CN101363113B - 蒸发源及其制造方法和有机电致发光显示装置的制造方法 - Google Patents
蒸发源及其制造方法和有机电致发光显示装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101363113B CN101363113B CN200810210270XA CN200810210270A CN101363113B CN 101363113 B CN101363113 B CN 101363113B CN 200810210270X A CN200810210270X A CN 200810210270XA CN 200810210270 A CN200810210270 A CN 200810210270A CN 101363113 B CN101363113 B CN 101363113B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode pattern
- substrate
- evaporation source
- layer
- interval
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 135
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 45
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 36
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 12
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 8
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 48
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 240000007711 Peperomia pellucida Species 0.000 description 3
- 235000012364 Peperomia pellucida Nutrition 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- -1 methoxydiphenylamino Chemical group 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJZDKKMEKZKCNI-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n'-dinaphthalen-1-yl-1-n,1-n',4-triphenylcyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group C1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC1(N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 LJZDKKMEKZKCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTCJNXNAXQFFKU-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1.C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 KTCJNXNAXQFFKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49083—Heater type
Abstract
本发明涉及蒸发源及其制造方法以及有机电致发光显示装置的制造方法,该蒸发源包括:绝缘基板;第一电极图案,以条形方式形成在基板上;第二电极图案,以条形方式形成在基板上,以与第一电极图案交叉,并且与第一电极图案电绝缘;以及电阻层,设置在第一电极图案和第二电极图案之间的交叉部分,并且夹设在该交叉部分的第一电极图案和第二电极图案之间。
Description
技术领域
本发明涉及蒸发源及其制造方法,以及采用该蒸发源制造有机电致发光(EL)显示装置的方法。
背景技术
近年来,人们已经将注意力集中在采用有机电致发光(EL)元件的有机EL显示装置作为一种薄显示装置。有机EL显示装置为自发光的并且不需要背光,因此提供包括宽视角和低能耗的优点。
有机EL装置中采用的有机EL元件具有由有机材料制成的有机层,该有机层从顶部和底部夹设在电极(阳极和阴极)之间。给阳极施加正电压而给阴极施加负电压。这引起空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机层。结果,空穴和电子在有机层中复合而发光。
有机EL元件的有机层包括多个层,这些层包括:空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层和电子注入层。形成各种功能层的有机材料的抗水性很差,使其不能使用湿法工艺。因此,真空气相沉积用于形成有机层。此外,为了显示彩色图像,三种不同的有机材料用于发射R(红)、G(绿)和B(蓝)色以形成RGB发射层。
前述的RGB发射层以给定的颜色顺序形成在基板上,该基板用于形成有机EL元件(下文称为“元件形成基板”)。因此,元件形成基板必须图案化,从而RGB发射层逐个像素地分开。典型地将采用气相沉积掩模的真空气相沉积作为用于此目的的图案化方法。然而,应当注意的是,如果掩模增大以响应于屏幕尺寸日益增大的显示装置,则采用气相沉积掩模涉及几个问题。在这些问题中,包括气相沉积掩模的褶皱及其运输中涉及的复杂性。
出于这样的原因,激光热转印被用作替换的图案化方法。激光热转印包括从转印供体的背面将激光照射到彼此贴附的转印供体和受体基板上,因此引起光热转换层吸收激光束,并且将其转换成热能。该热能用于选择性转印部分转印层(用激光束辐射的部分)到受体基板上。
另一方面,日本专利申请公开No.2002-302759(在下文称为专利文献1)公开了一种技术。在该技术中,给定形状的电极图案提供在蒸发源的基板上,并且蒸发材料设置在提供有电极图案的表面上。然后,蒸发材料由通过电极图案的电流流动产生的焦耳热蒸发。蒸发的材料气相沉积在目标基板上,该目标基板与该蒸发源的基板相对。
发明内容
然而,前述的激光热转印因激光用作热源而需要高精度的激光光学系统。结果,整体上制造系统成本很高,这是有机EL显示装置高制造成本的原因之一。
根据本发明实施例的蒸发源包括绝缘基板和以条形方式形成在该基板上的第一电极图案。该蒸发源还包括以条形方式形成在该基板上的第二电极图案,以与第一电极图案交叉,并且与第一电极电绝缘。蒸发源还包括电阻层,该电阻层设置在第一电极图案和第二电极图案之间的交叉部分,并且夹设在交叉部分的第一电极图案和第二电极图案之间。
