CN203754434U - 一种去除多晶硅中磷杂质的设备 - Google Patents

一种去除多晶硅中磷杂质的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN203754434U
CN203754434U CN201420016082.4U CN201420016082U CN203754434U CN 203754434 U CN203754434 U CN 203754434U CN 201420016082 U CN201420016082 U CN 201420016082U CN 203754434 U CN203754434 U CN 203754434U
Authority
CN
China
Prior art keywords
equipment
plumbago crucible
vacuum chamber
graphite crucible
polysilicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201420016082.4U
Other languages
English (en)
Inventor
罗立国
方红承
彭金鑫
母清林
周冰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoshine Silicon Industry Co ltd
Original Assignee
ZHEJIANG HESHENG SILICON INDUSTRY Co Ltd
HEIHE HESHENG PHOTOVOLTAIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG HESHENG SILICON INDUSTRY Co Ltd, HEIHE HESHENG PHOTOVOLTAIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical ZHEJIANG HESHENG SILICON INDUSTRY Co Ltd
Priority to CN201420016082.4U priority Critical patent/CN203754434U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203754434U publication Critical patent/CN203754434U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种去除多晶硅中磷杂质的设备,包括真空室、真空室内的石墨坩埚、设于石墨坩埚外部的保温套以及缠绕在保温套外壁上的感应线圈,其特征在于,所述石墨坩埚内设有搅拌机构,所述搅拌机构包括竖直设置的搅拌桨以及导流筒,所述导流筒通过安装架与真空室顶壁固定连接,所述搅拌桨的桨叶处于所述导流筒内。本实用新型通过在石墨坩埚内设置搅拌机构,可以让熔融的硅液在石墨坩埚内上下翻滚,使得磷蒸汽能够迅速挥发,降低能耗和成本。

Description

一种去除多晶硅中磷杂质的设备
技术领域
本实用新型涉及多晶硅提纯技术领域,尤其涉及一种去除多晶硅中磷杂质的设备。
背景技术
工业硅(MG-Si)中含有Fe、Ca、Al等金属元素和B、P、O、C等非金属元素,其纯度通常为99%(2N)左右,而太阳能多晶硅的纯度要求为6~7N(不计碳氧含量),因此可以通过冶金法将MG-Si提纯到太阳能级多晶硅(SOG-Si),所谓冶金法提纯多晶硅,是指提纯过程中硅没有发生化学变化,未通过化学反应转化为其它化合物来达到提纯的目的。在提纯过程中主要利用不同元素物理性质的差异来使之分离,其中包含湿法冶金、吹气、造渣、定向凝固、真空条件下的电子束、等离子体、太阳聚光及感应熔炼等。
真空除磷是根据磷的饱和蒸汽压远远大于硅的原理实现磷的挥发分离。真空感应熔炼除磷工艺是目前最有希望大大降低工业硅提纯成本的一项技术,而且可以将通气造渣与定向凝固同时集成到一台设备上,形成复合冶金工艺。
CN101850975A公开了一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法,包括以下步骤:将封密式提纯炉内净化,加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅;对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体;停止吹入O2和Ar混合气体,通过硅液底部骤冷,使其从底部向上进行定向凝固;硅锭出炉,去四周及头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。该专利虽然一定程度可以去除磷杂质,但是该专利公开的装置一方面保护罩与石墨坩埚密封性能欠佳,另一方面通入混合气体,虽然可以搅动硅液,但降低了真空度,磷不能有效蒸发去除。
实用新型内容
本实用新型提供了一种去除多晶硅中磷杂质的设备,以解决现有设备通过气体搅动硅液,降低了设备真空度,不能有效去除硅液中磷杂质的问题。
一种去除多晶硅中磷杂质的设备,包括真空室、真空室内的石墨坩埚、设于石墨坩埚外部的保温套以及缠绕在保温套外壁上的感应线圈,其特征在于,所述石墨坩埚内设有搅拌机构,所述搅拌机构包括竖直设置的搅拌桨以及导流筒,所述导流筒通过安装架与真空室顶壁固定连接,所述搅拌桨的桨叶处于所述导流筒内。
所述石墨坩埚下方设有升降机构,所述升降机构由支撑石墨坩埚的水冷盘以及竖直设置的支撑杆组成。
所述支撑杆两侧设有穿过水冷盘的导杆。
所述桨叶处于导流筒中心位置。
本实用新型通过在石墨坩埚内设置搅拌机构,可以让熔融的硅液在石墨坩埚内上下翻滚,使得磷蒸汽能够迅速挥发,降低能耗和成本。
附图说明
图1为本实用新型设备的结构示意图。
图2为本实用新型设备中搅拌机构的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种去除多晶硅中磷杂质的设备,包括真空室1,真空室1外部连接抽真空装置5,内部设有石墨坩埚2,石墨坩埚2外部套有保温套3,保温套3外部缠绕感应线圈4,用于加热石墨坩埚2内部的多晶硅。
石墨坩埚2内部设有搅拌机构7,搅拌机构7包括电机74、搅拌桨72以及导流筒70,导流筒70通过安装架71与真空室顶壁固定连接,本实施例导流筒70与安装架71一体成型,当然也可以通过螺栓固定连接。
搅拌桨72顶部与电机74轴连接,底部设有桨叶73,桨叶83位于导流筒70的中心位置,搅拌桨72转动过程中,会带动内部的硅液按箭头方向上下翻滚,使内部温度分布均匀,可以让挥发性杂质快速析出,降低能耗。
石墨坩埚2下方设有升降机构6,升降机构包括支撑杆62和支撑石墨坩埚2的水冷盘61,支撑杆62两侧还有导杆63,导杆63顶端穿过水冷盘61,保证石墨坩埚2上下运动平稳顺畅。
本实用新型装置的工作原理如下:
将工业硅料放入石墨坩埚4内,然后启动抽真空装置5,让真空室1内部的真空度达到一定数值,启动感应线圈4,对石墨坩埚2内部的硅进行加热,直至完全融化,启动电机74,让搅拌桨72转动,桨叶73搅动内部的硅液,使得硅液翻滚,达到充分热交换,让内部挥发性杂质尽快到达硅液的表面,因蒸发而被除去。
除磷完成后,开启水冷盘61的进水,对石墨坩埚2的底部进行冷却,让内部硅液定向凝固,完成后,切去顶部杂质含量高的部分。

Claims (4)

1.一种去除多晶硅中磷杂质的设备,包括真空室、真空室内的石墨坩埚、设于石墨坩埚外部的保温套以及缠绕在保温套外壁上的感应线圈,其特征在于,所述石墨坩埚内设有搅拌机构,所述搅拌机构包括竖直设置的搅拌桨以及导流筒,所述导流筒通过安装架与真空室顶壁固定连接,所述搅拌桨的桨叶处于所述导流筒内。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述石墨坩埚下方设有升降机构,所述升降机构由支撑石墨坩埚的水冷盘以及竖直设置的支撑杆组成。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述支撑杆两侧设有穿过水冷盘的导杆。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述桨叶处于导流筒中心位置。
CN201420016082.4U 2014-01-10 2014-01-10 一种去除多晶硅中磷杂质的设备 Expired - Lifetime CN203754434U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420016082.4U CN203754434U (zh) 2014-01-10 2014-01-10 一种去除多晶硅中磷杂质的设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420016082.4U CN203754434U (zh) 2014-01-10 2014-01-10 一种去除多晶硅中磷杂质的设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203754434U true CN203754434U (zh) 2014-08-06

Family

ID=51249733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201420016082.4U Expired - Lifetime CN203754434U (zh) 2014-01-10 2014-01-10 一种去除多晶硅中磷杂质的设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203754434U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106643147A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 昆明铂生金属材料加工有限公司 用于高频冷坩埚熔炼金属氧化物的启动熔化装置及方法
CN109354024A (zh) * 2018-11-19 2019-02-19 成都斯力康科技股份有限公司 一种新型工业硅分离除杂的装置及方法
CN117685576A (zh) * 2024-02-02 2024-03-12 济南格欧环保科技有限公司 一种带有机械运动电极的转移弧等离子熔融飞灰设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106643147A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 昆明铂生金属材料加工有限公司 用于高频冷坩埚熔炼金属氧化物的启动熔化装置及方法
CN106643147B (zh) * 2016-11-30 2019-07-05 昆明铂生金属材料加工有限公司 用于高频冷坩埚熔炼金属氧化物的启动熔化装置及方法
CN109354024A (zh) * 2018-11-19 2019-02-19 成都斯力康科技股份有限公司 一种新型工业硅分离除杂的装置及方法
CN117685576A (zh) * 2024-02-02 2024-03-12 济南格欧环保科技有限公司 一种带有机械运动电极的转移弧等离子熔融飞灰设备
CN117685576B (zh) * 2024-02-02 2024-04-16 济南格欧环保科技有限公司 一种带有机械运动电极的转移弧等离子熔融飞灰设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101665253B (zh) 多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备
CN102173424B (zh) 真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备
CN103387236B (zh) 一种高纯硅的精炼装置及其方法
CN1873062A (zh) 一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
TW201033122A (en) Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
CN102040219A (zh) 一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法
CN203754434U (zh) 一种去除多晶硅中磷杂质的设备
CN101724900A (zh) 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
CN102126725A (zh) 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN113416854A (zh) 超高纯铝的制备方法
CN101850975A (zh) 一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法
CN109022826A (zh) 还原精炼一体化冶炼系统
JP2007326749A (ja) シリコン精製装置およびシリコン精製方法
CN106555224A (zh) 一种单晶硅的生产方法和生产设备
JPH10273311A (ja) 太陽電池用シリコンの精製方法及び装置
CN104232932B (zh) 一种高纯铝的提纯装置及其使用方法
CN203440097U (zh) 电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的装置
CN105838907B (zh) 钛提纯装置及使用方法
CN108149025A (zh) 一种高性能无氧铜杆的制备方法
CN203741050U (zh) 一种去除多晶硅中磷和硼的装置
CN104556050B (zh) 一种电子束过热熔炼去除多晶硅中金属杂质的方法和装置
CN101941698B (zh) 电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置
CN102145895B (zh) 一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN103833037B (zh) 一种多晶硅除磷装置及方法
CN1962436A (zh) 一种金属硅提纯工艺及其生产设备

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 164399, Heihe, Heilongjiang Province five Xiushan Russian electric processing zone

Patentee after: HEIHE HESHENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

Patentee after: HOSHINE SILICON INDUSTRY CO.,LTD.

Address before: 164399, Heihe, Heilongjiang Province five Xiushan Russian electric processing zone

Patentee before: HEIHE HESHENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

Patentee before: ZHEJIANG HESHENG SILICON INDUSTRY Co.,Ltd.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20151021

Address after: Jiaxing City, Zhejiang province 314201 Zhapu Zhen Ya Mountain Road No. 530

Patentee after: HOSHINE SILICON INDUSTRY CO.,LTD.

Address before: 164399, Heihe, Heilongjiang Province five Xiushan Russian electric processing zone

Patentee before: HEIHE HESHENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

Patentee before: HOSHINE SILICON INDUSTRY CO.,LTD.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140806

CX01 Expiry of patent term