CN102115912B - 一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 - Google Patents
一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102115912B CN102115912B CN 201110008424 CN201110008424A CN102115912B CN 102115912 B CN102115912 B CN 102115912B CN 201110008424 CN201110008424 CN 201110008424 CN 201110008424 A CN201110008424 A CN 201110008424A CN 102115912 B CN102115912 B CN 102115912B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- solution
- pva
- zinc
- zinc acetate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供了一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置，在质量浓度为5-8％的PVA水溶液溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液，在基底上涂覆所述晶种溶液后烘干处理，使基底涂覆物为PVA和醋酸锌，再热处理使基底涂覆物为氧化锌，配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液并与硝酸锌、六亚甲基四胺一起加入去离子水，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的生长溶液，将热处理的基底悬浮于生长溶液，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列，从而实现了在低温下掺Mg的ZnO纳米阵列生长，所用的原料的成本低，生长工艺简单，可重复性好。
Description
技术领域
本发明涉及氧化物半导体纳米阵列制备技术领域，特别是涉及一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置。
背景技术
ZnO是一种直接宽带隙半导体，其室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能约为60meV，可以实现室温下的激子发射。纳米结构ZnO，特别是ZnO纳米线阵列，以其优异的光电特性，可以被广泛应用于太阳能电池(Applied Physics Letters 96(2010)073115)、传感器(Nanotechnology 21(2010)365502)、近紫外发光二极管(Advanced Materials 22(2010)4749)、紫外光探测器(Applied Physics Letters 96(2010)053102)等。通过掺杂金属离子如Cd和Mg等可以实现ZnO能带的调节，进而改变其发光特性，在短波长纳米发光器件和纳米光电子器件领域具有应用前景和科研价值。
制备Mg掺杂ZnO纳米线阵列一般通过脉冲激光沉积，热蒸发，化学气相沉积(CVD)等，这些方法设备昂贵，程序较为复杂，成本较高，限制了其应用。
因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新地提出一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法，以解决现有技术中存在的问题，有效降低制备成本和制备的复杂度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置，用以实现制备Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的简单化和低成本化。
为了解决上述问题，本发明公开了一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法，所述方法包括：
配制质量浓度为5-8％的PVA水溶液；
在所配制的PVA水溶液中溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液；
在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌；
将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底进行热处理，以分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌；
配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液；
将硝酸锌、六亚甲基四胺和所配制的镁盐标准溶液加入到去离子水中，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液；其中，六亚甲基四胺的量为金属阳离子摩尔量的总和，镁离子浓度占金属离子总浓度的1-30at.％；
将热处理后的基底以生长面向下的方式悬浮于生长溶液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列。
优选的，所述在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌，具体包括以下子步骤：
用浸渍-提拉的方式在干净的基底上涂覆晶种溶液；
将涂覆有晶种溶液的基底在烘箱中120℃烘干；
将涂覆和烘干的动作重复3-6次，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌。
优选的，所述分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌通过将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底在550℃条件下热处理1.5h完成。
优选的，所述PVA的平均聚合度为1750±50。
优选的，所述镁盐是指硝酸镁和醋酸镁。
优选的，所述基底为生长基底，具体为单晶硅片或普通玻璃片。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明在配制好的质量浓度为5-8％的PVA水溶液溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液，在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进 行烘干处理，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌，再进行热处理使基底的涂覆物为氧化锌，配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液并与硝酸锌、六亚甲基四胺一起加入去离子水，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液，将热处理后的基底悬浮于生长溶液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列，采用湿化学方法，实现了在低温下掺Mg的ZnO纳米阵列生长，所用的原料的成本低，生长工艺简单，可重复性好。
