CN101476155A - Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法 - Google Patents
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Abstract
Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法属于半导体发光材料技术领域。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的分子束外延、金属有机化学气相沉积和磁控溅射等方法需要使用昂贵设备,并且能耗大、成本高、操作复杂,原料的利用率低,可重复性差。本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线,首先配置先驱体溶液,锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等;然后进行电化学沉积,将先驱体溶液转入三电极体系,其中以导电衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为80~90℃,沉积时间为0.5~1.0h,沉积电位为-0.8~-1.0V;最后做后处理,将产物冲洗、干燥。
Description
技术领域
本发明涉及一种Mg掺杂ZnO纳米线电化学制备方法,属于半导体发光材料技术领域。
背景技术
ZnO是一种宽禁带、直接带隙II-VI半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)及较大的激子束缚能(60meV),同时还具有压电性质,因此,可作为短波长发光材料、透明半导体材料、压电材料和室温紫外材料。
另一方面,MgO(7.8eV)的带隙大于ZnO的带隙,通过将Mg引入ZnO,可使ZnO的带隙进一步变宽,从而能够获得更短波长的发光器件。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的方法有分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)和磁控溅射等。
电化学沉积是一种在电极(电子导体)和溶液(离子导体)界面上进行电能和化学能相互转化的反应。其特点是:沉积速率高;材料生长温度低,可以在常温常压下操作;适合在复杂的衬底上生长;可以通过改变电化学参数获得不同厚度、不同光电性质的薄膜;设备简易、容易操作、成本低、环境友好;适合大规模工业生产。采用电化学沉积方法可以生长多种具有纳米结构的材料,如金属、半导体、导电聚合物、陶瓷以及超导体等。
发明内容
现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的方法需要使用昂贵设备,并且能耗大、成本高、操作复杂,原料的利用率低,可重复性差。相比之下电化学沉积方法在这些方面具有优势。为了实现采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米材料,我们发明了本发明之Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法。
本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线,其步骤为:
1、配置先驱体溶液。锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等。
2、电化学沉积。将先驱体溶液转入三电极体系,其中以导电衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为80~90℃,沉积时间为0.5~1.0h,沉积电位为-0.8~-1.0V。
3、后处理。将产物冲洗、干燥。
本发明其技术效果在于实现了采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线的发明目的,见图1~3所示。所获得的Mg掺杂ZnO纳米线平均线径在100~200nm范围内,线长约为1~2μm。通过控制先驱体溶液中醋酸锌和醋酸镁的比例(摩尔比)即可实现对ZnO中镁组分量的控制。沉积速率高,如沉积时间为0.5~1.0h;材料生长温度低,如沉积温度为80~90℃,随之而来的效果是对衬底材料不作耐高温的要求,常用ITO玻璃作为衬底。产物晶体质量好,具有典型的六方纤锌矿结构,见图4所示。发光性能强,缺陷发光明显减弱,见图5所示。
附图说明
图1是实施例一获得的Mg掺杂ZnO纳米线的EDS谱。图2是实例二获得的Mg掺杂ZnO纳米线的EDS谱。图3是实例三获得的Mg掺杂ZnO纳米线的EDS谱,该图兼作为摘要附图。图4是实施例一获得的Mg掺杂ZnO纳米线的SEM图像。图5是实施例一获得的Mg掺杂ZnO纳米线光致发光谱。
具体实施方式
实施例一:
1、配置先驱体溶液。锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等,其中醋酸锌和醋酸镁物质的量比例为9.5:0.5(摩尔比)。
2、电化学沉积。将先驱体溶液搅拌均匀后转入三电极体系,其中以ITO玻璃衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为80℃,沉积时间为1h,沉积电位为-0.8V。
3、后处理。将产物经去离子水反复冲洗数次,去除产物表面吸附的离子,干燥即获得Mg掺杂ZnO纳米线,见图1所示,镁在ZnO里的比例约为2%(原子比例),平均线径为100nm,线长约为1μm。
实施例二:
1、配置先驱体溶液。锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等,其中醋酸锌和醋酸镁物质的量的比例为9.0:1.0(摩尔比)。
2、电化学沉积。将先驱体溶液搅拌均匀后转入三电极体系,其中以ITO玻璃衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为80℃,沉积时间为1h,沉积电位为-1.0V。
3、后处理。将产物经去离子水反复冲洗数次,去除产物表面吸附的离子,干燥即获得Mg掺杂ZnO纳米线,见图2所示,镁在ZnO里的比例约为6%(原子比例),平均线径为150nm,线长约为2μm。
实施例三:
1、配置先驱体溶液。锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等,其中醋酸锌和醋酸镁物质的量的比例为8.0:2.0(摩尔比)。
2、电化学沉积。将先驱体溶液搅拌均匀后转入三电极体系,其中以ITO玻璃衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为90℃,沉积时间为1h,沉积电位为-1.0V。
3、后处理。将产物经去离子水反复冲洗数次,去除产物表面吸附的离子,干燥即获得Mg掺杂ZnO纳米线,见图3所示,镁在ZnO里的比例约为9%(原子比例),平均线径为150nm,线长约为2μm。
Claims (2)
1、一种Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法,其特征在于,采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线,其步骤为:
(1)配置先驱体溶液,锌源为醋酸锌,镁源为醋酸镁,六次甲基四胺作为表面活性剂,所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等;
(2)电化学沉积,将先驱体溶液转入三电极体系,其中以导电衬底作为工作电极,箔片作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极,沉积温度为80~90℃,沉积时间为0.5~1.0h,沉积电位为-0.8~-1.0V;
(3)后处理,将产物冲洗、干燥。
2、根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,醋酸锌和醋酸镁物质的量的摩尔比比例为(8.0~9.5):(2.0~0.5)。
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