CN101442009A - Mos器件制备中源漏区的制备方法 - Google Patents

Mos器件制备中源漏区的制备方法 Download PDF

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CN101442009A CNA2007100942455A CN200710094245A CN101442009A CN 101442009 A CN101442009 A CN 101442009A CN A2007100942455 A CNA2007100942455 A CN A2007100942455A CN 200710094245 A CN200710094245 A CN 200710094245A CN 101442009 A CN101442009 A CN 101442009A
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陈华伦
熊涛
陈瑜
罗啸
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种MOS器件制备中源漏区的制备方法，其先进行源区和漏区离子注入形成重掺杂注入区，并保留光刻胶，然后通过各向同性刻蚀工艺将多晶硅栅极两边各刻蚀掉一部分，最后再进行轻掺杂注入和去胶的工艺。本发明不仅可以节省两次光刻，并且不需要重新制备侧墙，节省了工艺步骤，大大节约了制备成本，可广泛用于具MOS晶体管单元的半导体器件制备中。

Description

MOS器件制备中源漏区的制备方法
技术领域
本发明涉及一种MOS器件制备中源区和漏区的制备方法。
背景技术
现有技术中，MOS晶体管源漏区包括轻掺杂区和重掺杂区两各区域，常见的源漏注入的方法如下：
(1)先进行轻掺杂注入，形成轻掺杂区。具体在CMOS器件制备中，分别进行NMOS区的轻掺杂和PMOS区的轻掺杂(见图1和图2)，之后去掉光刻胶。
(2)淀积二氧化硅层，刻蚀在多晶硅两侧形成侧墙(见图3和图4)，以保护靠近多晶硅的轻掺杂区域在接下来的重掺杂中不被注入。
(3)接下来分别进行NMOS区的源漏重掺杂离子注入和PMOS区的源漏重掺杂离子注入(见图5和图6)，形成重掺杂源区和漏区。
从以上的制备流程可知，传统CMOS源漏注入中包括4次光刻工艺和一次侧墙成长工艺，其制被成本相对较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种MOS器件中源漏区的制备方法，其能降低源漏区注入的制备的成本。
为解决上述技术问题，本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包括如下步骤：(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。
本发明的CMOS器件制备中源漏区的制备方法，包括如下步骤：(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区或PMOS区，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；(4)用光刻胶光刻曝出PMOS区或NMOS区，重复实施步骤(1)至(3)，完成源区和漏区的注入。
本发明利用多晶硅栅极实现一种源漏区的制备。通过先进行源区和漏区离子注入形成重掺杂注入区，并保留光刻胶，然后通过各向同性刻蚀工艺将多晶硅栅极两边各刻蚀掉一部分，最后再进行轻掺杂注入和去胶的工艺。本发明不仅可以节省两次光刻(即N轻掺杂前的光刻和P轻掺杂前的光刻)，并且不需要重新制备侧墙，节省了工艺步骤，大大节约了制备成本。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为现有工艺中N轻掺杂注入的结构示意图；
图2为现有工艺中P轻掺杂注入的结构示意图；
图3为现有工艺中生长二氧化硅后的结构示意图；
图4为现有工艺形成侧墙后的结构示意图；
图5为现有工艺中N重掺杂注入的结构示意图；
图6为现有工艺中P重掺杂注入的结构示意图；
图7为本发明的制备方法流程图；
图8为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区重掺杂注入示意图；
图9为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区刻蚀部分多晶硅示意图；
图10为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区轻掺杂注入示意图；
图11为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区重掺杂注入示意图；
图12为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区刻蚀部分多晶硅示意图；
图13为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区轻掺杂注入示意图。
具体实施方式
本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包括(见图7)：
(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，在这一步刻蚀掉的尺寸的控制根据具体器件要求，如器件设计时要求多晶硅(宽X、长Y和高Z)，而本步中刻蚀需去除的多晶硅上面为500埃，左右前后各500埃，那么在源漏注入工艺前的多晶硅刻蚀中，将多晶硅栅极的尺寸宽度控制在X+1000埃，长度控制在Y+1000埃，而高度控制在Z+500埃，而这里刻蚀去掉的尺寸也取决于具体器件设计中轻掺杂漏区的宽度；
(3)最后进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂源区和漏区。
本发明的方法应用在CMOS器件制备中的流程为：
(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区，进行N+重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区(见图8)；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，尺寸同上面相同(见图9)；
(3)N-轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区(见图10)，最后去除光刻胶；
(4)用光刻胶光刻曝出PMOS区，重复实施步骤(1)至(3)(见图11至图13)，完成整个CMOS器件中源区和漏区的制备。
上述CMOS器件中，PMOS区和NMOS区用局部硅氧化隔离区(LOCOS)或浅沟槽隔离区(STI)进行隔离。

Claims (4)

1、一种MOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；
(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。
2、按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中多晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相应尺寸。
3、一种CMOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区或PMOS区，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；
(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；
(4)用光刻胶光刻曝出PMOS区或NMOS区，重复实施步骤(1)至(3)，完成整个CMOS器件中源区和漏区的制备。
4、按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中多晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相应尺寸。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101930922B (zh) * 2009-06-26 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的制作方法
CN101930924B (zh) * 2009-06-26 2013-01-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的制作方法
CN104851801A (zh) * 2014-02-13 2015-08-19 北大方正集团有限公司 一种源漏轻掺杂方法和装置

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090527