CN101536179A - 照明设备封装 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种照明设备封装，其被配置为使得所述照明设备封装能够排气。所述照明设备封装包括：基底，在所述基底上可操作地安装一个或多个发光元件；保持结构，其耦合到所述基底并且被配置为围绕所述一个或多个发光元件。此外，所述照明设备封装包括光透射元件，其中两个或更多支撑物被配置为提供光透射元件和基底或保持结构之间的分离。由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积被部分地或完全地填充密封材料，从而形成所述照明设备封装。特别是，所述支撑物为由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积创建一系列开口，其中这些开口供流体通过其移动。
Description
技术领域
本发明涉及照明领域，尤其涉及照明设备封装的设计。
背景技术
如果发光二极管(LED)封装被充分设计以有效地提取在运行状态下的LED内生成的光，则LED可以更高效。从设备设计者的角度出发，有效的光提取可以是这样的问题：提高来自LED管芯的光被有效地引导以使得其能够在期望的方向上离开LED封装的几率。许多设计特征可以影响光路，例如反射界面的取向和位置以及反射的类型是镜面反射特性还是漫射特性。此外，LED封装的元件的折射特性可以影响光提取的效率。
与当前LED封装相关的问题之一在于，这些封装具有用于透镜的安装边缘或底座架，其覆盖填充有密封材料的腔。这种配置将包围密封材料的体积密封起来并且可能减少排气(degas)。因而，封闭在密封材料内的气泡可能引起光的非期望的散射，从而引起封装的光输出的劣化。
当前LED封装的另一个缺点在于，这些封装具有用于透镜的安装表面而不是安装边缘。由于透镜和安装表面之间的界面的平面特性，密封材料以及其中的气泡可能容易地被封闭在此界面内。这再次可能导致封装的光输出的劣化。
因此，需要一种克服已知设计的一些缺陷的新的照明设备封装。
提供该背景信息是为了揭示中请人认为可能与本发明相关的信息。并非必然旨在承认而且也不应当解释为任何前述信息构成关于本发明的现有技术。
发明内容
本发明的目的是提供一种照明设备封装。根据本发明的一个方面，提供了一种照明设备封装，其包括：基底；可操作地耦合到所述基底的一个或多个发光元件；保持(retaining)结构，其耦合到所述基底并且围绕(circumscribe)所述一个或多个发光元件；光透射元件，其耦合到所述基底并且定位成与由所述一个或多个发光元件发出的电磁辐射的路径相交；光透射密封材料，其位于由所述基底、光透射元件和保持结构限定的体积内，因而所述密封材料至少部分地将所述一个或多个发光元件密封在其中；以及两个或更多个支撑物，至少部分地在所述光透射元件和基底之间延伸，所述两个或更多个支撑物被配置为支撑所述光透射元件；其中所述两个或更多个支撑物设置成为所述体积提供两个或更多个开口，以用于流体通过其移动。
根据本发明的另一方面，提供了一种照明设备封装，其包括：基底；可操作地耦合到所述基底的一个或多个发光元件；保持结构，其耦合到所述基底并且围绕所述一个或多个发光元件；光透射元件，其耦合到所述基底并且定位成与由所述一个或多个发光元件发出的电磁辐射的路径相交；光透射密封材料，其位于由所述基底、光透射元件和保持结构限定的体积内，因而所述密封材料至少部分地将所述一个或多个发光元件密封在其中；以及两个或更多个支撑物，其至少部分地在所述光透射元件和基底之间延伸，以用于支撑所述光透射元件，所述两个或更多个支撑物的每一个具有横截面和接触表面，其中所述横截面在所述接触表面处较小；其中所述两个或更多个支撑物设置成为所述体积提供两个或更多个开口，以用于流体通过其移动。
附图说明
图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的照明设备封装的横截面；
图2示意性地示出了根据本发明的另一个实施例的照明设备封装的部件的横截面；
图3示意性地示出了图2所示的照明设备封装的顶视图；
图4示意性地示出了根据本发明的另一个实施例的照明设备封装的部件的横截面。
具体实施方式
定义
术语“发光元件”用来指这样的设备，该设备包括在通过跨越元件施加电势差或使电流流过该元件而被激活时以电磁波谱的波长区域或者波长区域的组合(例如，可见光区域、红外或紫外区域)发出辐射的元件。例如，发光元件可以具有单色、准单色、多色或宽带光谱发射特性。发光元件的示例包括无机或有机固态、有机或聚合物/聚合发光二极管、光泵浦磷光体涂覆发光二极管、光泵浦纳米晶体发光二极管或被本领域技术人员所容易理解的其他类似设备。
这里所用的术语“大约”是指与标称值有+/-10％的偏差。应当理解，不管是否特别说明，这样的偏差总是包括在这里提供的任何给定值中。
除非另外定义，这里所用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域中通常所理解的相同的含义。
本发明提供了一种照明设备封装，其被配置为使得照明设备封装能够排气。所述照明设备封装包括：基底，在所述基底上可操作地安装有一个或多个发光元件；和保持结构，保持结构耦合到所述基底并且被配置为围绕所述一个或多个发光元件。此外，所述照明设备封装包括光透射元件，例如透镜，其位于所述一个或多个发光元件之上，其中两个或更多个支撑物被配置为提供所述光透射元件和所述基底或保持结构之间的分离。由所述基底、保持结构和光透射元件所限定的体积被部分地或完全地填充密封材料(encapsulation material)，从而形成所述照明设备封装。具体来说，所述支撑物产生一系列开口以用于由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积，其中这些开口供流体通过其移动。所述流体可以是气体(例如，封闭于所述体积之内的气体)、光透射密封材料、水、或者本领域技术人员容易理解的其他相似物。因此，这些开口提供用于照明设备封装排气的位置，例如这些开口可以提供用于气体从所述体积排出的位置。
在一个实施例中，所述两个或更多个支撑物与所述光透射元件相关。在一个实施例中，所述两个或更多个支撑物与所述光透射元件整体地形成，并且将所述光透射元件耦合到所述基底或所述保持结构。在其他实施例中，所述支撑物与所述基底或保持结构相关，而不是与所述光透射元件相关。在一些实施例中，所述支撑物可以与所述基底或保持结构整体地形成。
图1示出了根据本发明的一个实施例的照明设备封装的剖面图。发光元件30被安装且电连接到基底10的金属化焊盘20，且发光元件30进一步通过引线接合25电连接到所述基底的电路线路15，从而能够激活发光元件。耦合到基底10的是保持壁40形式的保持结构，其围绕可操作地耦合到所述基底的发光元件。透镜45形式的光透射元件通过透镜的支撑底座(support feet)50形式的支撑物耦合到基底。两个或更多个支撑底座50与透镜相关，其中支撑底座在透镜和基底之间产生一系列的开口。所述照明设备封装还包括密封材料35，其填充由所述基底、透镜和保持壁限定的体积，从而将所述发光元件密封在其中。由支撑底座产生的所述体积的开口提供用于照明设备封装排气的位置，例如用于排出可能存在于密封材料中或所述体积内的气泡的位置。
光透射元件
所述光透射元件基本上为可操作地耦合到所述基底的一个或多个发光元件提供罩(cover)，并且所述光透射元件与所述基底和保持结构一起限定了基本包围所述一个或多个发光元件的体积，其中所述体积部分地或完全地填充有密封材料。
在一个实施例中，所述光透射元件包括两个或更多个支撑物，其提供机械支撑以用于光透射元件相对于所述一个或多个发光元件的定位，例如用于将所述光透射元件安装在所述基底上或保持结构上。两个或更多个支撑物为由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积创建一系列开口，其中这些开口在照明设备封装的制造期间提供否则可能被封闭在所限定的体积内的气体的排出的位置。
所述光透射元件可以提供用于从照明设备封装操作和提取由所述一个或多个发光元件产生的电磁辐射。在本发明的一个实施例中，所述光透射元件被配置为透镜，例如圆顶透镜或本领域技术人员容易理解的其他透镜。
在本发明的一些实施例中，两个或更多个支撑物可以是所述保持结构或基底的整体部分而不是所述光透射元件的整体部分。例如，所述保持结构可以具有朝向所述光透射元件设置的两个或更多个支撑底座，并且光透射元件的一部分可以位于这些支撑底座上。
两个或更多个支撑物可以被配置为多种形状，例如支撑底座、支撑壁、支撑突出部(tab)或本领域技术人员容易理解的其他配置。支撑物可以位于光透射元件的面向所述基底的表面上、位于所述光透射元件的侧面上、或者位于所述基底或保持结构的表面上。
每个支撑物具有接触表面，在所述支撑物是所述光透射元件的一部分的实施例中，所述接触表面接触所述基底或所述保持结构，或者在所述支撑物是所述基底或保持结构的一部分的实施例中，所述接触表面接触所述光透射元件。所述接触表面可以是圆锥、半球、圆柱、锥台(frustoconical)、平坦表面、弯曲表面、凸面或本领域技术人员容易理解的其他表面形状。
在本发明的一个实施例中，在支撑物是所述光透射元件的一部分的实施例中，所述支撑物的接触表面被配置为最小化支撑物和所述基底或所述保持结构之间的接触面积，或者在支撑物是所述基底或者所述保持结构的一部分的实施例中，所述支撑物的接触表面被配置为最小化所述支撑物和光透射元件之间的接触面积。例如，所述支撑物的横截面朝向所述接触表面减小。在一些实施例中，所述接触表面被配置为圆锥的或半球的，从而基本上形成接触点，或在另一个实施例中，所述接触表面被配置为柱面，这可以基本上形成接触点线。在一些实施例中，接触点线可以基本上处于自所述光透射元件的底表面的中心区域的径向方向上。在这些配置中，接触面积的减少可以使得由所述支撑底座的接触表面封闭密封材料的可能性降低。
在一个实施例中，所述光透射元件包括两个或更多个支撑物，其可以使得所述光透射元件稳定地支撑在所述基底或保持结构上，其中支撑物的数目可以取决于其形状。例如，如果所述支撑物每个都被配置为具有与所述基底或所述保持壁接触的接触点，那么为了提供所述光透射元件在其上的稳定支撑，则可能需要三个或更多个支撑物。在本发明的其他实施例中，所述光透射元件包括三、四、五、六或其他数目的支撑物，只要与所述光透射元件相关的支撑物的相对大小和数目被确定为使得在由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积中的期望的一系列开口能够实现所述照明设备封装的期望水平的排气。
在本发明的一个实施例中，所述支撑物被配置为具有一定程度的柔韧性、可延伸性、可压缩性或它们的组合。在所述配置中，所述支撑物能够使得光透射元件相对于基底移动，这可以降低可能导致所述密封材料的组分分离或局部分层的所述照明设备封装内的应力保持(stress retention)。这些潜在应力可能是例如由形成所述照明设备封装的材料的有差异的热膨胀系数而引起的。
在所述光透射元件被安装在所述基底或保持结构上的实施例中，所述安装可以通过使用密封材料、硅树脂、环氧树脂或者本领域技术人员所知道的类似材料来实现。
在本发明的一些实施例中，所述光透射元件和所述两个或更多个支撑物被整体地形成。在另一个实施例中，所述光透射元件和所述两个或更多个支撑物可以被分别形成且然后机械连接。例如，所述支撑物可以被单独形成且然后机械地耦合到所述光透射元件。在所述支撑物是所述保持结构或所述基底的一部分的实施例中，所述支撑物可以被整体地形成，或者单独形成且然后机械连接。例如，所述支撑物可以被单独形成且然后机械耦合到所述保持结构或者所述基底。
所述光透射元件的面向所述一个或多个发光元件的表面可以是弯曲的或平坦的。在一个实施例中，所述表面在形状上是凸出的，从而降低了气体被封闭在光透射元件的该表面和所述密封材料之间的可能性。
在本发明一个实施例中，所述光透射元件包括多个光学元件的组合，其中这些光学元件的大小可以不同。例如，亚微米到毫米或更大尺寸的微透镜或其他折射光学元件可以包括在所述光透射元件中。
所述光透射元件可以由模制塑料、纯PMMA、COC、BK7玻璃、聚碳酸酯、尼龙、硅树脂、硅橡胶或本领域技术人员容易理解的其他材料制成。在保持所述照明设备封装的所需水平的光透射率的同时，所述光透射元件可以可选地被配置为有颜色的部件。
密封材料
所述密封材料部分地或完全地填充由所述基底、保持结构和所述光透射元件限定的体积或腔，并且因此至少部分密封所述一个或多个发光元件。所述密封材料可以提供从所述一个或多个发光元件的增加的光提取水平。
在本发明的一个实施例中，所述密封材料的光透射率可以随波长而变化。例如，为了所述密封材料的期望目的，所述透射率相对于波长的变化可以是显著的或它可以是可忽略的。例如，所述密封材料和所述光透射元件的折射率可以被选择为使得光可以被有效地从所述一个或多个发光元件提取到周围环境中。在一个实施例中，所述密封材料和光透射元件可以被配置为具有大致相同的折射率。在另一个实施例中，所述密封材料的折射率大于所述光透射元件的折射率。
在一个实施例中，所述密封材料可以从光清透材料(例如硅凝胶)中选择。其他具有适当折射率的密封材料包括例如PMMA、聚碳酸酯、尼龙、硅橡胶和硅凝胶，它们典型地吸收很少的可见光并且典型地仅吸收特定的紫外(UV)光。这些类型的材料中的一些可以为在长时间曝光到紫外光的情况下的褪色提供一些抵抗性，并且它们在适当折射率的范围内可用。
在所述基底、保持结构和光透射元件的装配期间，可以按照多种不同的方式来设置所述密封材料，以实现具有填充有期望数量的密封材料的体积或腔的照明设备封装。例如，一个或多个发光元件可以被设置在所述基底上，然后横向围绕所述一个或多个发光元件的外围的保持结构可以被设置在所述基底上。在期望的修改中，例如液态的预定量的密封材料可以被设置在所述一个或多个发光元件上或与所述一个或多个发光元件相邻，然后光透射元件可以被设置在所述基底或保持结构上。例如，在完成所述照明设备封装的装配时，所述密封材料可以完全密封所述一个或多个发光元件的否则将被暴露的部分，并且由所述基底、保持结构和光透射元件限定的体积或腔可以被完全填充。在一些实施例中，然后所述密封材料可以被固化。
在本发明的一个实施例中，为了加速液体密封材料内的气泡的排出，所述照明设备封装可以被暂时暴露于减小的压力气氛中，以作为排气过程。在所述排气过程之后，如果必要的话，所述液体密封材料可以被固化，例如通过暴露于热或UV光下，以实现期望的材料性质。
保持结构
保持结构被耦合到所述基底并且被配置为围绕可操作地耦合到所述基底的一个或多个发光元件。所述保持结构提供边界或周界，所述边界或周界可以提供用于将所述密封材料保持在期望的区域中的装置。
在本发明的一个实施例中，所述保持结构形成围绕所述一个或多个发光元件的保持壁，并且被配置为只提供用于将所述密封材料保持在由所述壁限定的腔内的结构。
在本发明的另一个实施例中，所述保持结构形成围绕所述一个或多个发光元件的保持壁，并且被配置为既提供用于将所述密封材料保持在由所述壁限定的腔内的结构并且还提供用于安装光透射元件的支撑结构。
在本发明的一个实施例中，所述保持结构的内壁被配置为垂直壁，或者轮廓化的壁(profiled wall)，例如倾斜的或弯曲的壁，其中所述光透射元件可以被支撑在所述基底上或者被支撑在所述保持结构的顶部。
在本发明的另一个实施例中，所述保持结构的内壁被配置为台阶状的壁，其中所述台阶可以为所述光透射元件提供支撑表面。
在另一个实施例中，所述支撑物可以与所述保持结构整体地形成。例如，可以采用模制工艺来制造保持结构，该保持结构具有用于耦合到所述光透射元件的整体的支撑物。
在一个实施例中，所述保持结构可以是单独的部件，或者它可以与光学系统的一个或多个元件整体地形成，例如光透射元件，其中支撑物限定所封闭的体积的开口。例如，可以采用双射模制工艺(dualshot moulding process)来制造整体地形成的或整体地连接的保持结构和透镜。
在本发明的另一个实施例中，在模制工艺期间，例如通过使用所述基底作为模具的一部分将所述保持结构模制到所述基底上，能够将所述保持结构直接地且可操作地设置在所述基底上，如同利用夹物模压(insert moulding)所进行的那样。在本发明的另一个实施例中，所述保持结构与所述基底整体地形成。
所述保持结构可以由多种材料制造，例如陶瓷、聚合物、聚酰亚胺、玻璃、模制塑料、模制硅树脂、金属、配制的环氧树脂或硅树脂珠(在配制或插入所述密封材料之前被固化)，或者本领域技术人员容易理解的其他材料。所述保持结构到所述基底的耦合可以通过粘合剂、热熔(heat staking)、整体成形或本领域技术人员容易理解的其他方法来提供。
所述保持结构可以被配置为反射性的、不透明的、半透明的、透明的、或非反射性的，其中所述保持结构的配置可以基于所述保持结构对由所述一个或多个发光元件发射的电磁辐射的期望的影响来确定。
在本发明的一个实施例中，所述保持结构的内表面主要旨在反射从所述发光元件横向发出的光。适当设计和高反射性的内表面可以有利于从所述照明设备封装的高效光提取。
在一个实施例中，所述保持结构的内表面面向所述一个或多个发光元件并且可以是漫射的或镜面反射性的。例如，所述内表面可以是白色的，并且其特征在于混合的漫射和镜面反射特性。可以用多种不同的方式来实现白色表面，例如，所述表面可以被涂敷或着色。所述保持结构的一部分表面或整个保持结构可以用白色材料制成，例如白色陶瓷或白色塑料(例如AmodelTM塑料)，或者用容易理解的其他材料制成。可替代地，所述保持结构的内表面可以例如被金属化，以实现具有期望的镜面反射或漫反射特性的混合的镜。
在一个实施例中，所述保持结构的内表面或另一个表面可以包括例如镜面反射性的铝或银的层。例如可以使用包括溅射、烧蚀或蒸镀的多种方法来沉积金属性层。
在一个实施例中，例如，所述保持结构可以被注入模制并且在内表面上涂有金属层。可替代地，所述保持结构的材料或所述保持结构的内表面可以具有比所述密封材料的折射率低的折射率。如果所述内表面被适当地成形并且折射率被适当地选择，则来自所述密封材料内部的光可以在内表面处朝向光学系统被有效地全内反射(TIR)。
基底
在一个实施例中，所述基底是高热传导的。例如，所述基底可以包括顶部和底部金属化的一个或多个A1N陶瓷层。例如，所述基底可以是Cu/Mo/Cu金属基底上的低温共烧陶瓷。例如，在一个实施例中，所述基底还可以包括模制塑料材料，例如液晶聚合物塑料或AmodelTM塑料。所述基底也可以被配置为金属基PC板。
在一个实施例中，所述基底的面向发光元件附着物区域的表面或其某些区域可以是漫射或镜面反射的。所述反射性质可以是由金属(例如铝或银涂层)产生的。
在一个实施例中，所述基底可以提供一个或多个具有线路或通路的层，用于连接所述发光元件、管芯附着焊盘或其他电气装置。例如，所述层或线路可以包括各种材料，比如包括铜、银、金、铝、镍或锡的组合的金属合金。
在本发明的一个实施例中，所述基底可以被配置为多层结构，其包括电传导和电绝缘层。例如，包括不应当被短路的导电部件(例如发光元件)的一个或多个基底层，比如导电线路的某些组合，可能需要与光反射的但是导电的层电绝缘。合适的绝缘材料在本领域是公知的。例如，在所述基底的顶表面上的金属线路可以被埋在电介质材料的薄电绝缘层(例如0.5到2密耳厚的聚酰亚胺)下。在一个实施例中，所述绝缘层可以被非选择或有选择地沉积，同时包括由所述保持结构覆盖的区域，其可以是导电的。在另一个实施例中，例如，绝缘层可以被沉积以实现所述基底和所述保持结构之间的更光滑更平坦的界面。
在一个实施例中，所述基底可以被焊接到PC板、柔性电路上或焊接到连接于电驱动电路的线上。所述基底可以具有一个或多个导电层，其包括Au或Au/Sn或者其他焊料合金。
在一个实施例中，所述照明设备封装可以被热连接到散热器或热导管。所述热耦合可以由焊料、热传导环氧树脂或本领域技术人员容易理解的其他热连接装置来提供。
发光元件附着
在本发明的一个实施例中，发光元件(例如LED管芯)可以被附着(例如焊接)到所述基底上的管芯附着焊盘上。所述管芯附着焊盘可以具有管芯附着焊盘接触，所述管芯附着焊盘接触具有包括金的焊料合金，例如金锡合金或金银合金。所述发光元件可以具有管芯接触，其包括例如金、金-锡或其他合金。根据所述发光元件的接触的成分和所述管芯附着焊盘的成分，焊料合金可以在升高的温度下被回流(液化)以将所述发光元件附着到所述管芯附着焊盘。可替代地，在设置所述发光元件之前，焊料膏可以被沉积在所述管芯附着焊盘上。焊料膏可以包括例如Au/Sn，其可以在升高的温度下被回流以产生接合。
在一个实施例中，导电和导热粘合剂可以用于将所述发光元件附着到所述管芯附着焊盘。例如，这样的粘合剂可以包括包含环氧树脂的Ag。根据粘合剂的种类，可以不需要焊料合金金属管芯附着焊盘来建立持久的机械和电接触。所述基底上的管芯附着焊盘可以提供高光反射的顶表面，并且可以很好地热连接到公共的下部金属化层。这样的金属化层被广泛用于某些陶瓷基底中。如果需要的话，发光元件的不同接触可以分别连接到它们自己的接触焊盘或线路，这些接触焊盘或线路可以位于所述基底上的管芯附着焊盘上或其他地方。管芯附着焊盘上的各个接触可以被可操作地连接到所述基底上的线路。
用于附着所述一个或多个发光元件的其他合适的方法将被本领域技术人员所容易地理解。
示例
示例1：
图1示出了根据本发明的一个实施例的照明设备封装的剖面图。发光元件30被安装并且电连接到基底10的金属化焊盘20上，并且所述发光元件30还通过引线接合25电连接到所述基底的电路线路15，从而使得能够激活所述发光元件。耦合到所述基底10的是保持壁40形式的保持结构，其围绕可操作地耦合到所述基底的发光元件。透镜45形式的光透射元件具有支撑底座50形式的支撑物，其将所述透镜耦合到所述基底。在基于支撑底座的配置的这个实施例中，三个或更多个支撑底座50与所述透镜相关，以便稳定地支撑所述透镜，其中所述支撑底座在所述透镜和所述基底之间创建一系列开口。所述照明设备封装还包括密封材料35，其填充由所述基底、透镜和保持壁限定的体积，从而将所述发光元件密封在其中。由所述支撑底座创建的用于所述体积的开口提供用于所述照明设备封装排气的位置，例如用于排出可能形成在液体密封材料中的气泡的位置。
在本发明的一个实施例中，为了加速这些气泡的排出，所述照明设备封装可以被暂时暴露于减小的压力气氛中，以作为排气过程。在所述排气过程之后，如果必要的话，所述液体密封材料可以被固化，例如通过暴露于热或UV光下，以实现期望的材料性质。
示例2：
图2示出了根据本发明的另一个实施例的照明设备封装的剖面图，并且图3示出了它的顶视图。发光元件120被安装并且电连接到所述基底100的金属化焊盘110上，并且所述发光元件120还通过引线接合115电连接到所述基底的电路线路105，从而使得能够激活所述发光元件。耦合到所述基底100的是保持壁125形式的保持结构，其围绕可操作地耦合到所述基底的发光元件。透镜130形式的光透射元件由支撑突出部140形式的支撑物安装到所述保持壁顶部。两个或更多个支撑突出部140可以与所述透镜相关并且可以提供其期望的稳定性，其中所述支撑突出部在所述透镜与由所述基底、保持壁和透镜限定的体积之间创建一系列开口145。例如，参考图2，所述开口可以位于突出部140之前或之后。另外，参考图3，所述开口145可以位于所述透镜130的外部边缘175和所述保持壁125的内部边缘185之间。如图3所示，四个支撑突出部与所述透镜相关，从而形成四个开口145。所述照明设备封装还包括密封材料135，其填充由所述基底、透镜和保持壁限定的体积，从而将所述发光元件密封在其中。由所述支撑突出部创建的所述体积内的开口145提供用于所述照明设备封装排气的位置，例如用于排出可能存在于密封材料中的气泡的位置。
示例3：
图4示出了根据本发明的一个实施例的另一个照明设备封装的剖面图。发光元件230被安装并且电连接到所述基底200的金属化焊盘225上，并且所述发光元件230还通过引线接合220电连接到所述基底的电路线路205，从而使得能够激活所述发光元件。耦合到所述基底200的是保持壁210形式的保持结构，其围绕可操作地耦合到所述基底的发光元件。所述保持壁210被形成为具有底座架215。透镜240形式的光透射元件通过支撑底座235形式的支撑物耦合到所述保持壁，具体地说是所述底座架。在一个实施例中，为了稳定地支撑所述透镜，两个或更多个支撑底座235与所述透镜相关，其中所述支撑底座在所述透镜和所述基底之间创建一系列开口。在另一个实施例中，三个或更多个支撑底座可以与所述透镜相关。所述照明设备封装还包括密封材料245，其填充由所述基底、透镜和保持壁限定的体积，从而将所述发光元件密封在其中。由所述支撑底座创建的用于所述体积的开口提供用于所述照明设备封装排气的位置，例如用于排出可能存在于密封材料中的气泡的位置。
显然，本发明的上述实施例是示例并且可以以多种方式变化。这些目前或将来的变化不应当被认为脱离本发明的精神和范围，并且对本领域技术人员来说明显的所有这些变化旨在包括在以下权利要求的范围内。
Claims (25)
1.一种照明设备封装，包括：
基底；
一个或多个发光元件，可操作地耦合到所述基底；
保持结构，耦合到所述基底并且围绕所述一个或多个发光元件；
光透射元件，耦合到所述基底并且定位成与由所述一个或多个发光元件发出的电磁辐射的路径相交；
光透射密封材料，位于由所述基底、所述光透射元件和所述保持结构限定的体积内，从而所述密封材料至少部分地将所述一个或多个发光元件密封在其中；以及
两个或更多个支撑物，至少部分地在所述光透射元件和所述基底之间延伸，所述两个或更多个支撑物被配置为支撑所述光透射元件；
其中所述两个或更多个支撑物设置成为所述体积提供两个或更多个开口，以用于流体通过其移动。
2.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物是柔性的、可压缩的、可延展的或它们的组合。
3.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物中的每一个具有横截面和接触表面，其中所述横截面在所述接触表面处较小。
4.如权利要求3所述的照明设备封装，其中，所述接触表面基本上是接触点。
5.如权利要求3所述的照明设备封装，其中，所述接触表面基本上是接触点线。
6.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，每个支撑物具有接触表面，所述接触表面具有从包括圆锥、半球、圆柱、锥台、平面、曲面和凸面的组中选择的形状。
7.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述保持结构与所述光透射元件整体地形成。
8.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述保持结构可操作地设置在所述基底上。
9.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物与所述光透射元件整体地形成。
10.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物连接到所述光透射元件。
11.如权利要求9所述的照明设备封装，其中，所述支撑物接触所述基底和所述保持结构中的一个或多个。
12.如权利要求10所述的照明设备封装，其中，所述支撑物接触所述基底和所述保持结构中的一个或多个。
13.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述保持结构包括被配置为台阶状的壁的内壁，以提供用于所述两个或更多个支撑物的支撑表面。
14.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物与所述基底整体地形成。
15.如权利要求1所述的照明设备封装，其中， 所述两个或更多个支撑物连接到所述基底。
16.如权利要求1所述的照明设备封装，其中， 所述两个或更多个支撑物与所述保持结构整体地形成。
17.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物连接到所述保持结构。
18.如权利要求1所述的照明设备封装，其中，所述光透射元件具有面向所述发光元件的表面，其中所述表面是凸面。
19.一种照明设备封装，包括：
基底；
一个或多个发光元件，可操作地耦合到所述基底；
保持结构，耦合到所述基底并且围绕所述一个或多个发光元件；
光透射元件，耦合到所述基底并且定位成与由所述一个或多个发光元件发出的电磁辐射的路径相交；
光透射密封材料，位于由所述基底、所述光透射元件和所述保持结构限定的体积内，从而所述密封材料至少部分地将所述一个或多个发光元件密封在其中；以及
两个或更多个支撑物，至少部分地在所述光透射元件和所述基底之间延伸，以用于支撑所述光透射元件，所述两个或更多个支撑物中的每一个具有横截面和接触表面，其中所述横截面在所述接触表面处较小；
其中所述两个或更多个支撑物设置成为所述体积提供两个或更多个开口，以用于流体通过其移动。
20.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物是柔性的、可压缩的、可延展的或它们的组合。
21.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述接触表面基本上是接触点。
22.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述接触表面基本上是接触点线。
23.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物与所述保持结构整体地形成。
24.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述两个或更多个支撑物与所述基底整体地形成。
25.如权利要求19所述的照明设备封装，其中，所述保持结构与所述光透射元件整体地形成。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730561A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-16 | 欧司朗股份有限公司 | 发光装置的制造 |
| CN103733335A (zh) * | 2011-08-16 | 2014-04-16 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有形成在槽中的反射壁的led混合室 |
| CN103733335B (zh) * | 2011-08-16 | 2016-11-30 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有形成在槽中的反射壁的led混合室 |
| CN106537031A (zh) * | 2014-05-28 | 2017-03-22 | 夸克星有限责任公司 | 灯具组件 |
| CN108023000A (zh) * | 2016-11-04 | 2018-05-11 | 普因特工程有限公司 | 光学器件衬底、光学器件衬底制造方法及光学器件 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7638346B2 (en) | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
| US8545629B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| US20060005763A1 (en) | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| WO2006023149A2 (en) | 2004-07-08 | 2006-03-02 | Color Kinetics Incorporated | Led package methods and systems |
| US7641735B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-01-05 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
| US9034103B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
| EP2918708B1 (en) | 2006-03-30 | 2019-10-30 | Crystal Is, Inc. | Method for annealing of aluminium nitride wafer |
| JP2007311445A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| WO2008088838A1 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| CN101652832B (zh) | 2007-01-26 | 2011-06-22 | 晶体公司 | 厚的赝晶氮化物外延层 |
| US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
| US8088220B2 (en) | 2007-05-24 | 2012-01-03 | Crystal Is, Inc. | Deep-eutectic melt growth of nitride crystals |
| TW200928203A (en) * | 2007-12-24 | 2009-07-01 | Guei-Fang Chen | LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method |
| TWM374650U (en) * | 2009-04-20 | 2010-02-21 | Hsin I Technology Co Ltd | LED packaging structure |
| WO2010150297A1 (ja) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージおよび当該半導体パッケージの実装構造 |
| JP2011018863A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Sharp Corp | 発光素子モジュール及びその製造方法、並びに、バックライト装置 |
| TWI422073B (zh) * | 2010-05-26 | 2014-01-01 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構 |
| CN105951177B (zh) | 2010-06-30 | 2018-11-02 | 晶体公司 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 |
| US8962359B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
| US20130100641A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Marcus Zhang | LED Lamp |
| US20120074455A1 (en) * | 2011-11-20 | 2012-03-29 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Led package structure |
| KR20130107536A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법 |
| TWI485890B (zh) * | 2012-10-31 | 2015-05-21 | Lextar Electronics Corp | 發光裝置 |
| US9299880B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-29 | Crystal Is, Inc. | Pseudomorphic electronic and optoelectronic devices having planar contacts |
| DE102013222703A1 (de) * | 2013-11-08 | 2015-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP6661890B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2020-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2019003535A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | 日本碍子株式会社 | 透明封止部材及びその製造方法 |
| CN107369755A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-21 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | 紫外led封装结构 |
Family Cites Families (85)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991003085A1 (en) * | 1989-08-21 | 1991-03-07 | Cray Research, Inc. | Improved laser diode package |
| US5077587A (en) | 1990-10-09 | 1991-12-31 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode with anti-reflection layer optimization |
| US5355942A (en) | 1991-08-26 | 1994-10-18 | Sun Microsystems, Inc. | Cooling multi-chip modules using embedded heat pipes |
| EP0529837B1 (en) | 1991-08-26 | 1996-05-29 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for cooling multi-chip modules using integral heatpipe technology |
| US5890794A (en) | 1996-04-03 | 1999-04-06 | Abtahi; Homayoon | Lighting units |
| US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
| RU2133068C1 (ru) * | 1997-07-30 | 1999-07-10 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
| US6211626B1 (en) | 1997-08-26 | 2001-04-03 | Color Kinetics, Incorporated | Illumination components |
| DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
| RU2134000C1 (ru) * | 1997-12-31 | 1999-07-27 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
| JPH11214741A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Sharp Corp | 光空間伝送センサ |
| US6274924B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
| US6204523B1 (en) | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
| DE10019665A1 (de) | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10023353A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| DE10033502A1 (de) | 2000-07-10 | 2002-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| US6345903B1 (en) | 2000-09-01 | 2002-02-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same |
| AU2002217845A1 (en) | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Emcore Corporation | Microelectronic package having improved light extraction |
| AU2002235132A1 (en) | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Emcore Corporation | Led packages having improved light extraction |
| US6940704B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-09-06 | Gelcore, Llc | Semiconductor light emitting device |
| US6639360B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-10-28 | Gentex Corporation | High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components |
| US6510995B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-01-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | RGB LED based light driver using microprocessor controlled AC distributed power system |
| US6483705B2 (en) | 2001-03-19 | 2002-11-19 | Harris Corporation | Electronic module including a cooling substrate and related methods |
| US6507159B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-01-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Controlling method and system for RGB based LED luminary |
| US7556086B2 (en) | 2001-04-06 | 2009-07-07 | University Of Maryland, College Park | Orientation-independent thermosyphon heat spreader |
| US6949771B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-27 | Agilent Technologies, Inc. | Light source |
| JP4290900B2 (ja) | 2001-05-18 | 2009-07-08 | 日本ビクター株式会社 | 光源装置 |
| US6741351B2 (en) | 2001-06-07 | 2004-05-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED luminaire with light sensor configurations for optical feedback |
| US6617795B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-09-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multichip LED package with in-package quantitative and spectral sensing capability and digital signal output |
| CN1464953A (zh) | 2001-08-09 | 2003-12-31 | 松下电器产业株式会社 | Led照明装置和卡型led照明光源 |
| US6659578B2 (en) | 2001-10-02 | 2003-12-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tuning system for a compact optical sensor |
| US6498355B1 (en) | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
| US6630801B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-10-07 | Lümileds USA | Method and apparatus for sensing the color point of an RGB LED white luminary using photodiodes |
| US6610598B2 (en) | 2001-11-14 | 2003-08-26 | Solidlite Corporation | Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens |
| EP1453107A4 (en) | 2001-11-16 | 2008-12-03 | Toyoda Gosei Kk | LED, LED LAMP AND LAMP |
| KR100439402B1 (ko) | 2001-12-24 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
| US6480389B1 (en) | 2002-01-04 | 2002-11-12 | Opto Tech Corporation | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package |
| US6679315B2 (en) | 2002-01-14 | 2004-01-20 | Marconi Communications, Inc. | Small scale chip cooler assembly |
| JP4269709B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US6924514B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device and process for producing thereof |
| JP4172196B2 (ja) | 2002-04-05 | 2008-10-29 | 豊田合成株式会社 | 発光ダイオード |
| US6807345B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods for removing heat from opto-electronic components |
| AU2003298561A1 (en) | 2002-08-23 | 2004-05-13 | Jonathan S. Dahm | Method and apparatus for using light emitting diodes |
| US7105858B2 (en) | 2002-08-26 | 2006-09-12 | Onscreen Technologies | Electronic assembly/system with reduced cost, mass, and volume and increased efficiency and power density |
| US7264378B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
| JP3910517B2 (ja) | 2002-10-07 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | Ｌｅｄデバイス |
| US6717362B1 (en) | 2002-11-14 | 2004-04-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light emitting diode with gradient index layering |
| US6897486B2 (en) | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Ban P. Loh | LED package die having a small footprint |
| US6991356B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-01-31 | Efraim Tsimerman | LED curing light |
| US6998777B2 (en) | 2002-12-24 | 2006-02-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode array |
| KR100480299B1 (ko) | 2003-01-02 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 광통신용 레이저 다이오드 모듈 |
| JP2004265986A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 |
| US6835960B2 (en) | 2003-03-03 | 2004-12-28 | Opto Tech Corporation | Light emitting diode package structure |
| JP4504662B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄランプ |
| US6903380B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-06-07 | Weldon Technologies, Inc. | High power light emitting diode |
| US7095053B2 (en) | 2003-05-05 | 2006-08-22 | Lamina Ceramics, Inc. | Light emitting diodes packaged for high temperature operation |
| US6858870B2 (en) | 2003-06-10 | 2005-02-22 | Galaxy Pcb Co., Ltd. | Multi-chip light emitting diode package |
| US6976769B2 (en) | 2003-06-11 | 2005-12-20 | Cool Options, Inc. | Light-emitting diode reflector assembly having a heat pipe |
| JP4138586B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2008-08-27 | スタンレー電気株式会社 | 光源用ｌｅｄランプおよびこれを用いた車両用前照灯 |
| JP4645071B2 (ja) | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
| US6921929B2 (en) | 2003-06-27 | 2005-07-26 | Lockheed Martin Corporation | Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens |
| TWI231609B (en) | 2003-09-01 | 2005-04-21 | Solidlite Corp | High heat-conductive PCB type surface mounted light emitting diode |
| US6995402B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
| US6933535B2 (en) | 2003-10-31 | 2005-08-23 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with enhanced luminous efficiency |
| KR100586944B1 (ko) | 2003-12-26 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법 |
| WO2005067063A1 (en) | 2004-01-12 | 2005-07-21 | Asetronics Ag | Arrangement with a light emitting device on a substrate |
| KR20050092300A (ko) | 2004-03-15 | 2005-09-21 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드 패키지 |
| US7517728B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
| WO2005107420A2 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-17 | Rensselaer Polytechnic Institute | High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material |
| JP4398781B2 (ja) | 2004-05-06 | 2010-01-13 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| US7456499B2 (en) | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
| KR100576866B1 (ko) | 2004-06-16 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| WO2006023149A2 (en) | 2004-07-08 | 2006-03-02 | Color Kinetics Incorporated | Led package methods and systems |
| EP1619726A1 (fr) | 2004-07-22 | 2006-01-25 | St Microelectronics S.A. | Boîtier optique pour capteur semiconducteur |
| US20060044806A1 (en) | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Abramov Vladimir S | Light emitting diode system packages |
| KR101080355B1 (ko) | 2004-10-18 | 2011-11-04 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드와 그 렌즈 |
| US7344902B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
| US20060124953A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Negley Gerald H | Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same |
| EP1861876A1 (en) | 2005-03-24 | 2007-12-05 | Tir Systems Ltd. | Solid-state lighting device package |
| WO2006105638A1 (en) | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Tir Systems Ltd. | Electronic device package with an integrated evaporator |
| KR100631420B1 (ko) * | 2005-11-21 | 2006-10-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP4884074B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2012-02-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| US7906794B2 (en) | 2006-07-05 | 2011-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device package with frame and optically transmissive element |
| WO2008003176A1 (en) | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Tir Technology Lp | Lighting device package |
-
2007
- 2007-10-31 KR KR1020097011105A patent/KR101484488B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-31 EP EP07816084.3A patent/EP2080223B8/en active Active
- 2007-10-31 CN CN200780040729XA patent/CN101536179B/zh active Active
- 2007-10-31 JP JP2009533627A patent/JP2010508652A/ja active Pending
- 2007-10-31 BR BRPI0718086-1A2A patent/BRPI0718086A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-10-31 RU RU2009120531/28A patent/RU2453948C2/ru active
- 2007-10-31 US US11/980,991 patent/US7631986B2/en active Active
- 2007-10-31 WO PCT/CA2007/001934 patent/WO2008052327A1/en active Application Filing
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733335A (zh) * | 2011-08-16 | 2014-04-16 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有形成在槽中的反射壁的led混合室 |
| CN103733335B (zh) * | 2011-08-16 | 2016-11-30 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有形成在槽中的反射壁的led混合室 |
| TWI573295B (zh) * | 2011-08-16 | 2017-03-01 | 皇家飛利浦電子股份有限公司 | 具有形成於溝槽中之反射壁之發光二極體混合室 |
| CN103730561A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-16 | 欧司朗股份有限公司 | 发光装置的制造 |
| CN106537031A (zh) * | 2014-05-28 | 2017-03-22 | 夸克星有限责任公司 | 灯具组件 |
| CN106537031B (zh) * | 2014-05-28 | 2019-10-18 | 夸克星有限责任公司 | 灯具组件 |
| CN110617458A (zh) * | 2014-05-28 | 2019-12-27 | 夸克星有限责任公司 | 灯具组件 |
| CN108023000A (zh) * | 2016-11-04 | 2018-05-11 | 普因特工程有限公司 | 光学器件衬底、光学器件衬底制造方法及光学器件 |
| CN108023000B (zh) * | 2016-11-04 | 2020-04-24 | 普因特工程有限公司 | 光学器件衬底、光学器件衬底制造方法及光学器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101536179B (zh) | 2011-05-25 |
| RU2009120531A (ru) | 2011-01-10 |
| US20080180960A1 (en) | 2008-07-31 |
| EP2080223B1 (en) | 2018-04-25 |
| BRPI0718086A2 (pt) | 2013-11-05 |
| JP2010508652A (ja) | 2010-03-18 |
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| WO2008052327A1 (en) | 2008-05-08 |
| US7631986B2 (en) | 2009-12-15 |
| EP2080223A1 (en) | 2009-07-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090828 Address after: Holland Ian Deho Finn Applicant after: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. Address before: Canadian British Columbia Applicant before: TIR TECHNOLOGY L.P. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Eindhoven, Netherlands Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. Address before: Eindhoven, Netherlands Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200716 Address after: Holland Schiphol Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS NV Address before: Eindhoven, Netherlands Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. |