CN101449146A - 氢气检测装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氢气检测装置。该氢气检测装置从光源向与氢气接触时反射率(光学反射)产生变化的氢气传感器照射光，自该光源照射且透过氢气传感器的光或被反射膜反射的光被光传感器接收。氢气检测装置基于对应受光量的光传感器的输出信号，检测氢气的泄漏。

Description

氢气检测装置
技术领域
本发明涉及用于检测氢气的氢气检测装置。
背景技术
作为可以抑制二氧化碳排放的能源，氢气备受关注。但是，一旦氢气泄漏到气体氛围(例如氢气制造装置或氢气贮藏装置周围、将氢气作为燃料的车辆的停车场)中则恐怕会发生爆炸。因此，必须迅速地检测氢气的泄漏并阻止其泄漏。
因此，设计了如下氢气检测装置，其利用加热器对氢气传感器进行加热，从而检测泄漏氢气。这种氢气检测装置例如在日本特开2003-098147号公报及特开2004-144564号公报中被公开。
但是，用于氢气检测装置的氢气传感器若不加热到数百摄氏度的高温，就不能检测氢气。因此，不能排除引起氢气爆炸的可能性，需要应对高温加热的防爆措施。
另外，在使用上述氢气传感器的氢气检测装置中，即使可以检测氢气传感器的设置场所的泄漏氢气，也无法遍及广阔区域(空间)地检测泄漏氢气。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种不需要对氢气传感器进行加热的氢气检测装置。
另外，本发明的目的在于，提供一种不需要应对高温加热的防爆措施氢气检测装置。
另外，本发明的目的在于，提供一种氢气检测装置，其可以迅速且安全地检测氢气的泄漏，优选可以遍及广阔区域地检测泄漏氢气。
为了实现上述目的，本发明的氢气检测装置，具有：氢气传感器，其与氢气接触时反射率产生变化；光源，其将光照射到所述氢气传感器；光传感器，其将自所述光源照射并透过所述氢气传感器的光或由所述氢气传感器反射的光接收，并输出检测信号。
在这样的氢气检测装置中，在不存在泄漏氢气的通常状态下，氢气传感器具有高反射率(或低反射率)，另一方面，与通常状态相比，若与更多地含有氢气的气体氛围接触，则反射率降低(或提高)。
因此，利用光传感器接收来自透过氢气传感器的光源的光，根据对应于受光量的光传感器的输出信号，可以检测氢气的泄漏。另外，若利用光传感器接收从光源照射并被氢气传感器反射的光，则根据对应受光量的光传感器的输出信号，可以检测氢气的泄漏。
或者，为了实现所述目的，本发明的氢气检测装置，具有：输出光的光源、接收光并输出检测信号的光传感器、对所述光源照射的光进行反射、中转并向所述光传感器传送的多个氢气传感器，若所述多个氢气传感器与氢气接触，则反射率产生变化。
在这样的氢气检测装置中，若泄漏氢气到达多个氢气传感器中的任一个氢气传感器附近，则该氢气传感器的反射率产生变化。因此，从光源通过多个氢气传感器反射、中转并向光传感器传送的光的光量，随着该反射率变化而变化。因此，基于对应于受光量变化的光传感器的输出信号，可以遍及配设有多个氢气传感器的广阔区域，检测氢气的泄漏。
在这些氢气检测装置中，更具体地说，所述氢气传感器也可以具有透过光的基板和与氢气接触时反射率产生变化的反射膜。
更具体地说，所述反射膜也可以具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
或者，为实现所述目的，本发明的氢气检测装置，具有：氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入到所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；光源，其向所述光输入口输入光；光传感器，其接收从所述光输出口输出的光并输出检测信号。
在这样的氢气检测装置中，若第一反射膜及第二反射膜中的任一方或双方的反射膜的反射率，因反射膜与泄漏氢气接触而降低(或提高)，则来自光输出口的光输出(光量)降低(或提高)。因此，基于对应于来自光输出口的受光量的光传感器的输出信号，可以检测氢气的泄漏。
