CN101431053B - 电致发光元件形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种电致发光元件(electroluminescence device；EL device)及其形成方法，电致发光元件包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素包括一第一区域以及第二区域。第一区域包括至少一第一电容与第二电容，第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层，第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。根据本发明，可大幅提升储存电容值而不会降低开口率。
Description
本申请是2005年11月9日递交的、题为“电致发光元件及其形成方法”的第200510120299.5号发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种电致发光元件(electroluminescence device；EL device)，且特别是有关于一种电致发光元件的储存电容以及形成该电容的方法。
背景技术
电致发光元件为一种利用电致发光的现象放射光线的元件，电致发光元件通常包括薄膜晶体管(TFT)以及发光二极管(LED)，每一发光二极管更包括一发光层，假若该发光层包含有机发光材质，则称该元件为有机电致发光元件，当电流通过发光二极管元件的阴极与阳极时，光线由该发光层放射出来。
一般而言，有源矩阵式有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)元件或聚合物发光二极管(polymer light emitting diode)元件(无论是电压驱动或是电流驱动)皆包括一像素阵列，其中，每一像素包括一组子像素，每一子像素更包括一开关晶体管、一驱动晶体管以及一储存电容，假若充电条件许可，理想中可设计一极大的储存电容以避免因串音(crosstalk)或馈通(feedthrough)效应所造成的灰阶淡化(fading)，对于底部放射的像素，有较大电容值的储存电容会造成较小的开口率(aperture ratio)，在有机发光二极管像素中，其内的薄膜晶体管、扫描线、数据线与电源线也会降低开口率，因此，须有一电容可在一有限面积内有一较高的电容值。
发明内容
本发明的实施例提供一种电致发光元件(electroluminescence device；ELdevice)，包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素形成于一个别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域。每一像素于第一区域内包括至少一第一电容与第二电容，第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层，第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。
本发明的实施例亦提供一种电致发光元件(electroluminescence device；EL device)，包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素形成于一个别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域。每一像素于第一区域内包括至少一第一电容、第二电容、第三电容与第四电容，第一电容包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第一导电层，第二电容包括该第一导电层、位于该第一导电层上的第一层间介电层(inter layer dielectric；ILD)以及位于该第一层间介电层上的第二导电层，第三电容于该第一区域内包括该第二导电层、位于该第二导电层上的硅氮化合物的护层(passivationlayer)以及位于该硅氮化合物的护层上的第三导电层，第四电容于该第一区域内包括该第三导电层、位于该第三导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第四导电层。第二区域包括一晶体管，该晶体管包括形成于该基板上的第二半导体层、位于该第二半导体层上的第二栅极氧化层以及位于该第二栅极氧化层上的第五导电层。
本发明的实施例还提供一种电致发光元件(electroluminescence device；EL device)，包括一基板以及形成于该基板上的多个像素，每一像素形成于一个别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域，每一像素包括一第一区域以及第二区域上的半导体层、位于该第一区域以及第二区域上的栅极氧化层、位于该第一区域以及第二区域上的第一导电层、一层间介电层、一铟锡氧化物(indium tin oxide；ITO)层、一硅氮化合物的护层、一第二导电层、一硅氮化合物的包覆层、一有机物层以及一第三导电层，层间介电层位于该第一区域以及第二区域上的该第一导电层上，铟锡氧化物(indium tin