CN101498893B - 一种在半导体制程中制备掩膜过程中的opc方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光学近似修正(OPC)的方法，使用这种方法可以极大地改善以往进行光学近似修正时容易出现的各种问题。本发明提供的方案，是在现有光学近似修正之前，对版图图案的形状进行修改，以原有版图图案为基础得到其他凸多边型图案，然后以凸多边形图案为目标进行现有光学近似修正。

Description

一种在半导体制程中制备掩膜过程中的OPC方法

技术领域

本发明涉及半导体制造工业中的光刻制程，尤其涉及对制备掩膜过程中的光学近似修正(Optical Proximity Correction，缩写为OPC，说明书其他部分使用缩写OPC代指光学近似修正)方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，每隔18到24个月就会更新换代。表征集成电路制造技术的一个关键参数最小特征尺寸即关键尺寸(Critical Dimension)，从最初的125微米(10^-6米)发展到现在的0.13微米甚至更小。这使得每个芯片上有几百万个元器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻对芯片性能的提高有着革命性的贡献。在光刻工艺开始之前，集成电路的结构会先通过特定的设备复制到一块较大(相对于生产用的硅片来说)名为掩膜的石英玻璃片上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(如波长为248微米的紫外线)将掩膜上集成电路的结构复制到生产芯片所用的硅片上。电路结构在从掩膜复制到硅片过程中，会产生失真。尤其是到了现在180微米及以下制造工艺阶段，如果不去改正这种失真的话会造成整个制造技术的失败。所述失真的原因主要是光学近似效应(Optical Proximity Effect)，即由于投影曝光系统是一个部分相干光成像系统，理想像的强度频谱幅值沿各向有不同的分布，但由于衍射受限及成像系统的非线性滤波造成的严重能量损失，导致空间像发生圆化和收缩的效应。

要改正这种失真，半导体业界的普遍做法是利用预先在掩膜上进行结构补偿的方法，这种方法被叫做OPC。OPC的基本思想是：对集成电路设计的图案进行预先的修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的OPE效应。因此，使用经过OPC的图案做成的掩膜，通过光刻以后，在晶片上就能得到最初想要的电路结构。

通过计算集成电路生产中光刻工艺产生的一些数据来进行预先对掩膜上电路结构进行补偿，从而达到在硅片上形成的电路结构最小程度的失真，这提高了芯片生产过程中的成品率，保证了集成电路的正常功能。在中国专利申请02141166.2中详细描述了传统的利用光学邻近修正来校正掩膜图案的方法。OPC对集成电路制造技术的革新提供了极强的推动力，成为现在半导体的生产过程中必不可少的一个环节。

光学邻近修正一般分为基于规则的OPC(Rule based OPC)以及基于模型的OPC(Model based OPC)，前者是在后处理过程中为所有满足给定规范的图案加上增强型特征图案，随着电路设计的日趋复杂，Rule based OPC就逐渐力不从心了，因为要写出一个完备的规则表(Rule Table)，就必须考虑各种不同的情况，比如说线宽，线间距等等，这种穷举的方法效率就非常的低下，于是Model based OPC就应运而生；Model based OPC可以对特征图案的实际曝光结果进行仿真，其利用模型方法添加增强型特征图案可实现仿真特征图案与物理设计的匹配。

基于模型的OPC方法有一个建模的过程，建模的基本流程是先在标片上放置预先设计的测试图案，收集到一组真实光刻晶片的数据。然后使用同样的测试图案，利用OPC建模工具进行模拟，如果模拟得到的图案尺寸与相对应的真实晶片数据能够很好的符合，那么，就可以认为在这样一个有限的样品空间(sampling space)中，模拟得到的模型能够很好的描述整个曝光系统及化学效应，因此就能用来定量的预知在各种情况下的OPE效应，从而可以用来进行OPC。

目前在实际应用中，对例如接触孔和通孔层(Contact and Via layer)类似的孔洞层，或者类似的使用所在工艺最小尺寸构造的正方形版图的OPC比较特殊。接触孔和通孔一般都是用来连接不同层的电路，因此也可以统称为连接孔。连接孔层的光学近似修正与线段/间距层(line/space layer)的光学近似修正有很大的不同。在对连接孔层以及类似版图进行修正时，主要有四个方面的问题需要仔细考虑：

1)在进行OPC循环时的振荡和收敛问题。接触孔和通孔的形状一般为正方形，如不进行OPC修正，光刻后实际得到的接触孔或通孔会因为光学近似效应缩小，并且形状变成小于正方形内切圆的圆形。为了保证得到的通孔有合适的大小，通常会考虑对正方形的每边进行等量的扩大修正，这样在光刻后得到的图案接近于原正方形的内切圆，以符合设计要求。图1显示了实际修正上述图案的过程，这种OPC是基于边的，也就是说每一次只修正一条边，其他边保持不动。对于一个方形来说，四条边都修正了一次以后，就称为一个修正循环结束。如图1所示，首先修正正方形的a1边，按修正规则所述a1边往外移(图中用箭头指示修正方向)，然后修正b1边，由于所述a1边已向外修正，因此所述b1边补偿性地往正方形内修正；同理，接下来c1边补偿性地向外修正，d1边补偿性地向内修正。这样四条边修正结束为一个修正循环，可以看到修正之后的图案变成了a1、c1为宽，b1、d1为长的矩形，这样的修正结果明显不能符合光刻要求，因此需要继续进行上述修正，例如还是从所述a1边开始修正，由于第一次修正结束后的图案按照数据模型模拟的光刻图案的a1、c1边偏宽，b1、d1边偏长，因此这次所述a1边需要向内修正，按照上一个循环的过程，最后得到的形状会变成a1、c1为长，b1、d1为宽的矩形。对于正方形的OPC修正，每个修正循环所得到得结果或者为细长的矩形或者为扁宽的矩形，很难收敛到想要的放大的正方形，所以需要有很多的修正循环。一般要经过好几个上述的修正循环才能把图案修正到想要的形状，这样的振荡使OPC的收敛性很低；

2)辅助特征(Assistant Feature)的插入。随着技术升级，主特征图案的尺寸快速减小，为了使光刻不失真，提高光刻的制程窗口(Process Window)，经常需要用到辅助特征，所添加的条形辅助特征通过控制其宽度，并不会光刻到晶片上。绝大部分辅助特征插入工具都是基于边的，即对于设计图案的每一边来说，将根据其方向及周围环境插入一套辅助特征。这样对于角来说就不能插入相应的辅助特征。然而在光刻过程中，角的形状变圆的圆角效应(corner roundingeffect)不可避免，对于连接孔层，圆角效应可以对制程窗口带来负面影响，尤其对于孤立的图案来说更是如此。因此，在为矩形的连接孔插入辅助特征时，辅助特征的延伸值非常重要，这会带来另外一个问题，如图2所示，在正方形的四边外侧添加四条辅助特征，图中的箭头所示为辅助特征延伸方向，如果延伸值不够，将不能对扩大制程窗口有很大帮助；但是如果辅助特征延伸过多，它们在角处互相之间会非常接近，甚至汇合到一起，这是非常危险的，因为这些区域将更加容易在晶片上印出(printing-out)；

3)掩膜规则检查(Mask Rule Check)和OPC之间的矛盾。在实际操作中，要定义连接孔的特征间距(pitch)非常困难，如图3所示，两个光学近似修正前的矩形似乎是孤立的，因为无论它们的哪一边都没有对着另一个凸多边形，然而实际上它们并不是孤立的，两个矩形的间隔很小。所以一旦经过光学近似修正，这两个矩形一角的间距会非常小，而掩膜规则检查时不允许特征图案间距小于一个预定的最小值，这样很可能出现OPC和掩膜规则检查相违背的情况，但如果在进行OPC时保持最小间距以满足掩膜规则检查的需要，OPC又会显得不足，则所述图案的制程窗口会缩小；

4)环境稀疏的图案(又叫孤立图案)的制程窗口。任何的讯号(例如声音，影像等等)均可被拆解为频率，振幅，相位角不等的正弦波的组合，从数学和物理上说是对光波的一次空间傅立叶变换，如果对这个结果进行傅立叶逆变换，那么就可以得到原来的讯号，但是如果这个结果受到干扰，那么傅立叶逆变换之后的讯号较原讯号就发生了失真。微印技术(micro lithography)中，会使用部分相干成像，物体光线首先被分解成为特殊的频谱，传播通过光瞳(Optical pupil)后，不同频率的部分重新组合，在晶片上形成物体图像。然而，由于进入瞳孔的数值孔径(NA)通常不是一个，因此更高频率部分将不能通过光瞳到达成像平面，这是光学近似效应的一个主要原因。也即，如果更多频率部分可以通过光瞳，就可以收集到更多被成像物体的信息，这样可以减小光学近似效应。目前的制程中，对于孤立图案，即周围没有较多其它图案的图案，其制程窗口普遍不大，这是因为，孤立图案的空间傅立叶变化之后的频谱是无限延伸的，即频谱中高频部分多，而现在的成像设备都会对空间傅立叶频谱做低通滤波，只有较低的频率才可以通过成像设备最后成像。那么，如果一个图案的信息大部分包含在它的高频部分，这样的图案用现在的成像设备就相对更加难以得到令人满意的图像，因此对于孤立图案来说，其制程窗口必然变小。

上文所提到的现有OPC技术遇到的问题不单单出现在连接孔层的图案的OPC，对于那些近似于正方形的矩形图案，也会遇到相同问题。

针对上述的各个问题，需要找到一种能解决这些问题的OPC方法。

发明内容

鉴于连接孔层的版图图案以及类似的版图图案在光学近似修正时容易出现上述各种问题，提出本发明来缓解OPC时遇到的困难，本发明可以用于各种工艺下的OPC。本发明的目的在于，提供一种用于OPC的方法，与现有OPC的方法的不同之处在于：在现有OPC前先对版图中的图案进行预先修改，然后再进行与现有技术相同的光学近似修正。使用这种方法可以极大地改善对连接孔层以及类似图案的版图进行光学近似修正时容易出现的各种问题。

根据本发明的第一方面，一种在半导体制程中用于制备掩膜的方法，包括以下步骤：

-将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行边缘圆滑处理，以获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；

-对所述中间掩膜图案数据进行光学邻近修正(现有技术中OPC的方法)，以获得修正掩膜图案数据；

-利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。

为了达到所述圆滑处理的效果，一般情况下，所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案的边数大于所述原始凸多边形图案的边数。

根据本发明的第二方面，一种在半导体制程中的掩膜制备装置，其特征在于，包括：

处理装置，用于将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行边缘圆滑处理，获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；

修正装置，对所述中间掩膜图案数据进行现有技术的光学邻近修正，以获得修正掩膜图案数据；

制备装置，用于利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。

通过本发明提出的一种在半导体制程中用于制备掩膜的方法，将带来如下改善：

首先，是关于改善OPC振荡和收敛的问题。在本发明中在矩形的版图图案基础上将其修改为边数大于4的凸多边形，使所述凸多边形作为OPC目标，这种方法的有利之处在于，凸多边形(有n条边)比矩形多出n-4条边可以用来控制修正量，用以补偿光学近似效应，这可以使光学近似修正具有高收敛性，而且使光学近似修正循环的次数与花费的时间相对于矩形版图图案大为缩短，对于正方形的图案效果最为明显；

其二，是解决辅助特征插入问题。矩形版图图案，特别是连接孔版图图案，在添加辅助特征时，非常困难。按照本发明的方案，将版图图案在矩形基础上修改为边数大于4的凸多边形，因为凸多边形(有n条边)比矩形多出n-4条边可以为其添加辅助特征，这些辅助特征可以很好地帮助扩大制程窗口，并且可以显著地减小印出风险；

其三，改善掩膜规则检查和OPC之间互相冲突的问题。如前所述，当两个连接孔版图图案有一角接近时，对这样的图案进行OPC的结果通常和掩膜规则检查互相冲突。如果按照本发明的方案，将版图图案在矩形的基础上修改为边数大于4的凸多边形，由于两个连接孔互相接近的角变小或者已不存在，经过这样修改的图案就有了较大或足够的OPC空间，减小了或者避免了与掩膜规则相冲突的可能性；

其四，改善了环境稀疏图案的制程窗口变小的问题。如背景技术中所介绍的，对于孤立图案来说，由于其空间傅立叶频谱无限延伸，这样仅有较低的频率通过成像设备成像的结果就是制程窗口必然变小。采用本发明的方案，在矩形图案基础上修改得到的边数大于4的凸多边形，可以有效地改善这个问题。因为在矩形基础上修改得到的凸多边形的频谱中的高频部分将会下降，即图案越圆滑，凸多边形边数越多，则图案就越圆滑，空间傅立叶变换之后，图案信息中的高频部分就会越少，这样就会更加适合现在具有低通滤波效果成像设备的成像，从而得到的图像相对更加容易满足需要，即可以使制程窗口扩大。

从以上的叙述可以了解到，将矩形版图图案变成凸多边形(边数大于4)后再进行OPC非常有助于改善单独使用现有OPC时出现的各种问题。

需要指出的是，如果在版图中出现的图案为非矩形的凸多边形的特殊图案时，对所述特殊图形使用本方法，从原理上来看也将会改善直接进行现有OPC时所遇到的问题。对于大尺寸的图案，现有OPC遇到的问题与图案的线宽关系更为密切，所以使用本方法只有轻微的改善作用。当图案越接近正方形，尺寸越接近最小尺寸的时候，本发明的改善越明显。对于其他版图，也可应用本方案进行OPC，亦可起到一定的改善作用，但是需要考虑成本、时间等因素。

附图说明

图1为现有技术中对正方形连接孔进行OPC的一个修正循环的流程示意图；

图2为现有技术中对连接孔添加辅助特征的示意图；

图3为现有技术中对正方形连接孔进行光学近似修正和掩膜规则检查互相矛盾的示意图；

图4为将矩形连接孔修改为八边形的示意图；

图5为将矩形连接孔修改为八边形后，对其进行OPC的流程示意图；

图6为八边形连接孔以及为其添加的辅助特征示意图；

图7为八边形连接孔改善掩膜规则检查和OPC之间互相矛盾的示意图；

图8和图9分别是矩形连接孔和八边形连接孔的掩膜在晶片上的光学投影图片；

图10为矩形连接孔以及八边形连接孔在特殊频率频谱的振幅示意图；

图11为位于边角的矩形连接孔的修改方案；

图12为将正方形连接孔修改为十六边形连接孔的示意图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的工艺，下面结合本发明的具体实施例作进一步说明，但其不限制本发明。

[实施例一]：

在对正方形连接孔图案进行现有技术的OPC之前，如图4所示，将正方形连接孔的形状变成具有a～h八条边的八边形，控制截去的边长为所述正方形图案边长的1/4，并且所述八边形的内角均为135°。然后以所述八边形为目标，对其进行现有技术的OPC。在做完所述OPC之后得到的图案曝光到wafer上就得到了一个近似的圆形，该近似圆形和作现有技术的OPC之前的所述八边形内切。下面通过描述所述八边形进行现有技术的OPC的过程来解释本发明的优点。

首先，通过本方案，改善了现有OPC振荡和收敛的问题。

所述正方形连接孔改为八边形后，以所述八边形为目标进行现有技术的OPC的步骤如图5所示，图中用箭头表示修正方向：首先，由于光刻后的图案小于掩膜图案，因此a边向外修正，同时使其相邻边b、h也都一起向外修正；然后对b边修正，由于a边外移，b边补偿性地向内修正；接着修正c边，c边同样向外修正，同时使其相邻边b、d也向外移；同理，接下来修正d边的时候，其又补偿性地向内修正，余下各边的修正和以上所述的情况相同。这样对八边形的各边都修正一次后，一个修正循环结束，重复这样的修正循环使修正结果趋向于收敛以符合所述OPC的要求。利用八边形的特性，只要一个修正循环，就可以很接近最后所要的修正结果，改善了只采用现有OPC的振荡和收敛的问题。这样修正所需要的时间就大大减小了。

表1显示了实际操作过程中，对所述正方形连接孔以及所述八边形连接孔进行所述OPC所需的修正循环次数以及时间进行了对比。可以看出对所述八边形进行修正需要的修正循环次数以及时间都缩短了近一半，对其进行OPC的收敛性更好。继续增加凸多边行的边数和对称性，可以进一步减少修正循环次数，时间开始会缩短，但是由于边数的增加，时间与边数的多少有密切关系。

                    表1

	正方形连接孔	八边形连接孔
			需要修正循环次数	8～10	4～6
修正时间	20小时	12小时

其二，利用八边形连接孔改善了辅助特征插入的问题。

辅助特征插入工具都是基于边来插入辅助特征，因此对于所述八边形连接孔来说，针对其八条边都将插入辅助特征，如图6所示，中央所示八边形为连接孔，其周围深色条形为插入的辅助特征，这些辅助特征不需要延伸过多就可以达到修正效果，因此对八边形修正时不会出现辅助特征之间非常接近甚至互相汇合的情况，也即不会有印出(printing-out)的风险。继续增加凸多边行的边数和对称性，可以进一步改善了辅助特征插入的问题

其三，利用八边形连接孔改善了掩膜规则检查和OPC之间互相矛盾的问题。

如图7所示，由于正方形图案的角都被截去，因此两个八边形互相最接近的地方仍然具有足够的空间来进行OPC。图中白色区域表示原始布图设计中的连接孔，外围深色区域表示对其进行光学近似修正后得到的图案，可以看到修正后的连接孔之间仍然留有足够空间以满足掩膜规则检查，情况比矩形连接孔有所改善。

其四，利用八边形连接孔改善了环境稀疏图案的制程窗口变小的问题。

使用离散型傅立叶转换(Discrete Fourier Transformation)分别检查正方形连接孔和八边形连接孔的特殊频率的频谱。

图8和图9分别是所述正方形连接孔和所述八边形连接孔的掩膜在晶片上的光学投影图片，可以看到对于所述八边形连接孔来说，低频率部分的振幅相对更大，高频部分的振幅相对变小。这表示物体的低频率部分携带更多的图案信息，它不会被具有高频过滤效果的成像设备所过滤掉，从而可以减小制程中的光学近似效应，即改善了环境稀疏图案，即孤立图案的制程窗口变小的问题。从图10可以更容易看出这一点。图10为所述正方形连接孔以及所述八边形连接孔在特殊频率频谱的振幅示意图，对于所述正方形连接孔来说，其频谱在高频部分的振幅很强，但是所述八边形连接孔的频谱主要集中在低频部分，高频部分相对减弱了。

对于一个连接孔阵列，为了方便起见，对于位于边角的连接孔只需要按照实施例中的方法，去掉矩形的一个角或者两个角即可。如图11所示。

本发明提供的方案，使用处理装置，根据预定的标准将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行预定程度的边缘圆滑处理，获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；然后使用与现有技术相同的修正装置，对所述中间掩膜图案数据进行光学邻近修正，以获得修正掩膜图案数据；然后通过现有的制备装置，利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。

需要指出的是，本发明中所述正方形连接孔的边长为所在工艺的最小尺寸，控制截去的边长小于等于所述正方形图案边长的1/4都是可以的。

从原理上分析可以看出，对原有版图图形进行修改得到的凸多边形边数越多，形状越对称，则所能改善的效果越为显著。修改原则为将原版图图案尽量圆滑化，具体圆滑程度可以根据工艺实现能力，成本以及时间等因素综合考虑。所修改的图形，应在圆滑化的基础上尽量为对称图形。同时，修改得到的图案应该尽量满足在光刻后，芯片上能够得设计标准中希望得到的图案原则，比如说在一个矩形中进行矩形到凸多边形修改时，所得到的凸多边形应该尽量充满整个矩形，即图形的面积最大化，这样得到的图案将会更接近设计中所希望得到的图案。

[实施例二]：

如图12所示，将正方形连接孔的形状修改为等边16边形，其中16边形有四个顶点位于原正方形的四条边中点。然后以16边形为目标，对其进行现有技术的OPC。这样曝光到wafer上就得到了一个近似的圆形，该近似圆形和作OPC之前的16边形内切。

通过这种修改对于只使用现有技术的OPC有很大改善，原理与实施例一相同。这里给出所述正边形与所述16边形连接孔在改善制程窗口上的实验数据。如表2中显示，对于不同的光刻焦深，所述16边形相对于所述正方形在较大的光刻焦深范围内都保持在了允许的误差要求内，即16边形具有更好的制程窗口。

                     表2

光刻焦深/微米	-0.12	-0.1	-0.08	-0.06	-0.04	-0.02	0	0.02	0.04	0.06	0.08	0.1	0.12	0.14
															正方形/微米	0.103	0.117	0.121	0.124	0.126	0.134	0.132	0.129	0.128	0.124	0.125	0.12	0.115	0.108
16边形/微米	0.109	0.121	0.122	0.125	0.129	0.134	0.133	0.131	0.127	0.126	0.124	0.118	0.116	0.116

可以继续通过修改加大修改后得到的凸多边形图案的边数，如20边形、32边形等等，但是无限制的加大边数并不能等比例的改善制程窗口，并且会带来成本和时间上的浪费，所以需要综合考虑。

Claims (14)

1.一种在半导体制程中用于制备掩膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

-将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行边缘圆滑处理，以获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案的边数大于所述原始凸多边形图案的边数；

-对所述中间掩膜图案数据进行光学邻近修正，以获得修正掩膜图案数据；

-利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始凸多边形图案为矩形。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述原始凸多边形图案为正方形，其边长为所在工艺的最小工艺尺寸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案被包含在所述原始凸多边形图案中，且所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案的面积在允许的范围内取最大值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案为轴对称图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述原始凸多边形图案为矩形图案；所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案为：在所述原始矩形图案基础上，截去所述原始矩形图案的四个角后得到的八边形，所述被截取的图案为等边直角三角形，所述三角形的直角边长小于等于所述原始矩形图案的宽边长度的1/4。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述原始凸多边形图案为正方形图案；所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案为：在所述原始正方形图案基础上修改得到的等边16边形，所述等边16边形与所述原始正方形图案的4条边均有交点。

8.一种在半导体制程中的掩膜制备装置，其特征在于，包括：

处理装置，用于将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行边缘圆滑处理，获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案的边数大于所述原始凸多边形图案的边数；

修正装置，对所述中间掩膜图案数据进行光学邻近修正，以获得修正掩膜图案数据；

制备装置，用于利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述原始凸多边形图案为矩形。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述原始凸多边形图案为正方形，其边长为所在工艺的最小工艺尺寸。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的装置，其特征在于，所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案被包含在所述原始凸多边形图案中，且所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案的面积在允许的范围内取最大值。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述经过边缘圆滑处理得到的凸多边形图案为轴对称图案。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述原始凸多边形图案为矩形图案；所述处理装置在所述原始矩形图案基础上，截去所述原始矩形图案的四个角，所述被截取的图案为等边直角三角形，所述三角形的直角边长小于等于所述原始矩形图案的宽边长度的1/4。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述原始凸多边形图案为正方形图案；所述处理装置将所述原始正方形图案修改为等边16边形，所述等边16边形与所述原始正方形图案的4条边均有交点。

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