CN101413066A - 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法 - Google Patents

一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101413066A
CN101413066A CNA2008101556781A CN200810155678A CN101413066A CN 101413066 A CN101413066 A CN 101413066A CN A2008101556781 A CNA2008101556781 A CN A2008101556781A CN 200810155678 A CN200810155678 A CN 200810155678A CN 101413066 A CN101413066 A CN 101413066A
Authority
CN
China
Prior art keywords
arsenic
gallium
gallium arsenide
vacuum
separated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008101556781A
Other languages
English (en)
Inventor
范家骅
陆森云
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Jinmei Gallium Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Jinmei Gallium Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Jinmei Gallium Co Ltd filed Critical Nanjing Jinmei Gallium Co Ltd
Priority to CNA2008101556781A priority Critical patent/CN101413066A/zh
Publication of CN101413066A publication Critical patent/CN101413066A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。本发明能比传统石英分解系统耐受更高温度;本发明砷化镓的分解率较传统石英系统大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,本发明砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用。

Description

一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
技术领域
本发明涉及一种真空分离方法,尤其涉及一种用于将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法。
背景技术
从六十年开始,随着砷化镓化合物半导体的出现,从砷化镓化合物半导体的合成、单晶的制备、晶片的生产以及到器件的制备过程,都留有砷化镓的尾料。因此人们开始了从砷化镓中回收镓的工艺研究,主要有两种回收工艺思路,简述如下:
砷化镓在石英系统中的分离。因为砷化镓的合成是在石英系统中,在真空条件下,1230℃左右,砷蒸汽与金属镓合成为砷化镓。因此,我国有关单位进行了将此过程倒过来的研究工作,即在石英系统中,在真空条件下,将砷蒸汽抽走,达到一个砷镓分离的目的。该方法的不足之处在于,砷化镓的分解率较低,只有60%左右;且对砷没有进行收集,造成对环境的污染。
砷化镓氧化法分离。砷化镓被氧化后,砷会变成氧化砷,而金属镓因为在表面形成氧化膜后而不参加氧化反应,可以达到砷、镓分离的目的。国外有厂家使用这个工艺。该工艺的不足之处在于,由于砷化镓较稳定,氧化的难较大,另外氧化后产生的氧化砷是剧毒物质,在操作过程容易造成环境污染,也增加了操作人员的工作难度。
发明内容:
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种用于将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法。
本发明的技术方案如下:一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。
所述加热温度进一步控制在1250℃到1450℃之间。
所述真空容器由不锈钢制成。
所述真空容器设有冷却装置。
所述冷却装置为水冷装置。
所述真空容器内设有三相交流电加热装置。
还包括砷收集步骤,真空容器设有置于在加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上。
本发明与现有技术相比具有的有益效果是:本发明能比传统石英分解系统耐受更高温度;本发明砷化镓的分解率较传统石英系统大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,本发明砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用;由于在真空中分解,避免了氧化法分离产生剧毒的氧化砷物质,也避免在操作过程造成环境污染和对操作人员健康损害。
附图说明:
图1为本发明使用装置结构示意图。
具体实施方式:
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细描述。
实施例1:如图1所示,本发明使用的一种将砷化镓真空分解装置,包括设有冷却装置的真空炉体9,所述真空炉体9内部自下而上分为加热区3、缓冲区5、冷却区7,所述缓冲区5设有置于在加热区3上部的砷蒸汽导管4,用于提供砷蒸汽上升通道;所述冷却区7设有与所述砷蒸汽导管4相衔接的砷收集盲管6,砷蒸汽导管4中设有带孔的一块缓冲挡板8,用以减缓砷蒸汽蒸发时上升的速度并可以根据需要再增加缓冲挡板8的数量;所述加热区3由坩埚10、加热器1、保温层11构成,坩埚10为石墨制成,用于放置待分离的砷化镓2,加热器1为三相交流电加热器,部分分解后的金属镓在三相旋转磁场中产生搅动,可加速砷化镓分解,所述保温层11由高温陶瓷纤维构成,用以保持加热区3的高温。所述真空炉体9由不锈钢制成,真空炉体9的冷却装置为水冷装置或者风冷装置。所述冷却区7部位的真空炉体9内壁紧贴所述砷收集盲管6外壁,起到对砷收集盲管6的冷却作用。砷收集盲管6由不锈钢制成。
使用时,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1200℃。砷化镓经高温加热分解成为成为液态镓和砷蒸汽,由于使用三相交流电加热器,分解后产生的金属镓在三相旋转磁场中产生搅动,加速了砷化镓的分解与提高了砷化镓的分解程度。加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上,完成砷的收集。
实施例2:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1250℃。
实施例3:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1300℃。
实施例4:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1350℃。
实施例5:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1400℃。
实施例6:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1450℃。
实施例7:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1500℃。
本发明能比传统石英分解系统耐受更高温度;砷化镓的分解率较传统石英系统大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用;由于在真空中分解,避免了氧化法分离产生剧毒的氧化砷物质,也避免在操作过程造成环境污染和对操作人员健康损害。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。
2.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述加热温度进一步控制在1250℃到1450℃之间。
3.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器由不锈钢制成。
4.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器设有冷却装置。
5.根据权利要求4所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述冷却装置为水冷装置。
6.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器内设有三相交流电加热装置。
7.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于还包括砷收集步骤,真空容器设有置于在加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上。
CNA2008101556781A 2008-10-29 2008-10-29 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法 Pending CN101413066A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008101556781A CN101413066A (zh) 2008-10-29 2008-10-29 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008101556781A CN101413066A (zh) 2008-10-29 2008-10-29 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101413066A true CN101413066A (zh) 2009-04-22

Family

ID=40593799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101556781A Pending CN101413066A (zh) 2008-10-29 2008-10-29 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101413066A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103184339A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 砷化镓的处理设备及处理方法
CN104532012A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
CN106591599A (zh) * 2017-02-08 2017-04-26 磐石创新(北京)电子装备有限公司 一种砷化镓废料分离回收装置及方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103184339A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 砷化镓的处理设备及处理方法
CN104532012A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
CN104532012B (zh) * 2014-12-17 2016-08-24 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
CN106591599A (zh) * 2017-02-08 2017-04-26 磐石创新(北京)电子装备有限公司 一种砷化镓废料分离回收装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101413064B (zh) 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
CN101585536B (zh) 一种提纯太阳能级多晶硅的装置与方法
CN102173424B (zh) 真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备
CN102126725B (zh) 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN105540593B (zh) 一种活化渣剂除硼的方法及其装置
CN103924086B (zh) 电子废弃物破碎分选后的混合金属富集体的分离回收方法
TWI466825B (zh) 製造超純矽之方法與裝置
CN103395787B (zh) 一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法
CN103420380B (zh) 电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置
EP2013139A1 (en) Set - up for production of hydrogen gas by thermo- chemical decomposition of water using steel plant slag and waste materials
CN110106365A (zh) 一种超高纯度锑的制备方法和制备装置
CN101413066A (zh) 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
CN201358292Y (zh) 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
CN204162438U (zh) 一种制取一氧化硅的流化床反应器
CN101413065A (zh) 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
CN203440097U (zh) 电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的装置
CN102471925B (zh) 硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备
CN201358289Y (zh) 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
CN108793170B (zh) 一种工业硅通气造渣冶炼结合预处理后酸洗工艺
CN203754434U (zh) 一种去除多晶硅中磷杂质的设备
CN201634435U (zh) 一种联体式真空高温歧化反应装置
CN101941698B (zh) 电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置
CN106629636A (zh) 一种磺酸盐辅助低温合成多孔氮化硼的方法
CN201962076U (zh) 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备
CN101787562A (zh) 一种联体式真空高温歧化反应装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20090422