CN101486484B - 一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法 - Google Patents
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Abstract
一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O和Na2S2O3·5H2O分别溶入通入Ar气的去离子水中配置成SmCl3溶液和Na2S2O3溶液；将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液混合后用HCl调节溶液pH为3～3.5；将溶液倒入微波水热釜中，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中反应结束后自然冷却到室温；打开水热釜，将产物离心分离，使产物颗粒间接和疏松，并置于电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。本发明制备Sm2O3纳米粉体反应在液相中一次完成，不需要后期的退火热处理，且工艺设备简单，成本低，制备的纳米材料粒度均匀、颗粒尺寸分散度低。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备SmS纳米粉体的方法，特别涉及一种微波水热制备SmS纳米粉体的方法。
背景技术
在6.5×108Pa的应力下SmS晶体会经历一个从半导体相向金属相的相变，相变后其颜色由蓝黑色变为金黄色，晶体结构不发生变化。而且这种相变是可逆的，当应力消除后，SmS晶体又可以转变为半导体相。由于其具有两相而且两相之间的光学性质有明显差异的缘故，被认为是最有前途的全息记录存储材料之一。
由于SmS的特殊相变及其相变前后差异显著的光学、电学和磁学性能，其可被用在许多方面。随着高技术的发展，SmS薄膜的用途将越来越广泛，除可用于全息记录和储存外[M.P.Petrov.Holographics Storage in SmSThin Films[J].Optics Communications，1977，22(3)：293.]，还可用于光学开关、微小应力计和压敏元件等。发生相变后，SmS薄膜的光学性质会从可见光到红外区域发生明显变化，通过将某种信息短时间加于光波上，使光路发生变化，使处于接通或截断状态，因此可用于制作光学开关[Charles B，reenberg.Optically switchable thin films：a review.ThinSolid Films，1994，251：81.]，可通过激光或压力控制其开关状态。在一定的压力下，SmS薄膜的电阻率和反射率也随着压力而变化，因此还可以用来制作微小应力计[Vasil’ev，L.N.；Kaminskii，V.V.；Kurapov，Yu.M.Conductivity of SmS thin films[J].Fizika Tverdogo Tela，1996，38(3)：779-785.]和压敏元件[Matsubayashi Kazuyuki，Mukai Hitoshi，Tsuzuki Takashi，et al.Insulator-metal transition studied by heatcapacity measurements on SmS[J].Physica B：Condensed Matter(Amsterdam，Netherlands)，2003，(329-333)：484.]。控制温度循环或者激光读写，可以在SmS薄膜中擦除和写入数据，因而将SmS薄膜制作光学数字储存器[Tanemura S，Miao L，Koide S.Optical propertiesof metal and semiconductor SmS thin films fabricated by rf/dc dualmagnetron sputtering.Applied Surface Science，2004，238(1-4)：360.]。此外，也可以考虑将SmS薄膜应用于全息防伪技术。
目前，SmS薄膜的制备方法主要有溅射法[黄剑锋，曹丽云.双靶溅射法制作SmS光学薄膜.稀有金属材料与工程，2004，33(3)：333.]、反应性蒸镀法[C F Hickey，U J Gibson.SmS phase transition in thin filmsprepared by reactive evaporat ion[J].Phase Trans it ions，1989，14：187.]、脉冲激光沉积法[P Miodushevsky，M L Protopapa，F De Tomas i.Fine trimming of SmS film resistance by XeCl laser ablation[J].Thin Solid Films，2000，359：251.]和MOCVD法[Volodin N M，ZavyalovaL V，Kirillov A I，et al.Investigation of growth conditions crystalstructure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVDtechnique[J].Kvantova ta Optoelektronika，1999，2(2)：78.]等。这些方法制备SmS薄膜所需设备比较昂贵，成本较高，且工艺难以控制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种设备简单，容易控制，制备时间短，成本低的微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，按本发明的方法制备的SmS纳米粉体粒度为20～50nm，纯度较高。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
1)首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；
2)然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为0.5～2mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成0.5～2mol/L的Na2S2O3溶液；
3)其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶2～1∶10体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3～3.5；
4)将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在67～80％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在100～180℃，反应1～4小时，反应结束后自然冷却到室温；
5)最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇或异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于50～70℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
由于本发明制备Sm2O3纳米粉体反应在液相中一次完成，不需要后期的退火热处理，且工艺设备简单，成本低，制备的纳米材料粒度均匀、颗粒尺寸分散度低。并且利用微波水热方法比简单的水热法可以更好的提高纳米粉体的质量和缩短反应时间。
具体实施方式
实施例1：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为0.8mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成0.8mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶6体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在80％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在150℃，反应2小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于50℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
实施例2：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为1.7mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成1.7mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶2体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.2；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在75％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在130℃，反应3小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于60℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
实施例3：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为0.5mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成1.0mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶8体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.4；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在67％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在18℃，反应1小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于70℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
实施例4：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为1.3、mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成0.5mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶4体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.1；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在70％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在120℃，反应4小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于55℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
实施例5：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为1.0mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成1.3mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶10体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.5；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在73％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在160℃，反应2小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于63℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
实施例6：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成浓度为2mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配置成2mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶5体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.3；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在78％，密封微波水热釜，将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在100℃，反应4小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于68℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
Claims (6)
1.一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：
1)首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；
2)然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为0.5～2mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成0.5～2mol/L的Na2S2O3溶液；
3)其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶2～1∶10体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3～3.5；
4)将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在67～80％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在100～180℃，反应1～4小时，反应结束后自然冷却到室温；
5)最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇或异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于50～70℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
2.根据权利要求1所述的一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为0.8mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成0.8mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶6体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在80％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在150℃，反应2小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于50℃的电 热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
3.根据权利要求1所述的一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为1.7mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成1.7mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶2体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.2；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在75％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在130℃，反应3小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于60℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
4.根据权利要求1所述的一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为1.3mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成0.5mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶4体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.1；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在70％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在120℃，反应4小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于55℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
5.根据权利要求1所述的一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为1.0mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的 Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成1.3mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶10体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.5；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在73％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在160℃，反应2小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用无水乙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于63℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
6.根据权利要求1所述的一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法，其特征在于：首先，在去离子水中通入Ar气除去水中的O2；然后，将分析纯的SmCl3·6H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成浓度为2mol/L的SmCl3溶液，将分析纯的Na2S2O3·5H2O溶入通入Ar气的去离子水中，配制成2mol/L的Na2S2O3溶液；其次，将SmCl3溶液和Na2S2O3溶液按照1∶5体积比混合，搅拌均匀，用0.05mol/L的HCl调节溶液pH为3.3；将上述溶液倒入微波水热釜中，填充度控制在78％，密封微波水热釜，将其放入温压双控微波水热反应仪中，水热温度控制在100℃，反应4小时，反应结束后自然冷却到室温；最后，打开水热釜，将产物以4000转/分钟离心分离，然后用异丙醇洗涤4次，使产物颗粒间接和疏松，并置于68℃的电热真空干燥箱内干燥即得SmS纳米粉体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2009100211942A CN101486484B (zh) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | 一种微波水热法制备SmS纳米粉体的方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN101486484A CN101486484A (zh) | 2009-07-22 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101486484B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102502754B (zh) * | 2011-10-13 | 2014-01-29 | 陕西科技大学 | 一种溶剂热法制备SmS 纳米晶的方法 |
| CN111644184B (zh) * | 2020-06-16 | 2022-11-29 | 陕西科技大学 | 一种可见光响应Sm10.67S16光催化剂及其制备方法 |
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|---|---|
| CN101486484A (zh) | 2009-07-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20090722 Assignee: Zhuozhou Yanshan Huize Chemical Co.,Ltd. Assignor: Shaanxi University of Science and Technology Contract record no.: 2012610000137 Denomination of invention: Method for preparing SmS nano powder by microwave-hydrothermal method Granted publication date: 20101229 License type: Exclusive License Record date: 20120809 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20090722 Assignee: Zhuozhou Yanshan Huize Chemical Co.,Ltd. Assignor: Shaanxi University of Science and Technology Contract record no.: 2012610000137 Denomination of invention: Method for preparing SmS nano powder by microwave-hydrothermal method Granted publication date: 20101229 License type: Exclusive License Record date: 20120809 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101229 Termination date: 20160219 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |