CN101373816A - 一种有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了的一种有机电致发光器件的制备方法，首先在器件阳极上构筑表面活性剂有序纳米薄膜，然后在多层膜中引入氧化剂活性点，让导电聚合物单体吸附在氧化剂活性点发生聚合，得到导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。空穴注入层中的导电聚合物是通过化学原位聚合的方法嵌入多层有序膜，具有电导率高、薄膜平整度好的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件，而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
Description
技术领域
本发明涉及电子元件中有机电致发光技术领域，具体涉及一种导电聚合物有序纳米薄膜作为空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
近年来，导电聚合物聚3，4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有电导率高、热稳定及透明性好等特点，逐步成为有机电子材料研究的热点。掺杂态的PEDOT具有较高的电导率，为一种富空穴材料，因而可以作为有机电子器件的空穴传输材料。其后通过共聚的方法，拜尔公司获得了一种电导率可调控且水溶性的聚3，4-乙烯基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)导电聚合物胶体，它具有环境稳定性好以及良好的电子阻挡特性和透明性，并对ITO有良好的亲合性，成为有机电致发光器件空穴注入缓冲层的理想材料。在发光层之间引入能级和ITO相匹配的有机材料作为空穴注入缓冲层进行界面修饰，可以增强空穴的注入效率，从而减小开启电压，在一定程度上增强发光效率。目前，为了提高PEDOT:PSS作为空穴注入层的注入效率主要有两方面的报道:一方面通过和不同有机溶剂混合、加入掺杂剂以及用臭氧、等离子处理和施加电场等方法对它的空穴注入性能进行改善，以提高器件的发光性能。另一方面通过改变空穴注入层的薄膜结构，如采用准有序膜来代替无序旋涂膜来制备PEDOT:PSS空穴注入层，可以明显提高空穴注入效率，从而改善器件的发光性能。但目前针对PEDOT:PSS来制备有序膜的方法主要为静电自组装方法(electrostatic self-assembly，ESA)，而这种薄膜制备方法无法避免聚电解质层间的交联，层与层之间界面较为模糊而只能获得一种准有序结构，无法进一步改善导电聚合物PEDOT材料的空穴注入效率。因此采用一种有效的方法来获得超薄、高度有序的PEDOT薄膜，对于制备高性能的空穴注入层并提高有机电致发光器件的性能具有重要意义。
Langmuir-Blodgett(LB)技术是一种在分子水平上组装有序超薄膜材料的技术，LB膜界面具有局域化学控制和有序模板效应，这种方法不仅可以获得超薄厚度的薄膜，而且还能够得到高度有序的薄膜。通过该方法来制备PEDOT多层有序膜，可以探索导电聚合物在有序纳米模板中的聚合过程，研究这种多层有序膜中载流子传输过程，并可以为其它类型聚合物有序薄膜的制备提供重要参考。
从目前研究来看，对PEDOT有序纳米薄膜的研究取得了一定的进展，但也存在很多问题。首先ESA方法无法获得一种完全有序的层状结构，而且可溶性的PEDOT:PSS聚合物电导率明显不如PEDOT高，影响了载流子的迁移速率；另外，虽然通过单体的改性可以得到以PEDOT为基材料的有序结构，但是长烷基链的加入明显降低了导电聚合物的电导率，因此迫切需要一种方法来得到结构上严格有序的导电聚合物纳米薄膜，同时聚合物是原位制备的，分子链结构未发生变化，不影响导电聚合物自身的电导率。
尽管近年来OLED技术已取得长足的进步，但是目前的技术在有机电致发光领域中仍然存在很多瓶颈。无论是从薄膜的材料还是从薄膜的结构来提高器件的空穴注入效率都是至关重要的。尤其是利用已知的具有优良光电性能的导电聚合物材料、采用结构优化、尽可能提高器件性能的结构，如LB膜法或者静电自组装等方法，实现载流子注入效率的提高，而得到高效、低成本的器件方面，特别需要人们去不断的探索。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提供一种有机发光电致器件的制备方法，该方法所制备的有机电致发光器件能克服了现有技术中所存在的缺陷，提高了空穴注入的效率，提高了器件的发光效率，同时制备方法简单易于操作。
本发明所提出的技术问题是这样解决的:提供一种有机电致发光器件的制备方法，器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于，制备方法包括以下步骤:
(1)将器件阳极进行表面处理；
(2)将表面活性剂溶于溶剂中，形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂溶于亚相中，并调整溶液的pH值(7.0<PH<9.0)；
(4)将表面活性剂单分子溶液滴加于含氧化剂的亚相，并形成复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障压缩复合单分子膜到成膜膜压，将处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上；
(6)将沉积了复合单分子膜的基片首先暴露于氧化性气体中；
(7)将沉积了复合单分子膜的基片再暴露于导电聚合物单体气氛中；
(8)将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(10)将步骤(9)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂材料具有成膜特性、能在液相中电离的阴离子表面活性材料，如十八烷酸、二十烷酸、二十二烷酸等。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电聚合物层材料为具有高的蒸汽压，聚合后得到的导电聚合物不溶不熔，如3，4聚乙撑二氧噻吩和聚吡咯等。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，导电聚合物发生聚合所需的氧化剂材料溶于亚相水溶液，其发生电离后能够与离子化表面活性剂形成稳定的复合单分子膜，如FeCl3和(NH4)2S2O8。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层制备过程中，通过选择不同的导电聚合物而在阳极层上得到不同的导电有序纳米薄膜结构。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴传输层或者电子传输层。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层是发出蓝光的荧光材料层或者发出绿光的荧光材料层或者发出红光的掺杂材料层，在所述外加电源的驱动下，发出蓝光或者绿光或者红光。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极层是金属氧化物薄膜或者金属薄膜，该金属氧化物薄膜可以是ITO薄膜或者氧化锌薄膜或氧化锡锌薄膜，该金属薄膜可以是金、铜、银等功函数较高的金属薄膜；所述阴极层是金属薄膜或合金薄膜，该金属薄膜可以是锂或镁或钙或锶或铝或铟等功函数较低的金属薄膜或它们与铜或金或银等的合金薄膜。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层是金属配合物材料或者噁二唑类电子传输材料，或者咪唑类电子传输材料；所述空穴传输材料可以是芳香族二胺类化合物或星形三苯胺化合物。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发蓝光的荧光材料层是双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(BAlq)或者9，10-二-(2-萘基)蒽(ADN或BAN)；所述发出绿光的荧光材料层是Alq3；所述的发出红色的掺杂荧光材料为Alq3:DCJTB掺杂型材料，主体材料为Alq3，或者ADN等能级差异较大的材料，掺杂染料一般为DCJTB或者DCM或者DCM1等红光染料。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
(1)利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
(2)将十八烷酸超声分散溶于氯仿中，十八烷酸的浓度为1mg/ml，以便形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂三氯化铁(FeCl3)溶于亚相中，Fe3+浓度为10-3M，并调整溶液的pH值为7.8；
(4)采用微量进样器抽取100μl十八烷酸/氯仿溶液滴加于含氧化剂的亚相，待氯仿挥发20min后开始压膜，此时在气/液界面已形成十八烷酸/Fe3+复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障以3mm/min的速度压缩复合单分子膜到成膜膜压(25mN/m)，将亲水处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上，成膜速率为1mm/min；
(6)将沉积了十八烷酸/Fe3+纳米有序薄膜的基片暴露于HCl气体中，得到十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜，反应温度为室温；
(7)将沉积了十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜的基片进一步暴露于单体(3，4-乙撑二氧噻吩)气氛中，单体发生聚合，得到十八烷酸/3，4-聚乙撑二氧噻吩纳米有序薄膜，亦是器件的空穴注入层，反应温度为室温；
(8)将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行电极的制备，所述电极包括阴极层或者阳极层；
(10)将做好的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
按照本发明所提供的制备方法所指的有机电致发光器件，其特征在于，包括以下几种结构:
①阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍十八烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
②阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍二十烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
③阳极/{聚吡咯/双倍十八烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
④阳极/{聚吡咯/双倍二十烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
其中n由薄膜的层数决定。
本发明所提供的一种有机电致发光器件的制备方法中空穴注入层通过LB膜法首先在器件阳极上构筑表面活性剂有序纳米薄膜，然后在多层膜中引入氧化剂活性点，让导电聚合物单体吸附在氧化剂活性点发生聚合，得到导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。在OLED器件的阳极上构筑一种有序纳米薄膜作为器件的空穴注入层，提高器件的空穴注入效率，该层有序纳米薄膜的构筑采用了修饰LB膜法，制备方法合理简单，易于操作，与器件其它结构的制备工艺兼容。另外空穴注入层材料为导电聚合物/表面活性剂复合有序纳米薄膜，活性剂材料为阴离子表面活性剂，因而选择范围宽，可通过不同烷基链的选择实现导电聚合物层间距离的调控，亦是空穴层厚度的调控，并通过不同导电聚合物的选择可以实现不同导电聚合物有序膜作为空穴注入层，并实现大面积成膜。这种有序纳米薄膜结构可以有效的减小阳极层与空穴传输层之间接触势垒，增加空穴载流子的注入效率，提高OLED器件的发光效率。
空穴注入层中的导电聚合物是通过化学原位聚合的方法嵌入多层有序膜，具有电导率高、薄膜平整度好的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件，而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
附图说明
图1是导电聚合物多层有序膜作为空穴注入层后器件原理图；
图2是本发明所提供的实施例1中所述器件的电流密度-亮度-电压特性测试曲线图；
其中，1、阳极层，2、空穴注入层(导电聚合物多层有序膜)，3、空穴传输层，4、发光层，5、电子传输层，6、阴极层，7、外加电源。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例对本发明作进一步的说明。
本发明提供了一种在阳极层上构筑导电聚合物有序纳米薄膜作为空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法。通过修饰表面活性剂纳米薄膜的方法，该方法在阳极层上首先构筑表面活性剂/氧化剂有序纳米薄膜，让导电聚合物单体气体分子吸附在氧化剂活性点发生聚合，得到导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构作为OLED器件的空穴注入层，空穴注入层的厚度可以通过表面活性剂烷基链的长短来进行调控。空穴注入层制备完后，可以通过常规方法制备器件其它功能层，空穴注入层的制备方法与OLED器件的制备工艺兼容。
图1是导电聚合物多层有序膜作为空穴注入层后器件原理图，其中:1、阳极层，2、空穴注入层(导电聚合物多层有序膜)，3、空穴传输层，4、发光层，5、电子传输层，6、阴极层，7、外加电源。2可以通过选择不同的表面活性剂及导电聚合物来构筑不同的多层有序膜。
本发明的特点是采用了一种层状有序纳米薄膜结构作为OLED器件的空穴注入层，空穴注入层的厚度不仅可以通过层数调节，同时可以通过不同表面活性剂的选择来实现厚度的调控，亦是通过表面活性剂烷基链的长短来进行调控。
依托成熟的LB膜成膜方法，本发明制备的空穴注入层严格有序并可控，可以转移至多种基片上，并实现大面积成膜，适宜于大面积OLED器件的制备。
采用本发明制备的一些有机电致发光器件举例如下:
①阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍十八烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
②阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍二十烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
③阳极/{聚吡咯/双倍十八烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
④阳极/{聚吡咯/双倍二十烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
以下是本发明的具体实施例:
实施例1
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍十八烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
制备方法如下:
(1)利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
(2)将十八烷酸超声分散溶于氯仿中，十八烷酸的浓度为1mg/ml，以便形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂三氯化铁(FeCl3)溶于亚相中，Fe3+浓度为10-3M，并调整溶液的pH值为7.8；
(4)采用微量进样器抽取100μl十八烷酸/氯仿溶液滴加于含氧化剂的亚相，待氯仿挥发20min后开始压膜，此时在气/液界面已形成十八烷酸/Fe3+复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障以3mm/min的速度压缩复合单分子膜到一定膜压(25mN/m)，将亲水处理后的阳极基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上，成膜速率为1mm/min，层数为分别为5，10，14层；
(6)将沉积了十八烷酸/Fe3+纳米有序薄膜的基片暴露于HCl气体中，得到十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜，反应温度为室温；
(7)将沉积了十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜的基片进一步暴露于导电聚合物单体(3，4-乙撑二氧噻吩)气氛中，单体发生聚合，得到十八烷酸/3，4-聚乙撑二氧噻吩纳米有序薄膜作为空穴注入层，反应温度为室温；
(8)将沉积完空穴注入层后的基片转移至有机真空蒸发室，待室内气压为4×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述器件结构依次蒸镀的空穴传输层NPB为30nm，发光层材料BAlq层10nm，Alq3层10nm并且兼作电子传输层。各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
(9)在有机层蒸镀结束后将基片传送至金属真空蒸发室中进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，合金中Mg，Ag比例为～10:1，膜层厚度为90nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
(10)将做好的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为99.9％氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
器件电流密度-亮度-电压曲线参见附图2。
实施例2
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍二十烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
器件的制备流程与实施方式1相同
实施例3
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍二十二烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
器件的制备流程与实施方式1相同
实施例4
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{聚吡咯/双倍十八烷基链/聚吡咯}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
器件的制备流程与实施方式1相同
实施例5
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{聚吡咯/双倍二十烷基链/聚吡咯}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
器件的制备流程与实施方式1相同
实施例6
如图1所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层2，发光层3和电子传输层4，其中发光层3分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为:
玻璃衬底/ITO/{聚吡咯/双倍二十二烷基链/聚吡咯}n(n＝5，10，14)/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
器件的制备流程与实施方式1相同。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件的制备方法，器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于，制备方法包括以下步骤:
(1)将器件阳极层进行表面处理；
(2)将表面活性剂溶于溶剂中，形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂溶于亚相中，并调整溶液的pH值；
(4)将表面活性剂单分子溶液滴加于含氧化剂的亚相，并形成复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障压缩复合单分子膜到成膜膜压，将处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上；
(6)将沉积了复合单分子膜的基片首先暴露于氧化性气体中；
(7)将沉积了复合单分子膜的基片再暴露于导电聚合物单体气氛中；
(8)将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(10)将步骤(9)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂材料包括十八烷酸、二十烷酸和二十二烷酸；所述导电聚合物材料包括3，4聚乙撑二氧噻吩和聚吡咯。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，导电聚合物发生聚合所需的氧化剂材料溶于亚相水溶液，其发生电离后能够与离子化表面活性剂形成稳定的复合单分子膜。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层是金属配合物材料或者噁二唑类电子传输材料，或者咪唑类电子传输材料；所述空穴传输材料是芳香族二胺类化合物或星形三苯胺化合物。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层是发出蓝光的荧光材料层或者发出绿光的荧光材料层或者发出红光的掺杂材料层，在所述外加电源的驱动下，发出蓝光或者绿光或者红光。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极层是金属氧化物薄膜或者金属薄膜，所述阴极层是金属薄膜或合金薄膜。
7.根据权利要求所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发蓝光的荧光材料层是双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝或者9，10-二-(2-萘基)蒽；所述发出绿光的荧光材料层是Alq3；所述的发出红色的掺杂荧光材料为Alq3:DCJTB掺杂型材料。
8.根据权利要求1～7任意所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
(1)利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极层衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
(2)将十八烷酸超声分散溶于氯仿中，十八烷酸的浓度为1mg/ml，以便形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂三氯化铁溶于亚相中，Fe3+浓度为10-3M，并调整溶液的pH值为7.8；
(4)采用微量进样器抽取100μl十八烷酸/氯仿溶液滴加于含氧化剂的亚相，待氯仿挥发20min后开始压膜，此时在气/液界面已形成十八烷酸/Fe3+复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障以3mm/min的速度压缩复合单分子膜到25mN/m的膜压，将亲水处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上，成膜速率为1mm/min；
(6)将沉积了十八烷酸/Fe3+纳米有序薄膜的基片暴露于HCl气体中，得到十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜，反应温度为室温；
(7)将沉积了十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜的基片进一步暴露于导电聚合物单体3，4-乙撑二氧噻吩气氛中，单体发生聚合，得到十八烷酸/3，4-聚乙撑二氧噻吩纳米有序薄膜，亦是器件的空穴注入层，反应温度为室温；
(8)将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(10)将步骤(9)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
9.根据权利要求1～7任意所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
(1)利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
(2)将十八烷酸超声分散溶于氯仿中，十八烷酸的浓度为1mg/ml，形成表面活性剂单分子溶液；
(3)将氧化剂三氯化铁(FeCl3)溶于亚相中，Fe3+浓度为10-3M，并调整溶液的pH值为7.8；
(4)采用微量进样器抽取100μl十八烷酸/氯仿溶液滴加于含氧化剂的亚相，待氯仿挥发20min后开始压膜，此时在气/液界面已形成十八烷酸/Fe3+复合单分子膜；
(5)控制LB拉膜机滑障以3mm/min的速度压缩复合单分子膜到25mN/m的膜压，将亲水处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上，成膜速率为1mm/min；
(6)将沉积了十八烷酸/Fe3+纳米有序薄膜的基片暴露于HCl气体中，得到十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜，反应温度为室温；
(7)将沉积了十八烷酸/FeCl3纳米有序薄膜的基片进一步暴露于导电聚合物单体吡咯气氛中，单体发生聚合，得到十八烷酸/聚吡咯纳米有序薄膜，亦是器件的空穴注入层；
(8)将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(10)将步骤(9)得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(11)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
10.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括以下几种结构:
①阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍十八烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
②阳极/{3，4-聚乙撑二氧噻吩/双倍二十烷基链/3，4-聚乙撑二氧噻吩}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
③阳极/{聚吡咯/双倍十八烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
④阳极/{聚吡咯/双倍二十烷基链/聚吡咯}n/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
其中n由薄膜的层数决定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100463309A CN101373816B (zh) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 一种有机电致发光器件的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100463309A CN101373816B (zh) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 一种有机电致发光器件的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101373816A true CN101373816A (zh) | 2009-02-25 |
| CN101373816B CN101373816B (zh) | 2010-06-02 |
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ID=40447842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100463309A Expired - Fee Related CN101373816B (zh) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 一种有机电致发光器件的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101373816B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102358610A (zh) * | 2011-07-09 | 2012-02-22 | 电子科技大学 | 一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法 |
| CN101544774B (zh) * | 2009-04-24 | 2012-07-25 | 电子科技大学 | 一种柔性纳米结构有序薄膜的制备方法 |
| CN105932178A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法 |
| CN106535538A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-22 | 维沃移动通信有限公司 | 一种后盖及移动终端 |
| CN106553578A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-04-05 | 马瑞利汽车零部件(芜湖)有限公司 | 有机发光二极管自适应刹车灯 |
| CN106712760A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种触摸键模组及移动终端 |
| CN107275515A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100387101C (zh) * | 2005-07-01 | 2008-05-07 | 中山大学 | 一种提高有机电致发光器件寿命的方法 |
| CN100499201C (zh) * | 2006-06-22 | 2009-06-10 | 浙江大学宁波理工学院 | 一种多色有机发光二极管 |
-
2008
- 2008-10-21 CN CN2008100463309A patent/CN101373816B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101544774B (zh) * | 2009-04-24 | 2012-07-25 | 电子科技大学 | 一种柔性纳米结构有序薄膜的制备方法 |
| CN102358610A (zh) * | 2011-07-09 | 2012-02-22 | 电子科技大学 | 一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法 |
| CN105932178A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法 |
| CN105932178B (zh) * | 2016-05-16 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法 |
| CN106553578A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-04-05 | 马瑞利汽车零部件(芜湖)有限公司 | 有机发光二极管自适应刹车灯 |
| CN106712760B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-11-05 | 维沃移动通信有限公司 | 一种触摸键模组及移动终端 |
| CN106535538A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-22 | 维沃移动通信有限公司 | 一种后盖及移动终端 |
| CN106712760A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种触摸键模组及移动终端 |
| CN106535538B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-06-07 | 维沃移动通信有限公司 | 一种后盖及移动终端 |
| CN107275515A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
| US10454064B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-10-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
| US10454065B1 (en) | 2017-06-20 | 2019-10-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
| US10361394B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-07-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101373816B (zh) | 2010-06-02 |
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