CN101361187A - 光传感器、目标探测方法及显示面板 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 106
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14678—Contact-type imagers
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
- G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
一种光传感器，包括：探测光的第一和第二光接收元件(12、16、18)，和置于所述第一和第二光接收元件后并发射包含预定颜色成分的光的光源。第一滤光器(102)置于所述第一光接收元件之前并且透射所述预定颜色成分的光，第二滤光器(104)置于所述第二光接收元件之前并且切断所述预定颜色成分的光及透射所述预定颜色成分以外的颜色成分。判断部分根据来自所述第一和第二光接收元件(12、16、18)的输出来判断在所述第一(102)和第二滤光器(104)之前是否存在探测目标。
Description
技术领域
本发明涉及用于探测光的光传感器、该光传感器的目标探测方法、及装备有该光传感器的显示面板。
背景技术
如例如日本公开特许公报6-236980号中所公开的，迄今为止，已知存在包含作为薄膜晶体管(以下称作a-Si TFT)的由非晶硅(以下称作a-Si)形成的多个相邻地布置的光接收元件的光传感器，该薄膜晶体管产生对应于辐照光的电能。
图7是示出在该光传感器中使用的a-Si TFT的光电特性的一个范例的图示(Ids[A]是在以下情况测得的：当使用辐照光的照明作为参数，在使得TFT的大小(W/L)＝180000/9μm，且接线端电压Vs＝0V及Vd＝10V的条件下)。图7示出了漏-源电流Ids随照明增加。尤其是在反向偏置区(Vgs＜0)，Ids显著增加，并且光传感器通常使用此区的特性作为Ids的改变来探测辐照光的照明。
该光传感器(光探测器)用于探测作为探测目标的例如弹球盘球(钉球)或纸的存在(例如日本公开特许公报2002-148353中)。
然而，在该申请中，除从光源辐射并由探测目标反射的光以外，干扰光进入光接收元件有高的可能性。如果干扰光进入光接收元件，由于对探测目标的探测中的精度降低，可能会引起错误操作。
从而，日本公开特许公报2002-148353提出了一种探测方法，其中将用于发射要应用到探测目标的光的光发射元件的光发射定时与光接收元件的光接收定时比较，并且其中，根据这些定时是否彼此同步来辨认是否接收了从探测目标反射的光或外部光。
然而，由于复杂的探测电路、所需的严格的定时控制等，日本公开特许公报2002-148353中公开的探测方法不能提供无错误操作的便宜的光传感器。
发明内容
鉴于前述，作出了本发明，并且本发明的目的是提供光传感器、及该光传感器的目标探测方法、和装备有该光传感器的显示面板，该传感器不需要复杂的探测电路并且没有严格的定时控制。
根据本发明的一方面，光传感器包括：探测光的第一和第二光接收元件；置于所述第一和第二光接收元件后并发射包含预定颜色成分的光的光源；置于所述第一光接收元件之前并且透射所述预定颜色成分的光的第一滤光器；置于所述第二光接收元件之前并且切断所述预定颜色成分的光及透射所述预定颜色成分以外的颜色成分的第二滤光器；判断装置，基于来自所述第一和第二光接收元件的输出来判断在所述第一和第二滤光器之前是否存在探测目标。
根据本发明的另一方面，提供了一种方法，用于控制光传感器面板以判断是否存在探测目标。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示面板，其包括所述光传感器。可以作为控制显示面板的显示元件的操作开关提供所述光传感器。
根据本发明，可能提供光传感器、该光传感器的目标探测方法、及装备有该光传感器的显示面板，该传感器不需要复杂的探测电路并且没有严格的定时控制。
附图说明
图1A是示出根据本发明的第一实施例的光传感器的配置的范例的图示；
图1B是用于解释当探测目标接触相对的(opposite)基底时光的路径的图示；
图1C是用于解释当强的外部光进入光传感器时光的路径的图示；
图2是用于解释根据第一实施例的光传感器的操作的示意图；
图3是示出根据第一实施例的集成地结合多个光传感器的TFT-LCD面板的图示；
图4是示出光传感器的TFT的电连接和配置的图示；
图5是传感器LSI中建立的探测电路的图示；
图6是示出根据本发明的第二实施例的光传感器的配置的范例的图示；以及
图7是示出a-Si TFT的光电特性的图示。
具体实施方式
以下将参照附图描述执行本发明的最佳方式。
[第一实施例]
图1A是示出根据本发明的第一实施例的光传感器的配置的范例的图示。为简单，在图1A中的光传感器中仅示出了两个a-Si TFT作为光接收元件。
作为光接收元件的a-Si TFT包括形成在透明TFT基底10上的栅极12、形成在栅极12上的透明绝缘膜14、反向于栅极12形成在绝缘模14上的a-Si部分16、及形成在a-Si部分16上的源和漏极18。此外，透明绝缘模14形成在a-Si TFT的较上侧(前侧)。
此外，如图1A中所示，透明相对的基底20设置在绝缘模14的上侧(前侧)，使得通过密封部件和间隙部件(未示出)确保绝缘模14和透明相对的基底20之间的预定距离。根据相邻地布置的a-Si TFT之间的间隔并根据构成光传感器的部件的折射率来决定预定距离。也就是说，决定预定距离，使得每个a-Si TFT的a-Si部分16能够正确地接收反射光26，该反射光是背光光线，其从置于TFT基底10的后侧上的白色背光19通过相邻a-Si TFT之间的间隔辐射到相对的基底20的侧，并且其由诸如放置在相对的基底20上的手指24的探测目标反射。
绝缘模14和透明相对的基底20之间的预定距离可以填充有空气作为间隔，或者当形成光传感器使得它们如后面描述的集成地结合到TFT-LCD面板中时，可以在其中填充液晶。
在根据本实施例的光传感器中，用于透射特定波长区的光的彩色滤光器，这里为用于透射红色波长的光的红色滤光器(以下称作TFT R滤光器)100形成在透明TFT基底10的较低表面上(白色背光侧)。以下，“特定波长区”指红色波长区，或由TFT R滤光器100透射的红光。此外，在透明相对的基底20的较低的表面上(a-Si TFT侧)，形成用于透射红色波长的光(即特定波长区中的光)的红色滤光器(以下称作相对的R滤光器)102和用于切断特定波长区的光的彩色滤光器，这里为用于透射绿色波长的光的绿色滤光器(以下称作相对的G滤光器)104。相对的R滤光器102形成为与相邻地布置的a-Si TFT的一个相对，并且，相对的G滤光器104形成为与相邻地布置的a-Si TFT的另一个相对。此外，由诸如树脂或Cr氧化物的光吸收材料制成的黑色掩膜106形成在相对的R滤光器102和相对的G滤光器104之间。通过半导体工艺形成彩色滤光器100、102和104，以及黑色掩膜106。
因此，根据本实施例的光传感器包括：至少两个a-Si TFT，作为第一和第二光接收元件用于光探测；TFT R滤光器100，置于两个a-Si TFT的后侧上并且仅容许作为预定颜色成分的红色背光光线从光接收元件后侧离开到其前侧；相对的R滤光器102，其置于两个a-Si TFT中的一个的前侧上并且仅透射红光；及相对的G滤光器104，其置于两个a-Si TFT中的另一个的前侧上并且切断红光和透射绿光。此外，两个a-Si TFT相邻地布置，它们之间有预定的间隔，使得来自背光的光能够通过它们之间。此外，光源由白色背光19和TFT R滤光器100构成。
接下来，将参照图1B、图1C和图2描述具有该配置的光传感器的操作。图1B是用于解释当作为探测目标的手指24接触相对的基底20时背光光线的路径的图示，而图1C是用于解释当强的外部光28进入时光的路径的图示。此外，图2是用于解释本实施例的光传感器的操作的示意图。
在本实施例中，如图1B中所示，由TFT R滤光器100从由白色背光19生成的背光光线单独选择红色成分22R，并且背光光线然后通过相邻的a-Si TFT之间和辐射朝向相对的基底20。
在形成相对的R滤光器102的区中，背光光线的红色成分22R穿透相对的基底20和相对的R滤光器102，并且离开到光传感器的外部。然后，背光光线由作为探测目标的与相对的基底20的顶部接触的手指24反射，并且反射的背光光线作为红色反射光26R返回到光传感器中。此红色反射光26R穿透相对的基底20和相对的R滤光器102，并且施加于置于相对的R滤光器102下面的a-Si TFT上。
另一方面，在形成相对的G滤光器104的区中，背光光线的红色成分22R由相对的G滤光器104吸收或漫反射，使得其主要被切断，而没有离开到达光传感器的外部。于是，即使通过相对的G滤光器104稍微地离开到外部的背光光线的红色成分22R的部分由手指24反射，由此获得红色反射光26R，大多数红色反射光26R也由相对的G滤光器104切断。参照图1B。因此，几乎没有红色光施加于置于相对的G滤光器104下的a-Si TFT上。
因此，当手指24与光传感器接触时(当探测目标覆盖相对的R滤光器102和相对的G滤光器104的前侧时)，引起这样的情形：相对的R滤光器102下的a-Si TFT(TFT 1)接收从探测目标反射的光，而相对的G滤光器104下的a-Si TFT(TFT 2)不接收从探测目标反射的光，如图2的左边部分所示。也就是说，引起这样的情形：对应于相对的R滤光器102的a-Si TFT(TFT 1)接收强度等于或大于预定第一阈值的光，而对应于相对的G滤光器104的a-Si TFT(TFT 2)接收强度小于预定第二阈值的光。在本实施例中，此情形称作光传感器开启(存在探测目标的状况)。