附图说明
图1是本发明实施例一所述的一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法流程图；
图2是本发明实施例二所述的一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备装置结构图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一：
参照图1，示出了本发明的一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法流程图，所述方法具体包括：
步骤S101，配制质量浓度为5-8％的PVA水溶液；
优选的，所述PVA的平均聚合度为1750±50。
步骤S102，在所配制的PVA水溶液中溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液；
通过将一定量的PVA(polyvinyl alcohol，中文名称：聚乙烯醇)溶解在去离子水中，配制成质量浓度为5-8％的PVA水溶液，在PVA水溶液中加入一定量的醋酸锌，使其所含锌离子浓度为0.001-0.1mol/L，从而获取锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液。
步骤S103，在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌；
优选的，所述步骤S103具体包括以下子步骤：
步骤S1，用浸渍-提拉的方式在干净的基底上涂覆晶种溶液；
步骤S2，将涂覆有晶种溶液的基底在烘箱中120℃烘干；
步骤S3，将涂覆和烘干的动作重复3-6次，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌。
步骤S104，将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底进行热处理，以分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌；
优选的，所述分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌通过将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底在550℃条件下热处理1.5h完成。
将干净的基底完全浸渍到晶种溶液中，之后缓慢拉出，使得基底上有一层均匀液膜，再将该基底放入烘箱中，在120℃烘干15min，该过程重复3-6次，以将基底上涂覆液膜中的水分子蒸发，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌。并在完成蒸发工作后，将涂覆有PVA和醋酸锌的基底在550℃热处理1.5h，以分解其上的PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌(ZnO)。
步骤S105，配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液；
优选的，所述镁盐是指硝酸镁和醋酸镁。
步骤S106，将硝酸锌、六亚甲基四胺和所配制的镁盐标准溶液加入到去离子水中，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液；其中，六亚甲基四胺的量为金属阳离子摩尔量的总和，镁离子浓度占金属离子总浓度的1-30at.％；
步骤S107，将热处理后的基底以生长面向下的方式悬浮于生长溶液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列。
通过将硝酸锌、六亚甲基四胺和所配制的浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液加入到去离子水中，来配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液，具体的，六亚甲基四胺的量为金属阳离子摩尔量的总和，镁离子浓度占金属离子总浓度的1-30at.％，假设其中金属阳离子(也即镁离 子和锌离子)总浓度为0.03mol/L，则六亚甲基四胺的浓度也为0.03mol/L。将热处理后制备有晶种的基底以生长面向下的方式悬浮于生长液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h即可得到纳米线阵列。
优选的，所述基底为生长基底，具体为单晶硅片或普通玻璃片。
具体的，所述生长面也即单晶硅片或者普通玻璃两面中的某一面，实际应用正按照需求进行指定。同时，实际应用中所使用的PVA的平均聚合度为1750±50。
下面通过具体的制备实例对本实施例所述的方法做进一步的介绍：
实例1：
1)称取6.003g PVA与100mL去离子水中，不断搅拌使其溶胀，之后在70℃水浴条件下使其充分溶解，该溶液冷却至室温后取其上层清液50ml待用。
2)称量0.053g醋酸锌溶于制备好的PVA溶液中，配制成0.005mol/L的晶种溶液。
3)用浸渍-提拉的方法在Si基底上均匀涂覆一层晶种液后放入烘箱中，在120℃下烘干15min。该过程重复6次后将其放入550℃高温炉中，烧结1.5h取出。
4)称取1.785g Zn(NO3)2·6H2O和0.841g六亚甲基四胺搅拌溶于150ml去离子水中配制成生长液。
5)将带有晶种的Si基底以生长面向下的方式令其悬浮于生长液中，用保鲜膜将烧杯密封(目的是在生长过程中不至于去离子水蒸发太多)，放入92℃恒温水浴中，无外界干扰情况下生长3h，生长结束后取出用去离子水清洗干净后在80℃烘干。
6)对样品进行XRD分析，最强峰位于34.32°，该峰为纤锌矿ZnO的(0002)晶面衍射产生，说明生长的纳米线沿[0001]方向生长。用激光共聚焦显微拉曼光谱仪器测试所得的样品PL光谱，其紫外发光峰在3.282eV处。
实例2：
1)称取6.004g PVA与100mL去离子水中，不断搅拌使其溶胀，之后 在70℃水浴条件下使其充分溶解，该溶液冷却至室温后取其上层清液50ml待用。
2)称量0.054g醋酸锌溶于制备的PVA溶液中，配制成0.005mol/L的晶种溶液；在200ml的容量瓶中配制0.060mol/L的醋酸镁标准溶液(实称醋酸镁为2.573g)待用。
3)用提拉浸渍的方法在Si基底上均匀涂覆一层晶种液后放入烘箱中，在120℃下烘干15min。该过程重复6次后将其放入550℃高温炉中，烧结1.5h取出。
