CN101442046B - 动态侦测静电保护电路结构 - Google Patents

动态侦测静电保护电路结构 Download PDF

Info

Publication number
CN101442046B
CN101442046B CN 200710094271 CN200710094271A CN101442046B CN 101442046 B CN101442046 B CN 101442046B CN 200710094271 CN200710094271 CN 200710094271 CN 200710094271 A CN200710094271 A CN 200710094271A CN 101442046 B CN101442046 B CN 101442046B
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
error amplifier
static
resistance
dynamic sensing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 200710094271
Other languages
English (en)
Other versions
CN101442046A (zh
Inventor
田光春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN 200710094271 priority Critical patent/CN101442046B/zh
Publication of CN101442046A publication Critical patent/CN101442046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101442046B publication Critical patent/CN101442046B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种动态侦测静电保护电路结构，包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其中：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电。本发明不仅可以灵活设置参考电压Vref，而且在版图中，对于动态侦测电路的电阻和电容的位置摆放也可以更灵活。

Description

动态侦测静电保护电路结构
技术领域
本发明涉及一种静电保护电路结构，特别是涉及一种动态侦测静电保护电路结构。
背景技术
在静电泄放电路中，在金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极耦合适当的偏置电压，有利于降低MOSFET管寄生三极管的触发电压；而且在多叉指型MOSFET结构中，还有利于各叉指导通的均匀性。图1、2所示电路是目前广泛使用的电阻、电容组成的动态侦测静电泄放电路。在图1所示的电路中，静电可以直接通过电阻、电容(RC)耦合一定的偏置电压到静电泄放MOSFET管的栅极。然而，静电泄放MOSFET管的栅极电容往往可能影响电阻、电容组成的侦测电路中电容值大小的设置。图2所示的电路在图1电路中插入了一级反相器，从而将电阻、电容与静电泄放MOSFET管隔离开来。而反相器的尺寸大小比静电泄放MOSFET管小很多，因此反相器的栅电容对电阻、电容组成的侦测电路中电容值大小的设置影响小得多。图2所示的电路结构，利用PMOS和NMOS的阈值电压控制对静电泄放器件ESDNMOS的栅极电容的充电或放电，从而控制静电泄放器件ESDNMOS的栅极电压，改善各叉指导通均匀性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种动态侦测静电保护电路结构，不仅可以灵活设置静电泄放器件ESDNMOS的栅极电容的充电或放电控制电压Vref，而且对于侦测电路中电阻和电容的位置设置也可以更灵活。
为解决上述技术问题，本发明的动态侦测静电保护电路结构采用的第一种技术方案是，其包括：并联接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其中：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的反相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的正相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode的节点电连接。
所述动态侦测静电保护电路结构采用的第二种技术方案，其与第一种技术方案的不同点在于：所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管或NPN三极管形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、PNP三极管或NPN三极管的节点电连接。
所述动态侦测静电保护电路结构采用的第三种技术方案是，其包括：并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的正相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的反相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode的节点电连接。
所述动态侦测静电保护电路结构采用的第四种技术方案，其与第三种技术方案的不同点在于：所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管或NPN三极管形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、PNP三极管或NPN三极管的节点电连接。
由于采用上述结构，所述误差放大器不仅可以将静电泄放器件ESDNMOS与动态侦测电路隔离开，减小尺寸较大的静电泄放器件ESDNMOS的栅电容对动态侦测电路中电容值选取的影响，还利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放器件ESDNMOS的栅极电容的充电或放电，从而控制静电泄放器件ESDNMOS的栅极电压，改善各叉指导通均匀性。
本发明不仅可以灵活设置参考电压Vref，而且对于动态侦测电路的电阻R和电容C可以有很多组合。在版图布局时，电阻R和电容C的位置摆放也可以更加灵活。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有的由电阻电容组成的动态侦测静电保护电路图；
图2是现有的由电阻电容、反相器组成的动态侦测静电保护电路图；
图3是本发明的动态侦测静电保护电路实施例一的电路图；
图4是本发明的动态侦测静电保护电路实施例二的电路图；
图5是本发明的动态侦测静电保护电路实施例三的电路图；
图6是本发明的动态侦测静电保护电路实施例四的电路图；
图7是本发明的动态侦测静电保护电路实施例五的电路图；
图8是本发明的动态侦测静电保护电路实施例六的电路图；
图9是本发明的动态侦测静电保护电路实施例七的电路图；
图10是本发明的动态侦测静电保护电路实施例八的电路图；
图11是本发明的动态侦测静电保护电路实施例九的电路图；
图12是本发明的动态侦测静电保护电路实施例十的电路图。
具体实施方式
本发明利用误差放大器不仅可以将静电泄放器件ESDNMOS与动态侦测电路隔离开，减小尺寸较大的静电泄放器件ESDNMOS的栅电容对动态侦测电路中电容值选取的影响，还利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放器件ESDNMOS的栅极电容的充电或放电，从而控制静电泄放器件ESDNMOS的栅极电压，改善各叉指导通均匀性。
本发明不仅可以灵活设置参考电压Vref，而且对于动态侦测电路的电阻R和电容C可以有很多组合。在版图布局时，电阻R和电容C的位置摆放也可以更加灵活。下面结合实施例进行具体说明：
实施例一
如图3所示，本发明的动态侦测静电保护电路结构，包括并联接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路。所述动态侦测电路由电阻R和电容C串接组成。所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路。所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成。所述中间隔离电路由误差放大器构成，该误差放大器的输出端与静电泄放电路的ESD NMOS管栅极电连接；误差放大器的反相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的正相输入端接参考电压Vref。利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放器件ESD NMOS管的栅极电容进行充电或放电。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的输入负端耦合到低于参考电压Vref时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例二
参见图4所示，它与图3所示实施例一的电路区别在于，误差放大器的正相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的反相输入端接参考电压Vref。利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放器件ESD NMOS管的栅极电容进行充电或放电。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的正相输入端耦合到高于参考电压Vref时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例三
参见图5，它与图3所示实施例一的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的反相输入耦合到低于齐纳二极管Zener电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例四
参见图6，它与图4所示实施例二的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的正相输入端耦合到高于齐纳二极管Zener的电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例五
参见图7，它与图3所示实施例一的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、PNP三极管的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的反相输入端耦合到低于PNP三极管的发射极-基极电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例六
参见图8，它与图4所示实施例二的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管，误差放大器的反相输入端与电阻R1、PNP三极管的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的正相输入端耦合到高于PNP三极管的发射极-基极电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例七
参见图9，它与图3所示实施例一的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、NPN三极管形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、NPN三极管的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的反相输入端耦合到低于NPN三极管的基极-发射极电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例八
参见图10，它与图4所示实施例二的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、NPN三极管形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、NPN三极管的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的正相输入端耦合到高于NPN三极管的基极-发射极电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例九
参见图11，它与图3所示实施例一的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、普通二极管Diode形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、普通二极管Diode的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的反相输入端耦合到低于普通二极管Diode的正向导通电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。
实施例十
参见图12，它与图4所示实施例二的电路区别在于，所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、普通二极管Diode形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、普通二极管Diode的节点电连接。
当静电脉冲到来时，电容C将误差放大器的正相输入端耦合到高于普通二极管Diode的正向导通电压时，误差放大器的输出端将静电泄放器件ESD NMOS管的栅极拉高到一定电压，从而降低静电泄放器件ESD NMOS管的触发电压，同时提高其静电泄放时的导通均匀性。

Claims (4)

1.一种动态侦测静电保护电路结构，包括：并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的反相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的正相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode的节点电连接。
2.一种动态侦测静电保护电路结构，包括：并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的反相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的正相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管或NPN三极管形成，误差放大器的正相输入端与电阻R1、PNP三极管或NPN三极管的节点电连接。
3.一种动态侦测静电保护电路结构，包括：并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的正相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的反相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、齐纳二极管Zener或普通二极管Diode的节点电连接。
4.一种动态侦测静电保护电路结构，包括：并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电；
所述误差放大器的正相输入端与动态侦测电路的电阻R和电容C的节点连接，误差放大器的反相输入端接参考电压Vref；
所述误差放大器的参考电压Vref由串接在静电端与接地端的电阻R1、PNP三极管或NPN三极管形成，误差放大器的反相输入端与电阻R1、PNP三极管或NPN三极管的节点电连接。
CN 200710094271 2007-11-23 2007-11-23 动态侦测静电保护电路结构 Active CN101442046B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710094271 CN101442046B (zh) 2007-11-23 2007-11-23 动态侦测静电保护电路结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200710094271 CN101442046B (zh) 2007-11-23 2007-11-23 动态侦测静电保护电路结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101442046A CN101442046A (zh) 2009-05-27
CN101442046B true CN101442046B (zh) 2011-05-04

