CN101416132A - 用于制造数据索引的方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种用来产生索引以供储存数据的方法、装置、及系统。决定与第一组数据相关联的图案。储存所述第一组数据。决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案。响应与所述第二组数据相关联的图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定，而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性。

Description

用于制造数据索引的方法及装置
技术领域
本发明系大致有关半导体制造，且尤系有关一种用于索引制造数据以改善数据储存及(或)数据撷取(retrieval)的效率之方法及装置。
背景技术
制造业中技术的急速发展已导致了许多新颖且原创的制造处理。现今的制造处理(尤其是半导体之制造处理)需要许多的重要步骤。这些处理步骤通常是极其重要的，因而需要一般被精细调整的一些输入，以便保持适当的制造控制。半导体设备的制造需要一些独立的处理步骤，以便从半导体原料作出封装的半导体设备。从半导体材料的起始生长、将半导体晶体切割成个别的晶圆、制造阶段(蚀刻、掺杂、或离子植入等的阶段)、至完成设备的封装及最后测试之各种处理都是互不相同且专业化，因而可能在包含不同控制机制的不同制造场所中执行所述处理。
一般而言，系对一群半导体晶圆(有时被称为一批(lot)半导体晶圆)执行一组处理步骤。例如，可在半导体晶圆上形成由各种不同材料构成的处理层。然后可利用习知的光微影(photolithography)技术在该处理层之上形成有图案的光阻层。一般随即利用该有图案的光阻层作为屏蔽(mask)，而对该处理层执行蚀刻处理。该蚀刻处理导致在该处理层中形成各种特征或物体。可将此种特征用来作为诸如晶体管的闸极电极结构。经常也在半导体晶圆的基体中形成沟槽隔离结构，以便隔离半导体晶圆中之电性区。可被使用的隔离结构的一个例子是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation；简称STI)结构。
半导体制造厂内的制造工具通常系连接到制造架构或网络的处理模块。每一制造工具大致被连接到配备接口。该配备接口被连接到制造网络所连接的机器接口，因而有助于该制造工具与该制造架构间之通讯。该机器接口一般可能是先进处理控制(Advanced Process Control；简称APC)系统中的部分。该APC系统激活控制描述语言程序(script)，该控制描述语言程序可以是用来自动撷取(retrieve)特定制造处理执行所需的的数据之软件程序。
图1示出典型的半导体晶圆(105)。半导体晶圆(105)通常包含复数个被排列成格子形(grid)(150)之个别半导体晶粒(103)。可使用习知的光微影处理及配备，而在将要产生图案的一个或多个处理层上形成有图案的光阻层。根据所采用特定光罩的情形，通常系由步进机(stepper)而一次对单一或多个晶粒(103)位置执行曝光(exposure)处理，作为该光微影处理的部分。在对下方的一层或多层材料(例如，一层多晶硅、金属、或绝缘材料)执行湿式或干式蚀刻处理期间，可将该有图案的光阻层用来作为屏蔽，以便将所需的图案转移到下方层。系由将在下方处理层中复制的诸如直线类型的特征或开孔类型的特征的复数个特征构成该有图案的光阻层。
于处理晶圆时，获得与被处理的晶圆的各部分有关之大量的度量数据及(或)测试数据。与对晶圆的部分的度量分析或测试有关之数据被储存在大型数据库中。这些数据库可累积必须被处理及组织以供未来撷取的大量数据。通常于获得大量的制造数据时，可能有超大量的数据可供储存及撷取。
