CN101355097A - 电光装置、电子设备、电光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制发光特性差异的电光装置、电子设备及电光装置的制造方法。有机EL装置(11)具有玻璃基板、电路元件层、和阴极。发光元件层具有在像素电极(32)上形成的功能层、和划分功能层的储格围堰(34)。储格围堰(34)具有第1下层储格围堰(41)、第2下层储格围堰(42)和上层储格围堰(43)。而且，储格围堰(34)形成为磁道状，且具有长宽比不同的形状的发光区域(12)、和形成在发光区域(12)的短边侧的圆弧(44)区域。在圆弧(44)区域中，第1下层储格围堰(41)、第2下层储格围堰(42)和上层储格围堰(43)形成阶梯状。另一方面，在直线(45)区域中，第1下层储格围堰(41)和上层储格围堰(43)形成阶梯状。

Description

电光装置、电子设备、电光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及在储格围堰的开口部形成了功能层的电光装置、电子设备、电光装置的制造方法。

背景技术

作为上述的电光装置的一种，公知有有机EL(电致发光)装置。有机EL装置具有在阳极与阴极之间夹持由发光材料构成的发光层的构造。作为有机EL装置的制造方法，其中包括例如把发光材料墨水化，使用喷墨法把墨水喷涂在基板上的发光区域的工序。在基板上的发光区域，形成有用于把墨水填充在规定部分的、例如由有机材料(例如丙烯树脂)构成的储格围堰中(bank)。

储格围堰在相当于发光区域的区域中，例如形成有具有长边和短边的磁道状开口部。在短边侧所形成的圆弧内侧，存在着墨水的浸润性差，墨水难以填充的问题。由此，被喷吐在开口部中的墨水的厚度存在偏差，其结果，不能实现均匀地发光。

因此，如专利文献1所记载，例如公知有一种使膜厚均匀的方法，该方法是，在储格围堰的开口部，把用于容易填充墨水的无机材料(例如，氧化硅膜、氮化硅膜)，在丙烯树脂的储格围堰的下侧形成为二层(以下称为“二层储格围堰”)，并使其阶梯状地露出，由此来提高圆弧区域的墨水的浸润性，使储格围堰内的膜厚均匀。

另外，如上述那样，形成在短边侧的圆弧的内侧，墨水的浸润性差，而长边侧存在着墨水容易溢出的问题。因此，存在的问题是，被喷吐在开口部中的墨水的厚度产生偏差，其结果，不能实现均匀地发光。

因此，如专利文献2所记载，例如公知有一种使膜厚均匀方法：在储格围堰的开口部，把用于容易填充墨水的无机材料(例如，氧化硅膜)，形成在丙烯树脂的储格围堰的下侧，并使一部分露出，由此来提高墨水的浸润性，使储格围堰内的膜厚均匀。

[专利文献1]特开2005-158494号公报

[专利文献2]特开2003-187970号公报

但是，当随着高精细化而缩小了发光区域时，需要缩小储格围堰的开口部，特别是，根据从开口部中的宽度窄的一侧(长边侧)露出的二层储格围堰的突出量的精度不同，被喷吐的墨水的厚度产生差异。其结果，存在着不能均匀地发光(发光特性产生差异)的问题。另外，由于形成阶梯状的二层储格围堰，所以存在着使向发光区域侧的突出量增多，特别是在开口部中的宽度窄的一侧的数值孔径降低的问题。

另外，如果发光区域变小(即，高精细化)，则圆弧的曲率变大，特别是在干燥过程中，圆弧部分的墨水容易退缩。因此，不容易填充墨水，而且，当为了确保膜厚而大量补充墨水时，产生了在长边侧墨水容易溢出的问题。其结果，由于在长边侧和短边侧存在着对墨水的接触角的差异，所以，存在着在开口部内的墨水的厚度产生偏差，不能均匀发光(发光特性产生差异)的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题的至少一部分而提出的，并且能够以如下的方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例的电光装置，其具有多个发光区域，并具有基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其被配置在由上述储格围堰所包围的开口部中，上述储格围堰具有上层储格围堰、和比上述上层储格围堰的浸润性高的多层下层储格围堰，与在上述开口部中的第1区域所露出的上述下层储格围堰的层数相比，上述下层储格围堰在第2区域所露出的上述下层储格围堰的层数少。

根据该结构，由于在开口部中的第1区域中至少形成有下层储格围堰，所以能够使液体浸润第1区域的下层储格围堰，从而能够把液体填充到第1区域。由此，可抑制在发光区域中液体的厚度差异，在由液体形成了功能层时，能够获得抑制了厚度的差异的功能层。其结果，在发光区域中能够均匀发光。并且，由于露出在第2区域中的下层储格围堰的层数少，所以可抑制因下层储格围堰的端部的突出量而造成的液体的厚度差异。并且可扩大第2区域的开口面积。

[应用例2]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部，从法线方向观察，具有角部，上述第1区域是包含上述开口部中的上述角部的一部分的区域。

根据该结构，由于在包含角部的一部分的区域中至少形成有下层储格围堰，所以，能够使液体浸润该区域的下层储格围堰，从而能够把液体填充到包含比较难以填充液体的角部的一部分的区域。

[应用例3]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部，从法线方向观察，具有圆弧，上述第1区域是包含上述开口部中的上述圆弧的一部分的区域。

根据该结构，由于在包含圆弧的一部分的区域(圆弧内侧的一部分等)中至少形成有下层储格围堰，所以，能够使液体浸润该区域的下层储格围堰，从而能够把液体填充到包含比较难以填充液体的圆弧的一部分的区域中。

[应用例4]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部，从法线方向观察，具有短边和长边，上述第1区域是上述开口部中的上述短边侧的区域，上述第2区域是上述开口部中的上述长边侧的区域。

根据该结构，由于在短边侧的区域中至少形成有下层储格围堰，所以，能够把液体填充到相比长边侧的区域开口部宽度窄的、比较难以填充液体的短边侧(第1区域)。并且，由于在长边侧(第2区域)的区域露出的下层储格围堰的层数少，所以可提高夹在长边之间的宽度窄的方向的数值孔径。

[应用例5]优选在上述应用例的电光装置中，上述下层储格围堰，从上述基板侧开始具有第1下层储格围堰和第2下层储格围堰，上述第2下层储格围堰对液体的接触角比上述第1下层储格围堰对液体的接触角小。

根据该结构，由于在第1区域中形成有液体的接触角比第1下层储格围堰小的第2下层储格围堰，所以可提高第1区域的液体填充性。

[应用例6]优选在上述应用例的电光装置中，上述第1下层储格围堰是氧化硅膜，上述第2下层储格围堰是氮化硅膜。

根据该结构，由于是氧化硅膜和浸润性比氧化硅膜高的氮化硅膜，所以通过选择形成2种膜质的下层储格围堰，可提高液体的填充性，而且可提高绝缘性、表面处理的适应性等。

[应用例7]优选在上述应用例的电光装置中，上述第1区域以露出上述第2下层储格围堰的方式形成。

根据该结构，由于在比较难以填充液体的第1区域中形成浸润性高的第2下层储格围堰，所以可将液体填充到第1区域。

[应用例8]优选在上述应用例的电光装置中，上述第1区域以露出上述第1下层储格围堰和上述第2下层储格围堰的方式形成，上述第2区域以露出上述第1下层储格围堰或上述第2下层储格围堰的任意一方的方式形成。

根据该结构，由于在比较难以填充液体的第1区域形成有2层下层储格围堰，所以可将液体填充到第1区域。另一方面，在第2区域中只形成由第1下层储格围堰的情况下，可抑制如在形成了浸润性高的第2下层储格围堰的情况那样，在第2下层储格围堰上存留多余的液体的情况。由此，可高效率地使用液体。另外，在第2区域中只形成第2下层储格围堰的情况下，能够使液体充分浸润第2下层储格围堰，在发光区域中能够提高液体的平坦性。

[应用例9]本应用例的电光装置具有多个发光区域，并具有：基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，上述储格围堰具有上层储格围堰和比上述上层储格围堰的浸润性高的下层储格围堰，上述下层储格围堰，在上述开口部中的第1区域中露出，在第2区域中未露出。

根据该结构，由于在开口部中的第1区域中露出下层储格围堰，所以能够使液体浸润第1区域的下层储格围堰，从而能够把液体填充到第1区域。由此，可抑制在发光区域中液体的厚度差异，在由液体形成了功能层时，能够获得抑制了厚度的差异的功能层。其结果，在发光区域中能够均匀发光。并且，由于在第2区域中未露出下层储格围堰，所以可抑制因下层储格围堰的端部的突出量所造成的液体的厚度不均匀。并且可扩大第2区域的开口面积。

[应用例10]优选在上述应用例的电光装置中，还具有：像素电极，其与上述多个发光区域的每一个相对应，形成在上述基板的一个面上；以及公共电极，其隔着上述功能层设在上述像素电极的相反侧，上述功能层至少具有发光层。

根据该结构，在具有隔着发光层配置的像素电极和公共电极的、如有机EL装置中，可进行均匀的发光。

[应用例11]本应用例的电子设备其特征是，具有上述的电光装置。

根据该结构，可获得能够提高数值孔径，并且能够均匀发光的电子设备。

[应用例12]本应用例的电光装置具有多个发光区域，并具有：基板；储格围堰，其形成在上述基板的一个面的除了发光区域以外的区域的至少一部分上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，上述储格围堰具有第1部分和第2部分，上述第1部分的疏液性比上述第2部分的疏液性低。

根据该结构，由于储格围堰的第1部分的疏液性比第2部分的低(浸润性高)，所以能够使液体浸润开口部中的第1部分，从而能够把液体填充到第1部分的区域中。并且，利用第2部分的疏液性可抑制液体从开口部中的第2部分的区域中的溢出。由此，可抑制在发光区域中液体的厚度偏差，在由液体形成了功能层时，能够获得抑制了厚度的偏差的功能层。其结果，在发光区域中能够均匀发光。

[应用例13]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部具有角部，上述第1部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。

根据该结构，由于在开口部中，包含角部的一部分的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以能够把液体填充到比较难以填充液体的角部。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例14]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部具有圆弧，上述第1部分包含上述开口部中的上述圆弧的一部分。

根据该结构，由于在开口部中，包含圆弧的一部分的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以能够把液体填充到比较难以填充液体的圆弧的部分。

[应用例15]优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部具有长边和短边，上述第1部分包含上述开口部中的上述短边，上述第2部分包含上述开口部中的上述长边。

根据该结构，由于包含短边侧的区域的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以能够把液体填充到宽度比第2部分窄的、比较难以填充液体的第1部分中。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例16]优选在上述应用例的电光装置中，上述储格围堰由包含具有光催化剂作用的材料的储格围堰材料构成，上述第1部分是被照射了能量的部分，上述第2部分是未照射上述能量的部分。

根据该结构，在储格围堰材料中只把被照射了能量的第1部分作为光催化剂发挥作用，来降低疏液性(提高亲液性)。而且，储格围堰材料中的未照射能量的第2部分，例如，由于具有光催化剂作用的材料中的聚硅氧烷的构造而呈现疏液性。由此，可形成疏液性低的第1部分、和疏液性高的第2部分。其结果，能够把液体填充到第1部分的区域，并可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例17]优选在上述应用例的电光装置中，上述第1部分的表面粗糙度比上述第2部分的表面粗糙度小。

根据该结构，由于第1部分的粗糙度小，所以能够使液体浸润第1部分，从而能够把液体填充到第1部分的区域。并且，利用第2部分的粗糙度大，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例18]优选在上述应用例的电光装置中，上述第1部分的表面对液体的接触角为第1接触角，上述第2部分的表面对上述液体的接触角为比上述第1接触角大的第2接触角。

根据该结构，由于与第2部分相比，第1部分的对液体的接触角小，所以，能够把液体填充到第1部分的区域。并且，由于相比第1部分，第2部分对液体的接触角大，所以可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例19]优选在上述应用例的电光装置中，还具有：像素电极，其与上述多个发光区域的各个相对应，形成在上述基板的上述一个面上；以及公共电极，其隔着上述功能层设在上述像素电极的相反侧，上述功能层至少具有发光层。

根据该结构，在具有隔着发光层配置的像素电极和公共电极的例如有机EL装置中，能够抑制发光层的厚度偏差，在发光区域中可进行均匀的发光。

[应用例20]本应用例的电子设备的特征是，具有上述的电光装置。

根据该结构，可获得能够均匀发光的电子设备。

[应用例21]本应用例的电光装置的制造方法，用于制造具有多个发光区域的电光装置，其特征在于，具有：按照基板上的每个上述发光区域形成像素电极的像素电极形成工序；形成储格围堰的储格围堰形成工序，该储格围堰具有对上述基板上的上述像素电极进行包围的第1部分和第2部分；在上述像素电极上的上述储格围堰的开口部，使用液滴喷吐法形成发光层的发光层形成工序；以及隔着上述发光层，在上述像素电极的相反侧形成阴极的阴极形成工序，上述储格围堰形成工序把上述第1部分的疏液性形成为比上述第2部分的疏液性低。

根据该方法，由于储格围堰的第1部分的疏液性形成为比第2部分的低(浸润性高)，所以能够把液体填充到开口部中的第1部分的区域。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从开口部的第2部分的区域中的溢出。由此，可抑制储格围堰内的液体的厚度偏差，其结果，能够均匀发光。

[应用例22]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口部具有角部，上述第1部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。

根据该方法，由于在开口部中包含角部的一部分的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以，能够把液体填充到包含比较难以填充液体的角部。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例23]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口部具有圆弧，上述第1部分包含上述开口部中的上述圆弧的一部分。

根据该方法，由于在开口部中包含圆弧的一部分的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以，能够把液体填充到包含比较难以填充液体的圆弧的部分。

[应用例24]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口部具有短边和长边，上述第1部分包含上述开口部中的上述短边侧的区域，上述第2区域包含上述开口部中的上述长边侧的区域。

根据该方法，由于包含短边侧的区域的第1部分的疏液性低(浸润性高)，所以，能够把液体填充到宽度比第2部分窄的比较难以填充液体的第1部分。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例25]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述储格围堰形成工序具有：在上述像素电极上涂敷涂敷液的涂敷工序，该涂敷液包含具有光催化剂作用的材料；通过使上述涂敷液干燥而形成储格围堰层的储格围堰层形成工序；在上述储格围堰层上图案化出上述储格围堰形状，在相当于上述发光区域的区域形成上述开口部的开口部形成工序；以及通过向上述储格围堰中的第3区域照射能量，形成上述第1部分的能量照射工序。

根据该方法，只把储格围堰中的被照射能量的第1部分(氧化钛)作为光催化剂发挥作用，来降低疏液性(提高亲液性)。而且，储格围堰材料中的未照射能量的第2部分，例如，在具有光催化剂作用的材料中由于聚硅氧烷的构造而呈现疏液性。由此，可形成包含疏液性低的第3区域、和疏液性高的第4区域的储格围堰。其结果，能够把液体填充到第3区域，并可抑制液体从第4区域中的溢出。

[应用例26]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述储格围堰形成工序中，用第2材料形成上述第2部分，用比上述第2材料的疏液性低的第1材料形成上述第1部分。

根据该方法，利用比由第2材料构成的第2部分的疏液性低的第1材料构成的第1部分，能够把液体填充到第1部分的区域，并且，利用由第2材料构成的第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

[应用例27]优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，在上述储格围堰形成工序中，通过对由有机材料构成的上述储格围堰的第3区域实施等离子处理，来形成疏液性低的上述第1部分，并通过对上述储格围堰的第4区域，实施比对上述第3区域实施的等离子处理时间长的等离子处理，来形成疏液性高的上述第2部分。

根据该方法，由于通过使对第4区域的等离子处理(例如，CF₄等离子处理)时间大于对第3区域的等离子处理(例如，O₂等离子处理)时间，可提高第4区域的疏液性，所以，能够把液体填充到第1部分的区域，并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。

附图说明

图1是表示第1实施方式的有机EL装置的一部分结构的模式剖面图。

图2是表示有机EL装置中的储格围堰的构造的模式图，(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。

图3是表示有机EL装置的制造方法的工序图。

图4是表示具备了有机EL装置移动电话机的模式图。

图5是表示第2实施方式的有机EL装置中的储格围堰的构造的模式图，(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。

图6是表示第3实施方式的有机EL装置中的储格围堰的构造的模式图，(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。

图7是表示第4实施方式的有机EL装置中的储格围堰的构造的模式图，(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。

图8是表示第5实施方式的有机EL装置中的储格围堰的构造的模式图，(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。

图9是表示有机EL装置的制造方法的工序图。

图10是表示第6实施方式的有机EL装置的制造方法的工序图。

图11是表示第7实施方式的有机EL装置的制造方法的工序图。

图12是表示储格围堰构造的变形例的模式图，(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。

图13是表示储格围堰构造的变形例的模式图，(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。

图14是表示储格围堰构造的变形例的模式图，(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。

图15是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图16是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图17是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图18是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图19是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图20是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图21是表示储格围堰形状的变形例的模式俯视图。

图中文字说明：11、91-作为电光装置的有机EL装置；12-发光区域；13-作为基板的玻璃基板；14-电路元件层；15-发光元件层；16-阴极；17-底层保护膜；18-TFT元件；19-半导体膜；21-源极区域；22-漏极区域；23-沟道区域；24-栅极绝缘膜；25-栅极电极；26-第1层间绝缘膜；27-第2层间绝缘膜；28-接触孔；29-信号线；31-接触孔；32-像素电极；33-功能层；34、75、81、85、171、175、181、185-储格围堰；35、41a、43a、72、76、82、86、141a、142c-开口部；41-第1下层储格围堰；42-第2下层储格围堰；42a、142a-第1部分；42b、142b-第2部分；43-上层储格围堰；44、79-圆弧；45、77、78-直线；46-下层储格围堰；51-空穴注入层；52-发光层；53-显示元件；61-作为电子设备的移动电话机；62-显示部；63-操作键；71-共用储格围堰；141-第1层储格围堰；142-第2层储格围堰。

具体实施方式

下面，参照附图，对具体实现本发明的实施方式进行说明。

(第1实施方式)

图1是表示作为第1实施方式的电光装置的有机EL装置的一部分结构的模式剖面图。图2是表示有机EL装置中的形成了储格围堰的阶段的储格围堰的构造的模式图。(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。另外，图1是表示各个构成要素的剖面位置关系的图，暂不论相对位置关系。以下参照图1、图2对有机EL装置的构造进行说明。

如图1所示，有机EL装置11在发光区域12进行发光，并具有基板13、形成在基板13上的电路元件层14、形成在电路元件层14上的发光元件层15、和形成在发光元件层15上的阴极(公共电极)16。作为基板13，例如是具有透光性的玻璃基板(以下称为“玻璃基板13”)。

电路元件层14，在玻璃基板13上形成由氧化硅膜(SiO₂)构成的底层保护膜17，在底层保护膜17上形成TFT(Thin Film Transistor)元件18。具体是，在底层保护膜17上，形成由聚硅膜构成的岛状半导体膜19。在半导体膜19上，通过导入杂质而形成源极区域21和漏极区域22。另外，未导入杂质的部分成为沟道区域23。

并且，在电路元件层14中，形成有覆盖底层保护膜17和半导体膜19的由氧化硅膜等构成的透明栅极绝缘膜24。在栅极绝缘膜24上，形成有由铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)等构成的栅极电极25(扫描线)。在栅极绝缘膜24和栅极电极25上，形成有透明的第1层间绝缘膜26和第2层间绝缘膜27。第1层间绝缘膜26和第2层间绝缘膜27例如由氧化硅膜(SiO₂)、氧化钛膜(TiO₂)等构成。栅极电极25被设置在与半导体膜19的沟道区域23对应的位置。

半导体膜19的源极区域21通过贯通第1层间绝缘膜26和栅极绝缘膜24设置的接触孔28，与形成在第1层间绝缘膜26上的信号线29电连接。另一方面，漏极区域22通过贯通第2层间绝缘膜27、第1层间绝缘膜26、栅极绝缘膜24设置的接触孔31，与形成在第2层间绝缘膜27上的像素电极32电连接。

像素电极32形成在每个发光区域12上。另外，像素电极32由透明的ITO(Indium Tin Oxide)膜构成，例如，从俯视方向观察，呈大致矩形形状(参照图2)。另外，在电路元件层14中，形成有未图示的保持电容和开关用晶体管。这样，在电路元件层14中，形成有与各个像素电极32连接的驱动用晶体管。

发光元件层15具有被配置成矩阵状的发光元件，并形成在玻璃基板13上。具体是，发光元件层15主要由形成在像素电极32上的功能层33、和划分功能层33的储格围堰34构成。在功能层33上配置有阴极16。由像素电极32、功能层33、和阴极16构成发光元件。

储格围堰34，例如在俯视观察时，其开口部35形成磁道状(参照图2(a))。具体是，储格围堰34的开口部35具有长宽比不同的发光区域12、和形成在发光区域12的短边侧(Y方向)的作为第1区域的圆弧44的区域。这里，所谓圆弧44的区域是指，开口部35中的由圆弧44的形状所围成的区域。另外，也称为圆弧侧的区域。

开口部35中的圆弧44的区域通过自玻璃基板13侧开始将第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、和上层储格围堰43阶梯状叠层，并使端部露出而构成(参照图2(b))。

第1下层储格围堰41为了确保相邻像素电极32之间的绝缘性，形成为延续到像素电极32的周缘部上。即，像素电极32和第1下层储格围堰41成为在平面上一部分被重叠配置的构造。作为第1下层储格围堰41的材料，例如可列举出无机材料的氧化硅膜(SiO₂)。

第2下层储格围堰42，为了提高与功能性液体(例如，空穴注入层51的墨水)的浸润性，形成在第1下层储格围堰41上。作为第2下层储格围堰42的材料，可列举出比氧化硅膜的浸润性高的例如无机材料的氮化硅膜(SiN)。另外，氮化硅膜比氧化硅膜的介电常数高。

上层储格围堰43用于划分功能层33，其形成在第1下层储格围堰41层和第2下层储格围堰42层的上面。作为上层储格围堰43的材料，可列举出有机材料的丙烯类树脂。上层储格围堰43例如形成为在剖面上观察具有倾斜面的梯形形状。

开口部35中的作为第2区域的直线45的区域(长边侧)，通过自玻璃基板13侧开始将第1下层储格围堰41、上层储格围堰43阶梯状叠层，并使端部露出而构成(参照图2(c))。这里，作为直线45的区域是指，开口部35中的从直线部分开始与发光区域12有关的一部分区域。另外，也称为直线部分的区域。在直线部分的区域中，不露出第2下层储格围堰42。另外，第1下层储格围堰41和上层储格围堰43的材料，与上述的相同。

这样，在开口部35中的圆弧44的区域中，通过与第1下层储格围堰41一起层叠由浸润性高的氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42，特别是在第2下层储格围堰42上能够浸润墨水，从而能够把墨水填充到比较难以填充墨水的圆弧44的区域中。

另外，在开口部35中的直线45的区域，只形成有下层储格围堰46比圆弧44的区域少一层的第1下层储格围堰41，所以，可抑制下层储格围堰46向发光区域12的突出量的差异，从而能够使墨水的厚度均匀。并且，由于下层储格围堰46只由第1下层储格围堰41的1层构成，所以可提高该区域(X方向的区域)的数值孔径。

这里，所谓“浸润性高”是指与墨水的接触角相对的小。即，可以说在提高了浸润性的圆弧侧的区域(参照图2(a))，容易填充墨水。

功能层33形成在空穴注入层51和作为功能层的发光层52被储格围堰34所包围的区域，即开口部35(发光区域12)。空穴注入层51形成在把像素电极32作为底部，把储格围堰34(41、42、43)作为侧壁的凹部(参照图2(b)、(c))中。

另外，空穴注入层51由在导电性高分子材料中含有掺杂剂的导电性高分子层构成。这样的空穴注入层51，例如可以由作为掺杂剂而含有聚苯乙烯磺酸的3，4-聚二撑二氧噻吩(PEDOT-PSS)等构成。

由于形成在圆弧44区域的第2下层储格围堰42的存在，例如，在形成空穴注入层51时所喷吐的功能液，在开口部35中的圆弧44的内侧容易浸润扩散(容易填充)。由此，在储格围堰34中能够容易地形成空穴注入层51，从而能够使空穴注入层51的厚度均匀。

发光层52是产生电致发光现象的有机发光物质的层，其形成在空穴注入层51的上面。

阴极16在发光层52和上层储格围堰43的上面形成。换言之，阴极16形成在隔着发光层52的像素电极32的相反侧。阴极16例如是钙(Ca)和铝(Al)的叠层体。在阴极16的上面，叠层有用于防止水和氧的侵入的由树脂等构成的密封部件(未图示)。另外，由发光元件层15和阴极16构成显示元件53。

上述的发光层52，如上述那样，是产生电致发光现象的有机发光物质的层。通过在像素电极32与阴极16之间施加电压，从空穴注入层51向发光层52注入空穴，而且从阴极16注入电子。发光层52在其结合时发光。

该有机EL装置11，例如从功能层33向玻璃基板13侧发出的光，通过电路元件层14和玻璃基板13，向玻璃基板13的下侧射出，并且从功能层33向玻璃基板13的相反侧发出的光被阴极16所反射，通过电路元件层14和玻璃基板13，向玻璃基板13的下侧射出。另外，通过使用透明材料制成阴极16，也可以从阴极16侧射出光。

图3是表示有机EL装置的制造方法的工序图。下面，参照图1～图3，对有机EL装置的制造方法进行说明。

如图3所示，有机EL装置11的制造方法，通过步骤S1～步骤S6形成储格围堰，通过步骤S11～步骤S16形成有机EL元件。首先，在步骤S1中，在玻璃基板13上，采用公知的成膜技术形成电路元件层14。在步骤S2中，在电路元件层14上形成由ITO构成的像素电极32。

在步骤S3中，在电路元件层14和像素电极32上，形成第1下层储格围堰41。具体是，首先，采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法等，以覆盖电路元件层14和像素电极32的方式形成例如氧化硅(SiO₂)的层构成的第1下层储格围堰41，氧化硅为第1下层储格围堰41的材料。然后，使用光刻技术和蚀刻技术，在第1下层储格围堰层中的与发光区域12对应的区域形成开口部41a(参照图1)。

在步骤S4中，在第1下层储格围堰41的上面形成第2下层储格围堰42。具体是，在包含第1下层储格围堰41的玻璃基板13上，叠层用于形成第2下层储格围堰42的氮化硅膜。作为叠层的方法，例如可列举出蒸镀法。然后，使用光刻技术和蚀刻技术，形成使第2下层储格围堰42只在开口部35中的圆弧侧的区域露出的图形。