oxide；ITO)层位于该第一区域上的层间介电层上，硅氮化合物的护层位于第一区域上的铟锡氧化物上以及第二区域上的层间介电层上，第二导电层位于该第一区域以及第二区域上的硅氮化合物的护层上，其中，该第二区域上的第二导电层透过一位于硅氮化合物的护层与栅极氧化层内的介层孔(via hole)提供对第二区域上的半导体层的接触，硅氮化合物的包覆层位于该第一区域以及第二区域上的第二导电层上，有机物层位于该第一区域以及第二区域上的硅氮化合物的包覆层上，第三导电层位于该第一区域以及第二区域上的有机物层上，其中，第一区域上的半导体层、栅极氧化层与第一导电层形成一第一电容，第一区域上的第一导电层、层间介电层与铟锡氧化物层形成一第二电容，第一区域上的铟锡氧化物层、硅氮化合物的护层与第二导电层形成一第三电容，第一区域上的第二导电层、硅氮化合物的包覆层、有机物层与第三导电层形成一第四电容，第二区域上的半导体层、栅极氧化层、第一导电层形成一晶体管。
本发明的实施例尚提供一种形成电致发光元件(electroluminescencedevice；EL device)像素的方法，包括提供一基板、定义一电容的第一区域与一该基板上的晶体管的第二区域、于该第一区域上形成第一导电层、于该第一区域上的该第一导电层上形成第一介电层、于该第一区域上的该第一介电层上形成第二导电层、于该第一区域上的该第二导电层上形成第二介电层、于该第一区域上的该第二介电层上形成第三导电层、于该第二区域上形成一半导体层、于该第二区域上形成一栅极氧化层以及于该第二区域上的该栅极氧化层上形成第四导电层，其中，位于该第一区域上的第一导电层连接至一电源供应电压，且其中，第一区域上的第一导电层、第一介电层与第二导电层形成一第一电容，第一区域上的第二导电层、第二介电层与第三导电层形成一第二电容，第二区域上的半导体层、栅极氧化层与第四导电层形成一晶体管。
本发明的实施例另提供一种形成电致发光元件(electroluminescencedevice；EL device)像素的方法，包括提供一基板以及于该基板上形成多个位于各别像素区域中的像素，每一像素区域包括至少一第一区域及第二区域；形成每一像素包括于该第一区域及第二区域上形成一半导体层、于该第一区域及第二区域上形成一栅极氧化层；于该第一区域及第二区域上形成第一导电层；于该第一区域及第二区域上的该第一导电层上形成层间介电层；于该第一区域上的该层间介电层上形成铟锡氧化物层；于该第一区域上的该铟锡氧化物层上与第二区域上的层间介电层上形成硅氮化合物的护层；于该第一区域及第二区域上的硅氮化合物的护层上形成第二导电层，其中，该第二区域上的第二导电层透过一位于硅氮化合物的护层与栅极氧化层内的介层孔(via hole)提供对第二区域上的第一导电层的接触；于该第一区域上形成一有机层；以及于该第一区域上的有机层上形成一第三导电层，其中，第一区域上的半导体层、栅极氧化层与第一导电层形成一第一电容，第一区域上的第一导电层、层间介电层与铟锡氧化物层形成一第二电容，第一区域上的铟锡氧化物层、硅氮化合物的护层与第二导电层形成一第三电容，第一区域上的第二导电层、有机层与第三导电层形成一第四电容，而第二区域上的半导体层、栅极氧化层、第一导电层形成一晶体管。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1显示依据本发明一实施例的电致发光元件像素的电路图；
图2为依据本发明第一实施例的部分像素的截面图；
图3为依据本发明第二实施例的电致发光元件像素的电路图；
图4为依据本发明第三实施例的电致发光元件像素的电路图；
图5为依据本发明第四实施例的电致发光元件像素的电路图；
图6为依据本发明第五实施例的电致发光元件像素的电路图；
图7为依据本发明第六实施例的电致发光元件像素的电路图；
图8为依据本发明第七实施例的电致发光元件像素的电路图；
图9为依据本发明第八实施例的电致发光元件像素的电路图；
图10为依据本发明实施例的电致发光元件像素的电路图；
图11为图10的像素的电路图，更显示部分像素的截面图。
附图标记说明
100～像素；102、104与106～金属氧化物半导体晶体管；108～电容；110～有机发光二极管；112～电容；200～基板；202B～掺杂的多晶硅；204～栅极氧化层；206A、206B～第一金属图案；208～介电层；210A～第二金属图案；212～硅氮化合物护层；214A、214C～铟锡氧化物图案；216～硅氮化合物包覆层；218～有机物层；220～第三导电层。
具体实施方式
一电致发光元件可包括一形成于基板(如：玻璃)上的像素阵列，图1显示依据本发明一实施例的像素100的电路图，像素100包括三个金属氧化物半导体晶体管102、104与106、一个电容108以及一有机发光二极管(OLED)110，于实施例中，晶体管102为一P型金属氧化物半导体晶体管，而晶体管104与106为N型金属氧化物半导体晶体管，晶体管102、104与106皆有一栅极、一源极与一漏极，需了解的是金属氧化物半导体晶体管结构通常为对称的，因此于此处与后续的叙述中的金属氧化物半导体晶体管的源/漏极可以对调，而不会影响到本发明的应用或者范围。
晶体管102的栅极耦接至晶体管106的源极，晶体管102的源极耦接至一电源供应电压VDD，晶体管102的漏极耦接至有机发光二极管110以对其驱动，晶体管104与106的栅极耦接至一扫描线，晶体管106的漏极耦接至晶体管104的源极，而晶体管104的漏极耦接至一数据线以接收数据，电容108耦接于晶体管102的栅极与源极之间，有机发光二极管110有一阳极耦接至晶体管102的漏极，并有一阴极耦接至电源供应电压VSS，VSS可为接地，操作时，当晶体管104与106关闭时，电容108保持住其电荷，以维持晶体管102的栅极与源极之间用以驱动有机发光二极管110的电压。
晶体管100更包括一耦接于晶体管102的栅极与有机发光二极管110的阴极之间的电容112，因此，当晶体管104与106关闭时，电容108与112保持住其电荷，以维持晶体管102的栅极电压，此状况中，电容108与112相互并联耦接，并可视为像素100的一储存电容，其电容值等于电容108与112的电容值的加总。
一方面，电容112可与电容108形成于基板的同一区域中，因此，像素100的储存电容不需增加芯片面积便可提升电容值，另一方面，电容112可与像素100的有机发光二极管110及其它部分同时形成，而不需要增加额外的掩模。
图2显示依据本发明的第一实施例的像素的部分截面图，图中仅显示部分的有机发光二极管110、部分的晶体管102、部分的电容108与112，为了简化图示，晶体管104与106未显示于图2中。
请参照图2，像素100形成于玻璃基板200上，电容108与112形成于基板200的区域A上，晶体管102形成于基板200的区域B上，且部分有机发光二极管110形成于基板200的区域C上。
请参照图2，一多晶硅层经过掺杂与图案化后，于基板200的区域B上形成一掺杂的多晶硅202B与本质的多晶硅，一栅极氧化层形成于所有的区域A、B与C上，一第一金属层沉积于栅极氧化层204上，并经过图案化以分别于区域A与B上形成第一金属图案206A与206B，一层间介电层形成于该第一金属图案206A与206B上，一第二金属层沉积于层间介电层208上，并经过图案化以于区域A形成第二金属图案210A，以及于区域B与C上形成第二金属图案210B，其中，第二金属图案210B透过层间介电层208与栅极氧化层204内的介层孔接触多晶硅图案202B，一硅氮化合物护层212形成于层间介电层208与第二金属图案210A与210B之上，一铟锡氧化物层形成于硅氮化合物护层212上，并经过图案化以于基板200的区域C上形成铟锡氧化物图案214C，其中，铟锡氧化物图案214C透过硅氮化合物护层212内的介层孔接触第二金属图案210B，一硅氮化合物包覆层216沉积于硅氮化合物护层212与铟锡氧化物图案214C之上，一有机物层218沉积于所有区域A、B与C，硅氮化合物包覆层216经过图案化，使得区域A上硅氮化合物护层212的一部分露出，因此，有机物218亦形成于区域A上的硅氮化合物护层212上，一第三金属层形成于有机物层218之上。
在区域A上，第一金属图案206A、层间介电层208与第二金属图案210A共同形成电容108，第二金属图案210A、硅氮化合物护层212、有机物层218与第三金属层220共同形成电容112，在区域B上，多晶硅图案202B作为晶体管102的源极与漏极，而第一金属图案206B作为晶体管102的栅极，在区域C上，铟锡氧化物图案214C、硅氮化合物包覆层216、有机物层218与第三金属层220共同形成有机发光二极管110的一部分，同时，第一金属图案206A耦接至电源供应电压VDD，第二金属图案210A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
如图2所示，电容108与112形成于基板200的相同区域(区域A)上，因此，像素100的储存电容不需增加面积便可提升电容值，也因此不会降低开口率，此外，本领域内的技术人员当知不需增加额外的掩模来形成电容108与112，举例而言，第一金属图案206A可以形成第一金属图案206B所需的既有掩模形成，第二金属图案210A可以形成第二金属图案210B所需的既有掩模形成。
图2中，铟锡氧化物图案214C形成于第二金属图案210B之上，然而，铟锡氧化物图案214C亦可在第二金属层沉积并形成第二金属图案210A与210B之前进行沉积与图案化，相同地，硅氮化合物护层212亦可在第二金属层沉积并形成第二金属图案210A与210B之前进行沉积。
需了解的是，图1与2所示的像素组态仅为范例，本发明可适用于任何电致发光元件，举例而言，依据本发明的像素可包括形成于一基板的相同区域的多个电容(如：108与112)以及一或多个晶体管，但不包括有机发光二极管。
再者，于图2中，电容108包括第一金属图案206A、层间介电层208以及第二金属图案210A，电容112包括第二金属图案210A、硅氮化合物护层212、有机物层218以及第三金属层220，然而，需了解的是用以形成像素100的其它材质层亦可用于形成电容108与112。
举例而言，如图3所示的依据本发明第二实施例的像素100的电路图以及电容108与112的截面图，有机物层218可从区域A中移除，因此，电容112包括第二金属图案210A、硅氮化合物护层212以及第三金属层220，而电容108包括第一金属图案206A、层间介电层208以及第二金属图案210A，此外，第一金属图案206A耦接至电源供应电压VDD，第二金属图案210A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
如图4所示，其为依据本发明的第三实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，硅氮化合物包覆层216以及有机物层218可形成于区域A上，铟锡氧化物层可经图案化后，于区域A上形成铟锡氧化物图案214A，而第一金属层206A并非于第一金属层沉积与图案化时形成，因此，电容108包括第二金属图案210A、硅氮化合物护层212与铟锡氧化物图案214A，电容112包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物包覆层216、有机物218与第三金属层220，此外，二金属图案210A耦接至电源供应电压VDD，铟锡氧化物图案214A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
图5显示依据本发明第四实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，如图5所示，电容108包括第二金属图案210A、硅氮化合物护层212与铟锡氧化物图案214A，电容112包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物包覆层216与第三金属层220，此外，第二金属图案210A耦接至电源供应电压VDD，铟锡氧化物图案214A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
图6显示依据本发明第五实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，其中，铟锡氧化物层于第二金属层沉积之前进行沉积，如图6所示，电容108包括第一金属图案206A、层间介电层208以及铟锡氧化物图案214A，电容112包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物护层212、硅氮化合物包覆层216、有机物218与第三金属层220，此外，第二金属图案210A耦接至电源供应电压VDD，铟锡氧化物图案214A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
图7显示依据本发明第五实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，其中，铟锡氧化物层于第二金属层沉积之前进行沉积，如图7所示，电容108包括第一金属图案206A、层间介电层208以及铟锡氧化物图案214A，电容112包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物护层212、硅氮化合物包覆层216与第三金属层220，此外，第一金属图案206A耦接至电源供应电压VDD，铟锡氧化物图案214A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
第8显示依据本发明第七实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，其中，掺杂的多晶硅层亦于基板200的区域A上经过图案化以形成多晶硅图案202A，因此，电容108包括多晶硅图案202A、氧化层204、层间介电层208以及铟锡氧化物图案214A，电容112包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物包覆层216、有机物218与第三金属层220，此外，多晶硅图案202A耦接至电源供应电压VDD，铟锡氧化物图案214A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
再者，图9显示依据本发明第八实施例的像素100电路图以及电容108与112的截面图，如图9所示，电容108包括掺杂的多晶硅图案202A、氧化层204、层间介电层208以及第二金属图案210A，电容112包括第二金属图案210A、硅氮化合物护层212、有机物218与第三金属层220，多晶硅图案202A耦接至电源供应电压VDD，第二金属图案210A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
电容108与112的截面图与像素100的电路图于图3至9中，而上面叙述仅讨论电容108与112的结构，像素100的电路的其它部分已参照图1作过描述，此处便不再赘述。
依据本发明的其它实施例，超过两个电容可形成于基板200的相同区域(区域A)上，且互相并联连接，四个电容的范例显示于图10与11，其中，图10为具有四个电容的像素100的电路示意图，而图11更显示形成于基板200的区域A上的四个电容的截面图，如图10所示，除了电容108与112，还有两个电容114与116亦耦接于晶体管102的栅极与源极的间，电路图的其它部分与图1所示的相同，因此未近一步描述于此，因此，像素100的储存电容等于电容108、112、114与116的加总，请参照图11，电容108包括掺杂的多晶硅图案202A、氧化层204以及第一金属图案206A，电容114包括第一金属图案206A、层间介电层208与铟锡氧化物图案214A，电容116包括铟锡氧化物图案214A、硅氮化合物护层212与第二金属图案210A，电容112包括第二金属图案210A、硅氮化合物包覆层216、有机物218与第三金属层220，此外，多晶硅图案202A与铟锡氧化物图案214A耦接至电源供应电压VDD，第一金属图案206A与第二金属图案210A耦接至晶体管102的栅极，亦即第一金属图案206B，且第三金属层220耦接至VSS。
本领域技术人员当知电容108、112、114与116的形成仅需要像素100形成所需的既有掩模，而不需要有其余更多的掩模，举例而言，掺杂的多晶硅图案202A可于掺杂的多晶硅图案202B形成的同时一并形成，第一金属图案206A可于第一金属图案206B形成的同时一并形成，铟锡氧化物图案214A可于铟锡氧化物图案214B形成的同时一并形成，此外，由于电容108、112、114与116形成于基板200的区域A上，像素100的储存电容的面积并不需增加，因此，开口率便不会降低，而储存电容值可大幅提升。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域内的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围以所附的权利要求所界定者为准。
Claims (8)
1.一种形成电致发光元件的方法，包括：
提供一基板；
于该基板上定义一电容的第一区域与一晶体管的第二区域；
形成一第一导电层于该第一区域上；
形成一第一介电层于该第一区域上的该第一导电层上；
形成一第二导电层于该第一区域上的该第一介电层上；
形成一第二介电层于该第一区域上的该第二导电层上；
形成一第三导电层于该第一区域上的该第二介电层上；
形成一半导体层于该第二区域上；
形成一栅极氧化层于该第二区域上，并且形成该栅极氧化层于该第一区域上的该第一导电层上，其中，形成该第一介电层包括于该栅极氧化层上形成一层间介电层；
形成一第四导电层于该第二区域上的该栅极氧化层上；
定义一有机发光二极管的第三区域于基板上；
形成一第五导电层于该第三区域上；
形成一有机层于该第三区域上的第五导电层上，其中，形成该第二介电层包括于该第二导电层上形成该有机层；以及
形成该第三导电层于该第三区域上的该有机层上；
其中，位于第一区域上的该第一导电层、该第一介电层与该第二导电层形成一第一电容，该第一区域上的该第二导电层、该第二介电层与该第三导电层形成一第二电容，该第二区域上的该半导体层、该栅极氧化层与该第四导电层形成一晶体管；
其中，该第三区域上的该第五导电层、该有机层以及该第三导电层共同形成该有机发光二极管，形成该第一导电层与形成该半导体层包括使用相同的掺杂的多晶硅材质形成该第一导电层与该半导体层。
2.如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第二区域上形成该第二导电层，以提供对该第二区域上的该半导体层的接触。
3.如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，其中，形成该第二导电层与形成该第五导电层包括使用相同的材质形成该第二导电层与该第五导电层。
4.如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第二导电层与该第二介电层之间形成一第三介电层，其中，该第三介电层包括硅氮化合物护层与硅氮化合物包覆层。
5.如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，其中，形成该第五导电层包括形成一铟锡氧化物层。
6.一种形成电致发光元件的方法，包括：
提供一基板；
于该基板上的第一区域定义一电容与在该基板上的第二区域定义一晶体管；
形成一半导体层于该基板的该第二区域上，其中该第二区域上的半导体层为该晶体管的源极与漏极；
形成一第一介电层于该基板的该第一区域以及该第二区域上，其中该第一介电层于第二区域上形成为晶体管的栅极氧化层；
形成一第一金属层于该栅极氧化层之上；
图案化该第一金属层以同时分别形成第一金属图案于该第二区域上以及该第一区域上，其中于该第二区域上的第一金属图案为该晶体管的栅极以及于该第一区域上的第一金属图案为一第一电容的第一电极；
形成一第二介电层于该基板的该第一区域以及该第二区域上；
形成一第二金属层于该第二介电层之上；
图案化该第二金属层以同时分别形成第二金属图案于该第二区域上以及该第一区域上，其中于该第二区域上的第二金属图案透过一介层孔与该晶体管的源极或漏极接触，以及于该第一区域上的第二金属图案为该第一电容的一第二电极以及一第二电容的一第一电极；
形成一保护层于该第二金属图案及该第二介电层之上；
形成一第三介电层于该保护层上；
图案化该第三介电层以暴露出位于该第一区域上的部分该保护层；以及
形成一第三金属层于该第三介电层之上，其中于第一区域上的第三金属层为该第二电容的一第二电极。
7.如权利要求6所述的形成电致发光元件的方法，还包括：
在第三介电层上形成一有机物层。
8.如权利要求7所述的形成电致发光元件的方法，还包括：
定义一有机发光二极管的第三区域于基板上；
该第二区域上的第二金属图案还形成在该第三区域上
在该保护层上形成一铟锡氧化层，图案化该铟锡氧化层以在该第三区域上形成铟锡氧化物图案，该铟锡氧化物图案透过该保护层中的介层孔接触该第三区域上的第二金属图案；
其中，该第三区域上的该第三金属层、该有机物层以及该铟锡氧化物图案共同形成该有机发光二极管。
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