CN101506066B - 用于在处理系统中处理工件的设备和方法 - Google Patents

用于在处理系统中处理工件的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101506066B
CN101506066B CN200780031329.2A CN200780031329A CN101506066B CN 101506066 B CN101506066 B CN 101506066B CN 200780031329 A CN200780031329 A CN 200780031329A CN 101506066 B CN101506066 B CN 101506066B
Authority
CN
China
Prior art keywords
workpiece
plate
base portion
electrode
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200780031329.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101506066A (zh
Inventor
詹姆斯·P·法西奥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nordson Corp
Original Assignee
Nordson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nordson Corp filed Critical Nordson Corp
Publication of CN101506066A publication Critical patent/CN101506066A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101506066B publication Critical patent/CN101506066B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

用于在处理系统中处理工件的设备和方法。设置在处理系统的处理腔室(40)内部的工件竖直升降机构(200)适合将工件(55)往复于电极(24)的基座部(286)地转移。基座部(286)配置成在处理期间支撑工件(55)。工件竖直升降机构(200)包括在第一位置与第二位置之间相对于基座部(286)可移动的工件固定器(290)以便于将工件(55)从工件固定器(290)转移到基座部(286)，在第一位置上，工件固定器(290)将工件(55)与基座部(286)保持成非接触的关系，在第二位置上，基座部(286)凸出到工件固定器(290)之上。

Description

用于在处理系统中处理工件的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2006年8月22日申请的美国临时申请第60/823,175号的优先权，因此该临时申请的整个公开的内容通过引用并入于此。
技术领域
本发明总的来说涉及处理系统，更具体地说，涉及用于在处理系统中处理工件的设备和方法。
背景技术
在执行处理工艺期间，诸如等离子处理工具之类的处理系统通过保持机构将诸如半导体、陶瓷、或者金属基板或晶片之类的工件支撑在处理腔室内部。某种保持机构包括多个配置成一致地升起或降下的升降销用于将工件相对于支撑件的顶面升起和降下。在降下的位置上，所述升降销的顶端与所述支撑件的顶面平齐或者稍微凹入到支撑件的顶面之下以便于所述工件至少部分地接触到所述顶面。在升起的位置上，所述升降销的顶端接触到工件的底面(背面)并将工件举到所述支撑件的顶面上方。典型地，多个升降销建立了多个与工件的背面的接触点。所获得的升起的工件与所述支撑件之间的间隙提供了插入末端执行器的空间。
传统处理系统中的升降销的必要条件是在处理腔室中需要一个或多个机械导管用于将机械运动从所述处理腔室外部的位置传递到所述升降销。每个机械导管需要至少一个贯穿所述处理腔室腔壁的端口。每个端口提供了真空泄漏的主要位置。此外，所述升降销与工件之间的接触可能破坏或污染工件的背面。另外，升起和降下所述升降销的过程可能产生污染所述处理腔室的颗粒，如果不清除，最后会导致对处理后的工件的污染。
因此，需要提供一种工件竖直升降机构来处理传统处理系统的这些或其它的不足或难题。
发明内容
在本发明的一个实施方式中，一种设备包括处理腔室，所述处理腔室包括上、下电极。下电极的基座部配置成在处理期间支撑工件。在所述处理腔室中设有工件竖直升降机构。所述工件竖直升降机构包括设置在上、下电极之间的竖直可动构件。所述竖直可动构件配置成在第一和第二位置之间相对于所述下电极的基座部竖直移动。在所述第一位置上，所述竖直可动构件将所述工件与所述基座部保持成非接触的关系。在所述第二位置上，所述下电极的基座部凸出到第一构件之上以便于将工件从所述第一构件转移到所述基座部。
在另一个实施方式中，一种处理方法包括将工件转移到处理腔室内部的竖直可动构件上，然后将所述可动构件竖直地移向下电极的基座部以便于将所述工件从所述可动构件转移到所述下电极的基座部。该方法还包括使用下电极和上电极在所述处理腔室内部产生等离子，以及当所述工件被支撑在所述下电极的基座部上时，使用所述等离子处理所述工件。
附图说明
结合在该说明书中并构成该说明书的一部分的附图示出了本发明的实施方式，这些附图连同上面给出的本发明的概括描述以及下面给出的详细描述用来解释本发明实施方式的原理。
图1是包括根据本发明的一个实施方式的工件竖直升降构件的等离子处理系统的透视图。
图2是图1的等离子处理系统的正视图。
图3是图1和2的等离子处理系统的外壳和工件竖直升降机构的分解视图。
图3A是图1、2和3的等离子处理系统的工件竖直升降机构的另一个分解视图。
图4是基本沿着图2中的线4-4的截面视图。
图5是与图4类似的截面视图，其中所述外壳的盖子与外壳的底部接触。
图6是图4的一部分的放大视图。
图7-11是与图1类似的透视图，示出了工件的装载过程。
图12是示出根据本发明的可选实施方式的工件竖直升降机构的透视图。
图13是根据本发明的可选实施方式的工件竖直升降机构的透视图。
具体实施方式
参见图1-4，等离子处理系统10主要包括具有盖子14和底部16的外壳12、自盖子14悬置的支撑臂18、20、上电极22、下电极24和工件竖直升降机构200(图3A)，盖子14搁置在底部16上。等离子处理系统10还包括定位在上、下电极22、24之间的管状隔离构件或环26，该隔离构件或环26与围绕上、下电极22、24的周边的面对表面接触。上、下电极22、24的面对表面是大致平面的平行板，并且具有大致相同的表面积。
支撑臂18、20将盖子14的壳体46与升降装置28机械地连接，升降装置28在该代表性的实施方式中是以气缸示出，其配置成在升起位置(图1、2、4)与降下位置(图5、11)之间将盖子14相对于底部16升起和降下。可选地，升降装置28可以包括直线滑动装置。当盖子14处于其降下位置上时，在盖子14和底部16各自的周边之间嵌有传导构件64，盖子14和底部16各自的周边是金属的。该传导构件64在盖子14与底部16之间提供了很好的电接触，以形成围绕上、下电极22、24的可导电的外壳。
上电极22通过多个电绝缘隔离件从盖子14的壳体46悬置，其中隔离件42在图4中是可见的。这样，当升降装置将盖子14相对于底部16在升起和降下位置之间移动时，上电极22与壳体46一起移动。当将盖子14降下到与底部16接触时，如图5所示，密封构件52在隔离环26与下电极24的周边之间被压缩以限定出处理腔室40(图5)。该处理腔室40包括由上、下电极22、24的面向内部的水平面与由隔离环26限定的侧壁的面向内部的竖直面确定边界的容积或空间。
在升起的位置上，未处理的工件55可以被转移到工件竖直升降机构200，并且处理后的工件55可以被从工件竖直升降机构200上移除。工件竖直升降机构200可操作用于便于工件55在下电极24的基座部286上的装载和工件55从下电极24的基座部286的卸载。在盖子14和上电极22的降下位置上，处理腔室40限定了适合于等离子处理其中一个工件55的环境。
对于联机的应用，等离子处理系统10可以设有提供未处理工件55的输入托架(未示出)、接收处理过的工件55的输出托架(未示出)、以及在机器人(未示出)的铰接臂上的末端执行器280(图7)。机器人包括一系列允许铰接臂和末端执行器280的受控制的多轴铰接运动的致动器(未示出)。末端执行器280由机器人操纵用于将工件55从输入托架转移到处理腔室40，以及从处理腔室40转移到输出托架。此外，可以以将每个单独的工件55独立地引入到等离子处理系统10中的方式引入多个工件55，或者以将多个工件55同时引入到等离子处理系统10中的方式引入多个工件55。也可以将单独的工件55放置在支撑件或托架上并将其在支撑件或托架上转移到等离子处理系统10中。等离子处理系统10可以包括多个处理台中的单个处理台，所述多个处理台配合以在所述多个处理台中连续地处理以装配线的形式移动的多个工件55。
由屏蔽同轴电缆或输电线路32、34分别与上、下电极22、24连接的电源30控制上、下电极22、24的功率值和工作频率。电源30可以是以诸如50Hz和60Hz的极低频率、以诸如40kHz和13.56MHz的高射频、以诸如1kHz的中间射频或者以诸如2.4GHz的微波频率工作的交流电电源。电源30也可以以相互叠加的双频率工作。可选地，电源30可以是直流(DC)电源，其中等离子体是非振荡的。在其它可选的实施方式中，电源30可以提供形成稠密等离子体的射频(RF)能量分量和不影响等离子体密度的前提下独立地增加离子能量的直流电分量。
在本发明的某些实施方式中，电源30可以以一个或多个射频工作并且包括阻抗匹配网络(未示出)，该阻抗匹配网络用于测量从由上、下电极22、24呈现的负载和限制在上、下电极22、24之间的等离子体返回到电源30的反射功率。阻抗匹配网络调整电源30的工作频率以将反射功率降到最小。所属领域的普通技术人员明了这种匹配网络的结构。例如，阻抗匹配网络可以通过改变匹配网络内的可变电容器的电容来调整匹配网络以在负载变化时使电源30的阻抗与负载的阻抗匹配。功率和电压值以及工作频率可以随着特殊的应用而变化。
当等离子处理系统10工作时，真空泵36通过真空歧管38连续地抽出由等离子处理生成的副产品和来自于处理腔室40的未反应的处理气体。密封构件50(图4和5)被压缩在隔离环26与上电极22之间。真空泵36可操作用于将处理腔室40内的总压力保持在足够低的负压级别，以当通过上、下电极22、24的工作施加电力时促进等离子体的产生。适合于等离子体产生的典型的压力范围在大约20毫托到大于约50托。处理腔室40内的压力根据特殊要求的等离子处理被控制，主要包括来自于供应到抽空的处理腔室40中的处理气体的分压，处理气体可以包括一种或多种单独的气体种类。
气体入口板106固定到上电极22的上部水平表面。该气体入口板106通过气口112和输送管线113与处理气体源114连接。可以设置质量流控制器和流量测量装置(未示出)，它们配合以调节从处理气体源114到气口112的每种处理气体的流量。气体入口板106包括分配通道(未示出)，上电极22包括与气体入口板106的分配通道连接的通道(未示出)。上电极22中的通道与处理腔室40连通用于将处理气体注入到处理腔室中。
等离子处理系统10包括基于微处理器的控制器(未示出)，该处理器通过编程来控制其它元件中电源30、真空泵36和处理气体源114的工作。例如，该控制器调节电源30的功率值、电压、电流和频率并且将来自于处理气体源114的处理气体的供应与真空泵36的抽速结合起来以根据特殊的等离子处理和应用来限定处理腔室40中合适的压力。
在工件55处理期间，当盖子14和底部16处于接触状态时，由电源30施加在上、下电极22、24之间的电力在上、下电极22、24之间限定的处理腔室40中产生了电磁场，从而提供了适合于等离子处理的环境。电磁场将存在于处理区域中的处理气体激发到等离子状态，为了持续进行等离子处理，这种等离子状态由来自于电源30所施加的电力得到保持。
合适的冷却流体的强迫流可以通过上、下电极22、24和外壳12之间的空气间隙进行循环，例如空气间隙56，用于冷却等离子处理系统10，尤其用于冷却上、下电极22、24。要达到该目的，可以在盖子14中设置配件57(图2)，以限定用于将冷却源59(图2)与这些空气间隙连接的冷却口。
上、下电极22、24是由导电材料构成的，例如铝。隔离环26由不导电的绝缘材料构成并配置成能够抵抗处理腔室40中的等离子环境而不会对处理后的工件55造成不适当的污染。一般地，这意味着构成隔离环26的材料应该对存在于处理腔室40中的等离子的蚀刻具有充分的抵抗力。隔离环26除了提供上、下电极22、24之间的真空密封之外还限定了非导电材料的竖直侧壁。
来自等离子的组成核素(constituent species)与暴露在工件55上的材料接触并反应，以执行所需的表面改进。等离子配置成通过选择诸如处理气体的化学性质、处理腔室40内的压力和施加到上、下电极22、24的功率和/或频率值的参数来执行工件55的所需的表面改进。等离子处理系统10可以包括终点识别系统(未示出)，该终点识别系统可以自动识别等离子处理(例如蚀刻处理)达到预先确定的终点的时间，或者可选地，可以基于以经验确定的处理时间对等离子处理进行定时。
参见图3，3A，4和5，其中同样的附图标记指的是图1和2中同样的特征，工件竖直升降机构200主要包括升降板202、工件固定器290、将工件固定器290与下电极24机械连接的一组被弹性偏压的支撑件240、以及自上电极22向下电极24和工件固定器290凸出的一组被弹性偏压的推动装置258。安置在上、下电极22、24之间的工件固定器290的外边缘或周边274由隔离环26环绕。在盖子14被放置在与底部16接触的降下的位置上以将处理腔室40相对于周围环境密封之后，同时在处理腔室40被抽空之后，工件竖直升降机构200位于抽空的处理腔室40内。
工件固定器290包括例如由销-插口式接合装置连接起来的升降板202和工件环204，其中升降板202或工件环204中的一个具有一组凸出销(未示出)，同时升降板202或工件环204中的另一个具有一组与销对准并与销配合的插口(未示出)。工件固定器290随着打开和关闭盖子14在图4中最佳示出的盖子14被打开时的升起的位置与在图5中最佳示出的盖子14相对于底部16处于关闭的位置时的降下的位置之间是可自动移动的，而无需操作者的干预。换句话说，在盖子14将上电极22向下电极24移动以密封处理腔室40时，工件固定器290向降下的位置移动，在盖子14将上电极22远离下电极24移动时，工件固定器290向升起的位置移动。
正如图3和3A中最佳示出的，盖板206包括罩208和在该罩208之下的支撑件210。罩208也可以由销-插口式接合装置与支撑件210连接，或者，可选地，罩208与支撑件210可以构成整体的单件元件。当盖子14被降下时，如工件环204和升降板202一样，盖板206与下电极24具有好的电接触。这样，当等离子处理系统10正在工作以在处理腔室40内部产生等离子并使用等离子在处理腔室40内部处理工件55时，工件固定器290和工件55具有与下电极24大致相同的电势。
下电极24的每个角附近设置有凹口212。每个凹口212具有基部211，该基部211指的是在各个凹口212在下电极24中被成型或加工后保留下来的下电极24材料的相对薄的壁。自每个凹口212的基部211凸出的是安装柱214，安装柱214具有带有内螺纹的开口216。每个安装柱214可以与各自的一个凹口212基本同轴设置。在形成支撑件240的组件中，导向销220的带有螺纹的顶端218与每个安装柱214的带有内螺纹的开口216配合。每个安装柱214的带有内螺纹的开口216被定向以便于各自的导向销220在朝向升降板202的方向上凸出。
每个凹口212也可以由延伸到基部211的基本是圆柱形的侧壁222和设置在侧壁222与下电极24的顶面226之间的斜的或向外展开的边缘224来确定外围边界。与顶面226相交的向外展开的边缘224的直径大于每个凹口212的侧壁222的直径。
每个导向销220包括基本是圆柱形的不带有螺纹的杆228，该杆228从带有螺纹的顶端218向头部230延伸。头部230可以包括凹入特征232，该凹入特征232接收用于使导向销220的带螺纹的顶端218与带有内螺纹的开口216之间配对接合的工具的顶端(未示出)。每个导向销220的头部230至少部分地凸出到下电极24的顶面226附近之上，其具有位于不带有螺纹的杆228附近的向外展开的表面225。每个导向销220的不带有螺纹的杆228和各自的凹口212的侧壁222具有基本同轴的设置。
每个支撑件240包括挡块242，该挡块242由各自的一个导向销220与工件固定器290的升降板202连接。每个挡块242包括带有加大的头部246的本体244和在本体244的长度上延伸的中心孔或通道248。加大的头部246相对于本体244径向向外的凸出部限定了边缘或唇缘250，该唇缘250围绕本体244周向延伸。每个挡块242的加大的头部246还包括随着距唇缘250距离的增加直径减小的第一倾斜的或锥形的外部侧壁252和随着距唇缘250距离的增加直径增加的第二倾斜的或锥形的外部侧壁234。外部侧壁234设置在唇缘250与锥形的外部侧壁252之间。通道248包括基本圆柱形的表面236和使基本圆柱形的表面236的一部分变窄的倾斜的或锥形的表面238。
在升降板202的每个外围角附近限定有向外展开的凹口254。每个挡块242的锥形的外部侧壁252与各自的向外展开的凹口254接合。对每个向外展开的凹口254的深度进行选择以便于在升降板202与挡块242紧固时向外展开的凹口254的各自的斜面256与每个挡块242的锥形的外部侧壁252处于接触状态。每个向外展开的凹口254和挡块242的相应的锥形外部侧壁252的倾斜角度是相配的以有助于挡块242与升降板202的紧固，但是通过足够大的竖直力允许升降板202可随时移动。
当安装到升降板202时，挡块242中的通道248的锥形表面238基本位于下电极24中的其中一个凹口212与工件固定器290之间。每个凹口212中设置有弹性元件260，该弹性元件260可以是由螺旋线圈构成的压缩弹簧的形式。每个弹性元件260被限制在各自的凹口212中并被约束在基部211与各自的挡块242上的唇缘250之间。
正如图6中最佳示出的，当工件固定器290处在升起的位置上时，弹性元件260伸展。这样，工件固定器290的升降板202和工件环204以弹性浮置的方式支撑在支撑件240的顶上。在由升降板202和工件环204提供的负载下，弹性元件260共同地具有足够使升降板202悬置或举到下电极24的顶面226之上的弹力。
锥形表面238接触导向销220的头部230上的向外展开的表面225，以在工件固定器290处于升起的位置上时对垂向运动提供有效的阻挡。向外展开的表面225和锥形表面238的倾斜角度相配以便于在工件固定器290处于升起的位置上时每个挡块242在各自的导向销220上自定心。这样在工件固定器290位于升起的位置上时允许其回到可重复的空间位置。依次地，这样为由工件固定器290承载的工件55在等离子处理系统10中提供了可重复的位置。
正如下面详细解释的，盖子14向降下位置(图5)的运动将工件固定器290移向降下的位置，从而压缩弹性元件260。当工件固定器290被降下时，每个导向销220的头部230在其各自的通道248内向升降板202移动。
正如图3和3A中最佳示出的，工件固定器290包括：完全延伸通过升降板202和工件环204的中心开口270；以及在径向上从中心开口270延伸到工件固定器290的外周边274的间隙272。盖板206设计有与间隙272的宽度基本相同的宽度。当工件固定器290被降到处理位置时，盖板206将间隙272填充以便于中心开口270由基本平坦的表面围绕，该平坦的表面由工件环204的顶面266和盖板206的顶面276共同来限定。要促进这种必需的共面配置，盖板106和工件固定器290各自的厚度选择成大致是相等的，这样在工件固定器290处于其降下的位置上时使顶面266，276大致是平齐的。在有代表性的实施方式中中心开口270是圆形的。但是，中心开口270可以具有其它形状，例如矩形。
限定在工件环204中的肩部或边缘278同轴地围绕中心开口270。对边缘278的径向尺寸或宽度进行选择以便于在工件55上仅有细的环形表面区域被边缘278接触。例如，边缘278的径向尺寸可以大约等于3mm。中心开口270的直径大约等于工件55的直径小于边缘278的径向尺寸。如果工件55不是圆形的，中心开口270的几何形状选择成与工件55的形状一致。边缘278以与工件55的厚度相关的量凹入到工件环204的顶面266之下。当工件55搁置在边缘278上并由边缘278支撑时，工件55的顶面与工件环204的顶面266大致共面。
对间隙272的宽度进行选择，以便于末端执行器280(图7)能够通过间隙272并且进入中心开口270，用于将未处理的工件55转移到工件固定器290并且将处理后的工件55从工件固定器290上移除。末端执行器280与机器人连接，例如正如所属领域普通技术人员明了的选择顺应性关节/装配机器手臂(SCARA)机器人。
下电极24还包括可拆卸电极部284，该电极部284包括位于由下电极24和基座部286限定的凹口中的安装凸缘285。限定了典型的工件支撑件的基座部286自安装凸缘285向上电极22凸出。电极部284利用常用的固定件紧固到下电极24的下面的周围其余部分上。下电极24的顶面226和安装凸缘285的顶面226大致平齐。被举升到周围安装凸缘285上方的基座部286的顶面288的表面积大约等于中心开口270的径向向内的开口横截面积。基座部286的直径大约等于工件环204的中心开口270的直径。电极部284与下电极24的其余部分具有好的电接触以便于在等离子处理系统10正在工作并在处理腔室40中存在等离子体时基座部286和支撑件210具有与下电极24基本相同的电势。
盖板206包括电极部284的凸出到安装凸缘285的平面之上的另一个突起区。该盖板206和基座部286可以包括自安装凸缘285凸起的单个或单一的突起区。可选地，盖板206可以包括安装到电极部284上的隔离元件，在该示例中，可以包括用于将盖板206相对于工件固定器290中的中心开口270自动定位的定位销(未示出)等。
当工件固定器290被降到处理位置时，工件55与基座部286的顶面288之间的接触将工件55从工件环204转移到基座部286。在基座部286、下电极24、或者外壳12的底部16上不具有将工件55引导到基座部286上的任何结构的情况下完成工件55的转移。在工件固定器290的降下的处理位置上，工件环204的顶面266稍微凹入到基座部286的顶面288之下。在等离子处理期间，工件55搁置在基座部286的顶面288上。
电极部284和升降板202由例如铝的电导体构成。盖板206上的罩208和工件环204由例如氧化铝或高纯氧化铝的电绝缘体或电介质构成。可选地，盖板206上的罩208和工件环204也可以由例如铝的电导体构成。盖板206上的罩208和工件环204的组成材料的选择是由用于在工件55上进行特殊等离子处理的等离子处理系统10中所需的等离子特性的类型控制的。尽管不希望受理论的束缚，但是令人相信的是，由电导体构成盖板206的罩208和工件环204优化了等离子方法或处理驱使的蚀刻速率，并且由绝缘体构成盖板206的罩208和工件环204优化了由等离子方法驱使的均匀性。
参见图3A和4，很明显，其中一个推动装置258在空间上位于隔离环26的每个内侧角15附近，并且位于上电极22的每个相应的外侧角(未示出)附近。每个推动装置258包括推动块262和弹性元件264，推动块262与上电极22通过插入件261与肩部螺钉263之间的配合进行紧固。每个推动块262与各自的一个挡块242具有基本叠置的关系。弹性元件264可以是由螺旋线圈构成的压缩弹簧的形式，其一端约束在推动块262的加大的头部265与上电极22之间。推动块262由绝缘或电介质材料构成，例如陶瓷，插入件261和肩部螺钉263可以由金属构成，例如不锈钢。肩部螺钉263具有带螺纹的顶部，该顶部固定在上电极22中的螺孔中。每个推动装置258的推动块262相对于肩部螺钉263可以在弹性元件264被伸展的第一位置(图4)与弹性元件264被压缩的第二位置之间移动。弹性元件264在第一位置上向每个推动块262提供了预先加载的偏压。
当盖子14移向底部16时，每个推动装置258的推动块262接触到工件环204的顶面266，弹性元件264开始压缩。随着盖子14接近底部16，弹性元件264被进一步地压缩，其将逐渐增加的力施加到工件环204，使工件固定器290移向基座部286的顶面288和下电极24。当工件固定器290处于降下的位置上时，每个挡块242上的锥形的外部侧壁234接触到凹口212的向外展开的边缘224，并且每个推动块262被移到其第二位置。
向外展开的边缘224和锥形的外部侧壁234的倾斜的角度大致相等或相配。当工件固定器290处于降下的位置上时，每个向外展开的边缘224与各自的一个外部侧壁234接触。这种接触使每个挡块242在其各自的凹口212中自动地自定心。因此，每次盖子14下降，在该盖子14将工件固定器290移动到降下的位置上时，工件固定器290都返回到关于下电极24和可拆卸电极部284的可重复的空间位置。依次地，这样在每次连续的等离子处理期间，为后续的工件55在基座部286上提供了可重复的位置。
参见图1，2，3，3A，和4-11，在使用中，盖子14被提升到关于底部16打开的位置(图2，7)并且脱离与底部16的接触。随着盖子14被提升，工件竖直升降机构200的元件具有图4中最佳示出的初始配置。弹性偏压支撑件240推动工件固定器290远离下电极24以提供升起的位置。当工件固定器290处于升起的位置上同时在锥形表面225与每个弹性偏压支撑件240的向外展开的表面238之间建立接触时，就限定了中心开口270的可重复的位置以便于末端执行器280能够将工件55可复位地放置在工件固定器290上。
如图7所示，操纵末端执行器280以将其中一个工件55转移到等离子处理系统10附近的位置。如图8所示，该末端执行器280将工件55从该位于外壳12外部的位置移动到位于上、下电极22、24之间且位于中心开口270上方的位置。当工件55由末端执行器280从外壳外部的位置移入到工件固定器290的中心开口270上方的位置时，工件55没有由与外壳12相关的任何结构引导，例如与外壳12的底部16相关的轨道或者另一形式的机械约束。
末端执行器280被降下以便于工件55的外周接触到工件环204的中心开口270内侧的边缘278，如图9所示。然后工件55被完全支撑在边缘278上。在工件55被转移到工件固定器290后，末端执行器280通过间隙272被撤回到完全在盖子14和底部16所覆盖区域之外的位置上，如图10所示。在这连续的运动期间，末端执行器280物理地配合在间隙272内。工件55的外周面通过与中心开口270的边缘278接触得到支撑并且被悬置在下电极24上方。
盖子14相对于底部16被降下，如图10所示，并最终接触到底部16以建立关闭的位置，如图11所示。盖子14的下降将上电极22移向下电极24。当盖子14向关闭的位置下降时，自上电极22凸出的推动块262接触到工件环204的顶面266。这种接触使弹性元件264压缩，于是弹性元件264将偏压力施加到工件固定器290上。由推动装置258的弹性元件264所施加的偏压力克服支撑件240的相反弹性偏压，将工件固定器290移向下电极24。工件固定器290上的工件55的运动在关于外壳12的底部16的竖直方向上并朝向下电极24，不含有在关于底部16的水平方向上的任何显著的运动分量。