Family

ID=40726398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200710094271 Active CN101442046B (zh) 2007-11-23 2007-11-23 动态侦测静电保护电路结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101442046B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378587B (zh) 2012-04-28 2016-12-14 快捷半导体(苏州)有限公司 一种静电释放保护电路和方法、驱动电路、集成电路
TWI507839B (zh) * 2013-05-24 2015-11-11 Raydium Semiconductor Corp 靜電偵測電路及靜電偵測方法
CN106786462B (zh) * 2016-12-30 2019-03-08 福州福大海矽微电子有限公司 一种运放开关型过压保护电路
CN106707073A (zh) * 2017-03-08 2017-05-24 苏州天华超净科技股份有限公司 静电泄放检测电路及系统
CN108172572A (zh) * 2018-01-24 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 静电防护装置及显示装置
US10944258B2 (en) * 2018-04-18 2021-03-09 Ememory Technology Inc. RC circuit triggered electrostatic discharge circuit
CN109817133A (zh) 2019-03-13 2019-05-28 惠科股份有限公司 一种显示面板的静电防护装置、方法及显示装置
CN114582282B (zh) * 2022-03-30 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Esd保护电路及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671147B2 (en) * 2001-04-24 2003-12-30 United Microelectronics Corp. Double-triggered electrostatic discharge protection circuit
US6750517B1 (en) * 2000-11-06 2004-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Device layout to improve ESD robustness in deep submicron CMOS technology
CN1881126A (zh) * 2005-06-15 2006-12-20 盛群半导体股份有限公司 功率集成电路及其静电放电(esd)防护方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6750517B1 (en) * 2000-11-06 2004-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Device layout to improve ESD robustness in deep submicron CMOS technology
US6671147B2 (en) * 2001-04-24 2003-12-30 United Microelectronics Corp. Double-triggered electrostatic discharge protection circuit
CN1881126A (zh) * 2005-06-15 2006-12-20 盛群半导体股份有限公司 功率集成电路及其静电放电(esd)防护方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101442046A (zh) 2009-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101442046B (zh) 动态侦测静电保护电路结构
US9876003B2 (en) Electrostatic discharge protection circuit and configuration method
CN101442869B (zh) 动态侦测静电保护电路
EP2526618B1 (en) HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs
CN103001206B (zh) 在混合电压芯片中使用低电压晶体管来钳住高电压电源的esd电源钳位
CN104867910A (zh) 静电放电保护电路及半导体元件
US10594135B2 (en) Compact, high performance, and robust RC triggered ESD clamp
CN104701311A (zh) 静电保护电路以及半导体集成电路装置
TW201316007A (zh) 靜電偵測電路
TW201007927A (en) An electrostatic discharge protection circuit, equipment and method
CN103760444A (zh) 一种esd瞬态检测电路
KR100808604B1 (ko) 반도체 장치용 정전기 보호 장치
CN103178510A (zh) 用于超高压晶片的静电放电保护电路
CN105991003A (zh) 一种适用于晶闸管的混合触发电路
US20140347775A1 (en) Battery protection circuit
CN101924356A (zh) 一种改进的esd防护装置及相应的方法、集成电路
CN109066627B (zh) 兼有hpd和esd的用于热插拔检测端口的保护电路
CN107786195B (zh) 一种利用低压器件实现耐高压的高速io电路
CN110311667A (zh) 一种带端口电压保护电路的端口电路
CN102270839A (zh) 具有保护电路的电子装置
CN112737552B (zh) 一种信号传输电路
EP2458637A1 (en) Electrostatic discharge circuit
CN206506508U (zh) 一种mosfet管驱动电路
CN113031684A (zh) 一种适用于低压的电压钳位装置
CN206628468U (zh) 电源钳位静电放电保护电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140109

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140109

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.