CN112051707A - 一种光学临近效应修正方法及装置 - Google Patents
一种光学临近效应修正方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112051707A CN112051707A CN202011024848.XA CN202011024848A CN112051707A CN 112051707 A CN112051707 A CN 112051707A CN 202011024848 A CN202011024848 A CN 202011024848A CN 112051707 A CN112051707 A CN 112051707A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- corner
- optical proximity
- moving
- graph
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 62
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置,该光学临近效应修正方法包括:获取待处理设计图形中的角对角特征;将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。也就是说,在目标设计图形上再进行分段处理,这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸,使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向,可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。
Description
技术领域
本发明涉及工艺制造技术领域,更具体地说,涉及一种光学临近效应修正方法及装置。
背景技术
在基于模型的光学临近效应修正过程中,对设计图形的边缘进行分段、移动,并设置与分段对应的控制点,控制点与分段的段点在同一条线上,仿真计算出曝光在光刻胶上的曝光图形,该曝光图形会经过控制点,该曝光图形与设计图形之间的差别被称为边缘放置误差。
通过对设计图形边缘的反复移动并对比仿真得到的曝光图形,可以得到较小的边缘放置误差,以及较好的修正质量。
但是,目前基于有小尺寸和角对角特征处的光学临近效应修正方法,得到的修正质量较差,还是无法满足实际需求。
发明内容
有鉴于此,为解决上述问题,本发明提供一种光学临近效应修正方法及装置,技术方案如下:
一种光学临近效应修正方法,所述光学临近效应修正方法包括:
获取待处理设计图形中的角对角特征;
将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;
对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
可选的,在上述光学临近效应修正方法中,所述光学临近效应修正方法还包括:
将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
可选的,在上述光学临近效应修正方法中,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
一种光学临近效应修正装置,所述光学临近效应修正装置包括:
获取模块,用于获取待处理设计图形中的角对角特征;
第一移动模块,用于将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;
分段模块,用于对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
可选的,在上述光学临近效应修正装置中,所述光学临近效应修正装置还包括:
第二移动模块,用于将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
可选的,在上述光学临近效应修正装置中,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
相较于现有技术,本发明实现的有益效果为:
本发明提供的一种光学临近效应修正方法包括:获取待处理设计图形中的角对角特征;将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。也就是说,在目标设计图形上再进行分段处理,这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸,使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向,可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中包含有角对角特征的设计图形示意图;
图2为现有技术中对包含有角对角特征的设计图形进行光学临近效应修正之后的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图;
图4为本发明实施例提供的一种包含有角对角特征的设计图形示意图;
图5为本发明实施例提供的一种目标设计图形的示意图;
图6为本发明实施例提供的一种目标设计图形的分段示意图;
图7为本发明实施例提供的一种目标设计图形的控制点分布示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图;
图9为本发明实施例提供的一种基于目标设计图形的仿真图形示意图;
图10为本发明实施例提供的另一种目标设计图形的控制点分布示意图;
图11为本发明实施例提供的另一种基于目标设计图形的仿真图形示意图;
图12为本发明实施例提供的一种光学临近效应修正装置的结构示意图;
图13为本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
基于背景技术记载的内容而言,参考图1,图1为现有技术中包含有角对角特征的设计图形示意图。由于角对角特征处(虚线框所示位置)的尺寸过小,掩膜制造的能力不能满足要求,于是在对设计图形边缘移动时,最靠近角的两段会向远离角的方向移动,变大角对角的尺寸以满足掩膜制造要求。
但是,参考图2,图2为现有技术中对包含有角对角特征的设计图形进行光学临近效应修正之后的示意图,由此可知,基于图2所示的设计图像,那么曝光的图形也会随之变“胖”,造成边缘放置误差变大,形成更差的修正效果。
为了满足掩膜制造要求就必须固定角对角两边分段的移动方向,这与达到较好的修正效果存在矛盾,通过当前的光学临近效应修正方法来调整分段的长度,很难实现协调的目的。
基于现有技术中存在的问题,本发明提供了一种光学临近效应修正方法,在有小尺寸和角对角特征处,可以得到较好的修正质量,以满足实际掩膜制造要求。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图3,图3为本发明实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图。
所述光学临近效应修正方法包括:
S101:获取待处理设计图形中的角对角特征。
具体的,参考图4,图4为本发明实施例提供的一种包含有角对角特征的设计图形示意图。其中,图4中虚线框所示位置为角对角特征处。
需要说明的是,在本发明实施例中仅仅以一处角对角特征进行示例说明。
S102:将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形。
具体的,参考图5,图5为本发明实施例提供的一种目标设计图形的示意图,该目标设计图像由角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离之后得到的。
S103:对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
具体的,参考图6,图6为本发明实施例提供的一种目标设计图形的分段示意图,参考图7,图7为本发明实施例提供的一种目标设计图形的控制点分布示意图。
也就是说,本发明实施例提供的光学临近效应修正方法,在目标设计图形上再进行分段处理,这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸,使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向,可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。
进一步的,基于本发明上述实施例,参考图8,图8为本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图。
所述光学临近效应修正方法还包括:
S104:将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
参考图9,图9为本发明实施例提供的一种基于目标设计图形的仿真图形示意图。
如图9所示,在上述实施例中,控制点的位置会随着分段点出现在目标设计图形的竖边上,经过仿真之后的图形也会随之移动相应距离。
在该实施例中,参考图10,图10为本发明实施例提供的另一种目标设计图形的控制点分布示意图。
将控制点移动到原来的竖边上,使控制点与目标设计图形的分段点不在同一竖边,参考图11,图11为本发明实施例提供的另一种基于目标设计图形的仿真图形示意图,仿真之后的图形会经过控制点,从而达到较小的边缘放置误差。
进一步的,基于本发明上述实施例,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
在该实施例中,当所述角对角特征中,角对角之间的距离较小时,则移动的预设距离相应增大一些;当角对角特征中,角对角之间的距离较大时,则移动的预设距离相应减小一些,可根据实际情况而定,在本发明实施例中并不作限定。
进一步的,基于本发明上述全部实施例,在本发明另一实施例中还提供了一种光学临近效应修正装置,参考图12,图12为本发明实施例提供的一种光学临近效应修正装置的结构示意图。
所述光学临近效应修正装置包括:
获取模块11,用于获取待处理设计图形中的角对角特征;
第一移动模块12,用于将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;
分段模块13,用于对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
进一步的,基于本发明上述实施例,参考图13,图13为本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正装置的结构示意图。
所述光学临近效应修正装置还包括:
第二移动模块14,用于将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
进一步的,基于本发明上述实施例,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
在该实施例中,当所述角对角特征中,角对角之间的距离较小时,则移动的预设距离相应增大一些;当角对角特征中,角对角之间的距离较大时,则移动的预设距离相应减小一些,可根据实际情况而定,在本发明实施例中并不作限定。
需要说明的是,本发明实施例提供的一种光学临近效应修正装置和本发明上述实施例提供的一种光学临近效应修正方法的原理相同,在此不再赘述。
以上对本发明所提供的一种光学临近效应修正方法及装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素,或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (6)
1.一种光学临近效应修正方法,其特征在于,所述光学临近效应修正方法包括:
获取待处理设计图形中的角对角特征;
将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;
对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
2.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法,其特征在于,所述光学临近效应修正方法还包括:
将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
3.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法,其特征在于,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
4.一种光学临近效应修正装置,其特征在于,所述光学临近效应修正装置包括:
获取模块,用于获取待处理设计图形中的角对角特征;
第一移动模块,用于将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;
分段模块,用于对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。
5.根据权利要求4所述的光学临近效应修正装置,其特征在于,所述光学临近效应修正装置还包括:
第二移动模块,用于将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。
6.根据权利要求4所述的光学临近效应修正装置,其特征在于,所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011024848.XA CN112051707A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种光学临近效应修正方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011024848.XA CN112051707A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种光学临近效应修正方法及装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112051707A true CN112051707A (zh) | 2020-12-08 |
Family
ID=73604737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011024848.XA Pending CN112051707A (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 一种光学临近效应修正方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112051707A (zh) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060248499A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Invarium, Inc. | Apparatus and method for breaking up and merging polygons |
CN101498893A (zh) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种在半导体制程中制备掩膜过程中的opc方法 |
KR20090106890A (ko) * | 2008-04-07 | 2009-10-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광근접효과보정 레이아웃 검증 방법 |
CN102193306A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 设计光掩膜版的方法 |
US8527916B1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dissection splitting with optical proximity correction to reduce corner rounding |
CN106338883A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近修正方法 |
CN107479331A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-15 | 上海华力微电子有限公司 | 一种图形转角的opc修正方法 |
CN107506538A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学临近修正工艺的预处理方法 |