在工件固定器290在升起和降下位置之间移动时，每个导向销220与各自的挡块242具有非接触的关系。在工件固定器290接近完全的降下位置并且弹性偏压支撑件240退向下电极24时，工件55被从工件环204的边缘278转移到下电极24的基座部286。在工件固定器290的完全降下位置上，工件55搁置在下电极24的基座部286上，在工件环204的边缘278与工件55之间存在很小的间隙(例如2或3密耳)。
使用真空泵36将处理腔室40抽空并且从气体入口板106将处理气体引入以得到适合的压力。由电源30对上、下电极22、24供电以由处理腔室40中处理气体的负压产生等离子。当工件55的等离子处理完成时，使处理腔室40通风并将外壳12的盖子14升起。上电极22远离下电极24的移动打开了处理腔室并最终移除了推动装置258与工件环204的顶面266之间的接触。这样，将工件固定器290推向下电极24的力被逐渐移除。弹性偏压支撑件240的弹性元件260被释放从而扩展到其未被压缩的状态，籍此将工件固定器290自动地举起并恢复到升起的位置。工件固定器290上的工件55的运动在关于外壳12的底部16的竖直方向上并朝向上电极22，不包括在关于底部16的水平方向上的任何运动分量。工件55被从下电极24的基座部286移回到工件环204的边缘278。
当接近升起的位置时，锥形表面225与每个弹性偏压支撑件240的向外展开的表面238重新建立接触以再次限定中心开口270的可重复的位置。下电极24与工件固定器290的中心开口270的分离为末端执行器280提供了敞开的空间以能够接近每个处理后的工件55的后侧、从中心开口270处将处理后的工件55提升，并且从等离子处理系统10上取回处理后的工件55。在该连续的运动期间，末端执行器280物理上配合在间隙272内。当利用末端执行器280将工件55从中心开口270内的位置取回时，没有利用任何与外壳12相关的结构对工件55进行引导。
在等离子处理进行时工件竖直升降机构200保持了等离子处理系统10的平行板设计。工件竖直升降机构200呈现了被动式的晶片夹持系统，该夹持系统消除了对诸如机械或电力驱动的升降销之类的主动式的机械辅助装置的需求。这简化了等离子处理系统10的设计，因为工件竖直升降机构200消除了对作为主动式晶片夹持系统的特征的机械型导管等的需求，并伴随有成本降低。工件竖直升降机构200的设计可以容易地进行修改以处理不同尺寸的工件55。可以对工件竖直升降机构200进行改型以装配到现有的等离子处理系统中。在工件更换期间，升降销或者任何其它机械结构不会接触到工件55的设备区。相反，工件固定器290允许通过仅仅在边缘278与工件55周边附近的窄环形带之间的接触来提升和降下工件。
在一可选的实施方式中，隔离环26可以省略同时外壳12的内部可以另外地配置成限定由真空泵36抽空的体积以限定与处理腔室40类似的处理腔室。在该示例中，上、下电极22、24位于处理腔室40内。在另一个可选的实施方式中，可以将上电极22和盖子14合并成整体的结构，其中整个盖子14或者其一部分作为电极来工作。
工件固定器290的升降板202和工件环204、可拆卸电极部284及其基座286、以及盖板206可以作为元件组共同地被替换以使工件竖直升降机构200适合处理不同尺寸和/或几何形状的工件55。
如图12所示，其中同样的附图标记指代图1-11中同样的特征，根据一可选的实施方式，工件固定器290a包括结构上与升降板202和工件环204类似的升降板202a和工件环204a。工件固定器290a具有用于容纳工件55a的圆形中心开口270a和边缘278a，它们的直径不同于工件固定器290(图3)的对应的中心开口270和边缘278的直径，工件55a具有典型的盘形，其特征是其直径不同于工件55。替换需要利用大小能够有效地将向外展开的凹口254从各自的挡块242的相应的锥形外部侧壁252上脱开的升降力将由工件固定器290的升降板202和工件环204构成的组件从下电极24上移除。通过将升降板202a中的向外展开的凹口(未示出)与相同的支撑件240接合来安装替换的工件固定器290a，升降板202a中的向外展开的凹口与升降板202中的向外展开的凹口254类似。导向销220和挡块242能够普遍地与每个工件固定器290，290a一起使用。所需要的是在支撑件240与安装在等离子处理系统10中的工件固定器290，290a中的特定的一个之间建立物理连接。
作为对电极部284的替换，新的可拆卸电极部284a被安装，其包括尺寸设计成在直径上配合在中心开口270a内的基座部286a。在有代表性的实施方式中，基座部286a的外径稍小于圆形中心开口270a的内径。与盖板206类似的盖板206a设置在间隙272a中，间隙272a与间隙272相似，但是由于中心开口较大的尺寸，该间隙272a稍宽。推动块262保持不变，其将工件固定器290a在与盖子14的打开和关闭关联的升起和降下的位置之间移动。当工件固定器290a处于降下的位置上时，工件固定器290a的顶面266a和盖板206a的顶面276a大致共面，且基座部286稍微地凸出到顶面276a和288a之上。这样，工件55a接触到基座部286a的顶面288a并由该顶面288a支撑。
可以提供与工件固定器290，290a、盖板206，206a和电极部284，284a基本相同的另外的工件固定器、盖板和电极部(未示出)，但是这些元件配合来容纳不同直径的圆的盘形工件。例如，可以提供一组四个不同的元件组用于等离子处理系统10，以通过将工件固定器、盖板和电极部进行简单的替换分别支撑100mm、150mm、200mm和300mm的晶片。
参见图13，其中同样的附图标记指代图1-12中同样的特征，在可选的实施方式中，盖子14可以承载有压缩环300，该压缩环300在盖子14关闭时接触工件55以建立环绕工件55外周边的密封并将工件55朝基座部286的方向向下压。压缩环300包括用作气体通道的通孔302以允许处理腔室40被真空泵36抽空。
在此作为示例提及的术语例如“竖直”、“水平”等等不是为了限制，而是为了建立三维的参照系。诸如“上”、“下”、“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“侧”(正如“侧壁”中的“侧”)、“更高”、“更低”、“在……之上”、“在……之下”和“在……下面”之类的术语是相对于水平面定义的。应该理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的前提下可以使用各种其它的参照系，因为所属领域的普通技术人员会认识到所定义的参照系是相对的而不是绝对的。
虽然已经通过不同的实施方式的描述对本发明进行了阐述，并且虽然已经相当详细地对这些实施方式进行了描述，但是本发明的申请人并不旨在将所附的权利要求的范围限定或以任何方式限制在这种详述中。另外的优点和修改对于所属领域的技术人员来说是显而易见的。因此本发明在其更宽的方面中并不局限于特定的细节、有代表性的设备和方法以及图示和描述的说明性示例中。因此，在不脱离申请人的总体发明原理的精神和范围的前提下可以从这些详述中做出改变。本发明本身的范围应该仅由所附的权利要求限定。

Claims (23)

1.一种用于处理工件的设备，所述设备包括：
处理腔室，所述处理腔室包括上电极和下电极，所述下电极包括基座部，所述基座部具有配置成在处理期间支撑所述工件的顶面；和
在所述处理腔室中的工件竖直升降机构，所述工件竖直升降机构包括设置在所述上电极和所述下电极之间的板，并且所述板包括外周边和在所述外周边的内部的第一开口，所述第一开口的尺寸设计成接收所述基座部，并且所述板配置成相对于所述基座部在第一位置和第二位置之间竖直移动，以便将对所述工件的支撑从所述板转移到所述基座部的顶面，在所述第一位置中，所述板将所述工件与所述基座部保持成非接触的关系，在所述第二位置中，所述基座部凸出到所述板的上方。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述上电极能够朝向所述下电极移动，并且还包括：
多个与所述上电极机械连接的弹性偏压推动块，所述弹性偏压推动块适合于当所述上电极朝向所述下电极移动时接触所述板，以便将所述板从所述第一位置移到所述第二位置。
3.根据权利要求2所述的设备，还包括：
底部；和
盖子，所述盖子能够相对于所述底部在打开位置与关闭位置之间移动，在所述打开位置中，所述盖子与所述底部分离，在所述关闭位置中，所述盖子紧接所述底部，其中所述上电极与所述盖子机械连接，并且所述弹性偏压推动块适合于当所述盖子从所述打开位置朝向所述关闭位置移动时接触所述板，以便从所述第一位置向所述第二位置推动所述板。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述上电极和下电极具有大致平行的面对表面，并且所述板位于所述面对表面之间。
5.根据权利要求1所述的设备，还包括：
在所述下电极和所述上电极之间的绝缘隔离环，所述绝缘隔离环、所述下电极和所述上电极共同地限定所述处理腔室的边界，并且所述板在外围上位于所述绝缘隔离环的内部。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述上电极能够朝向所述下电极移动，并且还包括：
多个配置成将所述板与所述下电极连接的弹性偏压支撑件，所述弹性偏压支撑件配置成推动所述板远离所述下电极，以提供所述第一位置。
7.根据权利要求6所述的设备，还包括：
底部；和
盖子，所述盖子能够相对于所述底部在打开位置与关闭位置之间移动，在所述打开位置中，所述盖子与所述底部分离，在所述关闭位置中，所述盖子紧接所述底部，
其中所述上电极与所述盖子机械连接，并且所述弹性偏压支撑件适合于当所述上电极朝向所述下电极移动时屈服，以便允许所述板从所述第一位置移到所述第二位置。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述板的所述第一开口配置成当所述板处于所述第一位置中时支撑所述工件，并且还包括：
第二构件，该第二构件配置成作为对所述板的替换通过所述弹性偏压支撑件与所述下电极连接，所述第二构件包括直径不同于所述板中的所述第一开口的第二开口。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述基座部的尺寸设计成配合在所述第一开口内，并且所述基座部配置成被从所述处理腔室移除，以用于与另一基座部调换，该另一基座部的尺寸设计成配合在所述第二构件中的所述第二开口内。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述基座部从所述下电极朝向所述上电极凸出。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述板包括从所述开口延伸到所述外周边的间隙。
12.根据权利要求11所述的设备，还包括：
由所述下电极支撑的固定构件，所述固定构件具有当所述上电极相对于所述下电极移动时相对于所述基座部的固定位置，并且当所述板处于所述第二位置中时，所述固定构件至少部分地填充所述间隙。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述板具有第一表面，并且所述固定构件具有第二表面，所述第一表面和第二表面被定向成面向所述上电极，并且当所述板处于所述第二位置中时，所述第一表面和第二表面是基本共面的。
14.根据权利要求13所述的设备，还包括：
在所述第一表面和第二表面的每个上的大部分表面积上的一层绝缘材料。
15.根据权利要求1所述的设备，还包括：
柔性穿孔环，当所述工件被设置在所述基座部上时，所述柔性穿孔环环绕所述工件的周边。
16.一种处理工件的方法，该工件被支撑在处理系统的处理腔室中的下电极的基座部上，所述方法包括：
通过具有开口的板在所述处理腔室的内部将工件支撑在具有与所述基座部成非接触关系的第一位置中；
将所述板从所述第一位置朝向所述下电极的基座部竖直地移动并且移动到第二位置中，以便将对所述工件的支撑从所述板转移到所述基座部的顶面上，在所述第二位置中，所述基座部凸出通过所述板中的所述开口；
使用下电极和上电极在所述处理腔室的内部产生等离子；和
在所述工件被支撑在所述下电极的基座部的顶面上的同时，利用等离子对所述工件进行处理。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述处理系统包括所述上电极，并且其中朝向所述基座部移动所述板还包括：
朝向所述下电极移动所述上电极；和
当所述上电极朝向所述下电极移动时，将力从所述上电极传递到所述板，以有效地用于朝向所述基座部移动所述板。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在处理所述工件之后，移动所述上电极远离所述下电极，以便释放从所述上电极传递到所述板的力；和
当所述力被释放时，弹性地偏压所述板远离所述下电极，使得将所述工件从所述基座部转移到所述板。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述处理腔室包括底部和盖子，所述盖子能够相对于所述底部在打开位置与关闭位置之间移动，在所述打开位置中，所述盖子与所述底部分离，在所述关闭位置中，所述盖子紧接所述底部，所述上电极被安装到所述盖子上，并且将所述工件从所述板转移到所述基座部还包括：
当所述盖子从所述打开位置移向所述关闭位置时，通过与所述盖子接触使所述板相对于所述基座部移动，以将所述工件从所述板转移到所述基座部。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在处理所述工件之后，释放从所述上电极传递到所述板的力；和
当所述力被释放时，弹性地偏压所述板远离所述下电极，使得将所述工件从所述基座部转移到所述板。
21.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在处理所述工件之后，弹性地偏压所述板远离所述基座部，使得将所述工件从所述基座部转移到所述板。
22.根据权利要求16所述的方法，其中将所述工件转移到所述板还包括：
将所述工件支撑在末端执行器上；和
操纵承载有被支撑的工件的所述末端执行器，以将所述工件从所述处理腔室的外部的位置转移到所述板，并且在转移期间不对所述工件进行引导。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括：
在处理所述工件之后，操纵所述末端执行器以将所述工件从所述板移除到所述处理腔室的外部的位置，并且在转移期间不对所述工件进行引导。
CN200780031329.2A 2006-08-22 2007-08-17 用于在处理系统中处理工件的设备和方法 Active CN101506066B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82317506P 2006-08-22 2006-08-22
US60/823,175 2006-08-22
PCT/US2007/076205 WO2008024681A2 (en) 2006-08-22 2007-08-17 Apparatus and methods for handling workpieces in a processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101506066A CN101506066A (zh) 2009-08-12
CN101506066B true CN101506066B (zh) 2012-11-28

Family

ID=39107548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200780031329.2A Active CN101506066B (zh) 2006-08-22 2007-08-17 用于在处理系统中处理工件的设备和方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8245663B2 (zh)
JP (1) JP5399245B2 (zh)
KR (1) KR101410706B1 (zh)
CN (1) CN101506066B (zh)
SG (1) SG174093A1 (zh)
WO (1) WO2008024681A2 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101410706B1 (ko) * 2006-08-22 2014-06-25 노드슨 코포레이션 처리 시스템에서 피가공물을 취급하기 위한 장치 및 방법
US20080296261A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Nordson Corporation Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process
US9385017B2 (en) * 2012-08-06 2016-07-05 Nordson Corporation Apparatus and methods for handling workpieces of different sizes
US9355882B2 (en) * 2013-12-04 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transfer module for bowed wafers
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
JP6473974B2 (ja) 2016-09-30 2019-02-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6524536B2 (ja) * 2016-11-09 2019-06-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10453727B2 (en) * 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
CN112673450A (zh) * 2018-07-30 2021-04-16 诺信公司 用于利用等离子体的工件加工的系统
CN113136564B (zh) * 2020-12-31 2023-02-24 拓荆科技股份有限公司 单腔镀膜系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1409156A (zh) * 2001-09-28 2003-04-09 安内华股份有限公司 基板输送室及基板处理装置
US6642997B2 (en) * 2000-06-26 2003-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Substrate conveying system in exposure apparatus
CN1455951A (zh) * 2001-02-27 2003-11-12 住友精密工业株式会社 升降式基板处理装置及具备其的基板处理系统
CN1300834C (zh) * 2002-02-25 2007-02-14 东京毅力科创株式会社 半导体处理系统中的基板支持机构

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0733973A (ja) 1993-07-16 1995-02-03 Mitsubishi Chem Corp 熱可塑性樹脂組成物
JP2601180Y2 (ja) * 1993-12-06 1999-11-08 日新電機株式会社 基板保持装置
JP3608121B2 (ja) * 1994-03-18 2005-01-05 アネルバ株式会社 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JPH08148471A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