另一方面，如图1C中所示，当亮度大于背光光线的亮度的诸如太阳光的外部光28施加于光传感器时，相对的R滤光器102下的a-Si TFT接收外部光的红色成分28R，而相对的G滤光器104下的a-Si TFT接收外部光的绿色成分。也就是说，如图2的右边部分所示，引起这样的情形：相邻的a-Si TFT接收强度等于或大于预定第一阈值或预定第二阈值的光。在本实施例中，此情形称作光传感器关闭(不存在探测目标的状况)。
在本实施例中，如图2的中部所示的外部光28的亮度低并且相邻的a-SiTFT都不接收光情形也称作光传感器关闭(不存在探测目标的状况)。也就是说，本实施例也称相邻的a-Si TFT接收强度小于预定第一阈值或预定第二阈值的光的情形为光传感器关闭(不存在探测目标的状况)。
上述原理使得可能提供一种机制，其中，仅手指24与光传感器接触的状况辨认为光传感器的“开启”状况(存在探测目标的状况)，而其它状况辨认为光传感器的“关闭”状况(不存在探测目标的状况)。
在本实施例中，由作为置于透明TFT基底10的较低侧上的白光源的白色背光19和作为用于从由白色背光发射的白色光选择预定颜色成分并透射预定颜色成分的第三滤光器构成用于发射特定波长区的光的光发射装置。
此外，用于选择性地透射从光发射装置发射的光到探测目标的辐照光选择装置由作为透射从光发射装置发射的光的第一滤光器的红色滤光器(相对的R滤光器)102和作为具有不同于特定波长区的透明波长区并且不透射从光发射装置发射的光的第二滤光器的绿色滤光器(相对的G滤光器)104构成。
此外，光接收元件阵列由多个光接收元件构成，多个光接收元件包括置于相对的R滤光器102下作为第一光接收元件用于接收透射通过第一滤光器的光的a-Si TFT(TFT 1)和置于相对的G滤光器104下作为第二光接收元件用于接收透射通过第二滤光器的光的a-Si TFT(TFT 2)。因此，设置光传感器，其通过未示出的判断装置如上述根据来自光接收元件阵列的输出判断是否存在探测目标。
如上述，根据本实施例，仅手指24与光传感器接触的状况辨认为光传感器开启(存在探测目标的状况)，而强的干扰光情况和没有干扰或反射光的情况辨认为光传感器关闭，由此第一实施例的光传感器能够避免不正确地探测探测目标的存在。
图3是示出了一个范例的图示，其中多个光传感器形成为集成地结合到作为用于指示信息的显示元件的TFT-LCD面板中。在此情况下，光传感器用作操作开关用于控制TFT-LCD面板的状态。也就是说，光传感器用作，例如，用于打开或关闭TFT-LCD面板的电源的操作开关和用于切换显示在TFT-LCD面板上的指示的内容的操作开关。
此外，图4是示出a-Si TFT的电连接和配置的图示，而图5是传感器LSI中建立的探测电路的图示。
TFT-LCD面板108具有通过半导体工艺形成在玻璃(或塑料)基底110上的TFT-LCD 112和LCD驱动器LSI 114，及能够如图3中所示的形成在相同基底110上的多个光传感器116和传感器LSI 118。
在这种情况下，每个光传感器116的TFT基底10对应于基底110，并且相对的R滤光器102和相对的G滤光器104(以及黑色掩膜106)能够由与TFT-LCD 112的部件和工艺相同的部件和工艺形成。因此，就工艺步骤来说，仅增加TFT R滤光器100的形成。TFT R滤光器100形成在对应于光传感器116的区中，但是不形成在对应于TFT-LCD 112的区中。这容许将TFT-LCD 112的背光用作用于光传感器的白色背光19。
每个光传感器16由以二维形式相邻地垂直和水平布置的多个a-Si TFT形成。在此情况下，如图4中所示，形成相对的R滤光器102和相对的G滤光器104，使得它们交替地垂直和水平地布置。形成栅极12、源和漏极18及互联，使得相对的R滤光器102下的a-Si TFT彼此并联连接并且使得相对的G滤光器104下的a-Si TFT彼此并联连接。也就是说，形成R滤光器102下的每个a-Si TFT，使得其栅极12连接到一个互联Vg，其漏极连接到一个互联Vd且其源极连接到一个互联Vs_R。以相同的方式，形成相对的G滤光器104下的每个a-Si TFT，使得其栅极12连接到一个互联Vg(与R滤光器102下的a-Si TFT的栅极共用)，其漏极连接到一个互联Vd(与R滤光器102下的a-Si TFT的漏极共用)且其源极连接到一个互联Vs_G。
互联Vg、Vd、Vs_R和Vs_G连接到传感器LSI 118。如图5中所示的探测电路120形成在传感器LSI 118中。这里，在传感器LSI 118中，形成相同配置的两个探测电路120，一个用于并联连接的R滤光器102下的a-SiTFT并且一个用于并联连接的G滤光器104下的a-Si TFT。应当注意，彼此并联连接的多个a-Si TFT在图5中以共同方式等同地表示为一个a-SiTFT。也就是说，并联连接的多个a-Si TFT的输出的成分输入到探测电路120。
