CN101381070A - 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，包括：对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火；在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核心元件结构；利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂中的图形转移到表层硅上；涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置；沉积金属电极材料；剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；二次电子束套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；腐蚀牺牲层，使得双端固支梁悬空。利用本发明，具有工艺步骤少、简单、可靠、能与传统CMOS工艺兼容的优点。

Description

一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法

技术领域

本发明涉及微纳米加工技术领域，尤其涉及一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，更具体地是一种基于SOI衬底的射频单电子晶体管的位移传感器的制备方法。

背景技术

快速灵敏的位移和微小力传感器在目前具有广泛的应用前景，它可以应用在量子重叠态、量子相干态、磁共振力显微镜(MRFM)的单自旋磁共振的测量中，另外还可以应用在核磁共振量子计算机的数据读出等方面。本发明所涉及的纳米尺度的位移传感器在射频范围内达到标准量子极限

。以一个微米尺度的梁为例，假设共振频率为100MHz，品质因数为10⁴，可以估算出用该系统来测量量子相干态所要测量的最小位移为10^-5nm。

众所周知，单电子晶体管可以作为超灵敏的静电计，电荷灵敏度可以达到10^-5e/Hz^-1/2，就是说在1s的时间内可以检验到十万分之一个基本电荷的微小变化，接近于理论极限。单电子晶体管的源漏电流随着栅上的电荷的微小变化而变化，周期为e(一个基本电荷电量)。假设栅上电荷的变化为ΔQ，则栅电压的变化为 $\mathrm{\Δ}{V}_g=\frac{\mathrm{\ΔQ}}{C_g},$ 源漏电导G_d随着栅压V_g呈现周期性的振荡，从而源漏电流就会随之出现周期性的变化。双端固支梁就可以等效为一个侧栅(见图2)，当双端固支梁受到外力震动时，它与单电子晶体管库仑岛之间的关系就相当与栅与岛之间关系，其等效的栅电容C_beam就会随之变化，单电子晶体管的源漏电流随着这个电容的微小变化而变化，从而源漏电流就会随之出现周期性的变化。

通常我们把双端固支梁简化为一个谐波振荡器，一个简单的谐波振荡器在温度为T的环境下，能量为E＝k_BT，根据理论推导，梁的振荡的位移为 ${\mathrm{\δ}}_x={(k_{B}T/m{{\mathrm{\ω}}_0}^2)}^{\frac{1}{2}},$ 其中ω₀为谐波振荡器的固有频率。从式中可以看出这个位移尺度可以通过不断的降低温度来减小，直到达到量子极限位移

当温度

就可以达到这个量子极限位移。

如果梁的长度、宽度、厚度分别为l、w、t，材料密度为ρ，杨氏模量为E，那么可以得到梁谐波共振频率为 ${\mathrm{\ω}}_0=3.516\frac{t}{l^2}\sqrt{\frac{E}{12\mathrm{\ρ}}}.$

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种可以测量微小位移的新型传感器的制备方法，即基于SOI衬底的射频单电子晶体管的位移传感器的制备方法，以简化制作工艺，实现与传统CMOS工艺的兼容。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，该方法包括以下步骤：

步骤101：对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火；

步骤102：在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核心元件结构；

步骤103：利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂中的图形转移到表层硅上；

步骤104：涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置；

步骤105：沉积金属电极材料；

步骤106：剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；

步骤107：二次电子束套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；

步骤108：腐蚀牺牲层，使得双端固支梁实现悬空。

上述方案中，所述步骤101包括：对p型、111晶向的SOI衬底的顶层硅3进行注入P³¹⁺离子，注入能量为20keV，注入剂量为1×10¹⁵cm^-2，然后在N₂气氛中，在1200℃下快速退火15秒；所述p型、100晶向的SOI衬底从下到上依次由硅基底、375nm厚的埋氧层和120nm厚的顶层硅构成。

上述方案中，步骤102中所述电子抗蚀剂采用负性电子抗蚀剂SAL601、HSQ或Calixarene，或采用正性电子抗蚀剂PMMA或ZEP520；所述的电子束光刻可采用JEOL JBX-5000LS电子束光刻系统，采用50KeV加速电压、150pA电子束流、21至30μC/cm²曝光剂量。

上述方案中，步骤102中所述在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂后，进一步包括：采用热板在120℃下前烘3分钟；所述采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成位移传感器核心元件结构后，进一步包括：采用热板在120℃下后烘3分钟，并采用MF CD-26显影液在室温下显影6至10分钟。

上述方案中，步骤103中所述干法刻蚀采用气体CCl₄、BCl₃、CHF₃、SF₆或CF₂Cl₂，采用反应离子刻蚀RIE、电感耦合等离子刻蚀ICP或电子回旋共振刻蚀ECR；所述转移到表层硅上的单电子晶体管图形的库仑岛的直径小于50nm，构成隧道结的宽度小于5nm，侧栅与岛的间隔为20至100nm，梁的尺寸为1.25μm×0.6μm×0.15μm，与岛之间的最小间距为500nm。

上述方案中，所述步骤104包括：涂敷光学反转抗蚀剂9912、9918或AZ5214，涂敷转速为3000rpm，抗蚀剂厚度为1.5μm，然后采用热板在100℃下前烘100秒；对涂敷的光学抗蚀剂进行30秒的光刻机掩模曝光，然后用热板在115℃下烘烤70秒，接着泛曝60秒，最后显影50秒。

上述方案中，步骤105中所述金属电极材料采用Al-1％Si或Ti/TiN/Al-1％Si/TiN，其中Al-Si层厚度为1μm。

上述方案中，所述步骤105包括：蒸发或溅射1μm厚的Al电极材料，Al膜的厚度低于AZ5214抗蚀剂的厚度，Al膜并不连续，一部分Al沉积于光学抗蚀剂掩模之上，另一部分Al沉积于源区、漏区、栅区以及梁电极之上，分别形成源电极、漏电极、栅电极和梁电极。

上述方案中，所述步骤106包括：采用丙酮超声剥离抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后在400℃下在N₂中合金30分钟，形成欧姆接触的电极；或者采用丙酮超声剥离抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后在400℃下在N₂中合金5分钟，N₂/H₂混合气体中合金20分钟，N₂中合金5分钟，形成欧姆接触的电极。

上述方案中，所述步骤107包括：再次涂敷电子抗蚀剂zep520，5000rpm，并进行曝光前烘，170度热板，2分钟；采用电子束直写曝光及显影，剂量为110μc/cm²，对二甲苯室温下显影，在双端固支梁的上方开出窗口。

上述方案中，所述步骤108包括：采用氢氟酸缓冲液HF+NH₄F+H₂O在常温下腐蚀双端固支梁下面的牺牲层SiO₂，使得双端固支梁悬空，完成在SOI材料上射频单电子晶体管位移传感器的制备。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：

1、本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，采用电子束光刻(EBL)、剥离、干法刻蚀、蒸发、牺牲层腐蚀等工艺，在SOI衬底上制作一种基于射频单电子晶体管的位移传感，具有工艺步骤简单，可靠，能和传统的CMOS工艺兼容的优点。

2、本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，衬底选用SOI材料，与GaAs等化合物半导体材料相比，用硅材料制作的单电子晶体管能与传统的CMOS器件和电路兼容。因此，采用硅材料制作单电子晶体管具有很大的应用潜力，便于以后系统集成。而SOI衬底具有结构上的独特优势，从下到上依次为衬底硅、埋氧层、顶层硅，减薄后的顶层硅可用于制作单电子晶体管的库仑岛、源、漏、栅以及双端固支梁等基本组成单元；利用夹在顶层硅和衬底硅中间的埋氧层可以自然形成器件和衬底的绝缘隔离，以及作为梁的牺牲层，可以被腐蚀掉。

3、本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，采用电子束光刻技术，是一种有效的纳米加工手段，具有纳米级的分辨率，特别是在原子序数相对较小的硅基衬底上，分辨率更高，十分适合于制备纳米尺度的结构的制备。

4、本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，采用二次电子束套刻技术，在第一次电子束曝光的同时完成二次电子束对准的标记的制备。

附图说明

图1为双端固支梁和单电子晶体管的三维效果图；

图2为双端固支梁和射频单电子晶体管耦合成一体的结构示意图；图2中虚线框内为双端固支梁，在虚线框内加垂直于页面向外的磁场B；

图3为本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法流程图；

图4为与图3中步骤对应的制备单电子晶体管的工艺流程图；

图5为依照本发明实施例制备单电子晶体管的工艺流程图；

在图4和图5中，1为顶层硅，2为二氧化硅层，3为衬底硅，4为侧栅，5为岛，6为双端固定梁，7为电极。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明主要提供了一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，即一种基于SOI衬底的射频单电子晶体管的新型快速超灵敏位移传感器的制备方法，在SOI衬底上利用两次电子束曝光以及常规的CMOS工艺制作双端固支梁和单电子晶体管，作为这种新型位移传感器的核心元件部分。纳米尺度的双端固支梁和单电子晶体管都是制作在SOI衬底材料上的，并且其制作方法与传统的CMOS器件和电路制造工艺相兼容。纳米尺度的双端固支梁和射频单电子晶体管都是处于一个平面上的，单电子晶体管也是采用平面侧栅结构。

如图3所示，图3为本发明提供的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法流程图，该方法包括以下步骤：

步骤101：对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火；

与本步骤对应的工艺流程见图4-1，如图4-1所示，对SOI衬底(从下到上依次由硅基底3、埋氧层2和顶层硅1三层构成)的顶层硅1进行离子注入，并快速退火，提高顶层硅1的导电性。

步骤102：在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核心元件结构；

与本步骤对应的工艺流程见图4-2和图4-3，如图4-2所示，在SOI衬底上涂敷电子抗蚀剂，并进行相应的曝光前烘；如图4-3所示，采用电子束直写曝光及显影(若采用化学放大抗蚀剂，还需在曝光和显影之间采取后烘步骤)在电子抗蚀剂中形成单电子晶体管图形的源、漏、侧栅以及库仑岛、连接库仑岛与源和漏的隧道结以及双端固支梁。所述电子抗蚀剂采用负性电子抗蚀剂SAL601、HSQ或Calixarene，或采用正性电子抗蚀剂PMMA或ZEP520；

步骤103：利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂中的图形转移到表层硅上；

与本步骤对应的工艺流程见图4-4和图4-5，如图4-4所示，利用电子抗蚀剂图形等作为掩模采用等离子体干法刻蚀SOI衬底的顶层硅3，从而在顶层硅3中形成单电子晶体管以及双端固支梁的图形；如图4-5所示，采用干法氧等离子去胶(RIE)、湿法去胶(用#3号清洗液即浓H2SO4+H2O2煮胶)、专用去胶液等方法去除电子抗蚀剂掩模。所述干法刻蚀采用气体CCl₄、BCl₃、CHF₃、SF₆或CF₂Cl₂，采用反应离子刻蚀RIE、电感耦合等离子刻蚀(ICP)或电子回旋共振刻蚀(ECR)；所述转移到表层硅上的单电子晶体管图形的库仑岛的直径小于50nm，构成隧道结的宽度小于5nm，侧栅与岛的间隔为20至100nm，梁的尺寸为1.25μm×0.6μm×0.15μm，与岛之间的最小间距为500nm。

步骤104：涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置；

与本步骤对应的工艺流程见图4-6和图4-7，如图4-6所示，涂敷光学抗蚀剂，并前烘；如图4-7所示，对光学抗蚀剂进行光学曝光和显影，露出电极区的硅层。涂敷光学反转抗蚀剂9912、9918或AZ5214，涂敷转速为3000rpm，抗蚀剂厚度为1.5μm，然后采用热板在100℃下前烘100秒；对涂敷的光学抗蚀剂进行30秒的光刻机掩模曝光，然后用热板在115℃下烘烤70秒，接着泛曝60秒，最后显影50秒。

步骤105：沉积金属电极材料；

与本步骤对应的工艺流程见图4-8，如图4-8所示，采用蒸发或溅射方法沉积金属电极材料，金属层的厚度低于光学抗蚀剂的厚度，金属层并不连续，一部分沉积于光学抗蚀剂掩模，另一部分沉积于裸露出的表层硅上，形成电极。所述金属电极材料采用Al-1％Si或Ti/TiN/Al-1％Si/TiN，其中Al-Si层厚度为1μm左右。

步骤106：剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；

与本步骤对应的工艺流程见图4-9，如图4-9所示，采用丙酮超声剥离光学抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后合金，在顶层硅与金属材料之间形成欧姆接触，完成电极的制备。合金条件为：在400℃下在N₂中合金30分钟；或者在400℃下在N₂中合金5分钟，N₂/H₂混合气体中合金20分钟，N₂中合金5分钟。

步骤107：二次电子束套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；

与本步骤对应的工艺流程见图4-10和图4-11，如图4-10所示，再次涂敷电子抗蚀剂，并进行相应的曝光前烘；如图4-11所示，采用电子束直写曝光及显影(若采用化学放大抗蚀剂，还需在曝光和显影之间采取后烘步骤)在双端固支梁的上方开出窗口。

步骤108：腐蚀牺牲层，使得双端固支梁实现悬空；

与本步骤对应的工艺流程见图4-12，如图4-12所示，采用氢氟酸缓冲液(HF+NH₄F+H₂O)在常温下腐蚀双端固支梁下面的牺牲层SiO₂，使得双端固支梁悬空，完成在SOI材料上基于射频单电子晶体管的位移传感器的核心元器件的制备。

基于图3和图4所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，以下结合具体的实施例对本发明制备射频单电子晶体管位移传感器的方法进一步详细说明。

实施例

如图5-1所示，对p型、(111)晶向的SOI衬底(从下到上依次由硅基底1、375nm厚的埋氧层2和120nm厚的顶层硅3三层构成)的顶层硅3进行注入P³¹⁺离子，注入能量为20keV，注入剂量为1×10¹⁵cm^-2，然后在N₂气氛中，在1200℃下快速退火15秒。

如图5-2所示，在SOI衬底上涂敷1:1稀释的SAL601负性化学放大电子抗蚀剂4，涂敷转速为5000rpm，并采用热板在120℃下前烘3分钟。

如图5-3所示，采用电子束直写曝光、后烘、显影在电子抗蚀剂4中形成单电子晶体管图形的源漏4、库仑岛5、梁6、侧栅7。电子束曝光采用JEOL公司生产的JBX-5000LS电子束光刻系统，采用50KeV加速电压、150pA电子束流、21～30μC/cm²曝光剂量。后烘条件为120℃、3分钟。采用MF CD-26显影液在室温下显影6～10分钟。

如图5-4所示，利用SAL601电子抗蚀剂图形4、5、6、7作为掩模采用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法刻蚀SOI衬底的顶层硅3，从而在顶层硅3中形成单电子晶体管以及双端固支梁图形的源漏4、岛5、梁6、侧栅7。ICP刻蚀采用CHF₃气体或CHF₃/N₂混合气体，CHF₃流量为60sccm，在400W射频功率下刻蚀，1.5分钟。

如图5-5所示，采用湿法去胶法(用#3号清洗液即浓H₂SO₄+H₂O₂煮胶)去除电子抗蚀剂掩模4、5、6、7。

如图5-6所示，涂敷AZ5214光学反转抗蚀剂，涂敷转速为3000rpm，抗蚀剂厚度为1.5μm，然后采用热板在100℃下前烘100秒。

如图5-7所示，对AZ5214光学抗蚀剂进行30秒的光刻机掩模曝光，然后用热板在115℃下烘烤70秒，接着泛曝60秒，最后显影50秒。通过显影，去除掉源区、漏区、栅区以及梁电极正上方的光学抗蚀剂。

如图5-8所示，蒸发1μm厚的Al电极材料，Al膜的厚度低于AZ5214抗蚀剂的厚度，Al膜并不连续，一部分Al沉积于光学抗蚀剂掩模之上，另一部分Al沉积于源区、漏区、栅区以及梁电极之上，分别形成源电极、漏电极、栅电极和梁电极。

如图5-9所示，采用丙酮超声剥离AZ5214抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后在400℃下在N2中合金30分钟，形成欧姆接触。

如图5-10所示，再次涂敷电子抗蚀剂zep520，5000rpm，并进行曝光前烘，170度热板，2分钟。

如图5-11所示，采用电子束直写曝光及显影，剂量为110μc/cm²，对二甲苯室温下显影，在双端固支梁的上方开出窗口。

如图5-12所示，采用氢氟酸缓冲液(HF+NH₄F+H₂O)在常温下腐蚀双端固支梁下面的牺牲层SiO₂，使得双端固支梁悬空，完成在SOI材料上基于射频单电子晶体管的位移传感器的核心元器件的制备。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1、一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤101：对绝缘体上硅SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火；

步骤102：在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核心元件结构；

步骤103：利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂中的图形转移到表层硅上；

步骤104：涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置；

步骤105：沉积金属电极材料；

步骤106：剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；

步骤107：二次电子束套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；

步骤108：腐蚀牺牲层，使得双端固支梁实现悬空。

2、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤101包括：

对p型、111晶向的SOI衬底的顶层硅3进行注入P³¹⁺离子，注入能量为20keV，注入剂量为1×10¹⁵cm^-2，然后在N₂气氛中，在1200℃下快速退火15秒；所述p型、100晶向的SOI衬底从下到上依次由硅基底、375nm厚的埋氧层和120nm厚的顶层硅构成。

3、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，步骤102中所述电子抗蚀剂采用负性电子抗蚀剂SAL601、HSQ或Calixarene，或采用正性电子抗蚀剂PMMA或ZEP520；

所述的电子束光刻可采用JEOL JBX-5000LS电子束光刻系统，采用50KeV加速电压、150pA电子束流、21至30μC/cm²曝光剂量。

4、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，步骤102中所述在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂后，进一步包括：采用热板在120℃下前烘3分钟；

所述采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成位移传感器核心元件结构后，进一步包括：采用热板在120℃下后烘3分钟，并采用MF CD-26显影液在室温下显影6至10分钟。

5、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，步骤103中所述干法刻蚀采用气体CCl₄、BCl₃、CHF₃、SF₆或CF₂Cl₂，采用反应离子刻蚀RIE、电感耦合等离子刻蚀ICP或电子回旋共振刻蚀ECR；所述转移到表层硅上的单电子晶体管图形的库仑岛的直径小于50nm，构成隧道结的宽度小于5nm，侧栅与岛的间隔为20至100nm，梁的尺寸为1.25μm×0.6μm×0.15μm，与岛之间的最小间距为500nm。

6、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤104包括：

涂敷光学反转抗蚀剂9912、9918或AZ5214，涂敷转速为3000rpm，抗蚀剂厚度为1.5μm，然后采用热板在100℃下前烘100秒；

对涂敷的光学抗蚀剂进行30秒的光刻机掩模曝光，然后用热板在115℃下烘烤70秒，接着泛曝60秒，最后显影50秒。

7、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，步骤105中所述金属电极材料采用Al-1％Si或Ti/TiN/Al-1％Si/TiN，其中Al-Si层厚度为1μm。

8、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤105包括：

蒸发或溅射1μm厚的Al电极材料，Al膜的厚度低于AZ5214抗蚀剂的厚度，Al膜并不连续，一部分Al沉积于光学抗蚀剂掩模之上，另一部分Al沉积于源区、漏区、栅区以及梁电极之上，分别形成源电极、漏电极、栅电极和梁电极。

9、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤106包括：

采用丙酮超声剥离抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后在400℃下在N₂中合金30分钟，形成欧姆接触的电极；或者

采用丙酮超声剥离抗蚀剂掩模及其上方的金属，然后在400℃下在N₂中合金5分钟，N₂/H₂混合气体中合金20分钟，N₂中合金5分钟，形成欧姆接触的电极。

10、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤107包括：

再次涂敷电子抗蚀剂zep520，5000rpm，并进行曝光前烘，170度热板，2分钟；

采用电子束直写曝光及显影，剂量为110μc/cm²，对二甲苯室温下显影，在双端固支梁的上方开出窗口。

11、根据权利要求1所述的制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，其特征在于，所述步骤108包括：

采用氢氟酸缓冲液HF+NH₄F+H₂O在常温下腐蚀双端固支梁下面的牺牲层SiO₂，使得双端固支梁悬空，完成在SOI材料上射频单电子晶体管位移传感器的制备。

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