺陷，此缺陷会对掺杂的受体(acceptor)产生补偿作用，并且由于受体杂质在氧化锌内的固态溶解度很低，所以难以制造出高质量的P型氧化锌，也因此无法制作出发光二极管的核心结构-p-n接面。
尽管氧化锌非常适合用来作为白光LED材料，但由于目前技术上的限制，使得利用氧化锌作为白光LED材料的技术发展停滞不前。
发明内容
本发明的目的是提供一种氧化锌基半导体发光组件及其制造方法，以解决上述问题。
根据本发明一较佳实施例的制造半导体发光组件的方法，首先，制备基材(substrate)。接着，通过一基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)的制程，在基材上或之上形成氧化锌基多层结构(ZnO-based multi-layerstructure)，氧化锌基多层结构包含发光区域(light-emitting region)。
因此，根据本发明的制造半导体发光组件的方法，是利用基于原子层沉积之制程制造半导体发光组件。借此，可以成功制造出高质量的氧化锌基半导体发光组件。此外，通过原子层沉积制程具有材料成长温度较低、精准的材料成份的控制、可以达到高浓度的掺杂、材料缺陷密度低、具有良好的接口质量与均匀度等优点，进而使半导体发光组件具有非常高的晶体质量与很低的缺陷密度。
附图说明
为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下面将结合附图对本发明的较佳实施例详细说明：
图1是根据本发明一较佳实施例的制造方法的示意图。
图2是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜的X光绕射特性图。
图3是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜在室温下自发放射的发光频谱图。
图4是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜发生受激放射现象时的发光频谱图。
图5是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜的发光强度与激发强度的关系。
图6是根据本发明一具体实施例的一半导体发光组件的示意图。
图7是图6所示的半导体发光组件的电流-电压特性。
图8是图6所示的半导体发光组件中ZnO层以及GaN层的X光绕射特性图。
图9是图6所示的半导体发光组件中ZnO层及GaN层在室温下photoluminescence的发光频谱。
图10是图6所示的半导体发光组件随注入电流增加的发光频谱。
具体实施方式
请参阅图1，图1是根据本发明一较佳实施例的制造方法的示意图。根据本发明的较佳实施例的制造方法利用基于原子层沉积的制程制造氧化锌基半导体发光组件。在此，氧化锌基半导体发光组件意指其包含氧化锌层、MgxZn1-xO层、BeyZn1-yO层或其它含氧化锌的化合物层，但不以此为限。
如图1所示，首先，制备基材10，并且将基材10置入设计作为执行原子层沉积制程的反应腔体(reaction chamber)20内。在此实施例中，基材10可为蓝宝石基材、硅基材、SiC基材、GaN基材、AlGaN基材、InGaN基材、ZnO基材、YSZ(yttria-stabilized zirconia)基材、ScAlMgO4基材、SrCu2O2基材、CuAlO2基材、LaCuOS基材、NiO基材、LiGaO2基材、LiAlO2基材、GaAs基材、玻璃基材或其它类似基材。
接着，通过一基于原子层沉积的制程，在基材10上或之上形成氧化锌基多层结构12，其中氧化锌基多层结构12包含发光区域(未显示)。在实际应用中，该基于原子层沉积的制程可为原子层沉积制程、电浆增强原子层沉积(plasma-enhanced ALD)制程、电浆辅助原子层沉积(plasma-assisted ALD)制程、或上述制程的组合，如原子层沉积制程加上电浆增强原子层沉积制程，或是原子层沉积制程加上电浆辅助原子层沉积制程。使用电浆增强原子层沉积制程或电浆辅助原子层沉积制程的目的是可以通过将部分原料离子化的方式，提高制程的质量。须注意的是，原子层沉积制程又名原子层磊晶(Atomic Layer Epitaxy，ALE)制程或原子层化学气相沉积(Atomic LayerChemical Vapor Deposition，ALCVD)，上述制程实际上为同一种制程。
在此实施例中，发光区域可为一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一N型掺杂ZnO/P型掺杂基材结构组合、一N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂基材结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂基材结构组合或其它类似发光区域，0＜x，y，z≤1，其中，P型掺杂基材可为基材10。
ZnO结构的原料采用DEZn(diethylzinc，Zn(C2H5)2)先驱物(precursor)、DMZn(Dimethylzinc，Zn(CH3)2)先驱物或ZnCl2先驱物与H2O先驱物、O3先驱物、O2先驱物或氧基，其中，DEZn、DMZn或ZnCl2即为Zn的来源，H2O、O3、O2或氧基即为O的来源。
MgxZn1-xO结构的原料采用DEZn先驱物、DMZn先驱物或ZnCl2先驱物、MgCp2(Bis(cyclopentadienyl)magnesium，Mg(C5H5)2)先驱物、Mg(thd)2(2，2，6，6-tetramethyl-heptanedionato-3，5-magnesium(II))先驱物或Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium(C20H30Mg)先驱物以及H2O先驱物、O3先驱物、O2先驱物或氧基，其中，DEZn、DMZn或ZnCl2即为Zn的来源；MgCp2、Mg(thd)2或Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium即为Mg的来源；H2O、O3、O2或氧基即为O的来源。
BexZn1-xO结构的原料采用DEZn先驱物、DMZn先驱物或ZnCl2先驱物、Be(acac)3(beryllium acetylacetonate，(CH3COCH＝C(O-)CH3)2Be)先驱物或BeCl2先驱物以及H2O先驱物、O3先驱物、O2先驱物或氧基，其中DEZn、DMZn或ZnCl2即为Zn的来源；Be(acac)3或BeCl2即为Be的来源；H2O、O3、O2或氧基即为O的来源。
在此实施例中，利用原子层沉积制程制造P型掺杂ZnO的方法是在制造ZnO的原子层沉积制程中加入P型掺杂剂(dopant)，其中P型掺杂剂可为氮(N)、磷(P)、砷(As)或其它类似P型掺杂剂。作为P型掺杂剂的氮的原料可采用NH3先驱物、NO先驱物、N2O先驱物、1，1-Dimethylhydrazine((CH3)2NNH2)先驱物、Tert-butylamine((CH3)3CNH2)先驱物或Tert-butylhydrazine((CH3)3CNHNH2)先驱物，但不以此为限。作为P型掺杂剂的磷的原料可采用PH3先驱物、P2O5先驱物、Zn3P2先驱物或Diethyl phosphite((C2H5O)2P(O)H)先驱物，但不以此为限。作为该P型掺杂剂的砷的原料采用一AsH3先驱物，但不以此为限。
在此实施例中，利用原子层沉积制程制造N型掺杂ZnO的方法在制造ZnO的原子层沉积制程中加入N型掺杂剂，其中N型掺杂剂可为铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或其它类似N型掺杂剂，但不以此为限。作为N型掺杂剂的铝的原料可采用Trimethylaluminum(Al(CH3)3，TMA)先驱物或Triethylaluminum(Al(C2H5)3)先驱物，但不以此为限。作为N型掺杂剂的镓的原料可采用Trimethylgallium(Ga(CH3)3)先驱物或Triethylgallium(Ga(C2H5)3)先驱物，但不以此为限。作为N型掺杂剂的铟的原料可采用Indium acetylacetonate(In(OCCH3CHOCCH3)3)先驱物或Trimethylindium(In(CH3)3)先驱物，但不以此为限。
如图1所示，以利用原子层沉积制程成长ZnO薄膜为例，说明原子层沉积制程。在一个原子层沉积的周期内的反应步骤可分成四个部分：
1.利用载送气体22将DEZn分子24导入反应腔体20中，DEZn分子24在进入反应腔体20后会吸附于基材10表面，在基材10表面吸附单一层DEZn，其曝气时间为0.1秒。
2.通入载送气体22且利用帮浦(pump)28将多余未吸附于基材10的DEZn分子24抽走，其抽气时间为5秒。
3.利用载送气体22将H2O分子26导入反应腔体20中，与原本吸附在基材10表面的单一层DEZn反应，在基材10上反应形成单一层的ZnO，副产物为有机分子，其曝气时间为0.1秒。
4.通入载送气体22且利用帮浦28，带走多余的H2O分子26以及反应产生的有机分子副产物，其抽气时间为5秒。
其中载送气体22可以采用高纯度的氩气或氮气。以上四个步骤称为一个原子层沉积的周期(ALD cycle)，一个原子层沉积的周期可以在基材10的全部表面上成长单一原子层(one monolayer)厚度的薄膜，此特性称为『自限成膜』(self-limiting)，此特性使得原子层沉积在控制薄膜厚度上，精准度可达一个原子层。利用控制原子层沉积的周期次数即可精准地控制ZnO薄膜的厚度。
在实际应用中，制造N型掺杂及P型掺杂ZnO的制程，其掺杂方式为在成长过程中将部分的ALD cycle置换成N型掺杂剂或P型掺杂剂的ALDcycle，而其掺杂的浓度取决于被置换的ALD cycle的比例。例如：具有掺杂6％的Al的N型掺杂ZnO，6％的掺杂为在50个DEZn与H2O的ALD cycle中使用3个TMA与H2O的ALD cycle来取代，或是100个DEZn与H2O的ALD cycle中使用6个TMA与H2O的ALD cycle来取代……等等。
在此实施例中，制程温度设定范围可从室温至800℃。制程温度的较佳范围介于100℃至300℃之间。值得注意的是，由于制程温度较低，可以减少高温造成的设备故障及/或损坏，进而提高制程可靠度以及设备妥善率。
为了进一步降低缺陷密度、提高晶体质量，P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、N型掺杂ZnO/P型掺杂基材结构组合、N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂基材结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂基材结构组合或其它类似发光区域，可于完成沉积后进一步于范围从400℃至1200℃中的一温度下进行退火处理(annealing)，炉氛(atmosphere)则是通入氮气、氧气、氩气或氮氩氧气的混合。
原子层沉积制程具有下列优点：
1.材料成长温度较低。
2.精密的厚度控制，精密度可达一个原子层(one monolayer)。
3.精准的材料成份的控制。
4.可以达到高浓度的掺杂。
5.材料缺陷密度低，无孔洞结构。
6.具有平坦的表面与良好的接口质量，可以成长高质量的异质接面(heterojunctions)以及多层量子井(multiple quantum wells)等结构。
7.大面积、大产量的生产能力。
8.极高的均匀度。
9.极高的表面覆盖能力。
10.制程稳定度与重复度极高。
请参阅图2，图2是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜的X光绕射(X-ray diffraction)特性图。如图2所示，利用原子层沉积制程所成长的ZnO薄膜具有良好的结晶质量。
请参阅图3、图4以及图5，图3是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜在室温下自发放射(spontaneous emission)的发光频谱图。图4是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜发生受激放射(stimulated emission)现象时的发光频谱图。图5是利用原子层沉积制程在蓝宝石基材上成长的ZnO薄膜，其发光强度与激发强度的关系。图5中出现了发光强度随着激发强度超线性(superlinear)上升的现象，借此可以证明受激放射的发生。受激放射现象的发生显示使用原子层沉积制程所成长的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量与很低的缺陷密度。由此可见，利用原子层沉积制程具有材料成长温度较低、精准的材料成份的控制、可以达到高浓度的掺杂、材料缺陷密度低、具有良好的接口质量与均匀度等优点，进而使半导体发光组件具有非常高的晶体质量与很低的缺陷密度。此外，利用原子层沉积制程制造的半导体发光组件可产生雷射现象，使得半导体发光组件的应用更为广泛。
请参阅图6，图6是根据本发明一具体实施例的一半导体发光组件3的示意图。在此具体实施例中，半导体发光组件3为利用一基于原子层沉积的制程制造的一发光二极管的组件结构。在实际应用中，该基于原子层沉积的制程可为原子层沉积制程、电浆增强原子层沉积制程、电浆辅助原子层沉积制程、或上述制程的任意组合。如图6所示，半导体发光组件3包含一基材30、一氮化镓层32、一氧化锌层34以及电极36。在此具体实施例中，基材30为一蓝宝石基材。在实际应用中，氮化镓层32可为以有机金属化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)技术在基材30之上所成长的一氮化镓结构。氧化锌层34可为利用原子层沉积制程成长于氮化镓层32上的一未掺杂的N型氧化锌层。经过在950℃与N2气氛下高温退火5分钟后，再镀上电极36，便制成一N型氧化锌/P型氮化镓异质接面(heterojunction)发光二极管，亦即半导体发光组件3，其示意图如图6所示。
请参阅图7，图7是图6所示的半导体发光组件3的电流-电压特性。由图7所示的半导体发光组件3电流密度对电压的关系，显示其具有良好的整流(rectifying)效应。请参阅图8，图8是图6所示的半导体发光组件3中氧化锌层34及氮化镓层32的X光绕射(X-ray diffraction)特性图。如图8所示，氧化锌(0002)峰的半高宽为0.05°而氮化镓(0002)峰的半高宽为0.04°，足可说明ZnO层34具有良好的结晶质量。请参阅图9以及图10，图9是图6所示的半导体发光组件3中氧化锌层34及氮化镓层32在室温下photoluminescence的发光频谱。图10是图6所示的半导体发光组件3随注入电流增加的发光频谱。比较图9与图10可以发现在低注入电流时，发光主要来自氮化镓层32，而在高注入电流时，氧化锌层34的发光逐渐增强，进而超越氮化镓层32而成为发光频谱的主要部分。由此可见，利用原子层沉积制程制造氧化锌基半导体发光组件可以具有良好的晶体质量，并利用氧化锌优秀的发光特性，进而形成良好的发光组件。
相较于现有技术，根据本发明的制造半导体发光组件的方法，其利用基于原子层沉积的制程制造氧化锌基半导体发光组件。借此，可以制造出高质量的氧化锌基半导体发光组件。此外，利用原子层沉积制程具有精准的材料成份的控制、可以达到高浓度的掺杂、材料缺陷密度低、具有良好的接口质量与均匀度等优点，进而使半导体发光组件具有非常高的晶体质量与很低的缺陷密度。更甚者，利用原子层沉积制程制造半导体发光组件可以有大面积的生产能力，进而达到更高的产量，使得相关产品有更好的竞争力。再更甚者，由于制程温度较低，可以减少高温造成的设备故障及/或损坏，进而提高制程可靠度以及设备妥善率。
以上已对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (29)

1.一种制造一半导体发光组件的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤：
制备一基材；以及
通过一基于原子层沉积的制程，在所述基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，所述氧化锌基多层结构包含一发光区域。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基于原子层沉积的制程包含选自由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程以及一电浆辅助原子层沉积制程所组成的一群组中的至少其中一个。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材选自由一蓝宝石基材、一硅基材、一SiC基材、一GaN基材、一AlGaN基材、一InGaN基材、一ZnO基材、一ScAlMgO4基材、一YSZ基材、一SrCu2O2基材、一CuAlO2基材、一LaCuOS基材、一NiO基材、一LiGaO2基材、一LiAlO2基材、一GaAs基材以及一玻璃基材所组成的一群组中的其中一个。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材为一图案化基材。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述发光区域选自由一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、一N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合以及一N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合所组成的一群组中的其中一个，0＜x，y，z≤1。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、所述N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合或所述N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合的沉积在范围从室温至800℃中的一制程温度下执行。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、所述N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合以及所述N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合中的任一结构在完成沉积后进一步在范围从400℃至1200℃中的一温度下进行退火处理。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述氧化锌结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物与一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
9.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述MgxZn1-xO结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物、一MgCp2先驱物、一Mg(thd)2先驱物或一Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium先驱物以及一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
10.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述BexZn1-xO结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物、一Be(acac)3先驱物或一BeCl2先驱物以及一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
11.如权利要求5所述的方法，其特征在于：一P型掺杂剂选自由氮、磷以及砷所组成的一群组中的其中一个。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：作为所述P型掺杂剂的氮的原料采用一NH3先驱物、一NO先驱物、一N2O先驱物、一1，1-Dimethylhydrazine先驱物、一Tert-butylamine  先驱物或一Tert-butylhydrazine先驱物，作为所述P型掺杂剂的磷的原料采用一PH3先驱物、一P2O5先驱物、一Zn3P2先驱物或一Diethyl phosphite先驱物，作为所述P型掺杂剂的砷的原料采用一AsH3先驱物。
13.如权利要求5所述的方法，其特征在于：一N型掺杂剂选自由铝、镓以及铟所组成的一群组中的其中一个。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于：作为所述N型掺杂剂的铝的原料采用一Trimethylaluminum先驱物或一Triethylaluminum先驱物，作为所述N型掺杂剂的镓的原料采用一Trimethylgallium先驱物或一Triethylgallium先驱物，作为所述N型掺杂剂的铟的原料采用一Indiumacetylacetonate先驱物或一Trimethylindium先驱物。
15.一种半导体发光组件，其特征在于，包含：
一基材；以及
一氧化锌基多层结构，所述氧化锌基多层结构形成于所述基材上或之上，所述氧化锌基多层结构包含一发光区域。
16.如权利要求15所述的半导体发光组件，其特征在于：所述氧化锌基多层结构系通过一基于原子层沉积的制程形成于所述基材上或之上。
17.如权利要求16所述的半导体发光组件，其特征在于：所述基于原子层沉积的制程包含选自由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程以及一电浆辅助原子层沉积制程所组成的一群组中的至少其中一个。
18.如权利要求15所述的半导体发光组件，其特征在于：所述基材选自由一蓝宝石基材、一硅基材、一SiC基材、一GaN基材、一AlGaN基材、一InGaN基材、一ZnO基材、一ScAlMgO4基材、一YSZ基材、一SrCu2O2基材、一CuAlO2基材、一LaCuOS基材、一NiO基材、一LiGaO2基材、一LiAlO2基材、一GaAs基材以及一玻璃基材所组成的一群组中的其中一个。
19.如权利要求15所述的半导体发光组件，其特征在于：所述基材为一图案化基材。
20.如权利要求15所述的半导体发光组件，其特征在于：所述发光区域选自由一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、一N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、一N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合以及一N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合所组成的一群组中的其中一个，0＜x，y，z≤1。
21.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、所述N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合或所述N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合的沉积在范围从室温至800℃中的一制程温度下执行。
22.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂MgyZn1-yO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂MgyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂MgxZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂MgzZn1-zO结构组合、所述N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、所述N型掺杂MgzZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂BeyZn1-yO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂BeyZn1-yO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂BexZn1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、所述P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合、所述P型掺杂ZnO/N型掺杂BezZn1-zO结构组合以及所述N型掺杂BezZn1-zO/P型掺杂所述基材结构组合中的任一结构在完成沉积后进一步在范围从400℃至1200℃中的一温度下进行退火处理。
23.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：所述氧化锌结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物与一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
24.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：所述MgxZn1-xO结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物、一MgCp2先驱物、一Mg(thd)2先驱物或一Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium先驱物以及一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
25.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：所述BexZn1-xO结构的原料采用一DEZn先驱物、一DMZn先驱物或一ZnCl2先驱物、一Be(acac)3先驱物或一BeCl2先驱物以及一H2O先驱物、一O3先驱物、一O2先驱物或一氧基。
26.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：一P型掺杂剂选自由氮、磷以及砷所组成的一群组中的其中一个。
27.如权利要求26所述的半导体发光组件，其特征在于：作为所述P型掺杂剂的氮的原料采用一NH3先驱物、一NO先驱物、一N2O先驱物、一1，1-Dimethylhydrazine先驱物、一Tert-butylamine先驱物或一Tert-butylhydrazine先驱物，作为所述P型掺杂剂的磷的原料采用一PH3先驱物、一P2O5先驱物、一Zn3P2先驱物或一Diethyl phosphite先驱物，作为所述P型掺杂剂的砷的原料采用一AsH3先驱物。
28.如权利要求20所述的半导体发光组件，其特征在于：一N型掺杂剂选自由铝、镓以及铟所组成的一群组中的其中一个。
29.如权利要求28所述的半导体发光组件，其特征在于：作为所述N型掺杂剂的铝的原料采用一Trimethylaluminum先驱物或一Triethylaluminum先驱物，作为所述N型掺杂剂的镓的原料采用一Trimethylgallium先驱物或一Triethylgallium先驱物，作为所述N型掺杂剂的铟的原料采用一Indiumacetylacetonate先驱物或一Trimethylindium先驱物。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103280498A (zh) * 2013-04-22 2013-09-04 常州大学 尖锥形氧化锌/氧化镍异质结二极管的制备方法
CN103866289A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种p-n共掺氧化锌薄膜的制备方法
CN103866276A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法
CN103866277A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
CN103866279A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法
CN103866264A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法
CN103866265A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866264A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法
CN103866289A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种p-n共掺氧化锌薄膜的制备方法
CN103866276A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法
CN103866277A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
CN103866279A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法
CN103866265A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 中国科学院微电子研究所 基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法
CN103866276B (zh) * 2012-12-11 2016-08-03 中国科学院微电子研究所 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法
CN103866289B (zh) * 2012-12-11 2017-03-29 中国科学院微电子研究所 一种p‑n共掺氧化锌薄膜的制备方法
CN103866277B (zh) * 2012-12-11 2017-05-10 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
CN103280498A (zh) * 2013-04-22 2013-09-04 常州大学 尖锥形氧化锌/氧化镍异质结二极管的制备方法
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