探测电路120由电流-电压转换电路122和比较器124构成。这里，电流-电压转换电路122包括反向放大器126，其中预定电压Vs施加于其非反向输入端，并且反馈电阻Rf连接在反向放大器126的输出端和反向输入端之间，并且电流-电压转换电路122的形成使得从a-Si TFT的互联Vs_R或Vs_G连接到反向放大器126的反向输入端。比较器124将在电流-电压转换电路122中转换的电压值与预定的阈值电压值Vt比较，并且输出指示TFT是在接收状态还是非接收状态的输出信号Vout。
逻辑电路125进一步形成在传感器LSI 118中以执行用于两个探测电路120的输出信号Vout的逻辑操作。如参照图2描述的，当探测到R滤光器102下的a-Si TFT侧的输出信号为“1”且G滤光器104下的a-Si TFT侧的输出信号为“0”时，光传感器116被辨认为开启。同样地，当探测到R滤光器102下的a-Si TFT侧的输出信号为“1”且G滤光器104下的a-Si TFT侧的输出信号为“1”和当探测到R滤光器102下的a-Si TFT侧的输出信号为“0”且G滤光器104下的a-Si TFT侧的输出信号为“0”时，光传感器116被辨认为关闭。
从而，在一个光传感器116中，多个a-Si TFT相邻地布置，并且相同彩色滤光器下的a-Si TFT并联连接以形成复合输出(composite output)，通过它判断光传感器为开启或关闭，使得甚至利用小数量的探测电路也能够精确地判断光传感器是开启还是关闭。当R滤光器102下的a-Si TFT侧的输出信号探测为“0”且当G滤光器104下的a-Si TFT侧的输出信号为“1”时，光传感器116可能发生了错误。在此情况下，检查误差的出现并且优选地通知检查的结果，而不确定光传感器116是开启还是关闭。
如上述，根据本发明的第一实施例中的光传感器，相对的R滤光器102和相对的G滤光器104置于相邻a-Si TFT上方，并且提供一个机制，其中通过a-Si TFT的一个单独探测背光光线的红色成分22R以辨认手指24的接触，由此提供的优点是能够防止由于外部光28(主要是太阳光)的错误操作。
此外，在该光传感器中，能够使用与TFT-LCD 112的那些部件相同的部件构成除TFT R滤光器100以外的那些组件，从而存在的优点是光传感器能够与TFT-LCD 112集成地形成(能够制造具有光传感器的TFT-LCD面板108，除了增加TFTR滤光器外，不增加工艺步骤的数量)。
还存在一个优点是能够与LCD上的指示共同使用作为光传感器的光发射装置的部分的背光。
此外，为了使如上述的光传感器用作作为显示元件的TFT-LCD面板108的操作开关，优选地提供控制器(例如，CPU)以在定时的基础上控制显示元件，利用定时判断光传感器开关从关闭到开启或从开启到关闭。
[第二实施例]
图6是示出根据本发明的第二实施例的光传感器的配置的范例的图示。在根据第二实施例的光传感器的描述中，相同的参考数字分配给与根据第一实施例的光传感器中的那些部分类似的部分，并且这些部分未描述。此外，为简单，仅示出两个单独的a-Si TFT。
在根据本第二实施例的光传感器中，使用双栅a-Si TFT，而不是第一实施例中的a-Si TFT。
也就是说，每个双栅a-Si TFT包括形成在透明TFT基底10上的栅极12、形成在栅极12上的透明绝缘膜14、反向于栅极12形成在绝缘模14上的a-Si部分16、形成在a-Si部分16上的源和漏极18、及设置在绝缘膜14上并覆盖a-Si部分16及源和漏极18的顶部(即设置在对应于a-Si部分16及源和漏极18的位置处)的透明顶部栅极128。
根据使用该双栅a-Si TFT的光传感器，能够获得与第一实施例中的那些效果类似的效果，并且能够交错两个栅的控制定时以控制灵敏度特性，使得亮和暗输出之间的比率高。
虽然已经结合实施例描述了本发明，但是本发明不限于上述实施例，并且能够作出多个修改和应用而不脱离本发明的精神。
例如，在上述实施例中，红色和绿色彩色滤光器形成在相对的基底20下，但是可以形成其它颜色的彩色滤光器。在那种情况下，应当理解，提供来代替红色和绿色彩色滤光器的彩色滤光器的颜色的一个与TFT基底10下的彩色滤光器的颜色相同(其可以是红色以外的颜色)。此外，颜色的种类不限于二，并且可以使用更多的颜色。在那种情况下，TFT基底10下的彩色滤光器必须分成区以形成多个颜色，使得能够辐射多种单色光线。
此外，在上述实施例中，彩色滤光器置于相对的基底20下，但是它们可以置于相对的基底20上面或覆盖a-Si部分16的透明绝缘膜14上面。
此外，在上述实施例中，TFT基底10下的白色背光和红色彩色滤光器用作用于发射特定波长区的光以生成红色成分22R的单色光线的光发射装置，但是可以使用能够辐照单色光线的诸如LED或OLED的光源而不是提供该彩色滤光器。
此外，在上述实施例中，a-Si TFT并联连接以针对每个颜色提供一个探测电路120(图5)，但是可以针对每个a-Si TFT提供一个探测电路120，使得逐个地地判断每个a-Si TFT为开启或关闭，并且利用此结构，关于构成一个光传感器116的所有a-Si TFT的判断的结果被合计以作出光传感器116是开启还是关闭的最终判断。还应当理解，探测电路不限于图5中所示的配置。
此外，虽然在第二实施例中上述地描述了双栅类型的a-Si TFT的情况，使用具有多个栅极的多栅a-Si TFT也是可能的。
此外，不仅可以使用a-Si TFT而且可以使用诸如多晶硅TFT的其它TFT作为光接收元件。
此外，本发明不限于诸如TFT的晶体管，并且可以使用诸如光电二极管的其它光接收元件。
Claims (25)
1、一种光传感器，包括：
探测光的第一和第二光接收元件；
置于所述第一和第二光接收元件后并发射预定颜色成分的光的光源；
置于所述第一光接收元件之前并且透射所述预定颜色成分的光的第一滤光器；
置于所述第二光接收元件之前并且切断所述预定颜色成分的光及透射所述预定颜色成分以外的颜色成分的第二滤光器；以及
基于来自所述第一和第二光接收元件的输出来判断在所述第一和第二滤光器之前是否存在探测目标的判断装置。
2、根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述第一和第二光接收元件相邻地布置，其间具有预定的间隔，使得来自所述光源的光通过所述第一和第二光接收元件之间。
3、根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述光源包括第三滤光器，其仅透射所述预定颜色成分的光。
4、根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述判断装置：
当由所述第一光接收元件探测的光量等于或大于预定的第一阈值且由所述第二光接收元件探测的光量小于预定的第二阈值时，判断在所述第一和第二滤光器之前存在所述探测目标，以及
当存在下述情况之一时，判断在所述第一和第二滤光器之前不存在所述探测目标：(i)由所述第一光接收元件探测的所述光量等于或大于所述第一阈值且由所述第二光接收元件探测的所述光量等于或大于所述第二阈值；和(ii)当由所述第一光接收元件探测的所述光量小于所述第一阈值且由所述第二光接收元件探测的所述光量小于所述第二阈值时。
5、一种光传感器，包括：
光发射装置，用于发射特定波长区的光；
辐照光选择装置，用于选择性地透射从所述光发射装置发射的光到所述光传感器的外部，所述辐照光选择装置包括彼此相邻的第一滤光器和第二滤光器，所述第一滤光器具有与所述特定波长区相同的透明波长区，以便透射从所述光发射装置发射的光，并且所述第二滤光器具有不同于所述特定波长区的透明波长区，以便防止从所述光发射装置发射的光的透射；
光接收元件阵列，包括相邻地布置以对应于所述第一和第二滤光器的多个光接收元件，所述多个光接收元件包括接收从所述光传感器的外部通过所述辐照光选择装置的所述第一滤光器透射的光的第一光接收元件、和接收从所述光传感器的外部通过所述辐照光选择装置的所述第二滤光器透射的光的第二光接收元件；以及
判断装置，用于根据来自所述光接收元件阵列的输出判断是否存在探测目标。
6、根据权利要求5所述的光传感器，其中，所述光接收元件阵列的所述第一光接收元件单独接收从所述光发射装置发射、通过所述辐照光选择装置辐射并由所述探测目标反射的光，以及
其中，当单独从所述光接收元件阵列的所述第一光接收元件获得预定的输出时，所述判断装置判断存在所述探测目标。
7、根据权利要求5所述的光传感器，其中，来自所述光发射装置以外的源的外部光穿透所述辐照光选择装置的所述第一和第二滤光器并且由所述光接收元件阵列的所述第一和第二光接收元件接收，以及
其中，当从所述光接收元件阵列的所述第一和第二光接收元件都获得预定的输出时，所述判断装置判断不存在所述探测目标。
8、根据权利要求5所述的光传感器，其中，当没有从所述光接收元件阵列的所述第一或第二光接收元件获得预定的输出时，所述判断装置判断不存在所述探测目标。
9、根据权利要求5所述的光传感器，其中，所述光接收元件阵列包括多个所述第一光接收元件和多个所述第二光接收元件，
其中，来自所述第一光接收元件的输出彼此连接并且输入到所述判断装置，以及
其中，来自所述第二光接收元件的输出彼此连接并且输入到所述判断装置。
10、根据权利要求5所述的光传感器，其中，每个所述光接收元件包括非晶硅薄膜晶体管。
11、根据权利要求5所述的光传感器，其中，每个所述光接收元件包括双栅非晶硅薄膜晶体管。
12、根据权利要求5所述的光传感器，其中，用于发射所述特定波长区的光的所述光发射装置包括：
发射白光的白光源；以及
具有与所述特定波长区相同的透明波长区并且透射从所述白光源发射的在所述特定波长区中的光的第三滤光器。
13、用于光传感器的目标探测方法，所述光传感器包括：
从所述光传感器的光源发射特定波长区的光；
经由彼此相邻的所述光传感器的第一滤光器和第二滤光器选择性地透射来自所述光源的光到所述光传感器的外部，所述第一滤光器具有与所述特定波长区相同的透明波长区，以便透射从所述光源发射的光，并且所述第二滤光器具有不同于所述特定波长区的透明波长区，以便防止从所述光源发射的光的透射；
从光接收元件阵列处的所述光传感器的外部接收光，所述光接收元件阵列包括相邻地布置以对应于所述第一和第二滤光器的多个光接收元件，所述多个光接收元件包括接收从所述光传感器的外部通过所述第一滤光器透射的光的第一光接收元件、和接收从所述光传感器的外部通过所述第二滤光器透射的光的第二光接收元件；以及
根据来自所述光接收元件阵列的输出判断是否存在探测目标。
14、根据权利要求13所述的方法，其中，所述光接收元件阵列的所述第一光接收元件单独接收从所述光源发射并由所述探测目标反射的光，以及
其中，当单独从所述光接收元件阵列的所述第一光接收元件获得预定的输出时，判断存在所述探测目标。
15、根据权利要求13所述的方法，其中，来自所述光源以外的源的外部光穿透所述第一和第二滤光器并且由所述光接收元件阵列的所述第一和第二光接收元件接收，以及
其中，当从所述光接收元件阵列的所述第一和第二光接收元件都获得预定的输出时，判断不存在所述探测目标。
16、根据权利要求13所述的方法，其中，当没有从所述光接收元件阵列的所述第一或第二光接收元件获得预定的输出时，判断不存在所述探测目标。
17、一种显示面板，包括：
光发射装置，用于发射特定波长区的光；
辐照光选择装置，用于选择性地透射从所述光发射装置发射的光到所述显示面板的外部，所述辐照光选择装置包括彼此相邻的第一滤光器和第二滤光器，所述第一滤光器具有与所述特定波长区相同的透明波长区，以便透射从所述光发射装置发射的光，并且所述第二滤光器具有不同于所述特定波长区的透明波长区，以便防止从所述光发射装置发射的光的透射；
光接收元件阵列，包括相邻地布置以对应于所述第一和第二滤光器的多个光接收元件，所述多个光接收元件包括接收从所述显示面板的外部通过所述辐照光选择装置的所述第一滤光器透射的光的第一光接收元件和接收从所述显示面板的外部通过所述辐照光选择装置的所述第二滤光器透射的光的第二光接收元件；
判断装置，用于根据来自所述光接收元件阵列的输出判断是否存在探测目标；以及
显示元件。
18、根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述显示元件是受控的，使得基于所述判断装置的所述判断的结果来开启或关闭到所述显示面板的电源。
19、根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述光接收元件阵列形成在所述显示元件的基底上。
20、根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述第一滤光器和所述第二滤光器的至少一个是与所述显示元件的彩色滤光器相同的部件。
21、根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述光发射装置包括所述显示元件的背光。
22、一种显示面板，包括：
指示信息的显示元件；以及
控制所述显示元件的状态的操作开关，
其中，所述操作开关包括：
探测光的第一和第二光接收元件；
置于所述第一和第二光接收元件后并发射预定颜色成分的光的光源；
置于所述第一光接收元件之前并且透射所述预定颜色成分的光的第一滤光器；
置于所述第二光接收元件之前并且切断所述预定颜色成分的光及透射所述预定颜色成分以外的颜色成分的第二滤光器；以及
基于来自所述第一和第二光接收元件的输出来判断在所述第一和第二滤光器之前是否存在探测目标的判断装置。
23、根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述第一和第二光接收元件相邻地布置，其间具有预定的间隔，使得来自所述光源的光通过所述第一和第二光接收元件之间。
24、根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述光源包括第三滤光器，其仅透射所述预定颜色成分的光。
25、根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述判断装置：
当由所述第一光接收元件探测的光量等于或大于预定的第一阈值且由所述第二光接收元件探测的光量小于预定的第二阈值时，判断在所述第一和第二滤光器之前存在所述探测目标，以及
当存在下述情况之一时，判断在所述第一和第二滤光器之前不存在所述探测目标：(i)由所述第一光接收元件探测的所述光量等于或大于所述第一阈值且由所述第二光接收元件探测的所述光量等于或大于所述第二阈值；和(ii)当由所述第一光接收元件探测的所述光量小于所述第一阈值且由所述第二光接收元件探测的所述光量小于所述第二阈值时。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006281782A JP4725482B2 (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | フォトセンサ、フォトセンサの対象物検出方法及び表示装置 |
| JP281782/2006 | 2006-10-16 | ||
| PCT/JP2007/070036 WO2008047736A1 (en) | 2006-10-16 | 2007-10-09 | Photosensor, target detection method and display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101361187A true CN101361187A (zh) | 2009-02-04 |
| CN101361187B CN101361187B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=38937654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007800015715A Expired - Fee Related CN101361187B (zh) | 2006-10-16 | 2007-10-09 | 光传感器、目标探测方法及显示面板 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7531788B2 (zh) |
| EP (1) | EP2038932B1 (zh) |
| JP (1) | JP4725482B2 (zh) |
| KR (1) | KR101023568B1 (zh) |
| CN (1) | CN101361187B (zh) |
| TW (1) | TWI358128B (zh) |
| WO (1) | WO2008047736A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105404486A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种拼接屏、拼接系统及其中的拼接屏的拼接识别方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5326394B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-10-30 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜センサ装置 |
| JP5111327B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2013-01-09 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示撮像装置および電子機器 |
| KR100975873B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법 |
| KR101592010B1 (ko) | 2009-07-17 | 2016-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI436322B (zh) | 2010-09-14 | 2014-05-01 | Ind Tech Res Inst | 光敏電路以及光敏顯示器系統 |
| US9257590B2 (en) | 2010-12-20 | 2016-02-09 | Industrial Technology Research Institute | Photoelectric element, display unit and method for fabricating the same |
| US8836672B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-09-16 | Dornerworks, Ltd. | System and method for improving machine vision in the presence of ambient light |
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| US9311860B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-04-12 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Liquid crystal display using backlight intensity to compensate for pixel damage |
| CN107422926B (zh) * | 2017-08-01 | 2020-12-18 | 英华达（上海）科技有限公司 | 一种输入方法及装置 |
| CN115552488A (zh) * | 2019-05-21 | 2022-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纹路识别装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法 |
| CN110534031B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-12-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示装置及指纹识别方法 |
| CN113050811B (zh) * | 2021-03-30 | 2023-12-26 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备及输入设备 |
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| JPS61203522A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | オムロン株式会社 | 反射形光電スイツチ |
| JPH06236980A (ja) | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Casio Comput Co Ltd | フォトセンサ |
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| JP3668124B2 (ja) | 2000-11-13 | 2005-07-06 | シャープ株式会社 | 光検出装置 |
| JP4024642B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2007-12-19 | シャープ株式会社 | 画像読み取り装置および画像読み取り方法 |
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-
2006
- 2006-10-16 JP JP2006281782A patent/JP4725482B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-09 KR KR1020087014210A patent/KR101023568B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-10-09 CN CN2007800015715A patent/CN101361187B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-09 WO PCT/JP2007/070036 patent/WO2008047736A1/en active Application Filing
- 2007-10-09 EP EP07829771A patent/EP2038932B1/en not_active Not-in-force
- 2007-10-15 TW TW096138401A patent/TWI358128B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-15 US US11/974,629 patent/US7531788B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7531788B2 (en) | 2009-05-12 |
| US20080087803A1 (en) | 2008-04-17 |
| EP2038932B1 (en) | 2012-12-05 |
| TW200828582A (en) | 2008-07-01 |
| KR20080076942A (ko) | 2008-08-20 |
| JP2008096399A (ja) | 2008-04-24 |
| WO2008047736A1 (en) | 2008-04-24 |
| TWI358128B (en) | 2012-02-11 |
| CN101361187B (zh) | 2010-09-29 |
| EP2038932A1 (en) | 2009-03-25 |
| KR101023568B1 (ko) | 2011-03-21 |
| JP4725482B2 (ja) | 2011-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100929 Termination date: 20161009 |