在步骤S5中，在第2下层储格围堰42的上面形成上层储格围堰43。具体是，在包含第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42的玻璃基板13上，叠层用于形成上层储格围堰43的丙烯类树脂。作为叠层的方法，可列举出蒸镀法。然后，使用光刻技术和蚀刻技术，在与发光区域12对应的区域形成开口部43a(参照图1)。

通过以上的工序，在开口部35中的圆弧44的区域，在上层储格围堰43的下侧，第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42呈阶梯状露出。另一方面，在开口部35中的直线45的区域，在上层储格围堰43的下侧，只露出第1下层储格围堰41。

在步骤S6中，对储格围堰34实施等离子处理。具体是，对第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42，进行例如使用氧(O₂)气的氧等离子处理。另一方面，对上层储格围堰43，进行例如使用四氟甲烷的四氟化炭(CF₄)的等离子处理。

具体地讲，对第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42的氧等离子处理，通过例如在等离子功率为100kW～800kW、氧气流量为50ml/min～100ml/min、基板搬送速度为0.5mm/sec～10mm/sec、基板温度为70℃～90℃的条件下进行处理，可以使第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42亲液化(降低疏液性)。

另一方面，对上层储格围堰43的四氟化炭等离子处理，通过例如在等离子功率为100kW～800kW、四氟甲烷气体流量为50ml/min～100ml/min、基板搬送速度为0.5mm/sec～10mm/sec、基板温度为70℃～90℃的条件下进行处理，可以使上层储格围堰43疏液化(提高疏液性)。

通过上述的步骤，完成了具有与墨水的接触角为30°的第2下层储格围堰42、和与墨水的接触角为90°的上层储格围堰43的储格围堰34。由于在圆弧44的区域也形成该第2下层储格围堰42，所以能够使墨水漫延扩散到圆弧44的区域。另一方面，由于上层储格围堰43的接触角大，所以可抑制墨水从直线部分的区域中的溢出。

在接下来的步骤S11中，在像素电极32上的由储格围堰34包围的发光区域12，采用液滴喷出法(例如喷墨法)喷吐包含空穴注入层51的材料的功能液。具体是，朝向把像素电极32作为底部、把储格围堰34(41、42、43)作为侧壁的凹部，喷吐功能液的液滴。作为空穴注入层51的功能液，例如可以使用PEDOT-PSS分散液。作为PEDOT-PSS分散液的一例，可以使用PEDOT与PSS的重量比为1∶10，且固态成分浓度为0.5％，包含50％的二甘醇，其余为纯水的液体。

在步骤S12中，通过使功能液干燥而形成空穴注入层51。具体是，对功能液进行高温环境下的干燥，或通过烘培使溶剂蒸发，使功能液中包含的PEDOT-PSS固化，由此，在储格围堰34内形成空穴注入层51。作为干燥的条件，例如是在200℃的环境下，把玻璃基板13放置10分钟。由此，形成50nm的空穴注入层51。

在步骤S13中，在空穴注入层51上，采用液滴喷吐法喷吐包含发光层52的材料的功能液。作为发光层52的功能液，例如可以使用包含固态成分浓度为0.8％的红色荧光材料，用环乙烷苯作为溶剂的功能液。

如上所述，由于在开口部35的圆弧44的区域阶梯状形成第1下层储格围堰41和浸润性高的第2下层储格围堰42，所以，特别是能够使墨水浸润第2下层储格围堰42，从而能够把墨水填充到比较难以填充的圆弧44的区域(短边侧的区域)。并且，可抑制在将墨水干燥后墨水的退缩。由此，可抑制储格围堰34内的发光层52的厚度的不均匀的情况。并且，由于圆弧44的内侧区域是从发光区域12分离的区域，所以，即使形成了第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42的2层，数值孔径也不会降低。

在步骤S14中，通过使功能液干燥，形成发光层52。具体是，使功能液在高温环境下进行干燥，或通过烘培使溶剂蒸发，使功能液中包含的材料固化，由此，形成发光层52。作为干燥的条件，例如是在100℃的环境下，把玻璃基板13放置1小时。形成的发光层52的膜厚例如为100nm。这样形成的发光层52由于具有比空穴注入层51大的面积，所以可以把发光层52中比较平坦的区域用于发光。

在步骤S15中，通过在形成了发光层52的玻璃基板13上的大致全体上，例如采用蒸镀法顺序叠层钙膜和铝膜，形成阴极16。形成的钙膜例如为5nm。形成的铝膜例如为300nm。

在步骤S16中，通过在阴极16上例如使用粘合剂和玻璃基板进行密封，形成有机EL元件，至此完成了有机EL装置11。

图4是表示具备了上述的有机EL装置的作为电子设备的一例的移动电话机的模式图。下面，参照图4，对具备了有机EL装置的移动电话机进行说明。

如图4所示，移动电话机61具有显示部62和操作键63。显示部62通过被组装在内部的有机EL装置11、91，可进行均匀发光等高品位的显示。另外，上述的有机EL装置11、91除了使用在上述移动电话机61中以外，还可以使用在移动计算机、数码相机、数字式摄像机、车载设备、音响设备等各种电子设备中。

如上所述，根据第1实施方式，可获得以下所述的效果。

(1)根据第1实施方式，由于能够在不容易填充的圆弧44的区域，不仅形成第1下层储格围堰41，而且还形成浸润性高的由氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42，所以，在把墨水喷吐在开口部35中时，能够使墨水浸润扩散到圆弧44的区域。由此，能够使开口部35中的墨水的厚度均匀，其结果，可均匀地发光。

(2)根据第1实施方式，由于在直线45的区域只形成第1下层储格围堰41，所以可抑制在下层储格围堰46形成2层的情况那样，因下层储格围堰46向发光区域12侧的突出量不同而造成的膜厚的差异。由此，能够使膜厚均匀，其结果，可均匀发光。并且，由于只由第1下层储格围堰41这1层构成下层储格围堰46，所以可提高由宽度窄的直线45所夹持的区域(X方向)的数值孔径。另外，由于第1下层储格围堰41由虽然比氮化硅膜的浸润性低，但与墨水之间的浸润性好的氧化硅膜构成，所以，利用墨水的浸润性，可以把墨水填充到直线部分的区域。

(3)根据第1实施方式，由于直线45的区域的下层储格围堰46由一层构成，所以使该区域(X方向)的开口宽度变宽。由此，在喷吐出墨水时使墨水能够大面积扩散，从而可抑制墨水从直线部分的区域中的溢出。

(第2实施方式)

图5是表示第2实施方式的储格围堰的构造的模式图。(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。下面，参照图5，对储格围堰的构造进行说明。另外，第2实施方式的储格围堰的构造与第1实施方式不同的部分是，在圆弧侧的区域中，在上层储格围堰的下侧形成第1下层储格围堰，在直线部分的区域中未形成下层储格围堰。以下，对于和第1实施方式相同的构成部件标记相同的符号，并省略或简化对这些的说明。

如图5所示，开口部35中的圆弧44的区域，通过自玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41和上层储格围堰43而构成。在开口部35中的直线45的区域只形成有上层储格围堰43。

这样，通过在开口部35中的圆弧44的区域中形成第1下层储格围堰41，虽然比氮化硅膜的浸润性低，但能够使墨水浸润第1下层储格围堰41，从而能够把墨水填充到比较难以填充墨水的圆弧44的区域。

如以上详细说明的那样，根据第2实施方式，在获得上述第1实施方式的(1)效果的基础上，还可获得以下所述的效果。

(4)根据第2实施方式，由于在开口部35中的直线45的区域只形成上层储格围堰43，不形成下层储格围堰46，所以可提高该区域(X方向的区域)的数值孔径。并且，由于该直线45的区域的开口部35变宽，所以在喷吐了墨水时，墨水被盛装在大范围内，由此，墨水不容易溢出。并且，如上述那样，能够把墨水填充到圆弧44的区域。

(第3实施方式)

图6是表示第3实施方式的储格围堰的构造的模式图。(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。下面，参照图6，对储格围堰的构造进行说明。另外，第3实施方式的储格围堰的构造与第1实施方式不同的部分是，在直线部分的区域中，在上层储格围堰的下侧只形成第2下层储格围堰。以下，对于和第1实施方式相同的构成部件标记相同的符号，并省略或简化对这些的说明。

如图6所示，开口部35中的圆弧44的区域，通过自玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、和上层储格围堰43而构成。

在开口部35中的直线45的区域，从玻璃基板13侧开始形成第2下层储格围堰42和上层储格围堰43。另外，第2下层储格围堰42为了确保像素电极32的绝缘性，扩展到像素电极32的周缘部而形成。

这样，通过在开口部35中的圆弧44的区域不仅形成第1下层储格围堰41而且还形成第2下层储格围堰42，尤其能够使墨水浸润第2下层储格围堰42，从而能够把墨水填充到比较不容易填充墨水的圆弧44的区域。

如以上详细说明的那样，根据第3实施方式，在获得上述第1实施方式的(1)的效果的基础上，还可获得以下所述的效果。

(5)根据第3实施方式，由于在直线45的区域形成有由氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42，所以能够使墨水浸润第2下层储格围堰42，在发光区域12中可提高墨水的平坦性。由此，可均匀发光。并且，由于氮化硅膜形成为延伸到像素电极32的周缘部，所以可确保像素电极32的绝缘性。

(第4实施方式)

图7是表示第4实施方式的储格围堰的构造的模式图。(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。下面，参照图7，对储格围堰的构造进行说明。另外，第4实施方式的储格围堰的构造与第1实施方式不同的部分是，在直线部分的区域中，在上层储格围堰的下侧未形成下层储格围堰。以下，对于和第1实施方式相同的构成部件标记相同的符号，并省略或简化对这些的说明。

如图7所示，开口部35中的圆弧44的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、和上层储格围堰43而构成。在开口部35中的直线45的区域，只形成有上层储格围堰43。

这样，通过在开口部35中的圆弧44的区域不仅形成第1下层储格围堰41而且还形成第2下层储格围堰42，尤其能够使墨水浸润第2下层储格围堰42，从而能够把墨水填充到比较难以填充墨水的圆弧44的区域。

如以上详细说明的那样，根据第4实施方式，在获得上述第1实施方式的(1)的效果的基础上，还可获得以下所述的效果。

(6)根据第4实施方式，由于在开口部35中的直线45的区域只形成有上层储格围堰43，而未形成下层储格围堰46，所以能够提高该区域(X方向的区域)的数值孔径。并且，由于该直线部分的区域的开口部变宽，所以在喷吐了墨水时，墨水被盛装在大范围内，从而可进一步抑制墨水的溢出。

(第5实施方式)

图8是表示有机EL装置中的在形成了储格围堰的阶段的储格围堰的构造的模式图。(a)是从上方观察有机EL装置的模式俯视图，(b)是沿着(a)所示的有机EL装置的A-A剖面的模式剖面图，(c)是沿着(a)所示的有机EL装置的B-B剖面的模式剖面图。下面，参照图1和图8，对有机EL装置91的构造进行说明。

储格围堰34，例如从平面观察，其开口部35形成为磁道状(参照图8(a))。具体是，储格围堰34的开口部35具有不同的长宽比的发光区域12、和形成在发光区域12的短边侧的圆弧44的区域。

另外，储格围堰34通过叠层位于玻璃基板13侧的第1层储格围堰141、和位于比第1层储格围堰141更远离玻璃基板13位置的第2层储格围堰142而构成。作为第1层储格围堰141的材料，例如可列举出SiO₂、TiO₂、SiN等无机材料。作为第2层储格围堰142的材料，例如是包含聚硅氧烷和氧化钛的材料。在本实施方式中，虽然是由第1层储格围堰141和第2层储格围堰142的叠层构造来形成储格围堰34，但也可以由第2层储格围堰142单层形成。

第1层储格围堰141为了确保相邻的像素电极32之间的绝缘性，形成为延伸到像素电极32的周缘部上。即，像素电极32和第1层储格围堰141被配置成在平面上有一部分重叠的构造(在图8(a)中省略了图示)。换言之，第1层储格围堰141形成在除了发光区域12以外的区域中。另外，第1层储格围堰141的端部形成为被配置在比第2层储格围堰142的端部更靠近像素电极32的中央侧。

在本实施方式中，虽然把第1层储格围堰141形成为延伸到像素电极32的周缘部上，但也可以形成为使第1层储格围堰141的侧面于第2层储格围堰142的侧面在同一面上。在这种情况下，与把第1层储格围堰141形成为延伸到像素电极32的周缘部上的情况相比，可扩大形成发光区域12。

另一方面，第2层储格围堰142，例如从剖面观察形成为具有倾斜面的梯形形状。另外，第2层储格围堰142具有第1部分142a和第2部分142b，第1部分142a的疏液性比第2部分142b的疏液性相对的低。疏液性低(即，浸润性高)的第1部分142a，包含第2层储格围堰142的开口部35中的圆弧44的部分。疏液性高(即，浸润性低)的第2部分142b包含第2层储格围堰142的开口部35中的直线45的部分。另外，第1部分142a包含形成在圆弧44的部分中的倾斜面(参照图8(b))。另外，第2部分142b包含形成在直线45的部分的倾斜面。

这里，所谓“疏液性低”是指与液体的接触角相对的小。即，在降低了疏液性的圆弧44的区域(参照图8(a))，容易填充液体。另一方面，所谓“疏液性高”是指与液体的接触角相对大。即，从提高了疏液性的直线45的部分(参照图8(a))液体不容易溢出到外部。关于第2层储格围堰142的具体材料和制造方法，将在后面说明。

功能层33例如为空穴注入层51和发光层52被储格围堰34包围的区域，即形成在开口部35(发光区域12)中。空穴注入层51形成在把像素电极32作为底部，把第1层储格围堰141和第2层储格围堰142作为侧壁的凹部中(参照图8(b))。

另外，空穴注入层51由在导电性高分子材料中含有掺杂剂的导电性高分子层构成。这样的空穴注入层51，例如可以由作为掺杂剂而含有聚苯乙烯磺酸的3，4-聚乙撑二氧噻吩(PEDOT-PSS)等构成。

发光层52形成在空穴注入层51的上面。由于第2层储格围堰142的第1部分142a的存在，在形成发光层52时所喷吐出的功能液容易浸润漫延到开口部35中的圆弧44的内侧(容易填充)。另外，由于第2层储格围堰142的第2部分142b的存在，功能液不容易从开口部35中的直线45的部分溢出到外部。由此，可容易在储格围堰34中形成发光层52，从而可使发光层52的厚度均匀。

阴极16形成在发光层52和第2层储格围堰142的上面。换言之，阴极16形成在隔着发光层52的像素电极32的相反侧。阴极16例如是钙(Ca)和铝(Al)的叠层体。在阴极16的上面，叠层有用于防止水和氧的侵入的由树脂等构成的密封部件(未图示)。另外，由发光元件层15和阴极16构成显示元件53。

图9是表示有机EL装置91的制造方法的工序图。下面，参照图9，对有机EL装置的制造方法进行说明。

如图9所示，有机EL装置的制造方法，通过步骤S101～步骤S105形成储格围堰，通过步骤S111～步骤S116形成有机EL元件。首先，在步骤S101中，在玻璃基板13上，使用公知的成膜技术形成电路元件层14。在步骤S102(像素电极形成工序)中，在电路元件层141上形成由ITO构成的像素电极32。

在步骤S103中，在电路元件层14和像素电极32上，形成第1层储格围堰141。具体是，首先，采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法等，以覆盖电路元件层14和像素电极32上面的方式形成包含氧化硅(SiO₂)的层(第1层储格围堰层)，该氧化硅(SiO₂)为形成第1层储格围堰141的材料。然后，使用光刻技术和蚀刻技术，在第1层储格围堰层中的与发光区域12对应的区域形成开口部141a，并形成第1层储格围堰141。另外，在形成为使第1层储格围堰141的侧面与第2层储格围堰142的侧面成为同一面的情况下，也可以在步骤S103中不形成开口部141a，而在之后的步骤S104中，在形成开口部141c的同时形成开口部141a。

这里，对形成第2层储格围堰142的材料的涂敷液进行说明。涂敷液包含氧化钛和聚硅氧烷。其中的氧化钛作为光催化剂发挥作用，通过向相当于第2层储格围堰142的第1部分142a的第3区域照射能量，可改变第1部分142a的表面的浸润性。另外，不限于表面，也可以改变第1部分142a的膜整体的浸润性。

另一方面，聚硅氧烷是具有疏液性的置换基与构成聚硅氧烷的Si原子直接结合的物质。作为具有疏液性的置换基，可列举出烷基、氟烷基、乙烯基、氨基、苯基、环氧基等。在本实施方式中使用氟烷基。根据聚硅氧烷这样的构造，使得在由上述涂敷液形成的第2层储格围堰142的第2部分142b呈现疏液性。另外，当向由该涂敷液构成的层照射能量时，基于上述光催化剂的作用，上述置换基被分解，从而呈现亲液性(低疏液性)。即，具有只选择性地使被照射了能量的第2层储格围堰142的第1部分142a提高亲液性，而对剩下的第2部分142b保持疏液性的性质。

在步骤S104(涂敷工序、储格围堰层形成工序、开口部形成工序)中，在第1层储格围堰141的上面图案化为第2层储格围堰142的形状。首先，在第1层储格围堰141上和发光区域12上涂敷上述的第2层储格围堰142的材料的涂敷液。然后，使涂敷液干燥，形成作为储格围堰层的第2层储格围堰。然后，在与该第2层储格围堰中的发光区域12对应的区域形成开口部142c。由此，完成了第2层储格围堰142的形状。

在步骤S105(能量照射工序)中，通过形成低的第2层储格围堰142中的第1部分142a的疏液性(高浸润性)，来完成第2层储格围堰142。首先，配置在相当于第1部分142a的区域开口的掩模。然后，通过掩模，只向第1部分142a(第3区域)照射能量。作为能量照射的条件，例如，使用超高压水银灯(30mW/cm²、波长为365nm)曝光30秒。第1部分142a在随着能量照射的氧化钛的作用下，与液体的接触角向降低的方向变化。其结果，能够使第1部分142a的疏液性降低，比第2部分142b的疏液性低(提高提高2浸润性)，从而可形成具有接触角下降的第1部分142a和接触角高的第2部分142b的第2层储格围堰142。

由此，第2层储格围堰142中的第1部分142a与液体(功能液)的接触角为30°(第1接触角)，第2部分142b与液体(功能液)的接触角为80°(第2接触角)，至此完成了储格围堰的形成。

在接下来的步骤S111中，在像素电极32上的由第1层储格围堰141和第2层储格围堰142包围的发光区域12，采用液滴喷出法(例如喷墨法)喷吐包含空穴注入层51的材料的功能液。具体是，向把像素电极32作为底部、把第1层储格围堰141和第2层储格围堰142作为侧壁的凹部，喷吐功能液的液滴。作为空穴注入层51的功能液，例如可以使用PEDOT-PSS分散液。作为PEDOT-PSS分散液的一例，可以使用PEDOT与PSS的重量比为1∶10，且固态成分浓度为0.5％，包含50％的二甘醇，其余为纯水的液体。

在步骤S112中，通过使功能液干燥而形成空穴注入层51。具体是，对功能液进行高温环境下的干燥，或通过烘培使溶剂蒸发，使功能液中包含的PEDOT-PSS固化，由此，在储格围堰34内形成空穴注入层51。作为干燥的条件，例如是在200℃的环境下，把玻璃基板13放置10分钟。

在步骤S113(发光层工序)中，在空穴注入层51上，采用液滴喷吐法喷吐包含发光层52的材料的功能液。作为发光层52的功能液，例如可以使用包含固态成分浓度为0.8％的红色荧光材料，用环乙烷苯作为溶剂的功能液。

如上所述，由于在第2层储格围堰142的开口部35的圆弧44的部分成为疏液性低的第1部分142a，所以，可抑制浸润第1部分142a成膜的功能液(例如，发光层52的功能液)的退缩。另外，由于第2层储格围堰142的开口部35中的直线45的部分成为疏液性高的第2部分142b，所以可抑制功能液向储格围堰34外侧的溢出。由此，可抑制储格围堰3内的发光层52厚度的不均匀。

在步骤S114(发光层形成工序)中，使功能液干燥，形成发光层52。具体是，使功能液在高温环境下进行干燥，或通过烘培使溶剂蒸发，使功能液中包含的红色荧光材料固化，由此，形成发光层52。作为干燥的条件，例如是在100℃的环境下，把玻璃基板13放置1小时。形成的发光层52的膜厚例如为100nm。这样形成的发光层52由于具有比空穴注入层51大的面积，所以可以把发光层52中比较平坦的区域用于发光。

在步骤S115(阴极形成工序)中，通过在形成了发光层52的玻璃基板13上的大致全体上，例如采用蒸镀法顺序叠层钙膜和铝膜，形成阴极16。形成的钙膜例如为5nm。形成的铝膜例如为300nm。

在步骤S116中，通过在阴极16上例如使用粘合剂和玻璃基板进行密封，形成有机EL元件，至此完成了有机EL装置91。

如以上具体说明的那样，根据第5实施方式，可获得如下所述的效果。

(7)根据第5实施方式，由于第2层储格围堰142的开口部35中的比较难以填充功能液的圆弧44的部分成为疏液性低的第1部分142a，所以能够使功能液(例如发光层52的功能液)浸润第1部分142a，能够把功能液填充到圆弧44的内侧区域。另外，由于开口部35的直线45的部分成为疏液性高的第2部分142b，所以可抑制功能液向储格围堰34的外侧溢出。其结果，发光区域12中的发光层52可形成均匀的厚度，从而可均匀发光。

(8)根据第5实施方式，由于通过利用光催化剂改变第1部分142a的表面的浸润性，来降低疏液性，所以不需要采用不同的材料形成第1部分142a和第2部分142b的图案化工序，可以使用相同的材料形成2种储格围堰。

(第6实施方式)

图10是表示第6实施方式的有机EL装置的制造方法的工序图。下面，参照图10，对有机EL装置的制造方法进行说明。另外，第6实施方式的有机EL装置91的制造方法，与第5实施方式不同的部分是，在第2层储格围堰142的第1部分142a中使用丙烯类树脂(第1材料)，在第2部分142b中使用添加了氟类材料的丙烯类树脂(第2材料)。以下，对于与第5实施方式相同的构成部件标记相同的符号，并在此省略或简化对这些的说明。

首先，说明第6实施方式的有机EL装置91的构造。如上述那样，有机EL装置91，例如，其第2层储格围堰142的开口部35中的包含圆弧44的第3区域成为由丙烯类材料构成的第1部分142a。另外，其第2层储格围堰142的开口部35中的包含直线45的第4区域成为由添加了氟类材料的丙烯类材料构成的第2部分142b。

这里，对添加到丙烯类材料中的氟进行说明。氟是具有非常低的表面能量的元素，因此，含有大量氟元素的物质的表面，临界表面张力变小。因此，相比氟元素含有量多的物质的表面临界张力，氟元素含有量少的物质的表面的临界表面张力变大。即，氟含有量少的物质的表面，相比氟含有量多的物质的表面，为亲液性区域。下面，对第6实施方式的有机EL装置91的制造方法进行说明。另外，从步骤S101～步骤S103的工序，与第5实施方式相同。

在步骤S121中，在第1层储格围堰141上形成第2层储格围堰142的第1部分142a。作为疏液性低的第1部分142a的材料，例如，如上述那样可列举出丙烯类树脂。首先，在包含第1层储格围堰141的玻璃基板13上，通过蒸镀形成丙烯类树脂。然后，采用光刻技术和蚀刻技术，形成第1部分142a的形状的图形。

在步骤S122中，与第1层储格围堰141上的第1部分142a邻接地形成第2部分142b。作为疏液性高的第2部分142b的材料，例如，如上述那样，可列举出添加了氟类材料的丙烯类树脂。首先，在包含第1层储格围堰141和第2层储格围堰142的第1部分142a的玻璃基板13上，蒸镀添加了氟类材料的丙烯类树脂。然后，采用光刻技术和蚀刻技术，图案化为第2部分142b的形状。另外，优选疏液性高(接触角高)的第2部分142b的膜厚比疏液性低(接触角低)的第1部分142a的膜厚厚。由此，可抑制在储格围堰34的开口部35中液体从容易溢出液体的直线45部分的溢出。

由此，完成了具有由丙烯类树脂构成的第1部分142a、和由添加了氟类材料的丙烯类树脂构成的第2部分142b的第2层储格围堰142。第1部分142a与功能液之间的接触角为30°，第2部分142b与功能液之间的接触角为80°。然后，与第5实施方式同样，通过执行步骤S111～步骤S116，完成有机EL装置91。

如以上详细说明的那样，根据第6实施方式，在获得上述的第5实施方式的(7)的效果的基础上，还可获得以下所述的效果。

(9)根据第6实施方式，通过使用丙烯类树脂形成包含圆弧44的部分的第1部分142a，使用添加了氟类材料的丙烯类树脂形成包含直线45的部分的第2部分142b，可以做成疏液性低的第1部分和疏液性高的第2部分，因此，虽然增加了制造工序数，但无须像第5实施方式那样照射能量，即可形成2种疏液性的部分。

(第7实施方式)

图11是表示第7实施方式的有机EL装置的制造方法的工序图。下面，参照图11，对有机EL装置的制造方法进行说明。另外，第7实施方式的有机EL装置91，与第5实施方式不同的部分是，与对相当于第1部分142a的第3区域实施的等离子处理时间相比，延长对相当于第2部分142b的第4区域实施的等离子处理时间(增加次数)，来划分形成疏液性低的第1部分142a、和疏液性高的第2部分142b。以下，对于与第5实施方式相同的构成部件标记相同的符号，并在此省略或简化对这些的说明。另外，步骤S101～步骤S103的工序与第5实施方式相同。

在步骤S131中，在包含第1层储格围堰141的玻璃基板13上，通过叠层用于形成第2层储格围堰142的例如丙烯类树脂，来形成第2层储格围堰层。作为形成第2层储格围堰层的方法，例如可采用蒸镀法。

在步骤S132中，把第2层储格围堰层图案化为第2层储格围堰142的形状。具体是，采用光刻技术和蚀刻技术进行图案化。

在步骤S133中，在第2层储格围堰142中形成疏液性低的第1部分142a、和疏液性高的第2部分142b。具体是，对第2层储格围堰142中的相当于第1部分142a的第3区域，进行例如使用了氧(O₂)气的氧等离子处理。另一方面，对相当于第2部分142b的第4区域，进行例如使用了四氟甲烷的四氟化炭(CF₄)等离子处理。另外，相比对第3区域实施的等离子处理，增加例如10倍的对第4区域实施的等离子处理。