或者，为实现所述目的，本发明的氢气检测装置，具有：多个氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；光传送装置，其将所述多个氢气传感器作为光路进行级联连接；光源，其向所述级联连接的光路输入端的氢气传感器的所述光输入口输入光；光传感器，其接收从所述级联连接的光路输出端的氢气传感器的所述光输出口输出的光并输出检测信号。
在这样的氢气检测装置中，若泄漏氢气到达任一个氢气传感器附近，则来自该氢气传感器的光输出口的光输出(光量)产生变化。因此，经由光传送装置的光传感器的受光量产生变化，该光传送装置将多个氢气传感器作为光路进行级联连接。因此，基于对应于受光量的变化的光传感器的输出信号，可以遍及配设有多个氢气传感器的广阔区域，检测氢气的泄漏。
在该氢气检测装置中，更具体地说，所述第一及第二反射膜中与氢气接触时反射率产生变化的反射膜，也可以具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
如上所述，本发明的氢气检测装置是根据光传感器的受光量的变化，迅速地检测氢气传感器的反射率(光学反射率)与氢气接触并产生变化的状况的装置。因此，完全不需要对氢气传感器进行加热，不需要应对高温加热的防爆措施。因此，可以迅速且安全地检测氢气的泄漏，并且在使用多个氢气传感器时，可以遍及广阔区域地检测氢气的泄漏。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的氢气传感器的概略剖面构成例的图；
图2是表示本发明第一实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图；
图3是表示在第一实施方式中使用多组图2的氢气检测装置的例子的图；
图4是表示本发明第二实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图；
图5是表示本发明第二实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图；
图6是表示第三实施方式的氢气检测装置的其他排列的例子的图；
图7是表示本发明第四实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图；
图8是表示本发明第五实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明实施方式的氢气检测装置进行说明。
(第一实施方式)
使用图1及图2对本发明第一实施方式的氢气检测装置进行说明。在此，图1是表示氢气传感器的概略剖面构成例的图，图2是表示该实施方式的氢气检测装置的概略构成例的图。
首先，对用于氢气检测装置的氢气传感器进行说明。
图1所示的氢气传感器10具有由金属、玻璃、丙烯树脂或聚乙烯薄片(聚乙烯薄膜)等组成的基板11。在基板11的表面11a上形成有由镁/镍合金或镁组成的薄膜层12。另外，在薄膜层12的表面12a形成有由钯或铂组成的催化剂层13。在该氢气传感器10中，利用薄膜层12及催化剂层13构成反射膜14。
薄膜层12可以通过喷镀法、真空蒸镀法、电子束蒸镀法、镀敷法等形成，其构成例如为MgNix(0≤x<0.6)。
催化剂层13可以通过在薄膜层12的表面12a进行涂敷等而形成，其厚度为1nm至100nm。
形成上述薄膜层12及催化剂层13的氢气传感器10，与氢气浓度为100ppm至1％程度以上的气体氛围接触时，在数秒至10秒左右，构成一部分反射膜14的薄膜层12迅速氢化。其结果是，薄膜层12的反射率迅速变化。
另外，薄膜层12、催化剂层13的组成等不限于上述情况。薄膜层12的反射率不限于可见光的反射率。
其次，对氢气检测装置进行说明。
图2是表示使用上述氢气传感器10的氢气检测装置20的概略构成例的图。
氢气检测装置20具有氢气传感器10、光源21及光传感器22。光源21配设于氢气传感器10的背面10x侧。该光源21例如将激光二级管或发光二级管发出的光21a向氢气传感器10照射。另一方面，光传感器22配设于在氢气传感器10的表面10y侧透过氢气传感器10的光21a的光路上。该光传感器22用光电晶体管等接收透过氢气传感器10的光21a，并输出对应受光量的电信号。
在具有这种构成的氢气检测装置20中，在不存在泄漏氢气的通常状态下，反射膜14的透过率低。因此，氢气传感器10的反射膜14具有高反射率并对来自光源21的光21a进行反射。其结果是，由光传感器22输出的电信号成为低电平。
另一方面，若泄漏氢气到达氢气传感器10的附近，则氢气传感器10的催化剂层13与泄漏氢气接触，反射膜14的透过率变高，薄膜层12的反射率急速降低。因此，由光传感器22输出的电信号的电平上升。
因此，若将由光传感器22输出的电信号的电平和规定的基准值进行比较，则可以检测氢气的泄漏。另外，在氢气检测装置20中，也可以将光源21配设于氢气传感器10的表面10y侧，将光传感器22配设于氢气传感器10的背面10x侧。
另外，如图3所示也可以将多个上述氢气传感器10、光源21及光传感器22组合而使用。即，例如也可以在由图3所示的大致长方体形状构成的空间Q1(例如地下停车场的停车空间)的上部，设置多组氢气传感器10、光源21及光传感器22。
此时，来自各光源21的各自的光21a以等间隔的方式平行照射。若在空间Q1内泄漏的氢气到达任一氢气传感器10附近，则透过该氢气传感器10的光增加。其结果是，因为来自检测该氢气传感器10的透过光的光传感器22的光信号输出电平增加，所以可以遍及广阔区域，迅速地检测泄漏氢气。
不言而喻，多组氢气传感器10、光源21及光传感器22的位置关系不限于图3所示的位置。
(第二实施方式)
基于图4对本发明的第二实施方式的氢气检测装置进行说明。另外，对于具有与第一实施方式同样功能的构成要素，标注同一附图标记，省略其说明。
图4是表示第二实施方式的氢气检测装置20a的概略构成例的图。在氢气检测装置20a中，光源21及光传感器22都配设在氢气传感器10的表面10y侧。
以图4中的入射角θ从光源21照射并入射到氢气传感器10的反射膜14的光21a，被反射膜14反射而到达光传感器22。在不存在泄漏氢气的通常状态，氢气传感器10的反射膜14具有高反射率，对来自光源21的光21a进行反射。因此，接收该反射光的光传感器22输出高电平的电信号。
另一方面，若泄漏氢气到达氢气传感器10附近，则氢气传感器10的反射膜14的反射率迅速降低。因此，被反射膜14反射的光21a的光量降低，从光传感器22输出的电信号的电平降低。
因此，在氢气检测装置20a中，若将从光传感器22输出的电信号的电平和规定的基准值进行比较，则可以检测氢气的泄漏。
另外，第一实施方式及第二实施方式的氢气传感器10不限于在各实施方式中记载的情况，在不脱离其主旨的范围内可变形而构成。
例如，反射膜不限于与泄漏氢气接触时反射率降低的反射膜。该反射膜也可为如下反射膜，例如不存在泄漏氢气的通常状态下反射率低，与泄漏氢气接触时反射率增高。
另外，在氢气检测装置20a中，若基板11使光透过，则也可以将光源21和传感器22配设在氢气传感器10的背面10x侧。若基板11不能透过光且反射率低，则只要将光源21及光传感器22配设于反射膜14的一侧(氢气传感器10的表面10y侧)即可。
(第三实施方式)
基于图5对本发明第三实施方式的氢气检测装置进行说明。另外，对于具有与前述各实施方式相同功能的构成要素，标注同一附图标记，省略其说明。
图5是表示第三实施方式的氢气检测装置20b的概略构成例的图。在该氢气检测装置20b中，在一个平面上配设有四个氢气传感器10a～10d，在和上述平面平行的另一平面上配设有三个氢气传感器10e～10g。而且，分别配设有光源21、氢气传感器10a～10g及光传感器22，以使从光源21照射的光21a朝氢气传感器10a、氢气传感器10e、氢气传感器10b、氢气传感器10f、氢气传感器10c、氢气传感器10g、氢气传感器10d依次反射、中转，并到达光传感器22。
在不存在泄漏氢气的通常状态下的氢气检测装置20b中，氢气传感器10a～10g的各反射膜14具有高反射率。因此，来自光源21的光21a到达光传感器22，光传感器22输出高电平的电信号。
另一方面，若泄漏氢气到达氢气传感器10a～10g中的任一氢气传感器附近，则该氢气传感器的反射膜14的反射率迅速降低。因此，光传感器22的受光量降低，光传感器22的电信号输出的电平降低。
因此，在氢气检测装置20b中，若对从光传感器22输出的电信号电平和规定的基准值进行比较，则可以检测氢气的泄漏。另外，通过使用多个氢气传感器，氢气传感器检测装置20b可以遍及广阔区域，迅速检测氢气的泄漏。
另外，第三实施方式中的光源21、多个氢气传感器10及光传感器22的排列及数量不限于上述情况。
例如，也可以在图6所示以大致长方体形状构成的空间Q2的一个下部的角部配置光源21，并将多个氢气传感器10a～10d配置于空间Q2的四个上部的角部。此时，氢气检测装置构成为：将从光源21向上方照射的光21a由氢气传感器10a～10d依次反射、中转，从而将光21a向位于空间Q2的一个面的上部的光传感器22入射。
另外，若使用更多的氢气传感器10将来自光源21的光21a向光传感器22中转，则可以遍及更广阔的区域，迅速检测泄漏氢气。
(第四实施方式)
使用图7对本发明第四实施方式的氢气检测装置进行说明。另外，对具有与前述各实施方式相同功能的构成要素，标注同一附图标记，省略其说明。
图7是表示第四实施方式的氢气检测装置20c的概略构成例的图。在氢气检测装置20c的氢气传感器10′中，在基板11的表面11a上形成有薄膜层12。在该薄膜层12的表面12a进一步形成有催化剂层13，催化剂层13与氢气接触时，薄膜层12在催化剂层13的作用下被氢化，反射率迅速降低。而且，在基板11的背面11b，涂敷有具有高反射率的第二反射膜15。另外，在该氢气传感器10′中，第一反射膜14由薄膜层12和催化剂层13构成。
图7中，光入口30与氢气传感器10′的右端接合，在氢气传感器10′的左端接合有光输出口31。光纤32a与光输入口30连接，向光输入口30导入来自光源21的光21a。这样，导入到光输入口30的光21a，向氢气传感器10′的基板11中输入(照射)，在第一反射膜14和第二反射膜15交互地反射并到达光输出口31。到达光输出口31的光21a经由与光输出口31连接的光纤32b到达光传感器22。
在不存在泄漏氢气的通常状态下的氢气检测装置20c中，氢气传感器10′的第一反射膜14具有高反射率。因此，光21a在基板11中在第一反射膜14和第二反射膜15反复反射，并到达光输出口31。
另一方面，若泄漏氢气到达氢气传感器10′附近，则第一反射膜14的反射率迅速降低。因此，光21a透过第一反射膜14而不能到达光输出口31。
因此，在氢气检测装置20c中，若将由光传感器22输出的电信号的电平和规定基准值进行比较，则对应到达光传感器22的光21a的光量降低，可以迅速检测氢气的泄漏。
在此，光21a被第一反射膜14反射的次数越多，对应第一反射膜14的反射率变化，到达光输出口31的光21a的光量的变化越大。因此，可以提高氢气检测装置20c的泄漏氢气检测灵敏度。
另外，若与第一反射膜14同样地，由薄膜层12和催化剂层13构成第二反射膜15，则因泄漏氢气，第二反射膜15的反射率也降低。因此，可以进一步提高泄漏氢气检测灵敏度。
在氢气检测装置20c中，因为用光纤32a、光纤32b向氢气传感器10′输入输出光21a，所以光21a不会被障碍物遮挡。因此，可以确保配置氢气传感器10′、光源21及光传感器22的自由度。另外，也可以直接将光源21与氢气传感器10′的光输入口30连接。并且，也可以直接将光传感器22与氢气传感器10′的光输出口31连接。
另外，氢气检测装置20c中的氢气传感器10′不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内，可以变形而构成。即，气传感器10′例如也可以是，在不存在泄漏氢气的通常状态下，第一反射膜14的反射率低，与泄漏氢气接触时反射率增大。
另外，氢气传感器10′的反射膜15除利用涂敷等形成膜之外，也可以通过在基板11上粘接难以吸收光的物质等接合而形成。有助于反射的部分为通过将基板11的背面11b和上述物质的表面连接而形成的反射面。该反射面中的上述物质具有规定厚度以上的厚度且最初作为反射面起作用，可认为上述物质的上述规定厚度的部分形成反射膜。因此，如上所述，也可以利用与基板11接合的难以吸收光的物质形成反射膜15。
(第五实施方式)
用图8对本发明第五实施方式的氢气检测装置进行说明。另外，对具有与前述各实施方式相同功能的构成要素，标注同一附图标记，省略其说明。
图8所示的氢气检测装置20d具有4个氢气传感器10a′～10d′(与氢气传感器10′结构相同)。该4个氢气传感器10a′～10d′分别配设于不同的部位，用3根光纤(光传送装置)32c进行级联连接而构成光路33。
在氢气检测装置20d中，光源21照射的光21a由光纤32a输入，该光纤32a与光路33输入端的氢气传感器10a′具有的光输入口30连接。这样，被输入的光21a经由光路33，从光回路33输出端的氢气传感器10d′具有的光输出口31输出。从光输出口31输出的光21a进一步经由光纤32b向光传感器22传送。
氢气传感器10a′～10d′例如配设于地下停车场的停车空间的上部，并检测停于该停车空间的氢气燃料汽车等的氢气泄漏。
在不存在泄漏氢气的通常状态下的氢气检测装置20d中，氢气传感器10a′～10d′的第一反射膜14具有高反射率。因此，光21a可以到达光输出口31。
另一方面，若泄漏氢气到达氢气传感器10a′～10d′中的任一个附近，则该氢气传感器的第一反射膜14的反射率迅速降低。因此，到达光传感器22的光21a的光量降低。
因此，在氢气检测装置20d中，若将由光传感器22输出的电信号的电平和规定的基准值进行比较，则对应到达光传感器22的光21a的光量降低，可以迅速检测氢气的泄漏。
另外，在氢气检测装置20d中，利用光纤32a、32b及32c将光21a向氢气传感器10a′～10d′输入输出。因此，来自光源21的光21a不会被障碍物遮挡。因此，可以确保配置氢气传感器10a′～10d′、光源21及光传感器22的自由度。
另外，氢气检测装置20d中的氢气传感器10a′～10d′不限于第五实施方式记载的情况，在不脱离其主旨的范围内可以变形而构成。
例如，也可将第二反射膜15设为第一反射膜14相同的构成，在与泄漏氢气接触时其反射率降低。
另外，在上述第五实施方式中，氢气检测装置20d利用光传送装置将四个氢气传感器级联连接而构成，但光路的结构不限于此。例如也可以将从一个光源照射的光，分支到多个级联连接的光路中，将光传感器与各级联连接的光路分别连接。
不言而喻，本发明不限于上述各实施方式，在不脱离其主旨的范围内可以变形实施。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1、一种氢气检测装置，具有：
氢气传感器，其与氢气接触时反射率产生变化；
光源，其将光照射到所述氢气传感器；
光传感器，其将自所述光源照射并被所述氢气传感器反射的光接收，并输出检测信号；该氢气检测装置的特征在于，
所述氢气传感器具有：透过光的基板；形成于所述基板表面的薄膜层；形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化的催化剂层；
相对于所述基板，自与所述薄膜层相反的一侧照射所述光源的光，利用所述光传感器接收被所述薄膜层反射的光。
2、如权利要求1所述的氢气检测装置，其特征在于，设有多个所述氢气传感器，以对所述光源照射的光进行反射、中转并向所述光传感器传送；排列所述各氢气传感器，以使来自所述光源的光自所述基板侧向所述薄膜层入射。
3、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入到所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；
光源，其向所述光输入口输入光；
光传感器，其接收从所述光输出口输出的光并输出检测信号。
4、如权利要求3所述的氢气检测装置，其特征在于，所述第一及第二反射膜中与氢气接触时反射率产生变化的反射膜，具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
5、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
多个氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；
光传送装置，其将所述多个氢气传感器作为光路进行级联连接；
光源，其向所述级联连接的光路输入端的氢气传感器的所述光输入口输入光；
光传感器，其接收从所述级联连接的光路输出端的氢气传感器的所述光输出口输出的光并输出检测信号。
6、如权利要求5所述的氢气检测装置，其特征在于，所述第一及第二反射膜中与氢气接触时反射率产生变化的反射膜是具有薄膜层和催化剂层的反射膜，该薄膜层形成于所述基板的表面或背面，该催化剂层形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。

Claims (10)

1、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
氢气传感器，其与氢气接触时反射率产生变化；
光源，其将光照射到所述氢气传感器；
光传感器，其将自所述光源照射并透过所述氢气传感器的光或由所述氢气传感器反射的光接收，并输出检测信号。
2、如权利要求1所述的氢气检测装置，其特征在于，所述氢气传感器具有：透过光的基板；与氢气接触时反射率产生变化的反射膜。
3、如权利要求2所述的氢气检测装置，其特征在于，所述反射膜具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
4、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
输出光的光源、
接收光并输出检测信号的光传感器、
对所述光源照射的光进行反射、中转并向所述光传感器传送的多个氢气传感器，
若所述多个氢气传感器与氢气接触，则反射率产生变化。
5、如权利要求4所述的氢气检测装置，其特征在于，所述氢气传感器具有：透过光的基板；与氢气接触时反射率产生变化的反射膜。
6、如权利要求5所述的氢气检测装置，其特征在于，所述反射膜具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
7、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入到所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；
光源，其向所述光输入口输入光；
光传感器，其接收从所述光输出口输出的光并输出检测信号。
8、如权利要求7所述的氢气检测装置，其特征在于，所述第一及第二反射膜中与氢气接触时反射率产生变化的反射膜，具有：薄膜层，其形成于所述基板的表面或背面；催化剂层，其形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
9、一种氢气检测装置，其特征在于，具有：
多个氢气传感器，其具有透过光的基板、形成于所述基板的一侧的面上的第一反射膜、形成于所述基板的另一侧的面上的第二反射膜、将光输入所述基板的一侧的端部的光输入口、将从所述光输入口输入并在所述第一反射膜和所述第二反射膜交互地反射而到达所述基板的另一侧的端部的光向所述基板外部输出的光输出口，所述第一反射膜及所述第二反射膜中的任一个或双方与氢气接触时反射率产生变化；
光传送装置，其将所述多个氢气传感器作为光路进行级联连接；
光源，其向所述级联连接的光路输入端的氢气传感器的所述光输入口输入光；
光传感器，其接收从所述级联连接的光路输出端的氢气传感器的所述光输出口输出的光并输出检测信号。
10、如权利要求9所述的氢气检测装置，其特征在于，所述第一及第二反射膜中与氢气接触时反射率产生变化的反射膜是具有薄膜层和催化剂层的反射膜，该薄膜层形成于所述基板的表面或背面，该催化剂层形成于所述薄膜层的表面，与氢气接触时将所述薄膜层氢化，并使所述薄膜层的反射率产生变化。
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