在如上述构造的蒸发源中,给定的电压分别施加给第一电极图案和第二电极图案,以使电流通过电阻层。这在电阻层中产生焦耳热。结果,蒸发材料可以通过焦耳热从电极图案之间的交叉部分蒸发。
根据本发明实施例的蒸发源可以通过使电流通过设置在第一电极图案和第二电极图案之间的交叉部分上的电阻层产生焦耳热,因此允许通过焦耳热从交叉部分蒸发该蒸发材料。结果,对于叠置在蒸发源的基板上的目标基板,反映交叉部分的布局的气相沉积膜可以通过分别给第一电极图案和第二电极图案施加给定的电压而形成在目标基板上。
此外,当有机EL显示装置采用上述蒸发源制造时,反映交叉部分的布局的有机膜可以通过分别给第一电极图案和第二电极图案施加给定的电压而形成在元件形成基板上。此时,用于形成有机EL元件的元件形成基板叠置在蒸发源的基板上。蒸发源的基板在其上形成有蒸发材料层,该蒸发材料层包括有机升华材料。
附图说明
图1是图解有机EL显示装置的构造实例的截面图;
图2是图解有机EL元件的层结构的实例的截面图;
图3是图解根据本发明实施例的蒸发源的构造的平面图;
图4是根据本发明实施例的蒸发源的主要部分的截面图;
图5是根据本发明实施例的蒸发源的主要部分的截面图;
图6是图解蒸发源与电极电源之间关系的示意图;
图7是图解蒸发源与电极电源之间连接关系的等效电路图;
图8A和8B是描述蒸发源的制造方法的示意图(1);
图9A和9B是描述蒸发源的制造方法的示意图(2);
图10A和10B是图解形成在蒸发源上的蒸发材料层的示意图;
图11是图解用于制造有机EL显示装置的膜形成系统的整个构造的示意图;
图12是示意性图解发光层形成部分的构造的透视图;
图13是图解蒸发源与电极探针之间布局关系的示意图;
图14是描述采用根据本发明实施例的蒸发源的有机EL显示装置的制造方法的示意图;
图15A至15C是图解施加给电极图案的电压变化的示意图;
图16是概略地图解带有对准标记的蒸发源的构造的平面图;
图17是图解对准标记之间的对准的示意图;
图18A至18C是图解采用带有对准标记的蒸发源的有机EL显示装置的制造方法的示意图;以及
图19A至19C是图解采用带有对准标记的蒸发源的有机EL显示装置的制造方法的示意图。
具体实施方式
下面,将参照附图详细描述本发明的具体实施例。
图1是图解有机EL显示装置的构造实例的截面图。图1所示的有机EL显示装置1包括多个(大量)的有机EL元件2。有机EL元件2逐个单元像素地以发射颜色即R(红)、G(绿)和B(蓝)而彼此分隔。
有机EL元件2包括元件形成基板3。在元件形成基板3上依次接续地堆叠未示出的开关元件(例如,薄膜晶体管)、下电极4、绝缘层5、有机层6和上电极7。此外,上电极7覆盖有保护层8,在保护层8上通过结合层9设置有对向基板10。
元件形成基板3和对向基板10每一个都包括透明玻璃基板。元件形成基板3和对向基板10设置为彼此相对,其间夹设有下电极4、绝缘层5、有机层6、上电极7、保护层8和结合层9。
下电极4和上电极7之一用作阳极电极,而另一个用作阴极电极。如果有机EL显示装置1是顶发射型,则下电极4包括高反射率材料。如果有机EL显示装置1是透射型的,则下电极4包括透射材料。
这里,作为实例,我们假设有机EL显示装置1是顶发射型,并且下电极4用作阳极电极。在此情况下,下电极4包括具有高反射率的导电材料,例如银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)或金(Au),或者前述金属的合金。
应当注意的是,如果有机EL显示装置1是顶发射型并且下电极4用作阴极电极,下电极4包括具有小的功函数和高的光反射率的导电材料,例如铝(Al)、铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)合金、锂(Li)和氟(F)的化合物、或者锂和氧(O)的化合物。
此外,如果有机EL显示装置1是透射型并且下电极4用作阳极电极,则下电极4包括具有高透射率的导电材料,例如ITO(铟锡氧化物)或者IZO(铟锌氧化物)。此外,如果有机EL显示装置1是透射型并且下电极4用作阴极电极,则下电极4包括具有小的功函数和高的光透射率的导电材料。
绝缘层5以覆盖下电极4的周围部分的方式形成在元件形成基板3的顶表面上。绝缘层5具有为每个单元像素形成的窗口。下电极4暴露在窗口的开口部分。绝缘层5用例如聚酰亚胺或者光致抗蚀剂的有机绝缘材料或者例如二氧化硅的无机绝缘材料形成。
有机层6具有例如四层结构,包括从元件形成基板3侧依次接续地堆叠的空穴注入层61、空穴输运层62、发光层63(63r、63g或者63b)和电子输运层64,如图2所示。在这些层中,空穴注入层61、空穴输运层62和电子输运层64是公共层,与RGB发光颜色的差别无关。
空穴注入层61用例如m-MTDATA,即4,4,4-三(3-甲苯基苯氨基)三苯胺(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)形成。空穴输运层62用例如α-NPD,即二-[(N-萘基)-N-对二氨基联苯(4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl)形成。应当注意的是,不限于上述材料,而是也可以采用其它的空穴输运材料,例如对二氨基联苯(benzidine)衍生物、苯乙烯基胺(styrylamine)衍生物、三苯甲烷(triphenylmethane)衍生物和腙(hydrazone)衍生物。此外,空穴注入层61和空穴输运层62每一个都可以为包括多个层的分层结构。
发光层63用对于每个RGB颜色成分不同的有机发光材料形成。更具体地讲,红发光层63r包括例如用作主材料(host material)的ADN((二-2-萘基)蒽)与用作掺杂材料的30%(重量)的2,6-二[(4’-甲氧基-二苯氨基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(2,6≡bis[(4’≡methoxydiphenylamino)styryl]≡1,5≡dicyanophthalene,BSN)的混合物。绿发光层63g包括例如用作主材料的ADN和用作掺杂材料的5%(重量)的香豆素6(coumalin 6)的混合物。蓝发光层63b包括例如用作客体材料(guest material)的ADN和2.5%(重量)的4,4’-二[2-{4-(N,N-二苯氨基)苯基}乙烯基]联苯(4,4’≡bis[2≡{4≡(N,N≡diphenylamino)phenyl}vinyl]biphenyl,DPAVBi)的混合物。各发光层63r、63g和63b根据像素颜色次序设置成矩阵形式。
电子输运层64用例如8-羟基喹啉铝(8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)形成。
如果有机EL显示装置1是顶发射型,则上电极27包括透明或者半透明的导电材料。如果有机EL显示装置1是透射型,则该上电极27包括高反射率材料。
有机EL元件2(红、绿和蓝有机EL元件2r、2g和2b)每一个都包括上述的元件形成基板3、下电极4、绝缘层5、有机层6和上电极7。
保护层8形成来例如防止湿气到达上电极7和有机层6。因此,保护层8用低渗透性和低吸水性材料形成为具有足够的厚度。此外,如果有机EL显示装置1是顶发射型,则保护层8包括约80%的光透射率的材料,这是因为该层必须透射有机层6发射的光。
此外,如果上电极7用金属薄膜形成,并且如果绝缘保护层8直接形成在金属薄膜的顶上,则可以优选采用无机非晶绝缘材料,例如非晶硅(α-SiC)、非晶硅氮化物(α-Si1-xNx)及此外的非晶碳(α-C)。这样的无机非晶绝缘材料为颗粒形式,并且具有很低的渗透性。结果,这些材料可以形成极好保护层8。
结合层9用例如UV(紫外线辐射)硬化树脂形成。结合层9用于固定对向基板10。
<蒸发源的构造>
图3是图解根据本发明实施例的有机EL显示装置的制造工艺中采用的蒸发源构造的平面图。图4是该蒸发源的主要部分的截面图。蒸发源11包括例如绝缘玻璃基板12作为基底(base)材料。玻璃基板12在其侧面之一上具有沿着Y方向以条形方式形成的多个第一电极图案13。第一电极图案13以彼此之间的给定间隔沿X方向布置。X和Y方向在玻璃基板12上彼此以直角(彼此垂直)相交。
此外,玻璃基板12具有在其上形成的多个第二电极图案14,以使第二电极图案14与第一电极图案13交叉。第二电极图案14沿着X方向以条形方式形成。第二电极图案14以彼此之间的给定间隔沿Y方向布置。
电阻加热层15提供在第一电极图案13和第二电极图案14之间的每个交叉部分。电阻加热层15的每一个都在交叉部分夹设于第一电极图案13和第二电极图案14之间。
第一电极图案13和第二电极图案14二者都包括例如低电阻的金属材料,以避免施加第一和第二电压所产生的电压降,这将在稍后描述。
相反,电阻加热层15包括电阻高于形成第一电极图案13和第二电极图案14的材料(在本实施例中为铝)并且具有高熔点的金属材料。例如,电阻加热层15包括高熔点金属材料,例如钨、钼或钽。
除了上面的交叉部分外,绝缘层16在第一电极图案13和第二电极图案14之间。绝缘层16提供第一电极图案13和第二电极图案14之间的电绝缘。绝缘层16包括例如氮化硅、二氧化硅或者聚酰亚胺。关于绝缘层16的厚度,优选为至少200μm厚的膜以防止第一电极图案13和第二电极图案14之间的电流泄漏。
应当注意的是,作为蒸发源11的构造,可以省略未示出的电极焊盘部分,并且防氧化层17可以以覆盖玻璃基板12上的第二电极图案14的方式形成,以便防止第二电极图案14的热氧化。防氧化层17用例如氮化硅、氧化硅或聚酰亚胺形成。
在上面的实例中,第一电极图案13形成在第二电极图案14的下面。然而,反过来,第二电极图案14可以形成在第一电极图案13的下面。此外,对于条形图案的方向,在上面的实例中,第一电极图案13形成为平行于Y方向,而第二电极图案14平行于X方向。然而,反过来,第一电极图案13可以形成为平行于X方向,而第二电极图案14平行于Y方向。
如上所述构造的蒸发源11电连接到两个第一电极电源21A和21B以及两个第二电极电源22A和22B,如图6所示。第一电极电源21A和21B用于给第一电极图案13提供第一电压。第二电极电源22A和22B用于给第二电极图案14提供第二电压。在本发明的实施例中,例如,第二电压是接地电位(GND),而第一电压是正电压,从而第一电压从接地电位变化到给定的加热电压。
第一电极电源21A和21B设置在沿着第一电极图案13的长度(在Y方向上)的每一侧。第二电极电源22A和22B设置在沿着第二电极图案14的长度(在X方向上)的每一侧。第一电极电源21A和21B二者都用于通过设置在沿着第一电极图案13的长度的终端部分的电极焊盘(未示出)给第一电极图案13提供第一电压。第二电极电源22A和22B二者都用于通过设置在沿着第二电极图案14的长度的终端部分上的电极焊盘(未示出)给第二电极图案14提供第二电压。
上面的连接条件可以通过图7所示的等效电路来描述。就是说,第一电极电源21A包括多个电流源23A(23A-1、23A-2、23A-3和23A-4)和多个开关元件24A(24A-1、24A-2、24A-3和24A-4)。电流源23A和开关元件24A以一对一的方式与多个第一电极图案13(13-1、13-2、13-3和13-4)(为了简化仅示出其中的四个)相关联。当截止时,开关元件24A-1使电流源23A-1接地到接地电位。当导通时,开关元件24A-1使得电流源23A-1与第一电极图案13相通。在这一点上,其它的开关元件24A-2、24A-3和24A-4也以相同的方式运行。
第一电极电源21B包括多个电流源23B(23B-1、23B-2、23B-3和23B-4)和多个开关元件24B(24B-1、24B-2、24B-3和24B-4)。电流源23B和开关元件24B以一对一的方式与多个第一电极图案13(13-1、13-2、13-3和13-4)相关联。当截止时,开关元件24B-1使第一电极图案13接地到接地电位。当导通时,开关元件24B-1使得第一电极图案13与电流源23B-1相通。在这一点上,其它的开关元件24B-2、24B-3和24B-4也以相同的方式运行。
另一方面,第二电极电源22A和22B二者都使所有的第二电极图案14接地到接地电位。因此,如果如图7所示第一电极电源21A的开关元件24A-3与第一电极电源21B的开关元件24B-3二者都导通,而其他开关元件都截止,则当电流通过提供在交叉部分的电阻加热层15时,在第一电极图案13-3和第二电极图案14-1之间以及第一电极图案13-3和第二电极图案14-2之间的交叉部分产生焦耳热。第一电极图案13-1、13-2和13-4上的任何交叉部分上不产生焦耳热。
<蒸发源的制造方法>
首先,如图8A所示,第一电极图案13以条形方式形成在用作绝缘基板的玻璃基板12上。例如,通过在玻璃基板12的整个表面上气相沉积铝膜,并且随后通过光刻进行铝膜的图案化,来实现第一电极图案13的形成。
接下来,如图8B所示,电阻加热层15以彼此之间的给定间隔形成在第一电极图案13上。这里所述的给定间隔对应于第二电极图案14之间在Y方向上的间隔。电阻加热层15用高熔点金属材料例如钨、钼或钽形成。
接下来,如图9A所示,绝缘层16以覆盖玻璃基板12的图案形成表面的方式形成,并且随后对绝缘层16形成开口从而暴露电阻加热层15。
然后,如图9B所示,第二电极图案14以条形方式形成在玻璃基板12上,从而第二电极图案14与第一电极图案13在形成有电阻加热层15的部分交叉。第二电极图案14仅需由与第一电极图案13相同的方法形成。
这提供了具有电阻加热层15的蒸发源11,该电阻加热层15夹设在第一电极图案13和第二电极图案14之间的交叉部分。应当注意的是,防氧化层17仅需在形成第二电极图案14后以覆盖玻璃基板12的图案形成表面的方式形成。
如果有机EL显示装置1(参照图1)采用上述获得的蒸发源11通过真空气相沉积来制造,则采用升华有机材料,并且更具体地讲升华有机发光材料作为真空气相沉积的蒸发材料。该蒸发材料形成在玻璃基板12上,作为真空气相沉积前的蒸发材料层。
更具体地讲,如图10A中的实例所示,蒸发材料通过真空沉积法沉积在玻璃基板12的图案形成表面上,或者通过旋涂或者其它技术将墨水形式的蒸发材料涂敷在图案形成表面上,因此在玻璃基板12上形成蒸发材料层25。作为选择,如图10B所示,通过例如喷墨印刷的印刷技术将墨水形式的蒸发材料沉积在玻璃基板12的图案形成表面上的第一电极图案13和第二电极图案14之间的交叉部分上,因此在玻璃基板12上形成蒸发材料层25。如果蒸发材料层25仅特定形成在第一电极图案13和第二电极图案14之间的交叉部分,则可以无损耗地利用蒸发材料,因此保证蒸发材料使用上的高效率。蒸发材料层25的厚度仅需根据有机层的最终目标膜厚度和其它因素进行调整。如果蒸发材料层25用如上所述的升华有机材料(包括有机发光材料)形成,则蒸发材料层25的膜厚度的最大值应当是约200nm。
图11是图解在有机EL显示装置1的制造工艺中在元件形成基板3上形成有机层6所采用的膜形成系统的整个构造的示意图。图11所示的膜形成系统2包括预加工部分27、第一公共层形成部分28、第二公共层形成部分29、发光层形成部分30、第三公共层形成部分31和第四公共层形成部分32。预加工部分27处理在元件形成基板3上形成有机层6所需的给定的预加工。
第一公共层形成部分28用于形成空穴注入层61,用作元件形成基板3上的第一公共层。第二公共层形成部分29用于形成空穴输运层62,用作元件形成基板3上的第二公共层。发光层形成部分30用于形成发光层63(63r、63g或63b)。第三公共层形成部分31用于形成电子输运层64,作为元件形成基板3上的第三公共层。第四公共层形成部分32用于形成电子注入层,作为元件形成基板3上的第四公共层。如果有机层6没有任何有机注入层,则不需要第四公共层形成部分32。
图12是示意性图解发光层形成部分30的构造的透视图。发光层形成部分30的真空腔301具有运输窗口302,其用于装卸元件形成基板3。真空腔301其中包括用于支撑蒸发源11的底座303。真空腔301还包括第一电极探针304,其用于提供由底座303支撑的蒸发源11与第一电极电源21之间的电连接。真空腔301还包括第二探针305,其用于提供蒸发源11与第二电极电源22之间的电连接。图13图解了蒸发源11与电极探针304和305之间的布局关系。
为了采用上述构造的膜形成系统2在元件形成基板3上形成发光层63(63r、63g或63b),蒸发源11装配到真空腔301中的底座303上,并且第一电极图案13和第二电极图案14分别连接到电极探针304和305。
此外,在真空腔301中,元件形成基板3设置在蒸发源11的图案形成表面之上,以使它们彼此相对,其后,抽真空以产生真空气氛,如图14所示。此时,用于定义像素的膜33(在下文,称为“像素定义膜”)事先形成在元件形成基板3上。像素定义膜33为如上所述仅在单元像素上具有开口的膜。抽真空前,优选在真空腔301中具有惰性气体例如氮气或者氩气的气氛。
如果在该条件下第一电压(加热电压)从第一电极电源21施加给第一电极图案13,并且第二电压从第二电极电源22施加给第二电极图案14,则作为电流通过第一电极图案13和第二电极图案14之间的交叉部分的电阻加热层15的结果,按照电阻加热层15的电阻加热的原则而产生焦耳热。此时,作为工艺条件的实例,通过电阻加热的蒸发材料(有机材料)的加热温度为300℃,加热时间为5至10分钟。这引起有机材料从蒸发材料层25升华,因此使得升华的有机材料沉积在元件形成基板3的单元像素部分上。
结果,反映出交叉部分的布局的发光层63形成在元件形成基板3上。就是说,如果蒸发材料层25用发射红光的有机发光材料形成,则反映交叉部分布局的红发光层63r将形成在元件形成基板3上。此外,如果蒸发材料层25用发绿光的有机发光材料形成,则反映交叉部分布局的绿发光层63g将形成在元件形成基板3上。此外,如果蒸发材料层25用发蓝光的有机发光材料形成,则反映交叉部分布局的蓝发光层63b将形成在元件形成基板3上。因此,RGB发光层可以分别涂敷在元件形成基板3上。然而,应当注意的是,本发明同样适用于用不同有机材料按照发光颜色分别涂敷除发光层之外的有机层(电子注入层、电子输运层、空穴输运层、空穴注入层)的情况。
采用蒸发源11的真空气相沉积允许分别涂敷RGB发光层。这使其能避免与加大真空沉积掩模尺寸相关的各种问题(例如,真空沉积掩模的褶皱引起的对准精度的下降,掩模运输中涉及的复杂性)。此外,采用蒸发源11的真空气相沉积允许在元件形成基板3上的宽阔区域上以高精度形成RGB发光层的图案,而不采用导致制造系统高成本的激光热转印。结果,可以比采用激光作为热源时更便宜地制造有机EL显示装置(特别是大的有机EL显示装置)。
另一方面,如果如前述第一电压变化而第二电压设定到接地电位,则优选采用第一电极电源21逐渐地升高第一电压到给定的加热电压。更具体地讲,优选以图15A中的实例所示的恒定梯度升高第一电压。作为选择,优选如图15B和15C所示的(两步或三步)分步方式(或者更多步骤)将第一电压从接地电位升高到给定的加热电压。
此外,如果通过第一电极电源21控制多个开关元件24A和24B的开关操作(导通/截止操作),则电流可以选择性仅通过施加有给定加热电压的第一电极图案13上的电阻加热层15来产生焦耳热。例如,如果加热电压施加给图7中的第一电极图案13-1,则焦耳热仅从第一电极图案13-1上的电阻加热层15产生。这使其能够引起有机发光材料仅从第一电极图案13-1和第二电极图案14-1之间以及第一电极图案13-1和第二电极图案14-2之间的交叉部分蒸发,因此允许有机发光材料沉积在元件形成基板3上。
通过该方法,通过除去用过的蒸发材料层25并且形成新的蒸发材料层25,可以反复再用蒸发源11。
附带地,为了采用形成在蒸发源11的玻璃基板12上的对准标记和形成在元件形成基板(玻璃基板)上的参考标记实现蒸发源11和元件形成基板3之间的对准,优选在蒸发源11上并排设置多个对准标记,以便在有机材料用作蒸发材料的使用中保证改善的效率。
图16是概略图解带有对准标记的蒸发源11的构造的平面图。在图16所示的蒸发源11中,第一电极图案13和第二电极图案14之间的交叉部分(形成电阻加热层15的部分)用阴影线来表示。此外,多个第一电极图案13分类(分组)成三组列,即第一列R1、第二列R2和第三列R3。在X方向上每隔两列设置第一列R1中的第一电极图案13。同样,在X方向上每隔两列设置第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13。因此,在各列中的第一电极图案13在X方向上以第一列R1、第二列R2和第三列R3的顺序从蒸发源11的玻璃基板12上的一侧(图16中的左侧)到另一侧(图16中的右侧)重复地布置。
当元件形成基板3设置在如上所述蒸发源11的玻璃基板12之上时,在X方向上彼此相邻的第一列R1和第二列R2中的第一电极图案13之间的间隔设定为等于在X方向上彼此相邻的两个单元像素之间的间隔(在下文,称为“像素到像素的间隔”)。此外,在X方向上彼此相邻的第一列R1和第三列R3中的第一电极图案13之间以及在X方向上彼此相邻的第二列和第三列R2和R3中的第一电极图案13之间的间隔也设定为等于像素到像素的间隔。
此外,在蒸发源11的玻璃基板12上,多个对准标记M1、M2和M3并排提供在X方向上,以便以一对一的方式与第一电极图案13的列(R1、R2和R3)相对应。对准标记M1、M2和M3之间的间隔设定为与第一电极图案13的列相对应。这里,术语“与第一电极图案13的列相对应的间隔”是指第一电极图案13的第一列R1、第二列R2和第三列R3之间的间隔。应当注意的是,根据第一电极图案13和第二电极图案14之间的层和方向的关系,对准标记M1、M2和M3之间的间隔可以设定为与第二电极图案14的列相对应。
对准标记M1、M2和M3形成为相同的形状(实例所示的十字形状)。应当注意的是,对准标记在形状上可以任意改变。对准标记M1、M2和M3可以提供在玻璃基板12上,每种以两个为一套(成对的左右标标记)。对准标记M1、M2和M3可以提供例如在玻璃基板12的表面上斜对角部分上。
在玻璃基板12的一侧(图16中的左侧)提供在X方向上并排的三个对准标记M1、M2和M3。在第一电极图案13的另一侧上(图16中的右侧)也提供在X方向上并排的三个对准标记M1、M2和M3。在它们当中,成对的左右对准标记M1设置为与第一列R1中的第一电极图案13相对应。此外,成对的左右对准标记M2设置为与第二列R2中的第一电极图案13相对应。还有,成对的左右对准标记M3设置为与第三列R3中的第一电极图案13相对应。
上述的对准标记M1、M2和M3以与第一列R1、第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13之间相同的间隔并排设置在X方向(第一电极图案13的列方向)上。在X方向上彼此相邻的对准标记M1和M2之间的间隔设定为等于像素到像素的间隔。在X方向上彼此相邻的对准标记M2和M3之间的间隔也设定为等于像素到像素的间隔。此外,第一列R1中的第一电极图案13与左右对准标记M1之间、第二列R2中的第一电极图案13与左右对准标记M2之间以及第三列R3中的第一电极图案13与左右对准标记M3之间的位置关系设定为相同。这里,第一列R1、第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13都以相同的间隔设置。然而,即使第一列R1和第二列R2中的第一电极图案13之间的间隔设定为与第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13之间的间隔不同,也不存在问题,只要对准标记与各列中的第一电极图案13之间位置关系相同。
为了采用具有如上述构造的对准标记的蒸发源在元件形成基板3上形成发光层63,则当在蒸发源11之上设置元件形成基板3时,形成在元件形成基板3上的参考标记与对准标记M1、M2和M3之一对准。例如,如果在元件形成基板上以图17所示的形状形成参考标记M0,则作为第一真空沉积工艺步骤,元件形成基板3上的参考标记M0与蒸发源11上的对准标记M1对准。参考标记M0与对准标记M1之间的对准采用例如成像照相机通过图像处理技术来实现。随着两个标记的彼此对准,仅给第一列R1中的第一电极图案13施加加热电压,而没有给第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13施加加热电压。这在第一列R1中的第一电极图案13上的电阻加热层15产生焦耳热,因此使得有机发光材料通过焦耳热从蒸发材料层25升华,如图18A所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板3上,有机发光材料仅沉积在与第一列R1中的第一电极图案与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
接下来,作为第二真空沉积工艺步骤,将不同于第一真空沉积工艺步骤中采用的元件形成基板3设置在与第一真空沉积工艺步骤中采用的相同的蒸发源11之上。在此情况下,形成在元件形成基板3上的参考标记与对准标记M2对准。然后,随着两个标记的彼此对准,加热电压仅施加给第二列R2中的第一电极图案13,而没有施加给第一列R1和第三列R3中的第一电极图案13。这从第二列R2中的第一电极图案13上的电阻发热层15产生焦耳热,因此引起有机发光材料通过焦耳热从蒸发材料层25升华,如图18B所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板3上,有机发光材料仅沉积在与第二列R2中的第一电极图案13与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
接下来,作为第三真空沉积工艺步骤,将不同于第一或者第二真空沉积工艺步骤中采用的元件形成基板3设置在与第一和第二真空沉积工艺步骤中采用的相同的蒸发源11之上。在此情况下,形成在元件形成基板3上的参考标记与对准标记M3对准。然后,随着两个标记的彼此对准,加热电压仅施加给第三列R3中的第一电极图案13,而没有施加给第一列R1和第二列R2中的第一电极图案13。这从第三列R3中的第一电极图案13上的电阻加热层15产生焦耳热,因此引起有机发光材料通过焦耳热从蒸发材料层25升华,如图18C所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板上,有机发光材料仅沉积在与第三列R3中的第一电极图案13与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
前述的工艺步骤允许采用具有蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11在三个元件形成基板3上形成发光层63。例如,当蒸发材料层25用发射红光的有机发光材料形成时,红发光层63r可以通过三次采用具有该蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11而形成在三个元件形成基板3上。当蒸发材料层25用发射绿光的有机发光材料形成时,绿发光层63g可以采用具有该蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11而形成在三个元件形成基板3上。当蒸发材料层25用发射蓝光的有机发光材料形成时,蓝发光层63b可以采用具有该蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11而形成在三个元件形成基板3上。结果,如果蒸发材料层25用有机发光材料均匀地形成在蒸发源11的玻璃基板12上时,有机发光材料(蒸发材料)的使用效率与仅一次性使用具有蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11的情况相比可以得到改善。
在上述工艺步骤的实例中,已经描述了这样的情况,其中三次使用具有相同的蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11以形成发光层63。然而,作为选择,可以通过多次使用具有相同的蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11,在一个(相同的)元件形成基板3上形成希望厚度的发光层63。
具体的工艺步骤如下。就是说,作为第一真空沉积工艺步骤,形成在元件形成基板3上的参考标记M0与具有蒸发材料层25形成在其上的蒸发源11上的对准标记M1对准。然后,随着两个标记彼此对准,加热电压仅施加给第一列R1中的第一电极图案13,而不施加给第二列R2和第三列R3中的第一电极图案13。这从第一列R1中的第一电极图案13上的电阻加热层15产生焦耳热,因此通过焦耳热使得有机发光材料从蒸发材料层25升华,如图19A所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板3上,有机发光材料仅沉积在与第一列R1中的第一电极图案13与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
接下来,作为第二真空沉积工艺步骤,将与第一真空沉积工艺步骤中采用的相同的元件形成基板3设置在与第一真空沉积工艺步骤中采用的相同的蒸发源11之上。在此情况下,形成在元件形成基板3上的参考标记M0与对准标记M2对准。然后,随着两个标记彼此对准,加热电压仅施加给第二列R2中的第一电极图案13,而不施加给第一列R1和第三列R3中的第一电极图案13。这从第二列R2中的第一电极图案13上的电阻加热层15产生焦耳热,因此通过焦耳热引起有机发光材料从蒸发材料层25升华,如图19B所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板3上,有机发光材料仅沉积在与第二列R2中的第一电极图案13与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
接下来,作为第三真空沉积工艺步骤,将与第一和第二真空沉积工艺步骤中采用的相同的元件形成基板3设置在与第一和第二真空沉积工艺步骤中采用的相同的蒸发源11之上。在此情况下,形成在元件形成基板3上的参考标记M0与对准标记M3对准。然后,随着两个标记彼此对准,加热电压仅施加给第三列R3中的第一电极图案13,而不施加给第一列R1和第二列R2中的第一电极图案13。这从第三列R3中的第一电极图案13上的电阻加热层15产生焦耳热,因此通过焦耳热引起有机发光材料从蒸发材料层25升华,如图19C所示。结果,在具有像素定义膜33形成在其上的元件形成基板3上,有机发光材料仅沉积在与第三列R3中的第一电极图案13与第二电极图案14之间的交叉部分相对的单元像素部分上。
作为前述三个真空沉积工艺步骤的结果,在元件形成基板3上的相同单元像素部分上沉积有机发光材料三次。这使得能够形成比通过单一真空沉积工艺步骤形成的真空沉积膜更厚的发光层63。此外,真空沉积工艺步骤的数量越大,在元件形成基板3上的单元像素部分上发光层63变得越厚。这使得能够通过采用真空沉积工艺步骤的数量作为参数来调整发光层63的膜厚度。附带地,如果有机EL显示装置1是顶发射型,则可以对于每个RGB发光颜色而调整电子输运层或者空穴输运层的厚度。本发明也以灵活的方式应用于这样的情况。
本领域的技术人员应当理解的是,在权利要求或者其等同特征的范围内,根据设计需要和其它因素,可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
本发明包含与2007年8月9日提交日本专利局的日本专利申请JP2007-207417相关的主题,将其全部内容引用结合于此。
Claims (7)
1.一种蒸发源,包括:
绝缘基板;
第一电极图案,以条形方式形成在所述基板上;
第二电极图案,以条形方式形成在所述基板上,以与所述第一电极图案交叉并且与所述第一电极图案电绝缘;
防氧化层,以覆盖在所述第二电极图案的方式形成;以及
电阻层,设置在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间的交叉部分,在所述交叉部分夹设在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间,并且具有在所述第一电极图案的延伸方向上的给定间隔;
其中,多个对准标记并排地设置在所述基板上且所述多个对准标记之间具有间隔,所述间隔与所述第一电极图案和所述第二电极图案的列之间的间隔相对应。
2.一种蒸发源的制造方法,包括如下步骤:
在绝缘基板上以条形方式形成第一电极图案;
在所述第一电极图案上形成电阻层且所述电阻层之间具有在所述第一电极图案的延伸方向上的给定间隔;以及
以条形形式形成第二电极图案,从而所述第二电极图案与所述第一电极图案在形成有所述电阻层的部分交叉;
以覆盖在所述第二电极图案的方式形成防氧化层;
其中,多个对准标记并排地设置在所述基板上且所述多个对准标记之间具有间隔,所述间隔与所述第一电极图案和所述第二电极图案的列之间的间隔相对应。
3.一种采用蒸发源制造有机电致发光显示装置的方法,
所述蒸发源包括:
绝缘基板;
第一电极图案,以条形方式形成在所述基板上;
第二电极图案,以条形方式形成在所述基板上,以与所述第一电极图案交叉,并且与所述第一电极图案电绝缘;
防氧化层,以覆盖在所述第二电极图案的方式形成;以及
电阻层,设置在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间的交叉部分,在所述交叉部分夹设在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间,并且具有在所述第一电极图案的延伸方向上的给定间隔,
所述制造有机电致发光显示装置的方法包括如下步骤:
在具有蒸发材料层形成在其上的所述蒸发源的基板上,叠置用于形成有机电致发光元件的元件形成基板,所述蒸发材料层包括有机升华材料;以及
通过分别向所述第一电极图案和所述第二电极图案施加第一电压和第二电压以在所述交叉部分的电阻层中产生热,所述热引起有机材料升华,从而在所述元件形成基板上形成有机膜;
其中,多个对准标记并排地设置在所述基板上且所述多个对准标记之间具有间隔,所述间隔与所述第一电极图案和所述第二电极图案的列之间的间隔相对应。
4.如权利要求3所述的制造有机电致发光显示装置的方法,包括如下步骤:
逐渐升高所述第一电压到给定加热电压,而所述第二电压设定到接地电位。
5.一种采用蒸发源制造有机电致发光显示装置的方法,
所述蒸发源包括:
绝缘基板;
第一电极图案,以条形方式形成在所述基板上;
第二电极图案,以条形方式形成在所述基板上,以与所述第一电极图案交叉,并且与所述第一电极图案电绝缘;
防氧化层,以覆盖在所述第二电极图案的方式形成;以及
电阻层,设置在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间的交叉部分,并且在所述交叉部分夹设在所述第一电极图案和所述第二电极图案之间,并且具有在所述第一电极图案的延伸方向上的给定间隔,其中多个对准标记并排地设置在所述基板上且所述多个对准标记之间具有间隔,所述间隔与所述第一电极图案和所述第二电极图案的列之间的间隔相对应,
