CN103048873A - 孔的光学临近效应修正方法 - Google Patents

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陈福成
袁春雨
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种孔的光学临近效应修正方法，该方法在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。该方法通过改变孔图形的形状，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而增大了孔图形的光刻工艺窗口。

Description

孔的光学临近效应修正方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种孔的光学临近效应修正方法。
背景技术
目前，光学临近效应修正(OPC，Optical Proximity Correction)技术，作为一种分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology)，已普遍应用于0.13μm技术节点以上的关键层工艺。
但是，随着半导体工艺尺寸的日益缩小，图形的设计规则(design rule)越来越小，同时也越来越复杂。如何配合光刻工艺进行工艺窗口的扩大(例如，基于光刻工艺窗口的OPC修正方法)，已成为目前OPC工艺的研究方向。
在孔图形层次，目前的设计规则检查(DRC，design rule check)软件对于图形与图形的距离都是通过边与边之间的距离，而不是点与点之间的距离来定义的。假设孔图形层次的设计规则为：孔的大小为a，孔与孔之间的最小间距为b。由于设计规则检查软件的功能设置，孔与孔之间的距离一般必须保证数值b。当孔与孔之间位于同一直线时，图形间距离的定义如图1所示；当孔与孔之间的位置不在同一直线上时，图形间距离的定义则如图2所示。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种孔的光学临近效应修正方法，它可以增大孔图形的光刻工艺窗口。
为解决上述技术问题，本发明的孔的光学临近效应修正方法，在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。
本发明通过调整孔图形的形状，规避了孔图形受MRC的限制，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而间接增大了孔图形的光刻工艺窗口。
附图说明
图1～2是现有设计规则检查软件定义图形间距离的方式示意图；其中，图1中的两孔位于同一直线；图2中的两孔处在非正交位置。
图3～4是采用本发明的方法后，确定图形间距离的方式示意图。
图5是用本发明实施例的方法对90nm节点的SRAM的图形进行OPC修正得到的结果图。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式详述如下：
本实施例的孔的OPC修正方法，其具体步骤如下：
步骤1，通过EDA(Electronic Design Automation，电子设计自动化)软件画出正方形的孔图形。孔的大小(即正方形边长)为a，孔与孔之间的距离为b(最小距离)。所述EDA软件可以是Mentor的Calibre DRC工具，也可以是其他EDA工具。
步骤2，通过EDA软件将需要调整形状的孔图形切去角。被切除的角的直角边长小于正方形孔的边长的1/2。
步骤3，对步骤2得到的孔图形数据做OPC修正。
经过上述修正后，孔与孔之间的距离由b扩大为b’，如图3所示。
由于设计规则检查软件要求孔与孔之间的距离达到最小距离b即可，因此，我们可以适当地扩大孔的大小，如图4所示，孔可以从a扩大到a’(此时孔与孔之间的距离为最小距离b)。
应用上述方法对90nm节点的SRAM的图形(产品为EF90，嵌入式闪存)进行OPC修正，得到如图5所示的结果，图中，内部轮廓线围成的图形(即斜线填充的图形)为孔层OPC修正前切除角的图形；外部轮廓线围成的图形(即黑点填充的图形)为孔层OPC修正后的图形。在实践中，也可以通过EDA软件直接画出去掉角的八角形孔图形，然后再对半导体芯片数据做OPC修正。
综上，本发明的孔的OPC修正方法，通过引入切除孔图形的角，形成一条小边，规避了孔图形由于掩膜版规则检查MRC(Mask Rule Check)的限制，增大了孔图形在非正交方向的OPC修正空间，从而间接增大了孔图形的光刻工艺窗口，而在正交方向，孔与孔之间还是会被原来的MRC限定住，因此，不会出现过度修正。

Claims (5)

1.孔的光学临近效应修正方法，其特征在于，在对孔图形数据进行光学临近效应修正前，将一个或多个原始孔图形的一个或多个角切除，以相应增加孔图形的边数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始孔图形为矩形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述原始孔图形为正方形。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述正方形原始孔图形被切除角后形成的图形为八边形，被切除的角的直角边长小于该正方形边长的1/2。
5.根据权利要求1至4任何一项所述的方法，其特征在于，所述原始孔图形的角通过电子设计自动化工具切除。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130163850A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 United Microelectronics Corp. Mask pattern and correcting method thereof
CN103309150A (zh) * 2013-06-26 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图数据的处理方法
CN103309148A (zh) * 2013-05-23 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法
CN103336407A (zh) * 2013-06-27 2013-10-02 上海华力微电子有限公司 快速定位单个通孔位置的方法
CN105807556A (zh) * 2016-06-02 2016-07-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 版图的修正方法
CN112987486A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 上海华力集成电路制造有限公司 Opc修正方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1690738A (zh) * 2004-04-22 2005-11-02 统宝光电股份有限公司 彩色滤光片、制造彩色滤光片的光罩、以及液晶显示装置
CN101498893A (zh) * 2008-01-31 2009-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种在半导体制程中制备掩膜过程中的opc方法
CN102193306A (zh) * 2010-03-11 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 设计光掩膜版的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1690738A (zh) * 2004-04-22 2005-11-02 统宝光电股份有限公司 彩色滤光片、制造彩色滤光片的光罩、以及液晶显示装置
CN101498893A (zh) * 2008-01-31 2009-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种在半导体制程中制备掩膜过程中的opc方法
CN102193306A (zh) * 2010-03-11 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 设计光掩膜版的方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130163850A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 United Microelectronics Corp. Mask pattern and correcting method thereof
US8885917B2 (en) * 2011-12-27 2014-11-11 United Microelectronics Corp. Mask pattern and correcting method thereof
CN103309148A (zh) * 2013-05-23 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法
CN103309150A (zh) * 2013-06-26 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图数据的处理方法
CN103309150B (zh) * 2013-06-26 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 版图数据的处理方法
CN103336407A (zh) * 2013-06-27 2013-10-02 上海华力微电子有限公司 快速定位单个通孔位置的方法
CN105807556A (zh) * 2016-06-02 2016-07-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 版图的修正方法
CN105807556B (zh) * 2016-06-02 2019-12-24 武汉新芯集成电路制造有限公司 版图的修正方法
CN112987486A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 上海华力集成电路制造有限公司 Opc修正方法

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