CN107797375A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 目标图形的修正方法 |
CN108062010A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法 |
CN108073047A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-05-25 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光学临近效应校正方法及系统 |
CN109491194A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种mrc冲突协同优化算法 |
CN109932865A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 三星电子株式会社 | 光学邻近校正(opc)方法及使用该opc方法制造掩模的方法 |
-
2020
- 2020-09-25 CN CN202011024848.XA patent/CN112051707A/zh active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060248499A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Invarium, Inc. | Apparatus and method for breaking up and merging polygons |
CN101498893A (zh) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种在半导体制程中制备掩膜过程中的opc方法 |
KR20090106890A (ko) * | 2008-04-07 | 2009-10-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광근접효과보정 레이아웃 검증 방법 |
CN102193306A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 设计光掩膜版的方法 |
US8527916B1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dissection splitting with optical proximity correction to reduce corner rounding |
CN106338883A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近修正方法 |
CN107797375A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 目标图形的修正方法 |
CN108073047A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-05-25 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光学临近效应校正方法及系统 |
CN107479331A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-15 | 上海华力微电子有限公司 | 一种图形转角的opc修正方法 |
CN107506538A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学临近修正工艺的预处理方法 |
CN108062010A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法 |
CN109932865A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 三星电子株式会社 | 光学邻近校正(opc)方法及使用该opc方法制造掩模的方法 |
CN109491194A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种mrc冲突协同优化算法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6745380B2 (en) | Method for optimizing and method for producing a layout for a mask, preferably for use in semiconductor production, and computer program therefor | |
US10223494B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and mask manufacturing method | |
US7966584B2 (en) | Pattern-producing method for semiconductor device | |
US10816893B2 (en) | Method and system for correction of optical proximity effect | |
KR970007483A (ko) | 마스크패턴보정방법과 그것을 이용한 마스크, 노광방법 및 반도체장치 | |
US20030170551A1 (en) | Proximity effect correction apparatus, proximity effect correction method, storage medium , and computer program product | |
CN108009316B (zh) | Opc修正方法 | |
US20100129740A1 (en) | Method for Collecting Optical Proximity Correction Parameter | |
CN110996083A (zh) | 一种梯形校正方法、装置和电子设备及可读存储介质 | |
JPH0855771A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
JP2011197520A (ja) | フォトマスク製造方法 | |
CN108062010B (zh) | 一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法 | |
CN102117010A (zh) | 一种光学邻近修正方法 | |
CN112051707A (zh) | 一种光学临近效应修正方法及装置 | |
US8930858B1 (en) | Method for optical proximity correction | |
TW202131094A (zh) | 增強佈局圖案的方法 | |
US6261724B1 (en) | Method of modifying a microchip layout data set to generate a predicted mask printed data set | |
CN110929470A (zh) | 版图优化方法 | |
US9047658B2 (en) | Method of optical proximity correction | |
CN115933305A (zh) | 一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质 | |
US20100042967A1 (en) | Meef reduction by elongation of square shapes | |
CN111983887B (zh) | 一种亚分辨率辅助图形的获取方法 | |
US8383299B2 (en) | Double patterning mask set and method of forming thereof | |
JPH11126824A (ja) | パターン設計方法 | |
US20130125070A1 (en) | OPC Checking and Classification |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |