JP2005326269A - ガス検知の方法およびガス検知装置 - Google Patents
ガス検知の方法およびガス検知装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005326269A JP2005326269A JP2004144726A JP2004144726A JP2005326269A JP 2005326269 A JP2005326269 A JP 2005326269A JP 2004144726 A JP2004144726 A JP 2004144726A JP 2004144726 A JP2004144726 A JP 2004144726A JP 2005326269 A JP2005326269 A JP 2005326269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- detection
- multilayer structure
- detection film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】特定のガスを吸着する第一の層と吸着の少ない第二の層から形成される多層膜を検知膜として利用、光路と垂直な方向に検知膜を入れ、ガス吸着により検知膜に発生する応力変化を、結合損失等として光学的に検知する。または、ガス吸着により検知膜に発生する応力を圧電素子や容量素子により電気的に検知する。
【選択図】図1(a)
Description
図1(a)、(b)は、本発明の1実施例となる片持ち梁構造透過型ガス検知装置の断面図である。白色光源1より検知光を光ファイバ2を通じて検知装置に導入する。ここで、3はU字型の光検出ブロックであり、精度良く位置合わせされた光ファイバ導入孔もしくはカップラから構成されており、導入した検知光が検知膜を経て、検出側ファイバに導入され、検出器7であるスペクトルアナライザや光出力計、フォトダイオード等により検知する仕組みとなっている。検知膜は、ガス吸着を妨げない構造で担持された触媒膜4、ガス吸着層5、支持基板6から成る多層構造となっており、本実施例では一方をU字型光検出ブロック3に固定した片持ち梁構造となっている。光検出ブロックについては別段U字型が必須という訳ではなく、検知膜を固定でき、且つ光検出のし易い構造のものであれば何の制限もない。また、ここで言うガス吸着を妨げない構造の触媒膜とは、例えば図2(a)〜(c)に示すような、島状(図2-(a)断面図)や網状(図2-(b)上面図)に担持する構造や検知膜の微細構造内にナノオーダサイズで分散して付着する(図2-(c)断面図)ような構造のことである。検知するガスが存在しない状態では、検知膜に変化はないため、検知膜を透過した光は結合良く検出側に到達する(図1(a))。しかし、検知ガス存在下では検知膜の特定ガス吸着層5がガス吸着による膨張を起こし、一方で、ほとんど変化の生じない支持基板6との間に応力が発生、多層構造検知膜は褶曲した形態となる。検知膜の形態変化に伴い、結合損失が発生し、検知光は検出側に到達困難となり、光強度が著しく低下することとなる(図1(b)、図3(a))。なお、図3においては、波長範囲1.2μmから1.8μmでの結果を示したが、本発明では特定波長における光吸収を検知する方式ではないため、波長依存性無くどんな波長の光でも光強度の変化を検知できることが大きな特徴である。これにより、光源1は高価な部品を用いる必要がなく、安価な電球やLED程度から場合によっては環境に存在する光を利用した光源レスシステム(図4)も可能となり、検知器自体のコスト低減にも大きく寄与する。なお、図1、3は、触媒膜4として蒸着により形成したPd、ガス吸着層5として1.0μm厚の有機金属CVD法により形成したWO3膜、支持基板6として0.2mmのガラス基板を用い、水素ガス検知の結果を示したものである。水素ガス濃度1%において、3dBm以上の大きな光強度変化が得られており、大気中の爆発限界が4%である水素については、漏洩検知センサとして十分な検知性能を有することが分かる。また、検知速度も十分高速である上、測定後大気中に戻すと速やかに測定前の結果に戻るため、繰り返し使用も可能である(図5)。長期間常温で使用すると大気中のガス成分を吸着し、感度や応答性が低下することがあるが、継続的もしくは断続的に検知膜の温度を50〜150℃の高温にすることで復帰が可能である(図6)。高温にさせるヒータについては、検知器外部から暖めても良いし、赤外や遠赤外光の照射により加熱しても良いが、図7(a)に示すように検知膜の裏面から薄膜ヒータ8のようなもので加熱するのが最も有効である。更に、支持基板6をガス吸着検知膜5と密着性が良く、且つガス吸着を起こしにくい抵抗体、例えば、金属酸化膜やシリサイド、窒化膜を用いても良いし(図7(b))、金属酸物であるガス吸着検知膜5に電極9を形成して検知膜5自体をヒーターとして用いることも可能である(図7(c))。また、通常のSnOx触媒式半導体センサでは区別のつかないCH4やCOに対しても反応は全くおこらず、測定ガスの選択性も極めて良好である(図8(a)、(b))。また、検知膜は金属酸化膜とガラスの積層構造が主体であるため、界面密着性が極めて良好であり、従来の金属吸着膜で見られた基板からの剥離もなく、二万回以上の繰り返し動作に耐える極めて信頼性の高い検知膜であることが確認されている。
図10(a)(b)は、本発明の1実施例となる片持ち梁構造反射型ガス検知装置の断面図である。本装置は入射側ファイバと受光側ファイバが同一の構造としてあるが、入射と受光を独立のファイバで行っても別段問題ない。LEDや白色光源等22より発せられた検知光はファイバ23を通り、光サーキュレータ24を経て、検知装置筐体21から検知膜に向けて垂直に入射される。検知膜は片持ち梁構造で1つの固定端により検知装置筐体21と接しており、検知膜は実施例1同様触媒膜4、吸着型検知膜5、支持基板6から構成されているが、反射型の場合、支持基板の裏面に更に光反射層25を追加した構造となっている。検知するガスの存在しない状況では図10(a)に示すように、検知膜に入射した光は検知膜表面の反射層25により入射した方向と同一の方向に反射され、戻り光となってファイバ23に取り込まれる。取り込まれた戻り光は光サーキュレータ24を経てスペクトルアナライザや光強度計、フォトダイオード等の検出器27により、光強度の変化等からガス濃度を検知するしくみとなっている。一方、検知ガスが存在する状況では、検出ガス取り入れ口26から侵入した検知対象ガスがガス吸着膜5により吸着、応力が発生し、変形を起こす。これに伴い、反射膜25により光が入射とは別の方向に反射され、ファイバ23との結合損失が発生、光強度変化により検知が可能となる。図11には本実施例を濃度1%の水素検知に応用した結果を示す。検知膜は、触媒膜4として蒸着法により形成したPt-Pd膜を、ガス吸着検知膜5には有機金属CVD法により形成したWO3膜を1mm厚のガラス基板6に被着し、更にガラス基板6裏面に反射膜25としてAlを300nmコーティングしたものを用いた。また、検知光としては1.56μmのLED光源を用い、光強時計27により検知した。濃度1%の水素ガスについて、6dBm以上の変化が得られ、大気解放後の戻り特性も良好であった。なお、ここでは反射膜25としてAlを用いたが、TiやAg等他の高反射率膜でも良く、更に、特定の波長に対する反射率を得られる多層反射膜や回折格子、フォトニック結晶等でも構わない。
図14(a)(b)は、本発明の1実施例である圧電素子を利用した応力式ガス検知装置の断面図である。検知膜は上記実施例1、2同様、触媒膜4と吸着式検知膜5、支持基板6の多層構造から形成されており、更に応力検知のため、支持基板6の裏面に上部電極41、圧電体膜42、下部電極43からなる圧電素子が付随している。検知ガスが存在しない場合には図13(a)のように応力は発生せず、圧電素子からの出力は無いが、検知ガスが存在する状況下では検知膜5にガスが吸着、膨張により多層膜に応力が発生、これにより圧電素子に起電力が生じる。第一の電極41と第二の電極43間の電圧を電位計44により測定することによりガス検知が可能となる。例えば、触媒膜4として蒸着法によるPd膜(15nm)を、検知膜5としてスパッタ法によるWO3膜(750nm)を、支持基板として300μmのSi(100)基板を用いた検知膜を使用し、第一の電極41がPt/Tiであり、圧電材料膜42がPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)、第二の電極43がPtから構成される圧電素子により水素ガス濃度の検知を行った結果が図15である。 ここで用いた検知膜の面積は9mm×9mmの大きさであり、リニアリティ良好に低濃度まで検知出来ていることが分かる。なお、ここでは圧電材料膜42としてPZTを用いたが、チタン酸バリウムや高分子圧電フィルム等圧電効果のあるものであれば同様の効果が期待できる。
図16(a)(b)は、本発明の1実施例である静電容量検知を利用した応力検知式ガス検知装置の断面図である。Si基板(100)51を加工した厚さ5μmのダイアフラム構造となっており、誘電体膜54が金属電極55との間に挟まれたキャパシタとなっている。ダイアフラムと誘電体膜54とのギャップは3μmであり、ガラス基板56上に積層された構造となっている。水素吸着により応力を発生させるPd/WO3検知膜52をSi基板51上に被着し、水素雰囲気中に置くと検知膜応力によりダイアフラムが変形、誘電体膜54に接触し、容量値変化により水素濃度を測定できる。図17に検知膜面積0.3mm×0.6mm時の水素濃度と容量値の関係を示す。水素濃度50〜100ppm程度まで高感度な検知が可能である上、装置の小型化が容易であるため、センサ本体の携帯機器への搭載も可能である。ダイヤフラム構造だけでなく、シャント構造でも容量検知が可能である。例えば、図18は水素検知膜5として有機金属CVD法により形成したWO3膜と熱CVD法により形成したSiO2支持膜6を用い、大きさ1.5μm×3.0μm触媒膜兼上部電極57をPtとPdの網目構造とし、下部電極58との間に誘電体膜54を用いたMEMS形式の応力検知容量式ガス検知装置であるが、素子小型化により1ppm〜50ppmの高感度検出が可能となっている。図18(a)、(b)が水素曝露前後の断面構造図、(c)が上から見た図である。