4)量取10ml醋酸锌标准溶液于干净烧杯中，再加入140ml去离子水。称取1.606g Zn(NO3)2·6H2O和0.841g六亚甲基四胺搅拌溶于该混合液中，配制成Mg2+量占金属离子总量的10at.％的生长液。
5)将带有晶种的Si基底以生长面向下的方式令其悬浮于晶种溶液中，用保鲜膜将烧杯密封(目的是在生长过程中不至于去离子水蒸发太多)，放入92℃恒温水浴中，无外界干扰情况下生长3h，生长结束后取出用去离子水清洗干净后在80℃烘干。
6)对样品进行XRD分析，最强峰位于34.34°，该峰为纤锌矿ZnO的(0002)晶面衍射产生，说明生长的纳米线沿[0001]方向生长。用激光共聚焦显微拉曼光谱仪器测试所得的样品PL光谱，其紫外发光峰在3.288eV处。
实例3：
1)称取6.006g PVA与100mL去离子水中，不断搅拌使其溶胀，之后在70℃水浴条件下使其充分溶解，该溶液冷却至室温后取其上层清液50ml待用。
2)称量0.054g醋酸锌溶于制备的PVA溶液中，配制成0.005mol/L的晶种溶液；在200ml的容量瓶中配制0.060mol/L的醋酸镁标准溶液(实称醋酸镁为2.574g)待用。
3)用提拉浸渍的方法在Si基底上均匀涂覆一层晶种液后放入烘箱中，在120℃下烘干15min。该过程重复6次后将其放入550℃高温炉中，烧结1.5h取出。
4)量取30ml醋酸镁标准溶液于干净烧杯中，再加入120ml去离子水。称取1.249g Zn(NO3)2·6H2O和0.841g六亚甲基四胺搅拌溶于该混合液中，配制成Mg2+量占金属离子总量的30at.％的生长液。
5)将带有晶种的Si基底以生长面向下的方式令其悬浮于晶种溶液中，用保鲜膜将烧杯密封(目的是在生长过程中不至于去离子水蒸发太多)，放入92℃恒温水浴中，无外界干扰情况下生长3h，生长结束后取出用去离子水清洗干净后在80℃烘干。
6)对样品进行XRD分析，最强峰位于34.35°，该峰为纤锌矿ZnO的(0002)晶面衍射产生，说明生长的纳米线沿[0001]方向生长。用激光共聚焦显微拉曼光谱仪器测试所得的样品PL光谱，其紫外发光峰在3.299eV处。
本实施例中通过控制晶种溶液的浓度和涂覆次数实现生长纳米线的疏密程度，并通过控制生长时间和生长液的浓度来控制纳米线的长度的尺寸，所用生长液中镁(Mg)原子百分比与生长的Zn1-xMgxO纳米线中Mg原子百分比不同，Zn1-xMgxO纳米线中Mg原子百分比(即x)可以通过以下公式计算：
E_g(x)＝(1-x)E_ZnO+xE_MgO-bx(1-x)
其中Eg，EZnO和EMgO分别为Zn1-xMgxO，ZnO和MgO的带隙能量，x为Mg原子百分比，b为弯曲系数，本实施例所述的方法采用湿化学方法，实现了在低温下掺Mg的ZnO纳米阵列生长，所用的原料的成本低，生长工艺简单，可重复性好。
实施例二：
参照图2，示出了本发明的一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备装置结构图，所述装置包括：
第一处理模块201，用于配制质量浓度为5-8％的PVA水溶液；
优选的，所述PVA的平均聚合度为1750±50。
第二处理模块202，用于在所配制的PVA水溶液中溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液；
第三处理模块203，用于在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌；
优选的，所述第三处理模块203具体包括以下子模块：
第一处理子模块2031，用于采用浸渍-提拉的方式在干净的基底上涂覆晶种溶液；
第二处理子模块2032，用于将涂覆有晶种溶液的基底在烘箱中120℃烘干；
第三处理子模块2033，用于将涂覆和烘干的动作重复3-6次，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌。
第四处理模块204，用于将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底进行热处理，以分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌；
优选的，所述第四处理模块204分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌通过将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底在550℃条件下热处理1.5h完成。
第五处理模块205，用于配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液；
第六处理模块206，用于将硝酸锌、六亚甲基四胺和所配制的镁盐标准溶液加入到去离子水中，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液；其中，六亚甲基四胺的量为金属阳离子摩尔量的总和，镁离子浓度占金属离子总浓度的1-30at.％；
第七处理模块207，用于将热处理后的基底以生长面向下的方式悬浮于生长溶液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上对本发明所提供的一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思 想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
配制质量浓度为5-8％的PVA水溶液；
在所配制的PVA水溶液中溶解醋酸锌配制锌离子浓度为0.001-0.1mol/L的晶种溶液；
在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌；
将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底进行热处理，以分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌；
配制浓度为0.012-0.1mol/L的镁盐标准水溶液；
将硝酸锌、六亚甲基四胺和所配制的镁盐标准溶液加入到去离子水中，配制金属阳离子总浓度为0.01-0.04mol/L的晶体生长溶液；其中，六亚甲基四胺的量为金属阳离子摩尔量的总和，镁离子浓度占金属离子总浓度的1-30at.％；
将热处理后的基底以生长面向下的方式悬浮于生长溶液中，在85-95℃恒温水浴条件下生长多于2h，获取纳米线阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底上涂覆所配制的晶种溶液后进行烘干处理，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌，具体包括以下子步骤：
用浸渍-提拉的方式在干净的基底上涂覆晶种溶液；
将涂覆有晶种溶液的基底在烘箱中120℃烘干；
将涂覆和烘干的动作重复3-6次，以蒸发水分子，使基底的涂覆物为PVA和醋酸锌。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述分解PVA和醋酸锌，使基底的涂覆物为氧化锌通过将涂覆物为PVA和醋酸锌的基底在550℃条件下热处理1.5h完成。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
所述PVA的平均聚合度为1750±50。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述镁盐是指硝酸镁和醋酸镁。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
所述基底为生长基底，具体为单晶硅片或普通玻璃片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110008424 CN102115912B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110008424 CN102115912B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102115912A CN102115912A (zh) | 2011-07-06 |
| CN102115912B true CN102115912B (zh) | 2012-12-05 |
Family
ID=44214831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110008424 Expired - Fee Related CN102115912B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102115912B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102881762A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-01-16 | 长春理工大学 | MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器 |
| CN106564928A (zh) * | 2016-10-20 | 2017-04-19 | 上海电机学院 | 一种Mg掺杂ZnO纳米棒的CBD制备法 |
| CN106835265B (zh) * | 2017-03-15 | 2019-01-01 | 厦门大学 | 一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法 |
| CN108346516A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-07-31 | 程桂平 | 一种太阳能电池的光阳极的制作方法 |
| CN111235496B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-04-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种高强度SiC纳米线增强铝基复合材料的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101445961A (zh) * | 2008-12-15 | 2009-06-03 | 浙江大学 | 一种Mg掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法 |
| CN101476155A (zh) * | 2008-12-30 | 2009-07-08 | 长春理工大学 | Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法 |
| CN101538062A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-23 | 北京科技大学 | 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070158661A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Rutgers, The State University Of New Jersey | ZnO nanostructure-based light emitting device |
-
2011
- 2011-01-14 CN CN 201110008424 patent/CN102115912B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101445961A (zh) * | 2008-12-15 | 2009-06-03 | 浙江大学 | 一种Mg掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法 |
| CN101476155A (zh) * | 2008-12-30 | 2009-07-08 | 长春理工大学 | Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法 |
| CN101538062A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-23 | 北京科技大学 | 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Minggang Zhao,etc.Synthesis and optical properties of Mg-doped ZnO nanofibers prepared by electrospinning.《Journal of Alloys and Compounds》.2010,第507卷(第1期),97-100. * |
| Sunandan Baruah,etc.Hydrothermal growth of ZnO nanostructures.《Science and Technology of Advanced Materials》.2009,第10卷(第1期),1-18. * |
| Te-Hua Fang,etc.Preparation and characterization of Mg-doped ZnO nanorods.《Journal of Alloys and Compounds》.2009,第10卷(第7期),536-542. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102115912A (zh) | 2011-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Meng et al. | Chemical composition and phase evolution in DMAI-derived inorganic perovskite solar cells | |
| Dutta et al. | Effect of sol concentration on the properties of ZnO thin films prepared by sol–gel technique | |
| Akcan et al. | Structural and optical properties of Na-doped ZnO films | |
| CN102115912B (zh) | 一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 | |
| Zeng et al. | Combination of solution-phase process and halide exchange for all-inorganic, highly stable CsPbBr3 perovskite nanowire photodetector | |
| Raja et al. | Studies on bundle like ZnO nanorods for solar cell applications | |
| Gautam et al. | The effect of growth temperature of seed layer on the structural and optical properties of ZnO nanorods | |
| Guo et al. | ZnO@ TiO2 core–shell nanorod arrays with enhanced photoelectrochemical performance | |
| Wei et al. | Solvothermal synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystalline thin films for application of solar cells | |
| Mukherjee et al. | Structural and optical characteristics of SnS thin film prepared by SILAR | |
| Chalapathi et al. | Rapid growth of Sb2S3 thin films by chemical bath deposition with ethylenediamine tetraacetic acid additive | |
| Sun et al. | Fabrication of pyrite FeS2 thin films by sulfurizing oxide precursor films deposited via successive ionic layer adsorption and reaction method | |
| Han et al. | Research progress of absorber film of inorganic perovskite solar cells: fabrication techniques and additive engineering in defect passivation | |
| Chalapathi et al. | Large-grained Sb2S3 thin films with Sn-doping by chemical bath deposition for planar heterojunction solar cells | |
| Al-khayatt et al. | Characteristics of Nanocrystalline ZnS thin films grown on glass with different Zn ion concentrations by CBD technique | |
| Bade et al. | Room temperature synthesis of formamidinium lead iodide (FAPbI3) perovskite for low-cost absorber in solar cells | |
| Pareek et al. | Nanostructure Zn–Cu co-doped CdS chalcogenide electrodes for opto-electric-power and H2 generation | |
| Liu et al. | Length-independent charge transport of well-separated single-crystal TiO 2 long nanowire arrays | |
| Vettumperumal et al. | Enhancement of optical conductivity in the ultra-violet region of Cs doped ZnO sol gel thin films | |
| Nazari et al. | The UV photodetection enhancement of tailored ZnO nanorods by controlling the aspect ratio | |
| Ma et al. | Synthesis of Cu2ZnSnS4 thin film through chemical successive ionic layer adsorption and reactions | |
| CN100582012C (zh) | 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法 | |
| Lu et al. | Fabrication and characterization of ZnO nanowires array electrodes with high photocurrent densities: Effects of the seed layer calcination time | |
| Jung et al. | Growth of Eu-doped ZnO nanorods on silicon substrate by low temperature hydrothermal method | |
| Yang et al. | Enhancement mechanism of photovoltaic performance for ZnO/CdS heterostructure photoelectrodes via post-annealing treatment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121205 Termination date: 20130114 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |