CN101447404B - 半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 102
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 44
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 41
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 38
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 26
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 abstract description 20
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 abstract 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 63
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V1/00—Seismology; Seismic or acoustic prospecting or detecting
- G01V1/01—Measuring or predicting earthquakes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法和系统，包括：具有收纳容器的搬送机构的搬送区域；通过搬入搬出部从收纳容器取下盖并检测被处理体位置的检测机构；从搬送机构将收纳容器交至移载部的交接机构；设在热处理炉下方作业区域、将保持件支撑在盖体上并向热处理炉出入的升降机构；使分割搬送和作业区域的隔壁的开口部与移载部的收纳容器的盖同时开关的门机构；被处理体排列机构。经由通信线路发布的基于初期微动的紧急地震信息由接收部接收或初期微动检测部直接检测初期微动。控制部实行基于接收部接收的紧急地震信息或初期微动检测部检测的初期微动停止半导体制造装置运转的第一工序以及当门机构为打开状态时使其关闭的第二工序。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和地震受害扩散减轻系统。
背景技术
在半导体装置的制造中，存在对作为被处理体的半导体晶片施加氧化处理、成膜处理等各种处理的工序，作为实行上述处理的装置能够使用例如能够将多片晶片批量处理的半导体制造装置(也称为立式热处理装置)(例如参照专利文献1)。
该半导体制造装置具备以下部分而构成：搬送区域，具有从将作为储存多个晶片的储存装置的前端开启式传送盒(FOUP：FrontOpening Unify Pod，也称为载体)搬入搬出的装载端口(搬入搬出部)向保管搁板部和移载部搬送或者按其相反方向搬送的搬送机构；从搬入上述装载端口的前端开启式传送盒的前部取下可装卸的盖并检测前端开启式传送盒内的晶片的位置的晶片计数器(检测机构)；从上述搬送机构向移载部交接前端开启式传送盒的前端开启式传送盒抓取器(交接机构)；升降机构，设置在比热处理炉的炉口更靠下方处形成的装载区(作业区域)、对在开关上述炉口的盖体上沿着上下方向对将多片晶片以规定间隔搭载的容器(保持件)进行支撑并搬入搬出热处理炉；将设置在隔开上述搬送区域和装载区的隔壁的开口部与上述移载部上的前端开启式传送盒一同开关的门机构；由上述装载区一侧收容晶片并将其圆周上的标记例如缺口(缺口部)的位置对齐的缺口对准器(排列机构)。
但是，上述晶片价格较高，随着处理工序的进行，制造成本增大。因此，需要慎重采用。
专利文献1：日本特开2000-150400号公报
但是，在上述的批量式的半导体制造装置中，在装置的结构上，存在硬件和软件方面的各种制约，存在难以具有耐震结构和耐震功能，没有充分的耐震对策的现状。因此，地震发生后，装置经受大幅度摇晃，担心会发生端口倒塌、晶片从端口部脱落破损、气体泄漏等受害。当发生上述受害时，到恢复作业为止复原装置需要很长时间，受害极大。因此，为了解决相关问题，本申请人首先提出了关于半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和地震受害扩散减轻系统的申请(专利申请2007-208863，未公开)。
但是，上述申请相关的发明并不能充分覆盖半导体制造装置整体。例如，在装载端口和移载部，存在前端开启式传送盒的盖被取下成为开放状态的情况，在此情况下一旦经受由地震引起的剧烈晃动，存在晶片从前端开启式传送盒内飞出，飞出的晶片落地导致破损的情况。
此外，如果利用搬送机构搬送前端开启式传送盒时，若经受由地震引起的剧烈晃动，则担心前端开启式传送盒落地，使盒内的晶片破损。此外，还担心通过前端开启式传送盒抓取器将前端开启式传送盒载置到移载部时发生地震，前端开启式传送盒从载置部落下，使盒内的晶片破损。
而且，在热处理后，如果将端口从热处理炉卸下(搬出)时发生地震，则担心晶片从端口内飞出并落下破损。如果晶片破损飞散到装载区内，则担心细微的碎片可能会被各驱动部卷入。
此外，由于在半导体制造装置中，具有将热处理炉加热到高温的加热器(加热装置)、在热处理炉内排气减压的泵类、向热处理炉内供给含有危险气体的处理气体以及不活泼性气体的气体类，因此，在减轻因地震导致的包括人受害在内的受害扩散时，要求同时重视安全和早期恢复。
发明内容
本发明考虑到上述问题，其目的在于：提供一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法和地震受害扩散减轻系统，其能够预知地震发生，防止开放中被处理体从收纳容器飞出，防止搬送中收纳容器落下，以及搬出途中被处理体从保持件飞出，能够将受害抑制在最小限度，缩短恢复时间。
本发明提供了一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，该半导体制造装置包括：将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；具有炉口的被处理体的热处理炉；配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，搬送区域具有：收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，作业区域具有：将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法的特征在于，包括：接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序；基于接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的第一工序；和与该第一工程并行，当上述门机构为打开状态时使该门机构进行关动作的第二工序。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：上述热处理炉具备：加热器、减压泵、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，上述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭上述加热器和上述减压泵，关闭上述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器和/或减压泵保持为打开的状态，使上述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使上述处理气体的阀关闭。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：上述热处理炉具备：加热器、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，上述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭上述加热器，关闭上述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器保持为打开的状态，使上述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使上述处理气体的阀关闭。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：半导体制造装置还具备从上述搬入搬出部的收纳容器取下盖并检测被处理体的位置的检测机构，上述第二工序包括：当上述检测机构工作时使该检测机构返回初始状态并关闭盖。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：半导体制造装置具备从上述作业区域一侧收容被处理体并将其圆周上的标记的位置对齐的排列机构，上述第二工序包括：使设置在上述排列机构的中心位置对齐机构动作从而限制被处理体。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：上述第二工序包括：上述搬送机构进行升降动作时使该搬送机构移动到下降最低的位置并停止。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：搬送装置具有搬送臂，上述第二工序包括：当上述搬送机构伸展搬送臂将收纳容器载置到保管搁板部时或者由保管搁板部取出时，使搬送臂保持为伸展的状态。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：半导体制造装置具备从上述搬送机构向移载部交接的交接机构，上述第二工序包括：当上述交接机构将收纳容器向移载部交接时，使交接机构保持为把持收纳容器的状态。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：上述第二工序包括：当上述升降机构将保持件从热处理炉内搬出时，将该保持件再次搬入热处理炉内。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：半导体制造装置具备：为了实行上述被处理体的移载而载置保持件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁住的锁定机构，上述第二工序包括：当保持件被载置在上述保持件载置台上时，上述锁定机构将上述保持件锁住。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，该半导体制造装置包括：将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；具有炉口的被处理体的热处理炉；和配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，搬送区域具有：收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，作业区域具有：将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，该半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统的特征在于，包括：接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息的接收部或者直接检测初期微动的初期微动检测部；和控制部，实行基于通过初期微动检测接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动而停止热处理炉的运转的第一工序以及当上述门机构为打开状态时使该门机构进行关动作的第二工序。
本发明为一种半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：上述热处理炉具备加热器、减压泵、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，上述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，使上述加热器和/或上述减压泵关闭，使上述处理气体和不活泼性气体的阀关闭，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器和/或减压泵保持为打开的状态，使上述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使上述处理气体的阀关闭。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：上述热处理炉具备：加热器、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，上述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭上述加热器，使上述处理气体和不活泼性气体的阀关闭，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器保持为打开的状态，使上述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使上述处理气体的阀关闭。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：半导体制造装置还具备从上述搬入搬出部上的收纳容器取下盖并检测收纳容器内的被处理体的位置的检测机构，上述第二工序包括：当上述检测机构动作时，使该检测机构恢复初始状态关闭盖。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：半导体制造装置具备从上述作业区域一侧收容被处理体并将其圆周上的标记的位置对准的排列机构，上述第二工序包括：启动设置在上述排列机构的中心位置对齐机构限制被处理体。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：上述第二工序包括：当上述搬送机构进行升降动作时，使该搬送机构移动到下降最低的位置并停止。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：搬送装置具有搬送臂，上述第二工序包括：当上述搬送机构当伸展搬送臂将收纳容器载置到保管搁板部时或者由保管搁板部取出时，使搬送臂保持为伸展的状态。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：半导体制造装置具备从上述搬送机构向移载部交接收纳容器的交接机构，上述第二工序包括：当上述交接机构将收纳容器交接至移载部时，使交接机构保持为把持收纳容器的状态。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：上述第二工序包括：当上述升降机构将保持件由热处理炉内搬出时，将该保持件再度搬入热处理炉内。
本发明为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：半导体制造装置具备：为了实行上述被处理体的移载而载置保持件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁住的锁定机构，上述第二工序包括：当保持件被载置在上述保持件载置台上时，上述锁定机构将上述保持件锁住。
根据本发明，利用在主要震动(S波)发生的十几秒前被检测到并经由通信线路发布的初期微动(P波)的紧急地震信息或者直接检测出初期微动而停止半导体制造装置的运转。与此并行，当上述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作。因此，能够防止因地震引起的被处理体从收纳容器飞出以及因飞出导致的落下破损，能够将受害抑制在最小限度且能够缩短恢复时间。
附图说明
图1是简要表示作为本发明的实施方式的半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统的图。
图2是图1的半导体制造装置的横截面图。
图3(a)～(f)是说明装载端口部的前端开启式传送盒(FOUP)的开关动作的说明图。
图4(a)、(b)是说明在晶片移载部实行前端开启式传送盒的盖的开关的门机构的开关动作的说明图。
图5是简要表示缺口对准器的一例的立体图。
图6(a)～(d)是用于说明缺口对准器的动作的说明图。
图7(a)、(b)是用于说明前端开启式传送盒搬送机构的升降动作的说明图。
图8是表示前端开启式传送盒搬送机构的臂伸展时的状态的图。
图9(a)、(b)是说明晶片移载部的地震时的前端开启式传送盒抓取器的动作的说明图。
图10(a)、(b)是说明从热处理炉的容器卸下过程中的地震时的动作的说明图。
图11(a)～(c)是简要表示第一载置台上的容器的图，其中，图11(a)是立体图，图11(b)是省略容器的顶板和支柱的状态的放大平面图，图11(c)是图11(b)的c—c线截面图。
图12是简要表示作为本发明的其他实施方式的半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统的图。
具体实施方式
以下，对于实施本发明的最优的方式，基于附图详细说明。图1是简要表示作为本发明的实施方式的一例的半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统的图，图2是图1的半导体制造装置的横截面图，图3是用于说明装载端口部的前端开启式传送盒(FOUP)的开关动作的说明图。
在上述图中，标号1为设置在清洁室内的半导体制造装置，例如立式热处理装置，该热处理装置1具备形成装置的外轮廓的筐体2。在该筐体2内配置有：将作为收纳被处理体(半导体晶片)W并且具有盖的收纳容器的前端开启式传送盒3搬入搬出的搬送区域Sa；具有炉口5a的晶片W的热处理炉5；和配置在热处理炉5的下方、通过具有开口部34的隔壁6而与搬送区域Sa相分割的装载区(作业区域)Sb。搬送区域Sa具有：作为收纳多片半导体晶片W的收纳容器的前端开启式传送盒3用的装载端口(搬入搬出部)7、保管搁板部11、和移载台(移载部)12。在装载区Sb中，实行将多片例如100～150片左右的晶片W在上下方向以指定的间隔搭载的容器(晶舟)(保持件)4和上述移载台12上的前端开启式传送盒3之间的晶片W的移载作业和向热处理炉5的容器4的搬入、搬出。
上述前端开启式传送盒3，其为能够将指定口径例如直径300mm的晶片w在水平状态沿上下方向以指定间隔储存多片例如13～25片左右并能够搬送的塑料制的容器，在其前面部分形成开口的晶片取出口具备用于将其密封(气密密封)的可装卸的盖3a。在盖3a的前面部分设置有设置在盖3a上的锁机构的键孔(省略图示)。此外，通过将键部件插入上述键孔并转动而能够使盖3a开锁，作为将该盖对于前端开启式传送盒装卸的装置，能够使用例如日本特开2002-353289号公报等记载的盖装卸装置，该盖装卸装置设置在装卸口7和门机构15上。
在上述筐体2的前部，设置有通过操作员或者搬送机器将前端开启式传送盒3搬入搬出用的上述装载端口(搬入搬出部)7。该装载端口7由：设置在筐体内的前部、载置前端开启式传送盒3用的载置台8，和在筐体2的前面部分形成、且对于载置台8搬入搬出前端开启式传送盒3用的开口部9构成。优选在该开口部9上安装能够升降的门10。
在上述装载端口7的载置台8的后部设置有打开前端开启式传送盒3的盖3a以检测晶片W的位置和片数的检测机构32。该检测机构32具有上述的盖装卸装置。此外，如图3所示，检测机构32具备：根据在左右隔开间隔相对的出射光部32a和入射光部32b之间展开的光线32c是否被前端开启式传送盒3内的晶片W遮挡以检测出晶片W是否存在的检测头32x、以及将该检测头32x经由操作棒32y上下升降以及前后进退的未图示的驱动部。
在搬送区域Sa内的上述隔壁6一侧，为了实行晶片的移载，设置有载置前端开启式传送盒3的移载台12，在该移载台12的上方和上述载置台8的上方设置有用于保管多个前端开启式传送盒3的保管搁板部11。
上述搬送机构13由：通过设置在搬送区域Sa的一侧部分上的升降机构13a进行升降移动的升降臂13b、和设置在该升降臂13b上、支撑前端开启式传送盒3的底部向水平方向搬送的搬送臂13c构成。
搬送区域Sa成为由未图示的空气净化机(fan filter unit)净化后的大气气氛。装载区Sb通过设置在其一侧的空气净化机(fan filter unit)14净化，使其变为增压的大气气氛或者不活泼性气体(例如N2气体)气氛。在搬送区域Sa中，设置有由上述搬送机构13向移载台12交接前端开启式传送盒3的前端开启式传送盒抓取器(交接机构)33。如图2、图9所示，该前端开启式传送盒33主要由通过设置在搬送区域Sa的一侧部分的升降机构33a进行升降移动的升降臂33b、以及设置在该升降臂33b上、把持前端开启式传送盒3的上部支撑部3x的把持机构33c构成。前端开启式传送盒抓取器33从搬送机构13接收前端开启式传送盒3后待机，通过搬送机构13将前端开启式传送盒3由移载台12向保管搁板部11或者装载端口7的载置台8搬送期间，将下一个前端开启式传送盒3放置在移载台12，实现搬送作业的效率化。
在上述隔壁6，如图4所示，设置有使载置在移载台12上的前端开启式传送盒3的前面部从搬送区域Sa一侧搭接，将前端开启式传送盒3内和装载区Sb内连通用的开口部34，并且设置有具有将该开口部34由装载区Sb一侧闭锁的门15a的门机构15。开口部34形成为与前端开启式传送盒3的前面开口(晶片取出口)大致相同的口径，能够从开口部34搬入搬出前端开启式传送盒3内的晶片W。门机构15构成为使门15a向左右方向滑动以开关开口部34，在上述门15a组合安装上述盖装卸装置。此外，在上述移载台12上，设置有使前端开启式传送盒3的前面部分搭接在开口部34的周边缘部以对其进行按压的未图示的按压机构。
在上述移载台12的下方，设置有用于将作为为了对齐结晶方向而设置在晶片W的周边缘部的标记的缺口(切口部)沿一个方向排列的缺口对准器(排列机构)16。该缺口对准器16构成为与装载区Sb一侧相邻开放，通过后述的移载机构24排列由移载台12上的前端开启式传送盒3移载的晶片W的缺口。
如图5至图6所示，缺口对准器16具备：具有将多片例如5片晶片在周边缘部沿上下方向以指定的间隔支撑的平面观察由4个块(block)组成的支撑体35的中心位置对准机构36，将由上述支撑体35支撑的各晶片W的下表面中央部分举起以使各晶片水平旋转的旋转机构37，以及检测各晶片的缺口的传感器38。传感器38检测到缺口时，停止由旋转机构37进行的晶片的旋转，排列缺口。上述支撑体35，沿着上下方向按照指定间隔具备多片例如5片截面L字形的支撑片39，通过支撑片39的水平面39a接收晶片W的周边缘部的下表面，由支撑片39的垂直面39b规制晶片的周边缘部的位置。
中心位置对准机构36，如图6b所示，通过使支撑体35通过移动机构向互相接近的方向移动，对晶片W的中心位置进行定位。此外，使用该中心位置对准机构36，如后所述当地震发生时限制晶片以防止晶片飞出。此外，在图6中，图6(a)为将晶片在支撑体的支撑片上载置的图，图6(b)为使支撑体相互靠近对晶片的中心位置定位后的图。图6(c)为使旋转机构上升支撑晶片的状态的图，图6(d)为使支撑体互相隔开间隔通过旋转机构旋转晶片的状态的图。
另一方面，在装载区Sb的内部上方，设置有在下部具有炉口5a的立式热处理炉5。此外，在装载区Sb中设置有升降机构18，将沿上下方向按指定间隔搭载有多片例如100～150片左右的晶片W的例如石英制的容器4载置在盖体17的上部，实行向热处理炉5内的搬入搬出和开关炉口5a的盖体17的升降。在盖体17的上部，载置有当其闭塞时抑制来自炉口5a部分的放热的保温筒(遮热体)19，在该保温筒19的上部载置有容器(晶舟(boat))4。在上述盖体17上设置有经由保温筒19旋转容器4的旋转机构20。在炉口5a的附近，使盖体17开放以在搬出热处理后的容器4时遮挡炉口5a用的闸21设置为能够沿水平方向开关(能够旋转)。该闸21具有使其沿水平方向旋转移动开关的未图示的闸驱动机构。
在装载区Sb的一侧即空气净化机14一侧，设置有为了移载晶片W等而载置容器4的容器载置台(保持件载置台，也称为容器台载置台)22。该容器载置台22可以为一个，但是优选该容器载置台22由如图2所示沿着空气净化机14前后配置的第一载置台(充电台)22a和第二载置台(备用台)22b这两个台组成。
在装载区Sb内的下方，设置有在移载台12和热处理炉5之间，容器载置台22和盖体17之间，具体来说在容器载置台22的第一载置台22a或者第二载置台22b与下降的盖体17之间，以及第一载置台22a和第二载置台22b之间，实行容器4的搬送的容器搬送机构23。此外，在该容器搬送机构23的上方，设置有在移载台12上的前端开启式传送盒3和容器载置台22上的容器4之间，具体来说移载台12上的前端开启式传送盒3和缺口对准机构16之间，缺口对准机构16和容器载置台22的第一载置台22a上的容器4之间，以及第一载置台22a上的热处理后的容器4和移载台12上的空的前端开启式传送盒3之间，实行晶片W的替换用的移载机构24。
容器4如图11的(a)所示在顶板4a和底板4b之间设置多根例如4根支柱4c，底板4b形成为平面圆环状，在底板4b的下部设置有比底板4b半径更小的缩径部4d。容器搬送机构23使容器4的底板4b的缩径部4d由平面C字形的保持部23a(参照图2)保持，搬送容器4。在上述支柱4c形成将晶片沿上下方向以指定间隔保持的未图示的沟部。正面一侧的左右的支柱4d之间为了搬入搬出晶片而扩展开。
在第一载置台22a设置有将容器4锁在第一载置台22a上的锁定机构65。该锁定机构65具备在第一载置台22a的上部突出配置的位于上述容器4的底板4b的开口部4e的内侧的一对的辊45a、通过使上述辊45a相互隔开间隔或者接近移动被上述底板4b的开口部4e的内周按压或者背离而锁定或解锁的驱动部例如气缸45b。该锁定机构45构成为在第二工序由上述控制部29控制。
上述移载机构24，将在能够水平旋转的基台24a上载置半导体晶片的多片例如5片薄板状的移载臂24b设置为能够进退，为了避免和搬送时的容器4之间的干涉，构成为由图2中虚线所示的作业位置A向实线所示的避让位置B经由旋转臂25能够沿横方向避让。作为上述移载臂24b，优选5片中的中央的单片载置用的一片的移载臂与其他4片的移载臂在基台24a上设置为能够独立进退，并且其他4片移载臂以中央的移载臂为基准沿上下方向构成为能够变换间距。旋转臂25的基部一侧，与设置在装载区Sb的另一侧的未图示的升降机构连接，由此移载机构24能够升降。
上述热处理炉5，如图1所示其具备例如上端闭塞、下端开口的圆筒状的石英玻璃制的处理容器(反应管)50、和设置为覆盖该处理容器50的四周的加热器51。在处理容器50的下端部分，连接有供给处理气体和不活泼性气体(例如N2气体)的气体导入管部和具有排气管部的圆筒状的歧管52，在气体导入管部连接有供给处理气体和不活泼性气体的气体供给管53a、53b，在排气管部连接有排气管54。
在上述气体供给管53a、53b设置有开关用的阀55a、55b。在上述排气管54，开关用的主阀门56、压力调节阀57、排气肼58、减压泵59等按照顺序连接。此外，在使装载区Sb成为不活泼性气体(例如N2气体)气氛的立式处理装置中，在装载区Sb连接有供给不活泼性气体的气体供给管61，在该玻璃供给管61设置有阀62。
为了从地震中保护上述构成的立式热处理装置1，立式热处理装置1的地震受害扩散减轻方法具备：接收基于经由通信线路26发布的初期微动(P波)的紧急地震信息的工序，基于该紧急地震信息停止上述立式热处理装置1的运转的第一工序，以及与该第一工序并行、防止晶片W的飞出、当上述门机构15为打开状态时使该门机构15进行关闭动作的第二工序。此外，实行该方法的地震受害扩散减轻系统27具备：接收基于经由通信线路26发布的初期微动(P波)的紧急地震信息的接收部28，和实行基于由该接收部28得到的紧急地震信息停止立式热处理装置1的运转的第一工序以及防止晶片W的飞出、当上述门机构15为打开状态时使该门机构15进行关闭动作的第二工序的控制部29。
作为上述紧急地震信息，能够使用气象厅提供的紧急地震速报和第三者机关提供的紧急地震检测系统等。地震由为纵波且速度快(每秒7k～8km)的P波(Primary(初级))组成的细微晃动的初期微动、为横波且速度慢(每秒3k～4km)的S波(Secondary(次级))组成的较大的晃动的主要震动构成。对通过设置在全国各地的多个地震计30收集的P波的数据进行处理，算出震源、震度和S波的到达时间，该地震信息由发送部31经由有线线路和卫星线路26发布，该地震信息被上述接收部28接收。由此，剧烈晃动的本震的数秒前十几秒获得预想震度，能够事先做好本震的准备。优选控制部29构成为，设定指定的阈值(例如预测震度5)，当超过该阈值时实行地震受害扩散减轻方法。上述阈值能够考虑建屋的耐震强度等由用户任意设定。此外，在泵类和气体类的避让动作中，为了同时注重安全和早期恢复，优选将预测震度等级分为预测震度大(指定震度以上)例如震度为5强以上和预测震度小(未达到指定震度例如震度为5弱以下)的情况，当预测震度为规定值以上的情况下，实行将人和物的受害抑制在最小限度的重视安全的装置(半导体制造装置)的停止，当预测震度未达到规定值的情况下，实行以早期恢复为前提的装置。
基本上，在上述第一工序中，将上述热处理装置1的电源(主电源)、气体线路断开。此外，主电源也可以保持到本震(S波)之前为止。在第一工序(P波)切断主电源的情况下，在包含为防止晶片飞出而驱动的盖装卸装置的检测机构32、门机构15、缺口对准器16、升降机构18、防止前端开启式传送盒3落下而驱动的搬送机构13和前端开启式传送盒33中确保备用电源。
具体来说，在上述第一工序中，当预测震度为规定值以上时，由于实行了将人和物的受害抑制在最小限度的重视安全的装置的停止，关闭上述加热器51和上述减压泵59，关闭上述处理气体(实气体)和不活泼性气体的阀55a、55b。此外，优选关闭主阀门56。
当预测震度未达到规定值时，由于实行了以早期恢复为前提的装置的停止，使上述加热器51和减压泵59保持为打开(On)，使上述不活泼性气体的阀55b保持为打开(On)，使上述处理气体的阀55a保持为关闭。此外，优选排气管54的主阀门56保持为打开。在此，使加热器51保持为打开(On)的状态指的是，使加热器51的电源保持为打开的状态(接通(On))，将加热器51的温度保持为设定温度。此外，使不活泼性气体的阀55b保持为打开的状态指的是，例如，周期吹扫(为了使处理容器中的氧气浓度在短时间内降到一定值以下，反复进行N2的供给、停止和抽真空)、稀释排气(将处理容器内的处理气体排气的情况下，使用N2稀释的同时排气)、或者持续向装载区内供给N2。此外，包含主阀门56的阀门55a、55b、62的开关，加热器51和减压泵59的开关控制，基于预测震度由控制部29实行。
另一方面，在本实施方式中，在上述第二工序中，构成为通过控制部29上述门机构15为打开状态【参照(a)】时使该门机构15进行关闭动作【参照(b)】。
根据由以上结构组成的地震受害扩散减轻方法或地震受害扩散减轻系统27，使用距主要震动(S波)的数秒的十几秒前检测到并经由通信线路26发布的基于初期微动(P波)的紧急地震信息，停止立式热处理装置1的运转。与此并行，如图4所示，上述门机构15为打开状态【参照(a)】时使该门机构15进行关闭动作【参照(b)】。因此，能够防止因地震引起晶片W由移载台12上的前端开启式传送盒3飞出从而导致晶片W破损等物品受害和装置恢复的时间损失的扩大。
特别，上述热处理炉5具备加热器51、减压泵59、供给处理气体和不活泼性气体的阀55a、55b。上述第一工序包含：当预测震度为规定值以上时，关闭上述加热器51和上述减压泵59，关闭上述处理气体和不活泼性气体的阀55a、55b，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器51和减压泵59保持为打开(On)的状态，使上述不活泼性气体的阀55b保持为打开，使上述处理气体的阀55a保持为关闭。因此能够同时进行在泵类和气体类的避让动作中的安全重视以及早期恢复重视。
将应恢复装置的电源再度投入时，由操作员确认装置的状态、晶片的状态、容器的状态。操作员判断装置是否能够继续运转，在无法运转的情况下实施无法继续运转的原因(例如，晶片过载、晶片的破损和位置偏移、容器的破损和位置偏移、气体泄漏、漏水、漏电)的对策，确认启动装置的条件(例如，处理气体类的阀类和减压泵的动作、搬送类的动作)备齐后，启动装置。
优选在上述第二工序中包含：如图3所示，打开前端开启式传送盒3的盖3a【参照(b)、(e)】，在使检测机构32的检测头32x接近前端开启式传送盒3内的晶片W实行检测【参照(c)、(d)】的途中停止，使检测头32x返回下方的原来的位置(原有位置)HPa，关闭前端开启式传送盒3的盖3a【参照(a)、(d)】。由于上述检测机构32动作时使该检测机构32返回初始状态，关闭上述盖3a，能够防止因地震引起晶片W由前端开启式传送盒3飞出从而导致晶片W破损等物品受害和装置恢复的时间损失的扩大。此外，由于使上述检测机构32的检测头32x返回原有位置HPa，能够使半导体制造装置1迅速回归。
此外，优选在上述第二工序中包含：如图5、图6(b)和(c)所示，使设置在上述缺口对准器16的中心位置对齐机构36动作从而限制晶片W。由此，能够防止因地震引起的晶片W由缺口对准器16飞出从而导致晶片W的破损等物品受害和装置恢复的时间的损失的扩大于未然。
优选在上述第二工序中包含：如图7的(a)、(b)所示，上述搬送机构13在进行升降动作时使该搬送机构13移动停止到下降最低的位置即原有位置HPb。由此，能够防止因地震引起的前端开启式传送盒3由高位置的搬送机构13的搬送臂13c落下，能够防止因前端开启式传送盒3的落下导致晶片W的破损等物品的受害于未然。此外，搬送机构13在升降动作之外，例如如图8所示，伸展搬送臂3c将前端开启式传送盒3载置在保管搁板部11时或者从保管搁板部11取出时，在第二工序不实行将搬送机构13下降到降到最低位置的控制，使搬送臂13c保持为伸展的状态。
优选在上述第二工序中，如图9的(a)、(b)所示，当前端开启式传送盒抓取器33将前端开启式传送盒3交接至移载台12时，前端开启式传送盒抓取器33的把持机构33c打开从而解放前端开启式传送盒的情况下，再次关闭把持机构33c，使前端开启式传送盒保持为被把持的状态。由此，能够防止前端开启式传送盒3从移载台12上落下，能够防止因前端开启式传送盒3的落下导致晶片W的破损等物品受害于未然。
而且，优选在上述第二工序中包含：如图10的(a)、(b)所示，上述升降机构18将容器4由热处理炉5内搬出时，将该容器4再次搬入热处理炉5内。由此，能够防止从热处理炉5卸下容器4时，因地震引起的晶片由容器4中飞出，同时还能够防止因晶片飞出导致晶片破损等物品受害和装置恢复的时间损失的扩大于未然。
此外，优选在上述第二工序中包含：如图11所示，在作为上述容器载置台的第一载置台22a上载置容器4时，上述锁定机构45将上述容器4锁定。由此能够防止第一载置台22a上的容器4翻倒。
图12是大致地表示作为本发明的其他实施方式的半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统的一例的图。在图12的实施方式中，与图1的实施方式的同一部分附加相同符号并省略其说明。本实施方式的立式热处理装置1具备：作为直接检测初期微动的初期微动检测部的地震计60，和实行基于检测的初期微动停止立式热处理装置1的运转的第一工序以及当上述门机构15为打开状态时使该门机构15进行关闭动作的第二工序的控制部29。上述地震计60，优选设置在筐体2内，也可以设置在工厂用地。根据本实施方式，能够在不接收紧急地震信息的情况下自动检测初期微动，能够预知地震的发生，防止晶片由前端开启式传送盒内飞出以及因飞出导致的晶片破损，将受害抑制在最小限度。
以上，根据附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但本发明并不仅限于上述实施方式，能够在不脱离本发明主旨的范围内进行各种设计变更。例如，本发明相关的半导体制造装置中的地震受害扩散减轻系统还可以构成为：具备基于经由通信线路发布的初期微动接收紧急地震信息的接收部、直接检测初期微动的初期微动检测部，选择性地切换使用上述接收部和检测部。
在上述实施方式中，展示了具有减压泵的热处理装置(例如CVD装置)，本发明还能够适用于不具有减压泵的热处理装置(例如扩散装置)，在此情况下，作为热处理炉的排气单元能够使用例如工厂排气系统。
Claims (20)
1.一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，所述半导体制造装置包括：
将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；
具有炉口的被处理体的热处理炉；和
配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，
搬送区域具有：收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，
作业区域具有：将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，
该半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法的特征在于，包括：
接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序；
基于接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的第一工序；和
与该第一工序并行，当所述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作的第二工序。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
所述热处理炉具备：加热器、减压泵、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，所述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭所述加热器和所述减压泵，关闭所述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未达到规定值时，使所述加热器和/或减压泵保持为打开的状态，使所述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使所述处理气体的阀关闭。
3.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
所述热处理炉具备：加热器、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，所述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭所述加热器，关闭所述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未达到规定值时，使所述加热器保持为打开的状态，使所述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使所述处理气体的阀关闭。
4.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
所述半导体制造装置还具备从所述搬入搬出部上的收纳容器取下盖并检测收纳容器内的被处理体的位置的检测机构，所述第二工序包括：当所述检测机构在工作时使该检测机构返回初始状态并关闭盖。
5.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
半导体制造装置具备从所述作业区域一侧收容被处理体并将其圆周上的标记的位置对齐的排列机构，所述第二工序包括：使设置在所述排列机构上的中心位置对齐机构动作从而限制被处理体。
6.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
所述第二工序包括：当所述搬送机构进行升降动作时，使该搬送机构移动到下降最低的位置并停止。
7.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
搬送装置具有搬送臂，所述第二工序包括：当所述搬送机构伸展搬送臂将收纳容器载置在保管搁板部上时或者从保管搁板部取出时，使搬送臂保持为伸展的状态。
8.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
半导体制造装置具备从所述搬送机构向移载部交接收纳容器的交接机构，所述第二工序包括：所述交接机构将收纳容器向移载部交接时，使交接机构保持为把持收纳容器的状态。
9.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
所述第二工序包括：当所述升降机构将保持件从热处理炉内搬出时，将该保持件再次搬入到热处理炉内。