図19は、本発明の温度対照装置付き光学式応力検知型ガス検知装置を半導体基板上に搭載した1実施例である。SiやGaAs、InP等の半導体基板69上に導波路入力側62と出力側65、66を形成、その間に温度対照用の検知膜63、ガス検知用検知膜64を置き、同時に光強度を測定する。温度対照用検知膜63はガス検知膜に触媒膜を担持させていないだけで、検知膜構造はガス検知用検知膜64と同一の仕様である。触媒膜が存在しないことでガス吸着は発生せず、温度対照用検知膜63にかかる応力は温度変化により生ずるものである。従って、ガス検知膜64により測定した光強度変化と温度対照用検知膜63により測定した光強度の差分が実際の検知ガス濃度となる。図19では、半導体基板69裏面に薄膜ヒーター70を装備した装置を示したが、ヒーターにより長期安定使用が可能となる他、温度を一定に保持すればより精度の高い検知が可能である。実際に、半導体基板69にInP、導波路62、65、66としてInP系多層構造、温度対照検知膜63として幅1.5μm 、長さ3.0μm のWO3/SiO2多層構造膜、ガス検知膜64として幅1.5μm 、長さ3.0μm のPd/WO3/SiO2多層構造膜を利用し、波長1.55μmの赤外光源60を導入し、光強度計67、68により水素濃度検知を行ったところ、10ppm〜1%の水素濃度を±0.1%の精度で測定できた。
図23は、本発明の検知膜を用い表面弾性波を利用してガス検知を行う一実施例である。圧電効果を有する材料、例えば水晶等の基板80上に、Pb/WO3等水素を吸着する検知膜81を被着させ、更にIDT(すだれ状)電極入力側82、出力側83、接地電極84を設けた構造となっている。入力側電極82と接地電極84に高周波を入力すると表面弾性波が発生、検知膜81を経て出力電極83と接地電極84で信号を取り出す。この時、検知膜に検知ガスが吸着し応力変化が起こると表面弾性波は伝搬速度が変化するため、それに応じた周波数変化が生ずる。これを測定することにより極めて高感度な検出が可能である。
Claims (18)
- ガス吸着により体積膨張を起こす第1材料を少なくとも一層含む第1の層と前記第1材料に比較してガス吸着による体積膨張の少ない第2材料からなる第2の層とからなる多層構造検知膜を備え、
前記ガス吸着により前記多層構造検知膜に発生する応力または前記応力により生じた歪みを前記多層構造検知膜の主面に垂直な方向から入射する光と、前記多層構造検知膜を透過または反射する光との光強度変化、反射角度変化、光路長変化、偏光角変化、形状変化、もしくは屈折率変化のいずれかを用いて計測することを特徴とするガス検知の方法。 - ガス吸着により体積膨張を起こす第1材料を少なくとも一層含む第1の層と前記第1材料に比較してガス吸着による体積膨張の少ない第2材料からなる第2の層とからなる多層構造検知膜を備え、
前記多層構造検知膜は、触媒材料を担持、もしくは分散したWO3からなる検知膜を含む片持ち梁構造を有する積層膜からなり、前記ガス吸着により前記多層構造検知膜に発生する応力または前記応力により生じた歪みを前記多層構造検知膜の主面に垂直な方向から入射する光と、前記多層構造検知膜を透過または反射する光との光学的変化または前記多層構造検知膜に接して設けた圧電素子の電気的変化のいずれかを用いて計測することを特徴とするガス検知の方法。 - 前記多層構造検知膜は、触媒材料を担持、もしくは分散したWO3,TiO2,CuO,Cu2O,NiO,Ni2O3,SiO2,CaO,MgO,SrO,BaO,B2O3,BeO,Al2O3,MnO,MnO2,MoO2,Ga2O3,In2O3,Tl2O3,SnO2,GeO,PbO,PtO,Co2O3,SrO,SeO2,Ta2O5,TeO,As2O3,Sb2O3,Sb2O5,Bi2O3,Ag2O,Au2O3,ZnO,VO,V2O3,V2O5,HgO,Ru2O3,La2O3,ZrO2,CeO2,ThO2,Nd2O3,Pr2O3,Sm2O3,Ho2O3,Yb2O3,Lu2O3の群から選択された1または2以上の金属酸化膜、または前記金属酸化膜のいずれかが組み合わされて積層された積層膜もしくは前記金属酸化膜のいずれかと組み合わされてなる固溶体であることを特徴とした請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記第1の層に担持もしくは分散した触媒材料は、Cu,Ag,Mg,Zn,Ba,Cd,Hg,Y,La,Al,Ti,Zr,C,Si,Ge,Sn,Pb,V,Ta,Bi,Cr,Mo,W,Se,Te,Mn,Re,Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir,Os,Ptのいずれかの金属とこれらの酸化物、もしくは、これら複数の混合であることを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記第2の層は、Si,GaAs,InPのいずれかよりなる半導体基板または SiO2,Si3N4,WSi2,WSiN,Al2O3,AlN,ガラス,サファイア,フッ素樹脂,ポリエチレン,ポリプロピレン,アクリル樹脂,ポリイミド樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記多層構造検知膜の構造は、いずれか一方の端を固定した片持ち梁構造、二ヶ所以上の端を固定した両持ち梁構造、複数もしくは全周囲を固定した円形・多角形構造のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記第1の層として、熱膨張係数が同じか、またはほぼ同じで、且つガス吸着による膨張が少ない材料、または、前記第1の層に担持、もしくは分散した触媒金属を無くし、ガス吸着による体積膨張が起こらない構造にした多層膜構造を用いた対照素子により温度補正を行うことを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記多層構造検知膜を継続的、または、間欠的にヒーターもしくは赤外・遠赤外線照射により加熱することにより50℃〜300℃の温度に保つことにより、前記多層構造検知膜の検知性能を安定化することを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- ガス吸着により体積膨張を起こす第1材料を少なくとも一層含む第1の層と前記第1材料に比較してガス吸着による体積膨張の少ない第2材料からなる第2の層とからなる多層構造検知膜を備え、
前記多層構造検知膜に積層、もしくは接着した圧電材料が有する圧電効果を用いて、前記ガス吸着により前記多層構造検知膜に発生する応力または前記応力により生じた歪みの変化を電気的に計測するか、または前記多層構造検知膜を通過する表面弾性波の伝播速度の変化を用いて、前記多層構造検知膜に発生する応力または前記応力により生じた歪みの変化を計測することを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。 - 前記多層構造検知膜の一主面上に、第1電極と、圧電膜と、第2電極とからなる積層膜が形成され、前記ガス吸着による前記多層構造検知膜の応力または歪みの変化を前記第1電極と前記第2電極との間に発生する電圧・電流の変化を用いて計測することを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- 前記多層構造検知膜の一主面上に、第1電極と、誘電体膜と、第2電極とからなる積層膜が形成され、前記ガス吸着による前記多層構造検知膜の応力または歪みの変化を前記第1電極と前記第2電極との間に発生する電気的容量の変化を用いて計測することを特徴とする請求項1記載のガス検知の方法。
- ガス吸着により体積膨張を起こす第1材料を少なくとも一層含む第1の層と前記第1材料に比較してガス吸着による体積膨張の少ない第2材料からなる第2の層とを有する多層構造検知膜と、
前記多層構造検知膜の主面に照射する光を供給する光源と、
前記多層構造検知膜を透過した光または反射した光を受光する光検出器とを備え、
前記ガス吸着により前記多層構造検知膜に発生する応力または前記応力により生じた歪みを、前記多層構造検知膜の主面に垂直な方向から入射させた光と、前記多層構造検知膜を透過または反射した光との光強度変化、反射角度変化、光路長変化、偏光角変化、形状変化、屈折率変化のいずれかを用いて計測する手段を具備するガス検知装置。 - 前記多層構造検知膜は、触媒材料を担持、もしくは分散したWO3膜であることを特徴とした請求項12記載のガス検知装置。
- 前記多層構造検知膜は、触媒材料を担持、もしくは分散したWO3,TiO2,CuO,Cu2O,NiO,Ni2O3,SiO2,CaO,MgO,SrO,BaO,B2O3,BeO,Al2O3,MnO,MnO2,MoO2,Ga2O3,In2O3,Tl2O3,SnO2,GeO,PbO,PtO,Co2O3,SrO,SeO2,Ta2O5,TeO,As2O3,Sb2O3,Sb2O5,Bi2O3,Ag2O,Au2O3,ZnO,VO,V2O3,V2O5,HgO,Ru2O3,La2O3,ZrO2,CeO2,ThO2,Nd2O3,Pr2O3,Sm2O3,Ho2O3,Yb2O3,Lu2O3の群から選択された1または2以上の金属酸化膜、または前記金属酸化膜のいずれかが組み合わされて積層された積層膜もしくは前記金属酸化膜のいずれかと組み合わされてなる固溶体であることを特徴とした請求項12記載のガス検知装置。
- 前記第1の層に担持もしくは分散した触媒材料は、Cu,Ag,Mg,Zn,Ba,Cd,Hg,Y,La,Al,Ti,Zr,C,Si,Ge,Sn,Pb,V,Ta,Bi,Cr,Mo,W,Se,Te,Mn,Re,Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir,Os,Ptの群から選択されたいずれかの金属とこれらの酸化物、もしくは、これらの群から選択された1または2以上の金属の混合であることを特徴とする請求項12記載のガス検知装置。
- 前記第2の層は、Si,GaAs,InPのいずれかよりなる半導体基板または SiO2,Si3N4,WSi2,WSiN,Al2O3,AlN,ガラス,サファイア,フッ素樹脂,ポリエチレン,ポリプロピレン,アクリル樹脂,ポリイミド樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項12記載のガス検知装置。
- 前記第1の層を構成する金属酸化膜に電極を設けて抵抗素子とし、前記多層構造検知膜自体を加熱手段として用いることにより、前記多層構造検知膜の温度調節もしくは検知性能の安定化を行うことを特徴とする請求項12記載のするガス検知装置。
- 半導体基板上に第1の分岐と第2の分岐を有する入力側導波路と、前記第1の分岐から出力される光を受ける第1の出力側導波路と、前記第2の分岐からの光を受ける第2の出力側導波路とが形成され、
前記第1の分岐と前記第1の出力側導波路とを結ぶ光路上に、前記第1の層と熱膨張係数がほぼ同じで、且つガス吸着による膨張が少ない材料、または前記第1の層に触媒金属を担持もしくは分散しないことによりガス吸着による体積膨張が起こらない構造を有する多層膜構造を用いた対照素子を設け、
一方、前記第2の分岐と前記第2の出力側導導波路とを結ぶ光路上にガス吸着による膨張が大きな材料、または前記第1の層に触媒金属を担持もしくは分散することによりガス吸着による体積膨張が起こり易くした構造を有する多層構造検知膜を設け、前記対照素子を基準として前記多層構造検知膜の温度補正を行うことを特徴とする請求項12記載のガス検知装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004144726A JP2005326269A (ja) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | ガス検知の方法およびガス検知装置 |
US10/914,271 US20050186117A1 (en) | 2004-02-19 | 2004-08-10 | Gas detecting method and gas sensors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004144726A JP2005326269A (ja) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | ガス検知の方法およびガス検知装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005326269A true JP2005326269A (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=35472741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004144726A Pending JP2005326269A (ja) | 2004-02-19 | 2004-05-14 | ガス検知の方法およびガス検知装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005326269A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008039658A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Canon Inc | 可燃性ガス検出器、可燃性ガス検出器の製造方法、及び可燃性ガス検出器を搭載した燃料電池システム |
JP2011085576A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ水素センサ及びそれを備えた光ファイバ水素センサシステム |
US8084002B2 (en) | 2006-05-08 | 2011-12-27 | Vivacta Ltd. | Chemical sensing device |
KR101705699B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2017-02-13 | 인하대학교 산학협력단 | 산화 비스무트가 코팅된 산화 인듐 나노 막대 및 그 제조방법 |
KR101724782B1 (ko) | 2010-04-14 | 2017-04-18 | 가부시키가이샤 아쯔미테크 | 수소흡장 합금 및 이것을 사용한 수소센서 |
JP2017181442A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 京セラ株式会社 | 応力センサ |
KR102056358B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2019-12-16 | 호남대학교 산학협력단 | 광학형 수소센서 |
JP7304606B2 (ja) | 2017-08-10 | 2023-07-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 膜型表面応力センサーを用いた水素センサー及び水素検出方法 |
-
2004
- 2004-05-14 JP JP2004144726A patent/JP2005326269A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8084002B2 (en) | 2006-05-08 | 2011-12-27 | Vivacta Ltd. | Chemical sensing device |
JP2008039658A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Canon Inc | 可燃性ガス検出器、可燃性ガス検出器の製造方法、及び可燃性ガス検出器を搭載した燃料電池システム |
US8211586B2 (en) | 2006-08-09 | 2012-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Combustible gas detector, process for producing combustible gas detector, and fuel cell system equipped with combustible gas detector |
JP2011085576A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ水素センサ及びそれを備えた光ファイバ水素センサシステム |
KR101724782B1 (ko) | 2010-04-14 | 2017-04-18 | 가부시키가이샤 아쯔미테크 | 수소흡장 합금 및 이것을 사용한 수소센서 |
KR101705699B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2017-02-13 | 인하대학교 산학협력단 | 산화 비스무트가 코팅된 산화 인듐 나노 막대 및 그 제조방법 |
JP2017181442A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 京セラ株式会社 | 応力センサ |
JP7304606B2 (ja) | 2017-08-10 | 2023-07-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 膜型表面応力センサーを用いた水素センサー及び水素検出方法 |
KR102056358B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2019-12-16 | 호남대학교 산학협력단 | 광학형 수소센서 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20050186117A1 (en) | Gas detecting method and gas sensors | |
JP6010702B2 (ja) | ガスセンサ | |
KR100636463B1 (ko) | 분석 장치 | |
CA2645591C (en) | Hydrogen gas detector | |
US8547553B2 (en) | Fiber optic hydrogen purity sensor and system | |
US20140070082A1 (en) | Integrated photonic crystal structures and their applications | |
US20150369668A1 (en) | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor | |
JP4158076B2 (ja) | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 | |
JP2005326269A (ja) | ガス検知の方法およびガス検知装置 | |
US5591407A (en) | Laser diode sensor | |
CN211179521U (zh) | 一种小型谐振式红外混合气体探测器 | |
CN109916853A (zh) | 基于光纤光栅的激光红外光谱痕量物质探测装置及方法 | |
JP2003156643A (ja) | 光学素子及びそれを用いた計測装置 | |
JP3655904B2 (ja) | 光反射型センサ及びその構造 | |
US20190270640A1 (en) | Mems-component | |
CN112285025B (zh) | 基于tdlas检测的反射式探头装置及检测系统 | |
JP2007057233A (ja) | 光学式ガスセンサ | |
CN110596034B (zh) | 一种小型谐振式红外混合气体探测器 | |
JP5648892B2 (ja) | 光ファイバ水素センサ及びそれを備えた光ファイバ水素センサシステム | |
WO2011062034A1 (ja) | ガス検出装置 | |
CN114280011B (zh) | 一种表面等离子体共振二氧化氮气体传感装置 | |
JP2014142319A (ja) | 赤外線応用装置 | |
CN113866131A (zh) | 一种准分布式湿度在线监测系统 | |
JP2007218612A (ja) | 水素ガスセンサ | |
JP2002323441A (ja) | 水素ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20061211 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20080122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080610 |