所述制造有机电致发光显示装置的方法包括如下步骤:
在每次进行真空沉积工艺时,在所述蒸发源的基板上叠置用于形成有机电致发光元件的元件形成基板,同时切换所述多个对准标记中的对准标记,所述对准标记与形成在所述元件形成基板上的参考标记对准;并且
通过分别向所述第一电极图案和所述第二电极图案施加第一电压和第二电压以在所述交叉部分的电阻层中产生热,所述热引起有机材料升华,从而在所述元件形成基板上形成有机膜。
6.如权利要求5所述的制造有机电致发光显示装置的方法,包括如下步骤:
在每次进行所述真空沉积工艺时,在所述蒸发源的基板上叠置不同的元件形成基板。
7.如权利要求5所述的制造有机电致发光显示装置的方法,包括如下步骤:
在每次进行所述真空沉积工艺时,在所述蒸发源的基板上叠置相同的元件形成基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007207417A JP2009043572A (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 蒸発源、蒸発源の製造方法、及び有機el表示装置の製造方法 |
JP207417/07 | 2007-08-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101363113A CN101363113A (zh) | 2009-02-11 |
CN101363113B true CN101363113B (zh) | 2012-10-24 |
Family
ID=40345292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200810210270XA Expired - Fee Related CN101363113B (zh) | 2007-08-09 | 2008-08-11 | 蒸发源及其制造方法和有机电致发光显示装置的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090038550A1 (zh) |
JP (1) | JP2009043572A (zh) |
KR (1) | KR20090015805A (zh) |
CN (1) | CN101363113B (zh) |
TW (1) | TW200907083A (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101570535B1 (ko) * | 2009-05-12 | 2015-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 |
KR20110005530A (ko) * | 2009-07-10 | 2011-01-18 | 주식회사 엔씰텍 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR101169001B1 (ko) * | 2009-07-10 | 2012-07-26 | 주식회사 엔씰텍 | 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
JP5323784B2 (ja) | 2009-09-15 | 2013-10-23 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 微細構造を製造するための方法及び装置 |
DE102009041324A1 (de) | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von organischen photoaktiven Bauelementen, insbesondere von organischen Leuchtdioden |
CN102024908A (zh) * | 2009-09-23 | 2011-04-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光器件及其制造方法 |
KR101156431B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 |
KR101193185B1 (ko) | 2009-12-29 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패턴 형성 방법 및 유기 발광 소자의 제조방법 |
CN106367721B (zh) * | 2015-07-24 | 2018-11-13 | 昆山国显光电有限公司 | 蒸镀方法及有机发光显示器的制造方法 |
JP6642999B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2020-02-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 有機el素子の製造方法 |
KR101852953B1 (ko) * | 2016-12-22 | 2018-06-20 | 주식회사 다원시스 | 유기 발광 장치의 제조 시스템과 방법 및 도너 기판 세트 |
CN110306158A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀用基板及其制造方法、蒸镀方法 |
CN110854287A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-02-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001295027A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2001341310A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-12-11 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、該記録ヘッドを有する記録装置、およびインクジェット記録ヘッドの駆動方法 |
CN1427386A (zh) * | 2001-12-17 | 2003-07-02 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及电子机器 |
JP2004152705A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4053209B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2008-02-27 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
TWI277363B (en) * | 2002-08-30 | 2007-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer |
US20050129978A1 (en) * | 2002-12-25 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent device and method of manufacturing thereof |
KR20050104562A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치 |
US8017252B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
-
2007
- 2007-08-09 JP JP2007207417A patent/JP2009043572A/ja not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-13 TW TW097122328A patent/TW200907083A/zh unknown
- 2008-07-03 KR KR1020080064282A patent/KR20090015805A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-07-30 US US12/182,650 patent/US20090038550A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-11 CN CN200810210270XA patent/CN101363113B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001341310A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-12-11 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、該記録ヘッドを有する記録装置、およびインクジェット記録ヘッドの駆動方法 |
JP2001295027A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
CN1427386A (zh) * | 2001-12-17 | 2003-07-02 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及电子机器 |
JP2004152705A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009043572A (ja) | 2009-02-26 |
US20090038550A1 (en) | 2009-02-12 |
CN101363113A (zh) | 2009-02-11 |
KR20090015805A (ko) | 2009-02-12 |
TW200907083A (en) | 2009-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101363113B (zh) | 蒸发源及其制造方法和有机电致发光显示装置的制造方法 | |
CN101131959B (zh) | 显示器及其制造方法 | |
US20110043103A1 (en) | Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same | |
KR20080085705A (ko) | 표시 장치의 제조 방법 | |
US20100159165A1 (en) | Transfer substrate and method of manufacturing a display apparatus | |
KR100462858B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
JP3912393B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
CN1886013B (zh) | 发光元件及其制造方法和具有其的显示基板 | |
CN101282603B (zh) | 转印用基板和有机电致发光器件的制造方法 | |
JP5996159B2 (ja) | 有機発光ダイオード装置 | |
US20080226814A1 (en) | Method for manufacturing patterned vapor-deposited film | |
JP2008034280A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2005085604A (ja) | 有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス、及び電子機器 | |
JPH09115672A (ja) | 有機光学的素子及びその製造方法 | |
CN103476962A (zh) | 蒸镀颗粒射出装置、蒸镀颗粒射出方法和蒸镀装置 | |
US8349416B2 (en) | Donor film and method of manufacturing organic light emitting device using same | |
JP2008288017A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
US11659759B2 (en) | Method of making high resolution OLED fabricated with overlapped masks | |
US9722181B2 (en) | Laminate having organic mask and method for manufacturing organic electroluminescent device using same | |
JP2005056757A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
CN104141114A (zh) | 沉积源组件 | |
KR100848150B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 그 제조방법 | |
JP2006085957A (ja) | 自発光パネルの製造方法 | |
JP2011210562A (ja) | 有機el素子の製造方法及び有機elパネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121024 Termination date: 20130811 |