10.如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于：
半导体制造装置具备：为了实施所述被处理体的移载而载置保持件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁定的锁定机构，所述第二工序包括：当保持件被载置在所述保持件载置台上时，所述锁定机构将所述保持件锁定。
11.一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，所述半导体制造装置包括：
将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；
具有炉口的被处理体的热处理炉；和
配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，
搬送区域具有：收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，
作业区域具有：将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，
该半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统的特征在于，包括：
接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息的接收部或者直接检测初期微动的初期微动检测部；和
控制部，实施基于根据初期微动检测接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动而停止热处理炉的运转的第一工序以及当所述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作的第二工序。
12.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
所述热处理炉具备：加热器、减压泵、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，所述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，使所述加热器和/或所述减压泵关闭，使所述处理气体和不活泼性气体的阀关闭，当预测震度未达到规定值时，使所述加热器和/或减压泵保持为打开的状态，使所述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使所述处理气体的阀关闭。
13.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
所述热处理炉具备：加热器、以及供给处理气体或者不活泼性气体的阀，所述第一工序包括：当预测震度为规定值以上时，关闭所述加热器，关闭所述处理气体和不活泼性气体的阀，当预测震度未达到规定值时，使所述加热器保持为打开的状态，使所述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使所述处理气体的阀关闭。
14.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
半导体制造装置还具备从所述搬入搬出部上的收纳容器取下盖并检测收纳容器内的被处理体的位置的检测机构，所述第二工序包括：当所述检测机构工作时，使该检测机构返回初始状态并关闭盖。
15.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
半导体制造装置具备从所述作业区域一侧收容被处理体并将其圆周上的标记的位置对齐的排列机构，所述第二工序包括：使设置在所述排列机构的中心位置对齐机构动作从而限制被处理体。
16.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
所述第二工序包括：当所述搬送机构进行升降动作时，使该搬送机构移动到下降最低的位置并停止。
17.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
搬送装置具有搬送臂，所述第二工序包括：当所述搬送机构伸展搬送臂将收纳容器载置在保管搁板部上时或者从保管搁板部取出时，使搬送臂保持为伸展的状态。
18.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
半导体制造装置具备从所述搬送机构向移载部交接收纳容器的交接机构，所述第二工序包括：所述交接机构将收纳容器向移载部交接时，使交接机构保持为把持收纳容器的状态。
19.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
所述第二工序包括：当所述升降机构将保持件从热处理炉内搬出时，将该保持件再次搬入热处理炉内。
20.如权利要求11所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，其特征在于：
半导体制造装置具备：为了实施所述被处理体的移载而载置保持件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁定的锁定机构，所述第二工序包括：当保持件被载置在所述保持件载置台上时，所述锁定机构将所述保持件锁定。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-309720 | 2007-11-30 | ||
| JP2007309720 | 2007-11-30 | ||
| JP2007309720 | 2007-11-30 | ||
| JP2008270753 | 2008-10-21 | ||
| JP2008-270753 | 2008-10-21 | ||
| JP2008270753A JP4778546B2 (ja) | 2007-11-30 | 2008-10-21 | 半導体製造装置における地震被害拡散低減方法及び地震被害拡散低減システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101447404A CN101447404A (zh) | 2009-06-03 |
| CN101447404B true CN101447404B (zh) | 2011-03-23 |
Family
ID=40742988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101784877A Active CN101447404B (zh) | 2007-11-30 | 2008-12-01 | 半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4778546B2 (zh) |
| KR (1) | KR101216764B1 (zh) |
| CN (1) | CN101447404B (zh) |
| TW (1) | TWI419247B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10297481B2 (en) * | 2013-03-21 | 2019-05-21 | Tokyo Electron Limited | Magnetic annealing apparatus |
| US9508914B2 (en) | 2013-03-21 | 2016-11-29 | Tokyo Electron Limited | Magnetic annealing apparatus |
| JP6312726B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2018-04-18 | ファナック株式会社 | 災害情報を利用した生産調整システム |
| KR102401365B1 (ko) * | 2019-12-17 | 2022-05-24 | 세메스 주식회사 | 선반 유닛 및 이를 포함하는 스토커 |
| JP7257998B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2023-04-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
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| CN1639857A (zh) * | 2002-04-12 | 2005-07-13 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理装置中的端口结构 |
| CN1929108A (zh) * | 2005-09-05 | 2007-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 搬送室、基板处理装置和基板异常的检测方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341299A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Fujitsu Ltd | 地震時に装置を停止させるための装置 |
| JP3002912B2 (ja) * | 1991-07-16 | 2000-01-24 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 熱分析装置 |
| JP2582015B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1997-02-19 | 新日本製鐵株式会社 | クリーンルームにおける緊急停止装置 |
| JP3193502B2 (ja) * | 1993-01-04 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| JPH09237757A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| JP2002173775A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2002093892A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2003031647A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US7204669B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate damage protection system |
| US8148271B2 (en) * | 2005-08-05 | 2012-04-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, coolant gas supply nozzle and semiconductor device manufacturing method |
| JP4758759B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-08-31 | 株式会社ミツトヨ | 地震災害防止システム |
| JP2007258561A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 拡散炉の保護装置及び保護方法 |
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008270753A patent/JP4778546B2/ja active Active
- 2008-11-27 TW TW097146048A patent/TWI419247B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-11-28 KR KR1020080119361A patent/KR101216764B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-01 CN CN2008101784877A patent/CN101447404B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1929108A (zh) * | 2005-09-05 | 2007-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 搬送室、基板处理装置和基板异常的检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4778546B2 (ja) | 2011-09-21 |
| JP2009152549A (ja) | 2009-07-09 |
| TW200947584A (en) | 2009-11-16 |
| KR20090056880A (ko) | 2009-06-03 |
| TWI419247B (zh) | 2013-12-11 |
| KR101216764B1 (ko) | 2012-12-28 |
| CN101447404A (zh) | 2009-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |