CN114725250A - 提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备，属于外延制备技术领域。Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道。在固态的Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进p型GaN层的快速生长。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。

Description

提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备
技术领域
本公开涉及到了外延制备技术领域，特别涉及到一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备。
背景技术
发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上依次层叠的n型GaN层、发光层及p型GaN层，n型GaN层产生的电子与p型GaN层产生的空穴在电流作用下进入发光层中进行复合并发光。
p型GaN层中需要进行Mg掺杂以保证p型GaN层能够提供充足的空穴。p型GaN层中掺杂的Mg是来自p型GaN层生长过程中向反应腔内通入的Cp2Mg。由于Cp2Mg是固态，Cp2Mg被载气带到反应室的效率要低于液态的金属源，同时Cp2Mg本身的激活效率也比较低，两者叠加效应导致最终进入p型GaN层中的Mg元素较少，导致p型GaN层中有效的空穴不多而且分布不均匀，进而影响电子和空穴的辐射复合效率。
发明内容
本公开实施例提供了一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备，可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述提高掺杂效率的外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长n型GaN层与发光层；
向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层，所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内，所述镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道，且在所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内的过程中，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入生长推动气体，所述生长推动气体为惰性气体。
可选地，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量与经过所述镁源管道进入所述反应腔的所述Cp2Mg的流量之比为1:5～1:15。
可选地，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量为50～300sccm。
可选地，所述生长推动气体为氮气或者氢气或者氢氮混合气。
可选地，所述提高掺杂效率的外延片制备方法还包括：在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，
经过所述镁源管道向所述反应腔内通入所述Cp2Mg，同时通过所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入辅助推动气体。
可选地，所述辅助推动气体的流量大于所述生长推动气体的流量。
可选地，所述辅助推动气体的流量为200～500sccm。
可选地，在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，经过所述镁源管道向所述反应腔内通入流量为500～1500sccm的所述Cp2Mg。
可选地，在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，经过所述镁源管道向所述反应腔内通入所述Cp2Mg的时长为5～15min。
本公开实施例提供了一种外延生长设备，所述外延生长设备包括安装座、衬底放置部件与气体输送部件，
所述安装座包括反应腔，所述衬底放置部件位于所述反应腔内且用于放置衬底，所述气体输送部件包括镁源输送泵、气体输送泵、镁源管道与辅助推动管道，所述镁源输送泵、所述气体输送泵与所述安装座间隔，所述镁源管道的两端分别连通所述反应腔与所述镁源输送泵，所述辅助推动管道的两端分别连通所述反应腔与所述气体输送泵。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg可以实现发光层上p型GaN层的沉积与生长。p型GaN层的生长过程中，Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道。在固态的Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。为惰性气体的生长推动气体可以在不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进Mg元素进入p型GaN层内，且生长推动气体也不会对反应腔内Ga源以及氨气的反应造成影响，可以有效提高p型GaN层中Mg元素的均匀分布。并且生长推动气体通过辅助推动管道从镁源管道的侧壁进入镁源管道内，镁源管道径向两侧的Cp2Mg存在一定流速差，也可以使得Cp2Mg更适应反应腔内的螺旋流场，使得Cp2Mg分布更为均匀。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的外延生长设备的简化结构示意图；
图2是本公开实施例提供的镁源管道与辅助推动管道的位置关系示意图；
图3是本公开实施例提供的一种提高掺杂效率的外延片制备方法流程图；
图4是本公开实施例提供的一种提高掺杂效率的外延片结构示意图；
图5是本公开实施例提供的另一种提高掺杂效率的外延片制备方法流程图；
图6是本公开实施例提供的另一种提高掺杂效率的外延片结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
为便于理解，此处先对用于制备外延片的外延生长设备的基础结构进行说明，图1是本公开实施例提供的外延生长设备的简化结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种外延生长设备，外延生长设备包括安装座1、衬底放置部件2与气体输送部件3。安装座1包括反应腔11，衬底放置部件2位于反应腔11内且用于放置衬底，气体输送部件3包括镁源输送泵31、气体输送泵32、镁源管道33与辅助推动管道34，镁源输送泵31、气体输送泵32与安装座1间隔，镁源管道33的两端分别连通反应腔11与镁源输送泵31，辅助推动管道34的两端分别连通反应腔11与气体输送泵32。
向反应腔11通入Ga源、氨气与Cp2Mg可以实现发光层上p型GaN层的沉积与生长。p型GaN层的生长过程中，Cp2Mg经过镁源管道33进入反应腔11内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道34。在固态的Cp2Mg经过镁源管道33进入反应腔11内的过程中，辅助推动管道34内向镁源管道33通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。为惰性气体的生长推动气体可以在不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔11内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进Mg元素进入p型GaN层内，且生长推动气体也不会对反应腔11内Ga源以及氨气的反应造成影响，可以有效提高p型GaN层中Mg元素的均匀分布。并且生长推动气体通过辅助推动管道34从镁源管道33的侧壁进入镁源管道33内，镁源管道33径向两侧的Cp2Mg存在一定流速差，也可以使得Cp2Mg更适应反应腔11内的螺旋流场，使得Cp2Mg分布更为均匀。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。
需要说明的是，相关技术中，可以通过改变镁源管道33进入反应腔11内的Cp2Mg的流量，但Cp2Mg的流速通常难以改变且存在流速上限。为了保证流速而向反应腔11内通入流量较小的Cp2Mg，容易出现Cp2Mg跟不上Ga源与氨气的反应速率而出现p型GaN层中Mg元素过少的问题。牺牲流速向反应腔11内通入流量较大的Cp2Mg，则容易出现p型GaN层中Mg元素堆积且分布不均的问题，导致最终得到的p型GaN层的整体质量不够好。本公开中生长推动气体的增加可以在不降低进入反应腔11内的Cp2Mg的摩尔质量的同时有效提高Cp2Mg的流速，且也可以提高Cp2Mg的流速上限，也可以适用更多不同的需要掺Mg的材料的生长。
需要说明的是，向反应腔11内通入的不同的有机金属源或者反应气体可以设置不同的管道，以将有机金属源以及反映气体输送至反应腔11内。本公开对此不做限制。
图2是本公开实施例提供的镁源管道与辅助推动管道的位置关系示意图，参考图2可知，辅助推动管道34的一端与镁源管道33的侧壁连通。为便于理解，将镁源管道33的输入端、辅助推动管道34的输入端在图2中分别标识为331与341，同时从图2中可知，辅助推动管道34的输出端与镁源管道33的侧壁连通，镁源管道33的输出端与反应腔11连通。
需要说明的是，镁源输送泵31、气体输送泵32可以位于安装座1内且与反应腔11间隔，镁源输送泵31、气体输送泵32也可以位于安装座1外与安装座1间隔分布，本公开对此不做限制。安装座1可包括座体以及盒盖，座体内具有凹槽，座体与盒盖之间铰接，盒盖与座椅之间闭合时盒盖与凹槽之间形成反应腔11。
可选地，衬底放置部件2包括石墨盘21与驱动电机22，石墨盘21位于反应腔11内，石墨盘21通常为柱状且石墨盘21的一个端面具有多圈衬底放置凹槽，石墨盘21的具有多圈衬底放置凹槽的端面与镁源管道33以及辅助推动管道34的输出端相对。驱动电机22与反应腔11间隔且驱动电机22的输出轴位于反应腔11内，驱动电机22的输出轴与石墨盘21同轴相连。
外延片在制备过程中，衬底可以放在衬底放置凹槽内，衬底得到石墨盘21整体的支撑，驱动电机22则可以通过输出轴带动石墨盘21旋转以保证每个衬底放置凹槽内的衬底都可以与反应腔11内的有机金属源以及反应气体进行反应，在每个衬底上形成较为均匀且质量较好的外延片。
在本公开所提供的其他实现方式中，外延生长设备除衬底放置部件2以及气体输送部件3之外还可包括其他例如加热部件或者冷凝部件之类的结构，本公开对此不做限制。加热部件可包括加热丝，加热丝位于石墨盘21与反应腔11的底部之间，加热丝可支撑在反应腔11的底部。冷凝部件可以包括反应腔11的侧壁增加的一些冷凝水管以及用于控制冷凝水管内冷凝水流动的泵结构，本公开对此不做限制。
图3是本公开实施例提供的一种提高掺杂效率的外延片制备方法流程图，参考图3可知，本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，提高掺杂效率的外延片制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上依次生长n型GaN层与发光层。
S103：向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在发光层上生长p型GaN层，Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道，且在Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。
向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg可以实现发光层上p型GaN层的沉积与生长。p型GaN层的生长过程中，Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道。在固态的Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。为惰性气体的生长推动气体可以在不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进Mg元素进入p型GaN层内，且生长推动气体也不会对反应腔内Ga源以及氨气的反应造成影响，可以有效提高p型GaN层中Mg元素的均匀分布。并且生长推动气体通过辅助推动管道从镁源管道的侧壁进入镁源管道内，镁源管道径向两侧的Cp2Mg存在一定流速差，也可以使得Cp2Mg更适应反应腔内的螺旋流场，使得Cp2Mg分布更为均匀。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。
可选地，步骤S103中，辅助推动管道内向镁源管道通入的生长推动气体的流量与经过镁源管道进入反应腔的Cp2Mg的流量之比为1:5～1:15。
辅助推动管道内向镁源管道通入的生长推动气体的流量与经过镁源管道进入反应腔的Cp2Mg的流量之比在以上范围内，可以保证生长推动气体的流量较为合理，可以有效促进Cp2Mg的流动与均匀分布，且可以保证Cp2Mg与反应腔内的有机金属源或者氨气之间的稳定反应，提高最终得到的p型GaN层的质量。
可选地，辅助推动管道内向镁源管道通入的生长推动气体的流量为50～300sccm。
辅助推动管道内向镁源管道通入的生长推动气体的流量在以上范围内，可以有效促进Cp2Mg的流动与均匀分布，有效提高最终得到的p型GaN层的质量以及p型GaN层中Mg元素的掺杂及均匀分布。
在本公开所提供的其他实现方式中，辅助推动管道内向镁源管道通入的生长推动气体的流量也可以为100～200sccm。可以进一步提高得到的p型GaN层的质量并保证得到的p型GaN层中Mg的掺杂效率。
可选地，步骤S103中，生长推动气体为氮气或者氢气或者氢氮混合气。
生长推动气体为以上气体，可以保证生长推动气体的稳定推送，并保证生长推动气体不会对反应腔内的其他反应造成较大影响。
示例性地，步骤S103中，经过镁源管道进入反应腔的Cp2Mg的流量可为500～1500sccm、向反应腔内通入的Ga源的流量可为50～150sccm、向反应腔内通入的氨气的流量可为30～80sccm。
在生长p型GaN层的过程中，Ga源、氨气以及Cp2Mg的流量分别在以上范围内，可以保证得到的p型GaN层的质量较好，也可以用于生长较多的不同厚度规格的p型GaN层。
需要说明的是，生长推动气体主要是进入镁源管道中，生长推动气体的通入对镁源管道内Cp2Mg通入的压力以及温度没有影响。Cp2Mg向反应腔内通入的温度与压力可分别为850～950℃或100～500torr。本公开对此不做限制。
图4是本公开实施例提供的一种提高掺杂效率的外延片结构示意图，图4中所示的外延片结构为图3所示的提高掺杂效率的外延片制备方法制备得到的外延片结构，参考图4可知，外延片包括衬底10与依次层叠在衬底10上的n型GaN层20、发光层30与p型GaN层40。
图5是本公开实施例提供的另一种提高掺杂效率的外延片制备方法流程图，参考图5可知，提高掺杂效率的外延片制备方法可包括：
201：提供一衬底。
其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
可选地，步骤S201还可包括：在氢气气氛下，处理衬底用于生长外延层的表面5～6min。
示例性地，处理衬底用于生长外延层的表面时，反应腔的温度可为1000～1100℃，反应腔的压力可为200～500torr。
S202：在衬底上生长GaN缓冲层。
示例性地，GaN缓冲层的生长温度可为530～560℃，压力可为200～500mtorr。得到的GaN缓冲层的质量较好。
S203：在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层。
非掺杂GaN层的厚度可为0.5～3um。
示例性地，非掺杂GaN层的生长温度可为1000～1100℃，生长压力控制在100～300torr。得到的非掺杂GaN层的质量较好。
S204：在非掺杂GaN层上生长n型GaN层。
n型GaN层的生长温度为1000～1100℃，生长压力控制在100～300torr。
S205：在n型GaN层上生长发光层。
发光层可以包括交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。反应室压力控制在200torr。生长InGaN阱层时，反应室温度为760～780℃。生长GaN垒层时，反应室温度为860～890℃。得到的发光层的质量较好。
S206：在发光层上生长AlGaN电子阻挡层。
AlGaN电子阻挡层的生长温度可为800～1000℃，AlGaN电子阻挡层的生长压力可为100～300Torr。在此条件下生长得到的AlGaN电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
S207：经过镁源管道向反应腔内通入Cp2Mg，同时通过辅助推动管道内向镁源管道通入辅助推动气体。
在生长p型GaN层之前，先向反应腔内通入Mg源，可以在p型GaN层生长之前保证反应腔内有一定的Mg元素，以促进Mg元素进入p型GaN层中，辅助推动气体的增加可以促进Mg元素的均匀分布，保证最终得到的p型GaN层中Mg元素的均匀分布，以保证p型GaN层可以提供较为均匀的空间，保证外延片的均匀发光。
示例性地，辅助推动气体的种类可与生长推动气体的种类相同。便于外延片的制备。
在本公开所提供的其他实现方式中，辅助推动气体的种类与生长推动气体的种类也可以不同。本公开对此不做限制。
可选地，辅助推动气体的流量大于生长推动气体的流量。
辅助推动气体的流量大于生长推动气体的流量，可以最大限度地推动反应腔内Mg元素的均匀分布，保证得到的p型GaN层的均匀生长。
可选地，辅助推动气体的流量为200～500sccm。
辅助推动气体的流量在以上范围内，可以有效促进Mg元素的均匀分布的同时，且不会过度提高外延片整体的制备成本。
在本公开所提供的其他实现方式中，辅助推动气体的流量也可为200～400sccm。也可以有效促进Mg元素的均匀分布。
可选地，步骤S207中，经过镁源管道向反应腔内通入流量为500～1500sccm的Cp2Mg。可以保证Cp2Mg的通入较为适量，保证Mg元素的均匀分布，且可以保证得到的p型GaN层的生长质量较好。
可选地，步骤S207中，经过镁源管道向反应腔内通入Cp2Mg的时长为5～15min。可以保证Mg元素的均匀分布以有效提高最终得到的p型GaN层内Mg元素的均匀分布。
S208：向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在AlGaN电子阻挡层上生长p型GaN层。
p型GaN层与多个插入层的生长条件可参考图3中所示的步骤S103，因此此处不再赘述。
S209：在p型GaN层上生长p型接触层。
可选地，p型接触层的生长压力可为100～300Torr，p型接触层的生长温度可为800～1000℃。
需要说明的是，图5中所示的发光二极管外延片的制备方法，相对图3中所示的发光二极管的制备方法，提供了一种更为详细的发光二极管外延片的生长方式。
执行完步骤S209后的发光二极管外延片的结构可参见图6。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
图6是本公开实施例提供的另一种提高掺杂效率的外延片结构示意图，图6中所示的外延片结构通过图5中所示的外延片制备方法制备得到，参考图6可知，在本公开提供的另一种实现方式中，发光二极管外延片可包括衬底10及生长在衬底10上的GaN缓冲层50、非掺杂GaN层60、n型GaN层20、发光层30、AlGaN电子阻挡层70、p型GaN层40及p型接触层80。
可选地，衬底10可为蓝宝石衬底10。易于制作与获取。
可选地，GaN缓冲层50的厚度可为10～30nm。能够减小n型GaN层20与衬底10之间的晶格失配，保证外延层的晶体质量。
示例性地，非掺杂GaN层60的厚度可为1～3.5μm。此时得到的发光二极管外延片的质量较好。
在本公开提供的一种实现方式中，非掺杂GaN层60的厚度还可为1μm。本公开对此不做限制。
可选地，n型GaN层20的掺杂元素可为Si，且Si元素的掺杂浓度可为1×1018～1×1019cm-3。n型GaN层20整体的质量较好。
示例性地，n型GaN层20的厚度可为2～3μm。得到的n型GaN层20整体的质量较好。
在本公开提供的一种实现方式中，n型GaN层20的厚度可为2μm。本公开对此不做限制。
可选地，发光层30可包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层。易于制备与获取。
可选地，AlGaN电子阻挡层70中Al组分可为0.15～0.25。阻挡电子的效果较好。
可选地，p型GaN层40可掺Mg。
示例性地，p型接触层80的厚度可为15nm。
需要说明的是，图6中所示的外延片结构相对图4中所示的外延片结构，在发光层30与p型GaN层40之间增加了电子阻挡层70，在p型GaN层40上还生长有p型接触层80。得到的外延片的质量及发光效率会更好。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述提高掺杂效率的外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长n型GaN层与发光层；
向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层，所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内，所述镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道，且在所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内的过程中，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入生长推动气体，所述生长推动气体为惰性气体。
2.根据权利要求1所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量与经过所述镁源管道进入所述反应腔的所述Cp2Mg的流量之比为1:5～1:15。
3.根据权利要求1所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量为50～300sccm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述生长推动气体为氮气或者氢气或者氢氮混合气。
5.根据权利要求1～3任一项所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述提高掺杂效率的外延片制备方法还包括：在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，
经过所述镁源管道向所述反应腔内通入所述Cp2Mg，同时通过所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入辅助推动气体。
6.根据权利要求5所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动气体的流量大于所述生长推动气体的流量。
7.根据权利要求5所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动气体的流量为200～500sccm。
8.根据权利要求5所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，经过所述镁源管道向所述反应腔内通入流量为500～1500sccm的所述Cp2Mg。
9.根据权利要求5所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，经过所述镁源管道向所述反应腔内通入所述Cp2Mg的时长为5～15min。
10.一种外延生长设备，其特征在于，所述外延生长设备包括安装座、衬底放置部件与气体输送部件，
所述安装座包括反应腔，所述衬底放置部件位于所述反应腔内且用于放置衬底，所述气体输送部件包括镁源输送泵、气体输送泵、镁源管道与辅助推动管道，所述镁源输送泵、所述气体输送泵与所述安装座间隔，所述镁源管道的两端分别连通所述反应腔与所述镁源输送泵，所述辅助推动管道的两端分别连通所述反应腔与所述气体输送泵。
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