具体是，关于对第3区域的氧等离子处理，通过在例如等离子功率为100kW～800Kw、氧气流量为50ml/min～100ml/min、基板搬送速度为0.5mm/sec～10mm/sec、基板温度为70℃～90℃的条件下进行处理，能够使第1部分142a亲液化(降低疏液性)。

另一方面，关于对第4区域的四氟化炭等离子处理，通过在例如等离子功率为100kW～800Kw、四氟甲烷气体流量为50ml/min～100ml/min、基板搬送速度为0.5mm/sec～10mm/sec、基板温度为70℃～90℃的条件下进行处理，能够使第2部分142b疏液化(提高疏液性)。另外，例如将上述的对第4区域的四氟化炭等离子处理进行10次。

由此，完成了具有疏液性低的第1部分142a、和疏液性高的第2部分142b的第2层储格围堰142。第1部分142a，其表面粗糙度Ra为0.9nm，与功能液的接触角为50°。另外，第2部分142b，其表面粗糙度Ra为15nm、与功能液的接触角为80°。另外，在步骤S133之后，与第5实施方式同样，通过执行步骤S111～步骤S116，完成有机EL装置91。

如以上详细说明的那样，根据第7实施方式，在获得上述的第5实施方式的(7)的效果的基础上，还可获得以下所述的效果。

(10)根据第7实施方式，由于通过对第3区域和第4区域在进行各自的等离子处理的同时改变等离子照射时间，来形成疏液性低的第1部分142a、和疏液性高的第2部分142b，所以，可以在一般的处理工序中实施，从而能够比较简单地形成上述的第1部分142a和第2部分142b。

另外，本发明不限于上述的实施方式，也能够以以下的方式实施。

(变形例1)

不限于上述的第1实施方式～第4实施方式的储格围堰34的构造，例如，也可以是图12和图13所示的储格围堰的构造。图12(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图。图12(b)是沿着图12(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图。图12(c)是沿着图12(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。图12所示的储格围堰34的构造与第1实施方式不同的部分是，在圆弧44的区域中，形成有覆盖第1下层储格围堰41的第2下层储格围堰42。开口部35中的圆弧44的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、上层储格围堰43而构成。但由于第2下层储格围堰42形成为覆盖第1下层储格围堰41，所以露出的下层储格围堰46只有第2下层储格围堰42。第1下层储格围堰41形成为延伸到像素电极32的周缘部上。开口部35中的直线45的区域，从玻璃基板13侧开始形成第1下层储格围堰41和上层储格围堰43。

根据该储格围堰34的构造，由于在圆弧44的区域只露出由氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42，所以相比由氧化硅膜构成的第1下层储格围堰41，第2下层储格围堰42更容易浸润墨水，从而能够把墨水填充到比较难以填充的圆弧44的区域。另外，由于第1下层储格围堰41形成为延伸到像素电极32的周缘部上，所以可确保像素电极32的绝缘性。并且，由于在直线45的区域中，形成有由氧化硅膜构成的第1下层储格围堰41，所以，如形成了由氮化硅膜构成的浸润性高的第2下层储格围堰42的情况那样，可抑制在第2下层储格围堰42上存留多余的墨水的现象。由此，可高效率地使用墨水。

图13(a)是从上方观察储格围堰的模式俯视图。图13(b)是沿着图13(a)所示的储格围堰的A-A剖面的模式剖面图。图13(c)是沿着图13(a)所示的储格围堰的B-B剖面的模式剖面图。图13所示的储格围堰34的构造与第1实施方式不同的部分是，在圆弧44的区域中，在上层储格围堰43的下侧只形成第1下层储格围堰41，在直线45的区域中，在上层储格围堰43的下面只形成第2下层储格围堰42。开口部35中的圆弧44的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、和上层储格围堰43而构成。第1下层储格围堰41形成为延伸到像素电极32的周缘部上。开口部35中的直线45的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第2下层储格围堰42和上层储格围堰43而构成。第2下层储格围堰42形成为延伸到像素电极32的周缘部上。

根据该储格围堰34的构造，通过在圆弧44的区域中形成第1下层储格围堰41，能够把墨水填充到圆弧44的区域，并且，如形成了由氮化硅膜构成的浸润性高的第2下层储格围堰42的情况那样，可抑制在第2下层储格围堰42上存留多余的墨水的现象。由此，可高效率地使用墨水。并且，由于在直线45的区域中形成有由氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42，所以，第2下层储格围堰能够容易浸润墨水，在发光区域12中能够提高墨水的平坦性。由此可均匀发光。

(变形例2)

上述储格围堰34的开口部35的形状(从玻璃基板13的法线方向观察的形状)不限于平面观察的磁道形状，例如，也可以是图14～图17所示的形状。图14所示的储格围堰71是划分包含多个发光元件的像素区域的共用储格围堰(以下称为“共用储格围堰71”)。开口部35中的圆弧44的区域通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、和上层储格围堰43而构成。另外，在开口部35中的像素电极32与像素电极32之间，形成有第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42。开口部35中的直线45的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41和上层储格围堰43而构成。即，只是开口部35的形状不同，下层储格围堰46的构造与第1实施方式相同。另外，不限于该储格围堰71的构造，也可以把第2实施方式～第4实施方式、和变形例1所示的下层储格围堰46的构造应用于该共用储格围堰71。由此，能够把功能液填充到难以填充功能液的圆弧44的区域，并且可提高X方向的数值孔径。

图15所示的储格围堰75与第1实施方式的储格围堰34不同的部分是，形成为长宽比不同的长方形，并且在储格围堰75的开口部76中，在连接长边的直线77和短边的直线78的各个直线77、78的角部形成有圆弧79。开口部76中的包含圆弧79的区域的短边侧的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、上层储格围堰43而构成。另一方面，长边侧的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、和上层储格围堰43而构成。另外，不限于该下层储格围堰46的构造，也可以把第2实施方式～第4实施方式、变形例1所示的下层储格围堰46的构造应用于该储格围堰75。另外，也可以把形成2层下层储格围堰46(41、42)的区域只形成在圆弧79的区域。另外，也可以只形成在圆弧79的一部分区域。由此，能够把功能液至少填充到难以填充功能液的圆弧79的部分。

图16所示的储格围堰81形成为长宽比不同的长方形，其与图15所示的储格围堰75不同的部分是，在角部没有圆弧。开口部82中的短边侧的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、上层储格围堰43而构成。另一方面，长边侧的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、和上层储格围堰43而构成。另外，不限于该下层储格围堰46的构造，也可以把第2实施方式～第4实施方式、变形例1所示的下层储格围堰46的构造应用于该储格围堰81。另外，也可以把形成2层下层储格围堰46(41、42)的区域形成在包含角部的一部分区域。由此，能够把功能液至少填充到难以填充功能液的角部的部分。

图17所示的储格围堰85与图16所示的储格围堰81不同的部分是，长宽比相同(正方形)。开口部86中的角部的区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、第2下层储格围堰42、上层储格围堰43而构成。另一方面，其他区域，通过从玻璃基板13侧开始阶梯状叠层第1下层储格围堰41、和上层储格围堰43而构成。另外，不限于该下层储格围堰46的构造，也可以把第2实施方式～第4实施方式、变形例1所示的下层储格围堰46的构造应用于该储格围堰85。另外，也可以把形成2层下层储格围堰46(41、42)的区域形成在包含角部的一部分区域。由此，能够把功能液至少填充到难以填充功能液的角部的部分。另外，在上述的各种形状的开口部中，如果是即使不降低疏液性也能满足亲液性的部分(或，亲液性不变的部分)，也可以不形成下层储格围堰46。

(变形例3)

在上述的第2实施方式和第4实施方式中，在直线45的区域的上层储格围堰43的下侧，未形成第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42，但也可以形成为以不露出在开口部35中的状态，使第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42的至少一方延伸到像素电极32的周缘部上。由此，可确保像素电极32的绝缘性。

(变形例4)

不限于如上述那样由第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42构成下层储格围堰46，例如，也可以由更多的多层构成。另外，作为使第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42的至少哪一方露出的选择方法，优选考虑绝缘性、墨水的填充性、以及表面处理的适应性等来决定。

(变形例5)

不限于如上述那样分别图案化为第1下层储格围堰41和第2下层储格围堰42，例如，也可以利用由氧化硅膜构成的第1下层储格围堰41、与由氮化硅膜构成的第2下层储格围堰42的蚀刻率之差，蚀刻成阶梯状。

(变形例6)

不限于如上述那样由氮化硅膜构成第2下层储格围堰42，例如也可以使用介电常数高的材料的氧化钽、氧化镁等。

(变形例7)

作为向发光区域12填充功能液的方法，不限于上述的液体喷出法，例如，也可以使用分涂涂敷法。

(变形例8)

作为电光装置，不限于举例说明的有机EL装置11、91，只要在制造时具有向储格围堰填充墨水(液体)的工序装置即可，例如，也可以适用于具有彩色滤光器的液晶装置、等离子显示器、电子纸等。

(变形例9)

上述的第5实施方式～第7实施方式的储格围堰34的开口部35的形状，不限于平面观察的磁道状，例如，也可以是图18～图21所示的形状。图18所示的储格围堰171是划分包含多个发光元件的像素区域的共用储格围堰的图。构成该储格围堰171的第2层储格围堰142具有与发光区域12邻接(包含直线45)的疏液性高的第2部分142b、和成为其以外区域(包含圆弧44的部分)的疏液性低的第1部分142a。根据该储格围堰171，由于开口部72中的圆弧44的部分成为疏液性低的第1部分142a，所以，可抑制通过浸润第1部分142a而成膜的功能液(例如发光层52的功能液)的退缩。另外，由于开口部72中直线45的部分成为疏液性高的第2部分142b，所以，可抑制功能液向储格围堰171外侧的溢出。并且，在储格围堰171中，由于存在不包含圆弧44的部分的第1部分142a，所以可抑制在发光区域12中未进入充分的功能液的情况下的填充不良。由此，在发光区域12中可获得均匀的发光特性。

图19所示的储格围堰175，与第5实施方式的储格围堰34的不同部分是，长宽比不同的长方形，在储格围堰175的开口部76中，在长边的直线77和短边的直线78的连接各个直线77、78的角部，形成有圆弧79。构成该储格围堰175的第2层储格围堰142，例如具有包含圆弧79的部分的第1部分142a、和不包含圆弧79部分的第2部分142b。由此，由于开口部76中的短边侧的部分成为疏液性低的第1部分142a，所以，能够把功能液填充到比较难以填充液体的短边侧的区域。另外，由于开口部76的长边侧的部分成为疏液性高的第2部分142b，所以，可抑制功能液从长边侧的部分溢出。另外，不限于上述的结构，例如，也可以只把不包含直线的圆弧79的部分作为第1部分142a，把除此以外的部分作为第2部分142b。另外，也可以把包含角部的一部分的部分作为第1部分142a，把除此以外的部分作为第2部分142b。由此，至少能够把功能液填充到难以填充功能液的圆弧79的部分。

图20所示的储格围堰181与图19所示的储格围堰175不同的部分是，长宽比不同的长方形，角部没有圆弧。构成该储格围堰181的第2层储格围堰142，例如，开口部82中的短边侧(直线78侧)的部分是第1部分142a，长边侧(直线77侧)的部分为第2部分142b。另外，不限于上述的结构，也可以把角部附近作为第1部分142a，把除此以外的区域作为第2部分142b。另外，也可以把包含角部的一部分作为第1部分142a，把其他部分作为第2部分142b。由此，虽然由于在连接角部的部分未形成圆弧，所以难以把功能液填充到发光区域12的整个区域，但能够在更大的范围填充功能液，能够使发光区域12中的发光特性均匀。另外，相比在角部设置圆弧的的情况，可扩大发光区域。

图21所示的储格围堰185与图20所示的储格围堰181不同的部分是，长宽比相同(正方形)。该储格围堰185中，例如，开口部86中的角部附近是第1部分142a，除此以外的部分是第2部分142b。由此，由于难以填充功能液的角部的部分的疏液性低，所以，可容易填充功能液。另外，在上述的各种形状的开口部中，如果是即使不降低疏液性也能够满足亲液性的部分(或者是，亲液性不变的部分)，则也可以不实施降低疏液性的处理。

(变形例10)

不限于使用上述的第5实施方式～第7实施方式的方法来形成第1部分142a和第2部分142b，例如，可以利用切削和变形等，通过把第2部分142b加工成波浪状或锯齿状，来提高第2部分142b的疏液性。

Claims (27)

1.一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，

具备：基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，

上述储格围堰具有上层储格围堰、比上述上层储格围堰的浸润性高的多层下层储格围堰，

与在上述开口部中的第1区域所露出的上述下层储格围堰的层数相比，上述下层储格围堰在第2区域所露出的上述下层储格围堰的层数少。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部，从法线方向观察，具有角部，

上述第1区域是包含上述开口部中的上述角部的一部分的区域。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部，从法线方向观察，具有圆弧，

上述第1区域是包含上述开口部中的上述圆弧的一部分的区域。

4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部，从法线方向观察，具有短边和长边，

上述第1区域是上述开口部中的上述短边侧的区域，

上述第2区域是上述开口部中的上述长边侧的区域。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

上述下层储格围堰，从上述基板侧开始具有第1下层储格围堰和第2下层储格围堰，

上述第2下层储格围堰对液体的接触角比上述第1下层储格围堰对液体的接触角小。

6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于，

上述第1下层储格围堰是氧化硅膜，

上述第2下层储格围堰是氮化硅膜。

7.根据权利要求5或6所述的电光装置，其特征在于，

上述第1区域以露出上述第2下层储格围堰的方式形成。

8.根据权利要求5或6所述的电光装置，其特征在于，

上述第1区域以露出上述第1下层储格围堰和上述第2下层储格围堰的方式而形成，

上述第2区域以露出上述第1下层储格围堰或上述第2下层储格围堰的任意一方的方式而形成。

9.一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，

具备：基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，

上述储格围堰具有上层储格围堰、和比上述上层储格围堰的浸润性高的下层储格围堰，

上述下层储格围堰，在上述开口部中的第1区域中露出，在第2区域中未露出。

10.根据权利要求1～8中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

还具有：像素电极，其与上述多个发光区域的每一个相对应，形成在上述基板的一个面上；以及公共电极，其隔着上述功能层设置在上述像素电极的相反侧，上述功能层至少具有发光层。

11.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1～10中任意一项所述的电光装置。

12.一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，

具备：基板；储格围堰，其形成在上述基板的一个面的除了发光区域以外的区域的至少一部分中，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，

上述储格围堰具有第1部分和第2部分，

上述第1部分的疏液性比上述第2部分的疏液性低。

13.根据权利要求12所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部具有角部，

上述第1部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。

14.根据权利要求12所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部具有圆弧，

上述第1部分包含上述开口部中的上述圆弧的一部分。

15.根据权利要求12～14中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

上述开口部具有长边和短边，

上述第1部分包含上述开口部中的上述短边，

上述第2部分包含上述开口部中的上述长边。

16.根据权利要求12～15中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

上述储格围堰由储格围堰材料构成，该储格围堰材料包含具有光催化剂作用的材料，

上述第1部分是被照射了能量的部分，

上述第2部分是未被照射上述能量的部分。

17.根据权利要求12～15中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

相对于上述第2部分的表面粗糙度，上述第1部分的粗糙度小。

18.根据权利要求12～17中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

上述第1部分的表面对液体的接触角为第1接触角，

上述第2部分的表面对上述液体的接触角，为比上述第1接触角大的第2接触角。

19.根据权利要求12～18中任意一项所述的电光装置，其特征在于，

还具有像素电极，其与上述多个发光区域的每一个相对应，形成在上述基板的上述一个面上；以及公共电极，其隔着上述功能层设置在上述像素电极的相反侧，

上述功能层至少具有发光层。

20.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求12～19中任意一项所述的电光装置。

21.一种电光装置的制造方法，用于制造具有多个发光区域的电光装置，其特征在于，具有：按照基板上的每个上述发光区域形成像素电极的像素电极形成工序；形成储格围堰的储格围堰形成工序，该储格围堰具有对上述基板上的上述像素电极进行包围的第1部分和第2部分；在上述像素电极上的上述储格围堰的开口部，使用液滴喷吐法形成发光层的发光层形成工序；以及隔着上述发光层，在上述像素电极的相反侧形成阴极的阴极形成工序，上述储格围堰形成工序把上述第1部分的疏液性形成为比上述第2部分的疏液性低。

22.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

上述开口部具有角部，上述第1部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。

23.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

上述开口部具有圆弧，上述第1部分包含上述开口部中的上述圆弧的一部分。

24.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

上述开口部具有短边和长边，上述第1部分包含上述开口部中的上述短边侧的区域，上述第2区域包含上述开口部中的上述长边侧的区域。

25.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

上述储格围堰形成工序具有：在上述像素电极上涂敷涂敷液的涂敷工序，该涂敷液包含具有光催化剂作用的材料；通过使上述涂敷液干燥而形成储格围堰层的储格围堰层形成工序；在上述储格围堰层上图案化出上述储格围堰形状，在相当于上述发光区域的区域形成上述开口部的开口部形成工序；以及通过向上述储格围堰中的第3区域照射能量，形成上述第1部分的能量照射工序。

26.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

上述储格围堰形成工序中，用第2材料形成上述第2部分，用比上述第2材料的疏液性低的第1材料形成上述第1部分。

27.根据权利要求21所述的电光装置的制造方法，其特征在于，

在上述储格围堰形成工序中，通过对由有机材料构成的上述储格围堰的第3区域实施等离子处理，来形成疏液性低的上述第1部分，并通过对上述储格围堰的第4区域，实施比对上述第3区域实施的等离子处理时间长的等离子处理，来形成疏液性高的上述第2部分。

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