现在请参阅图2，图中示出典型的先前技术的流程之流程图。制造系统可以批次之方式处理一批晶圆。在步骤(220)中，大致获得与晶圆的部分有关之制造数据(例如，度量数据或测试结果)。例如，可获得与内存数组中之各种位有关的数据，其中所述数据可指示内存数组中之特定位是可操作的(operational)或故障的。在步骤(230)中，该系统然后可储存大量的故障数据之位对映图(map)。一般将大型数据库用来储存与该位对映图或其它类型的故障有关之数据。在步骤(240)中，该制造系统然后可分析所储存的数据，以便针对半导体晶圆(105)的后续处理而执行修正。
与现行的度量方式相关联的问题包含需要储存大量的数据，因而造成对可观的计算资源及时间之使用。于执行故障分析时，内存设备数组中的故障位或晶粒中的故障区域的精确坐标一般是重要的。于执行制造期间的良率分析时，故障位或晶粒区域的坐标也是重要的。因此，与每一故障位或晶粒区域有关的故障数据被细心地储存及组织，以供未来的撷取。因此，纵然对较小规模的制造线而言，故障位的储存及组织也可能成为大型的工作。数据的撷取也可能需要可观的计算资源及处理时间。因此，对大型数据库中储存的数据的撷取及分析所需的时间期间可能会延迟对后续处理之修正。此外，制造系统中将相当多的资源用来储存、组织、及追踪故障数据。
本发明系有关克服或至少减少前文所述一种或多种问题的影响。
发明内容
在本发明的一面向中，提供了一种用来产生索引以供储存数据之方法。储存第一组数据。决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案。响应与所述第二组数据相关联的图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定，而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性。
在本发明的另一面向中，提供了一种用来产生索引以供储存数据之方法。接收与工件的第一部分有关之制造数据。决定与所述工件的所述第一部分有关之数据相关联的故障图案。储存与所述工件的所述第一部分有关之数据。提供与所述工件的所述第一部分有关之数据相关联的索引。接收与所述工件的第二部分有关之制造数据。决定与所述工件的所述第二部分有关之数据相关联的故障图案是否对应于与所述工件的所述第一部分有关之数据相关联的故障图案。建立与所述工件的所述第一部分有关之数据有关的索引与所述工件的所述第一部分有关之数据间之关联性。所述关联性系根据与所述工件的所述第二部分相关联的故障图案对应于与所述工件的所述第一部分相关联的故障图案的决定。
在本发明的另一面向中，提供了一种用来产生索引以供储存数据之方法。接收与第一工件有关之制造数据。决定与所述第一工件有关之数据相关联的故障图案。使用索引以储存与所述第一工件有关之数据。接收与工件有关之制造数据。决定与所述第二工件有关之数据相关联的故障图案是否对应于与所述第一工件有关之数据相关联的故障图案。建立与所述第一工件有关之制造数据的索引与所述第二工件有关之数据间之关联性。所述关联性系根据与所述第二工件相关联的故障图案对应于与所述第一工件相关联的故障图案的决定，因而使与所述第一工件有关之数据相等于与所述第二工件有关之数据。
在本发明的另一面向中，提供了一种用来产生索引以供储存数据之系统。所述系统包含用来处理工件的处理工具、以及用来获得与工件有关的制造数据之测量工具。所述制造数据包括指示故障图案的度量数据及测试数据中之至少一者。所述系统亦包含控制器，用以决定与所述工件的第一部分相关联的故障图案、以及与所述工件的第二部分相关联的故障图案。所述控制器亦适于决定与所述工件的所述第二部分相关联的故障图案是否对应于与所述工件的所述第一部分相关联的故障图案。所述控制器亦适于：根据所述故障图案系与所述工件的所述第二部分相关联的决定，而建立与所述工件的所述第一部分相关联的故障图案有关的数据之索引与所述第二部分相关联的故障图案有关的数据间之关联性。
在本发明的另一面向中，提供了一种用来产生索引以供储存数据之装置。所述装置包含：用来决定与第一组数据相关联的图案之机构；用来储存所述第一组数据之机构；用来决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案之机构；以及用来响应与所述第二组数据相关联的图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性的机构。
在本发明的又一面向中，提供了一种计算机可读取的程序储存设备，系以指令将所述计算机可读取的程序储存设备编码，以用来产生索引以供储存数据。所述计算机可读取的程序储存设备以指令予以编码，所述指令被计算机执行时，执行一种方法，所述方法包括下列步骤：决定与第一组数据相关联的图案；储存所述第一组数据；决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案；以及响应与所述第二组数据相关联的图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定，而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性。
附图说明
参照前文中之说明，并配合各附图，将可了解本发明，在这些附图中，类似的组件符号识别类似的组件，其中：
图1示出可被半导体制造系统处理的半导体晶圆之格式化图；
图2示出用来处理半导体晶圆的先前技术方法之流程图；
图3示出根据本发明的一例示实施例的系统之方块图；
图4示出根据本发明的一例示实施例的复数个故障图案之格式化晶粒层级图；
图5示出根据本发明的一例示实施例的故障图案之格式化晶圆层级图；
图6示出根据本发明的一例示实施例的故障图案之格式化批层级图；
图7A示出根据本发明的一例示实施例而被处理的一些晶圆的制造参数之格式化图；
图7B示出根据本发明的一例示实施例的制造参数在一段时间中之格式化图；
图8示出根据本发明的一例示实施例之一实施例的方法步骤之流程图；以及
图9示出根据本发明的一例示实施例而用来执行图8所示数据索引处理之更详细的流程图。
虽然本发明易于作出各种修改及替代形式，但是所述图式中系以举例方式示出本发明的一些特定实施例，且已在本说明书中详细说明了这些特定实施例。然而，应当了解，本说明书对这些特定实施例的说明之用意并非将本发明限制在所揭示的所述特定形式，相反地，本发明将涵盖由最后的申请专利范围所界定的本发明的精神及范围内之所有修改、等效、及替代。
具体实施方式
下文中将说明本发明之例示实施例。为了顾及说明的清晰，本说明书中将不说明真实实作之所有特征。然而，应当了解，于开发任何此类真实的实施例时，可作出许多与实作相关的决定，以便达到开发者的特定目标，例如符合与系统相关的及与商业相关的限制条件，而这些限制条件可随着不同的实作而变化。此外，应当了解，此种开发工作可能是复杂且耗时的，但对已从本发明的揭示事项获益的对此项技术具有一般知识者而言，仍然将是一种例行的工作。
现在将参照附图而说明本发明。只为了解说之目的，而在所述图式中以示意之方式示出各种结构、计算机、处理工具、及系统，以便不会以熟习此项技术者习知的细节模糊了本发明。然而，所述附图被包含，以便描述并解说本发明之例示例子。应将本说明书所用的字及词汇理解及诠释为具有与熟习相关技术者对这些字及词汇所了解的一致之意义。不会因持续地在本说明书中使用术语或词汇，即意味着该术语或词汇有特殊的定义(亦即与熟习此项技术者所了解的一般及惯常的意义不同之定义)。如果想要使术语或词汇有特殊的意义(亦即与熟习此项技术者所了解的意义不同之意义)，则将会在本说明书中以一种直接且毫不含糊地提供该术语或词汇的特殊定义之下定义之方式明确地述及该特殊的定义。
系以软件、或算法及对计算机内存内的数据位进行的运算的符号表示法之方式呈现本发明的部分、及对应的详细说明。这些说明及表示法是对此项技术具有一般知识者用来在有效的方式下将其工作之内涵传递给对此项技术具有一般知识的其它人士之说明及表示法。在本说明书的用法中，且在一般性的用法中，“算法”(“algorithm”)被认为是一系列有条理并可得到所需结果之步骤。这些步骤是需要对物理量作物理操作的步骤。虽非必然，但这些物理量之形式一般为可被储存、传送、结合、比较、及以他种方式操作之光信号、电信号、或磁性信号。将这些信号称为位、数值、元素、符号、字符、项、或数字等术语时，已证明经常是较便利的，主要也是为了普遍使用之故。
然而，应当谨记于心，所有这些及其它类似的术语都与适当的物理量相关联，而且只是适用于这些物理量的便利性标记而已。除非有其它特别的陈述，或在说明中系为显而易见，否则诸如“处理”、“计算”、“估计”、“决定”、或“显示”等的术语都意指计算机系统或类似电子计算设备之动作及处理，且此种计算机系统系将该计算机系统的缓存器及内存内表现为物理量、电子量之数据操作并变换成该计算机系统的内存、缓存器、或其它此种信息储存、传输、或显示设备内类似表现为物理量之其它数据。
有许多涉及半导体制造的独立处理。通常使工件(例如，半导体晶圆(105)、半导体设备、集成电路等)通过多个制造处理工具。本发明的实施例提供了以一种有效率之方式组织及储存故障数据，以便减少用来储存制造数据的数据库之复杂性及(或)容量大小。可根据特定的故障图案，而组织诸如与内存数组有关的故障位对映图的故障数据。一般而言，当晶圆的部分包含错误时，可辨认错误图案。可能在该晶圆的被后续处理的部分或其它晶圆的部分中重复该错误图案。可根据该图案而组织故障数据。然后可产生被组织的故障数据之索引。因此，在一实施例中，可根据索引系统而将故障图案数据储存在数据库中。然后可组织关系型数据库，以便储存参照到与故障图案有关的数据之索引。因此，当辨认了故障图案时，可将该索引用来查询被储存之实际故障数据。在此种方式下，通常将特定故障图案被储存的次数大幅减少到每一事件一次。因此，无须储存被辨认为与先前被储存的故障图案相关之额外的故障图案，因而节省了储存空间及其它计算资源。因此，本发明之实施例提供了一种储存及撷取故障数据之有效率之方式。
本发明之实施例提供了获得度量及(或)测试数据且侦测与该数据有关的图案之方法。该图案可包含与晶圆上的一个或多个晶粒区域或内存数组中之内存位置有关之错误图案。在获得了度量数据/测试数据之后，然后可分析该数据，并将该数据与先前被侦测到的错误图案比对。可根据所述错误图案而产生与所述错误图案有关的数据之索引。可将关系型数据库用来储存该索引数据。在未来遇到另一类似的错误图案时，可从该关系型数据库获得该索引数据。可由搜寻该关系型数据库中之索引清单，而执行该获得。可将该索引数据用来指向与该错误图案对应的先前储存之度量/测试数据。换言之，亦可使相符的索引与新获得的数据以及原始储存的数据相关联，或建立该索引与该数据间的相关性。在此种方式下，可储存与特定错误图案有关的一组实际之度量/测试数据，并在关系型数据库中产生所述数据之索引，用于执行后续的查询，而储存较少量的数据。在此种方式下，无须储存与类似的错误图案有关之每一数据组，因而提高了分析度量/测试数据时的效率，且减少了对过度的计算资源之需求。
现在请参阅图3，图中示出根据本发明的实施例之系统(300)。系统(300)中之处理控制器(305)可控制与复数个处理工具(310)有关的各种作业。处理控制器(305)亦可根据所撷取的与故障图案有关之数据而执行反馈(feedback)及(或)前馈(feed-forward)连接。处理工具(310)可包括复数个室(chamber)(325)，每一室可处理晶圆。系统(300)亦可获得诸如与被处理的半导体晶圆(105)有关的度量数据之制造数据、测试数据、绩效数据、以及良率数据等。系统(300)亦可包括复数个度量工具(360)，用以获得与被处理的半导体晶圆(105)有关之各种类型的度量数据。系统(300)亦可包括测试单元(370)。测试单元(370)可包括一个或多个测试设备，所述测试设备可测试晶圆、晶圆上的晶粒区域、内存数组中之内存位置、以及集成电路等项目。
系统(300)亦可包括缺陷侦测单元(365)。缺陷侦测单元(365)可执行对各种制造数据的分析，以便侦测与被处理的晶圆的部分相关联之缺陷。缺陷侦测单元(365)可采用各种类型的数据分析技术。例如，缺陷侦测单元(365)可使用统计估计、临界值比较、以及模型数据比较等，以侦测与被处理的晶圆的部分相关联之缺陷状况。
系统(300)亦可包括数据库单元(340)。提供数据库单元(340)，用以储存诸如与制造有关的数据以及与系统(300)的作业有关的数据(例如，处理工具(310)的状态、半导体晶圆(105)的状态等)的复数种类型之数据。制造数据可包含诸如与晶圆电性测试(Wafer Electrical Test；简称WET)、内存数组读取/写入测试等有关之数据的度量数据、测试数据。数据库单元(340)可储存与由处理工具(310)执行的复数个处理运转有关之工具状态数据。数据库单元(340)可包括数据库服务器(342)，用以将工具状态数据及(或)与晶圆的处理有关之其它制造数据储存到数据库储存单元(345)。
此外，系统(300)亦可包括关系型数据库(345)。可将与制造数据有关的索引数据储存在关系型数据库(345)。在一实施例中，当处理控制器(305)接收到已侦测到特定错误图案之指示时，控制器(305)可扫描关系型数据库(345)，以便搜寻与该错误图案对应的索引。然后可将该索引用来自数据库单元(340)撷取与该错误图案有关的实际数据。如果并未发现与被侦测的错误图案相符之索引，则处理控制器(305)可产生新的索引，并储存对应的错误图案数据。在一实施例中，关系型数据库(345)可以是来自数据库单元(340)的独立的数据库实体。在替代实施例中，关系型数据库(345)可以是数据库单元(340)的部分。
系统(300)亦包括图案分析单元(380)。图案分析单元(380)可分析来自度量工具(360)、缺陷侦测单元(365)、及(或)测试元素(370)之数据。根据所述测试数据、度量数据、及(或)缺陷侦测数据，图案分析单元(380)可决定特定的错误图案。该错误图案可能与诸如内存数组的一列上之错误、晶粒中具有某种一致的错误图案之某些区域、一批晶圆中之数个晶圆上共通的某些晶粒区域中之错误等的晶圆上的各种几何图案有关。
系统(300)亦可包括图案分类单元(390)。图案分类单元(390)可执行由图案分析单元(380)所侦测的错误图案之分析及分类。图案分类单元(390)可辨认诸如内存数组的一列或晶圆的晶粒中之特定错误图案等的特定错误图案之类型。根据由系统(300)执行的图案侦测及图案分类而可产生与特定错误图案有关的数据之索引。然后可使用索引关系而储存该数据，其中系将索引数据储存在关系型数据库(345)。在此种方式下，系统(300)然后可产生特定错误图案之后续侦测的索引，并使该索引与先前储存之一组数据相关联。因此，使用特定数据组的关联性而以索引撷取错误图案时，只需要储存容量少许多的数据。
处理控制器(305)、缺陷侦测单元(365)、图案分析单元(380)、及(或)图案分类单元(390)可包括软件组件、硬件组件、韧体组件、及(或)以上组件之组合。此外，图3所示之所述方块所代表的各种组件可经由系统通讯线(315)而相互通讯。系统通讯线(315)可以是计算机总线链路(link)、专用的硬件通讯链路、电话系统通讯链路、无线通讯链路、或熟悉此项技术者在参阅所揭示的本发明之后可实施之其它通讯链路。
现在请参阅图4，图中示出诸如晶圆中之内存数组区域的晶粒区域之格式化示范之布局。图4示出晶粒层级(level)的测试结果，图中示出被处理的晶圆的区域内之合格(P)区域或故障(F)区域。可执行诸如电性测试、内存读回测试、及度量分析等的各种测试，以便分析晶粒区域。如图4所示，包含三个垂直定位的故障(F)部分之图案可代表部分行故障。可能在晶圆上的其它晶粒区域的对应区域中重复此种特定的部分行故障图案。另一示范的图案可包含对角线图案的故障(F)区域。此外，亦可侦测到部分列的故障图案。此外，如图4所示，一整行或一整列可能故障。因此，根据诸如内存读写测试、电性测试、及度量分析等的各种测试，而可在晶粒的各种区域中侦测各种故障图案，并可建立故障图案。图案分析单元(380)可侦测诸如对角线图案、部分行图案、部分列图案、行图案、以及列图案等的图4所示之各种图案，并可建立故障与特定图案间之关联性。图案分类单元(390)然后可将这些图案分类。使用该分类时，可产生故障数据之索引，并储存故障数据。可以只储存实际的故障数据一次，其中可储存与所述故障图案有关之每一索引。然后可产生后续被侦测到的故障图案之索引，且参照到对应的先前储存之错误数据。
现在请参阅图5，图中示出根据本发明的一实施例的格式化晶圆层级故障图案图。图5示出第一晶圆及第N晶圆(其中N是任何整数)。可辨认晶圆的特定区域中的故障，并可建立故障图案。可能在诸如第一及第N晶圆的各种晶圆中重复这些故障图案。因此，如果产生了与该第一晶圆上的故障有关的数据之索引，并储存所述数据，则在侦测该第N晶圆中的故障时，可将索引参照用来提取(extract)与该第一晶圆中的故障有关之数据。亦可将该数据应用于该第N晶圆的故障。因此，为了与该第N晶圆的故障有关之细节，只需储存指向先前储存的该第一晶圆的数据之参照索引，因而节省了可观的计算资源。
现在请参阅图6，图中示出与一批晶圆中之复数个晶圆有关的批层级故障图案图。图6示出复数个晶圆(第一至第六晶圆(610)、(620)、(630)、(640)、(650)、(660))，每一晶圆可包含某些所示晶圆共同出现的故障区域。例如，第三及第四晶圆(630)、(640)可包含类似的故障图案。同样地，第二、第五、及第六晶圆(620)、(650)、(660)可包含类似的故障图案。因此，可建立基于批层级的故障图案。可将故障的坐标用来作为指向具有类似故障图案的一群晶圆的故障数据之索引。在其它晶圆上遭遇类似的故障时，并不储存错误本身的各种细节，而是可储存指向与先前储存的数据有关之错误数据的索引。因此，可提供批层级的索引机制，其中只储存某些数目的错误数据组。此种方式提供了储存来自一晶圆的故障数据，且在另一晶圆上遭遇了类似状况的错误图案时，可使用与原始晶圆有关的数据，就如同该数据是与该第二晶圆有关的数据。
在此种方式下，一索引可参照到与第三及第四晶圆(630)、(640)有关的数据对应之单一数据组，而第二索引可参照到与第二、第五、及第六晶圆(620)、(650)、(660)有关的数据对应之单一数据组。与含有与该批中之所有其它晶圆的故障图案不同的故障图案之第一晶圆(610)有关的数据可被指定有其本身独特的索引。在此种方式下，可有效率节省可观的计算资源，同时仍然维持错误数据的完整性。
现在请参阅图7A，图中示出与一批中之特定晶圆有关之参数层级图。可对映复数个晶圆之各种处理控制参数。这些参数的例子可包含蚀刻机的功率曲线、研磨板的向下压力、分配杯上的旋转(spin)速度、以及光微影处理的照射功率等的参数。与对特定晶圆的处理有关之其它参数可包含与蚀刻处理有关的射频(RF)曲线以及气流率等的参数。举例而言，可对映蚀刻机对各种晶圆之功率曲线。举例而言，当接续处理数个晶圆时，如图7A中之上升部分所示，晶圆功率可能上升。如图7A中之稳定区域所示，晶圆功率然后可到达稳定的期间。然后，在处理了某些数目的晶圆之后，晶圆功率曲线可能下降。因此，可建立复数个晶圆的参数层级图案。各批的该图案可能是相似的。因此，并不储存与批有关之所有的参数数据点，而是可储存一批的功率曲线之数据点，且可产生其它批的晶圆功率曲线图案之索引，并参照回与先前储存的第一批有关之实际数据。可在可接受的精确度下产生功率曲线的各种斜率图案之索引。同样地，亦可以类似之方式对映其它的参数。可将图7A所示之功率曲线图应用于与各种晶粒区域、单一晶圆内的、及(或)晶圆批中的有关之各种参数。
现在请参阅图7B，图中示出与晶圆上的特定区域有关之参数层级与各种时间期间关系图。举例而言，于处理半导体晶圆(105)时，可沿着各种时间期间而追踪蚀刻机的功率曲线。例如，当接续地处理晶圆的区域时，如图7的上升部分所示，晶圆功率可能上升。如图7B中之稳定区域所示，晶圆功率然后可在某一段时间中到达稳定的期间。然后，在某一时间期间之后，晶圆功率曲线可能下降。因此，可建立晶圆中之或一批晶圆的复数个晶圆中之复数个区域的参数层级图案。
现在请参阅图8，提供了根据本发明的一实施例的方法之流程图。在步骤(810)中，系统(300)可处理复数个半导体晶圆。在步骤(820)中，可根据对晶圆的处理，而获得度量/测试数据。然后在步骤(830)中，系统(300)可根据被获得的测试数据而执行数据索引处理。该数据索引处理提供了对被获得的度量/测试数据执行图案辨认及图案分类。图9及下文中之伴随说明将提供对步骤(830)的数据索引处理之更详细的说明。
在执行了该数据索引处理之后，系统(300)可在步骤(840)中储存以索引参照的数据。然后在步骤(850)中，当在后续的时间期间中侦测到类似的错误图案时，可撷取被储存之以索引参照的数据。因此，可对与类似的错误图案有关之制造数据进行侦测、辨认、及索引产生，然后可以所产生的索引替代另一错误图案。然后在步骤(860)中，根据该数据而可执行对处理的调整。因此，只需要储存较少的数据，且可提供复数个被分析的晶圆之详细错误数据。
现在请参阅图9，图中示出用来执行图8所示步骤(830)之数据索引处理的步骤之更详细的流程图。在步骤(910)中，系统(300)可处理被获得的测试数据及(或)度量数据。该处理可包含：记录故障、故障的位置、及故障的严重性等有关的细节。然后在步骤(920)中，可将该处理测试/度量数据用来执行图案分析。该图案分析可包含：侦测与故障/错误有关的特定类型之图案。例如，该处理可包含：分别对应于一些晶圆的一行中之特定部分是否含有故障图案。
然后在步骤(930)中，系统(300)可决定是否先前已侦测到目前所侦测的图案。在决定先前并未侦测到该图案之后，系统(300)可在步骤(940)中为新发现的故障图案产生新的数据库索引识别，并将该索引识别指定给现行的样本。在步骤(950)中，根据该新的数据库索引，而可将与该新的故障图案有关之详细数据储存在图案索引表中。该图案索引表可包括与先前根据所述故障有关的特定图案而被储存且产生索引的各种图案有关之数据。在记录了新的故障图案之后，在步骤(960)中，记录并储存与所储存的数据库数据相关之对应的索引，亦即，储存将被用来作为参照索引的故障图案。因此，在产生了新的数据库索引识别之后，将该图案中之新的故障图案数据储存到索引表，并储存故障图案索引本身，用于实际的对应数据之进一步撷取。
当在步骤(930)中根据图案分析的执行而决定先前已侦测到该被侦测的图案时，系统(300)然后可在步骤(970)中撷取历史性的故障图案索引，并将该故障图案索引指定给现行的样本。换言之，如果先前侦测到的故障图案与新发现的故障图案相符，则可撷取该故障图案索引。此外，在步骤(960)中，系统(300)然后可将该故障图案索引记录及储存在关系型数据库。系统(300)并非必定要储存与被辨认的故障图案有关之实际数据。反而，可根据故障的索引与特定所储存的故障图案相符，而以先前储存之详细错误数据取代目前发现的故障之数据。在此种方式下，系根据索引的特征而储存及撷取各种错误数据细节；例如，使用关系型数据库而以索引指向故障数据，以便实际地查询所储存的制造数据。
利用本发明的实施例时，可减少大量的数据储存需求，同时可维持故障图案的适当记录，而实质上不会牺牲掉数据的完整性。本发明之实施例提供了获得与被处理的晶圆的部分有关之各种电性/度量数据。本发明提供了根据图案辨认技术而产生晶圆故障数据的索引。可能在数个晶圆上重复故障图案。可产生与故障图案有关的数据之索引，并储存该数据。后续侦测到类似的故障图案时，可能导致产生用来指向被储存的原始数据组之额外的索引。因此，可将索引的功能用来获得被储存的与第一故障图案有关之数据。来自数据库的数据一般与后续被侦测到的故障图案相符。因此，可利用基于故障图案的参照索引以提供大量的错误数据，而无须储存与每一故障图案相关联的数据，因而减少了计算资源的需求量。因此，可提供对晶圆数据的较快之存取，同时只需要较少的计算机资源。本发明之实施例提供了于获得、储存、及(或)撷取制造数据时的增加之效率，因而影响到处理的输出。
可在先进处理控制(APC)架构中实施本发明所揭示的原理。APC架构是一种可用来实施本发明所揭示的控制策略之较佳平台。在某些实施例中，该APC架构可以是一种遍及工厂的软件系统；因此，可将本发明所揭示的所述控制策略应用于工厂内的几乎任何的半导体制造工具。该APC架构亦可容许对处理绩效进行远程访问及监视。此外，藉由采用该APC架构，数据储存可以比本地磁盘驱动器之方式更为方便，更有弹性，且成本更低。该APC架构允许进行更复杂类型的控制，这是因为该APC架构在写入必要的软件程序代码时提供了大量的弹性。
将本发明所揭示的控制策略部署到该APC架构时，可能需要一些软件组件。除了该APC架构内的软件组件之外，系针对与该控制系统有关的每一半导体制造工具而撰写计算机描述语言程序。当在半导体制造工厂中激活该控制系统中之半导体制造工具时，该半导体制造工具一般会呼叫描述语言程序，以便开始诸如叠层对准控制器的处理控制器所请求的动作。一般系以这些描述语言程序定义并执行所述控制方法。这些描述语言程序的开发可能包括控制系统的开发之相当大的部分。可将本发明所揭示的原理实施于其它类型的制造架构。
前文所揭示的所述特定实施例只是例示的，这是因为熟习此项技术者在参阅本发明的揭示事项之后，可易于以不同但等效之方式修改并实行本发明。此外，除了下文的申请专利范围所述者之外，不得将本发明限制在本说明书所示的结构或设计之细节。因此，显然可改变或修改前文所揭示的所述特定实施例，且将把所有此类的变化视为在本发明的范围及精神内。因此，本发明所寻求的保护系述于下文的申请专利范围。

Claims (10)

1、一种方法，包括下列步骤：
决定与第一组数据相关联的图案；
储存所述第一组数据；
决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案；以及
响应与所述第二组数据相关联的所述图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定，而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性。
2、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：根据对所述第二组数据的分析，而处理后续的工件。
3、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：
接收用于存取所述第二组数据的请求；以及
响应所述请求，而根据所述索引提供所述第一组数据作为所述第二组数据的等同数据。
4、如权利要求3所述的方法，其中，决定与所述第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案的步骤包括下列步骤：决定与半导体晶圆(105)的至少部分相关联的故障图案是否实质上类似于与所述第一组数据相关联的所述故障图案。
5、如权利要求4所述的方法，其中，决定与所述第二组数据相关联的所述图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案的步骤包括下列步骤：决定与第二位图案对映图相关联的所述图案是否实质上类似于所述第一位图案对映图。
6、如权利要求5所述的方法，进一步包括下列步骤：在接收到存取所述第二位对映图的请求时，使用所述索引以指向所述第一位图案对映图。
7、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：将所述第一组数据储存在第一数据库(340)中，且将所述索引储存在第二数据库(345)中。
8、如权利要求7所述的方法，其中，将所述索引储存在所述第二数据库(345)中的步骤包括下列步骤：将所述索引储存在关系型数据库(345)中。
9、一种用于产生索引而储存数据的系统，其特征在于，该系统包括：
用来处理工件的处理工具(310)；
用来获得与所述工件有关的制造数据的测量工具(360、370)，所述制造数据包括用来指示故障图案的度量数据和测试数据中的至少一个；以及
控制器(305)，用以决定与所述工件的第一部分相关联的故障图案、以及与所述工件的第二部分相关联的故障图案，所述控制器(305)用以决定与所述工件的所述第二部分相关联的故障图案是否对应于与所述工件的所述第一部分相关联的所述故障图案，且根据与所述工件的所述第二部分相关联的故障图案对应于与所述工件的所述第一部分相关联的所述故障图案的决定，而建立与所述工件的第一部分相关联的所述故障图案有关的数据的索引与所述第二部分相关联的所述故障图案有关的数据间的关联性。
10、一种计算机可读取的程序储存设备，以指令将该计算机可读取的程序储存设备编码，所述指令被计算机执行时，执行一种方法，该方法包括下列步骤：
决定与第一组数据相关联的图案；
储存所述第一组数据；
决定与第二组数据相关联的图案是否对应于与所述第一组数据相关联的图案；以及
响应与所述第二组数据相关联的所述图案对应于与所述第一组数据相关联的图案的决定，而建立与所述第一组数据相关联的索引与所述第二组数据间的相关性。
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