US5823416A (en) * 1995-07-28 1998-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for surface treatment, and apparatus and method for wire bonding using the surface treatment apparatus
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
JP3201302B2 (ja) * 1997-02-10 2001-08-20 松下電器産業株式会社 基板のプラズマクリーニング装置
US6700089B1 (en) * 1999-03-30 2004-03-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing device, its maintenance method, and its installation method
AU2001282879A1 (en) * 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
JP3948325B2 (ja) * 2002-04-02 2007-07-25 松下電器産業株式会社 フィルム基板処理方法
US7013834B2 (en) * 2002-04-19 2006-03-21 Nordson Corporation Plasma treatment system
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US7845309B2 (en) * 2004-07-13 2010-12-07 Nordson Corporation Ultra high speed uniform plasma processing system
US20060090703A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, system and program
KR101410706B1 (ko) * 2006-08-22 2014-06-25 노드슨 코포레이션 처리 시스템에서 피가공물을 취급하기 위한 장치 및 방법
US20080296261A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Nordson Corporation Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642997B2 (en) * 2000-06-26 2003-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Substrate conveying system in exposure apparatus
CN1455951A (zh) * 2001-02-27 2003-11-12 住友精密工业株式会社 升降式基板处理装置及具备其的基板处理系统
CN1409156A (zh) * 2001-09-28 2003-04-09 安内华股份有限公司 基板输送室及基板处理装置
CN1300834C (zh) * 2002-02-25 2007-02-14 东京毅力科创株式会社 半导体处理系统中的基板支持机构

Also Published As

Publication number Publication date
US20120279946A1 (en) 2012-11-08
WO2008024681A2 (en) 2008-02-28
WO2008024681A3 (en) 2008-04-24
US8245663B2 (en) 2012-08-21
JP2010502016A (ja) 2010-01-21
US8986564B2 (en) 2015-03-24
SG174093A1 (en) 2011-09-29
CN101506066A (zh) 2009-08-12
KR101410706B1 (ko) 2014-06-25
US20090311088A1 (en) 2009-12-17
JP5399245B2 (ja) 2014-01-29
KR20090071544A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101506066B (zh) 用于在处理系统中处理工件的设备和方法
CN109216148B (zh) 等离子体处理装置
CN1728916B (zh) 超高速均匀等离子处理系统
CN101681785B (zh) 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法
JP6564946B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20210052491A (ko) 탑재대, 기판 처리 장치, 에지 링 및 에지 링의 반송 방법
KR102168255B1 (ko) 다른 크기의 워크피스를 취급하기 위한 장치 및 방법
CN110504202A (zh) 传送单元及包括该传送单元的基板处理装置
EP1986227A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN114582693A (zh) 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
CN103426807A (zh) 一种配置取放装置和调节工件的位置的半导体刻蚀装置
KR101236406B1 (ko) 기판처리장치 및 그것의 구동방법
US11881375B2 (en) Common substrate and shadow ring lift apparatus
KR101170617B1 (ko) 하부전극 접속차단 구조를 갖는 기판처리장치
KR101237388B1 (ko) 상부전극 접속차단 구조를 갖는 기판처리장치
CN213845217U (zh) 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环
TWI230566B (en) Reduced volume reactor
JP2022066828A (ja) 基板処理装置、基板処理システム、及びメンテナンス方法
CN118039524A (zh) 一种等离子体处理腔、半导体处理系统、机械手及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant