CN101350380A - 磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种磁场下单晶硅太阳能电池高效绒面的制备方法，采用磁场下化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，该方法具有以下工艺步骤：首先，将单晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，所述反应液的配比为：氢氧化钠或氢氧化钾质量百分数为0.05％～15％，乙醇或异丙醇的质量百分数为5％～30％，硅酸钠的质量百分数为0.05％～3％；反应液的温度保持在50℃～100℃。其次，磁场施加于单晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在10T以下，绒面制备时间10～45分钟。通过该方法可以在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，从而实现磁场下单晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。
Description
技术领域：
本发明涉及一种磁场下单晶硅太阳能电池高效绒面的制备技术，属于无机材料技术领域。
背景技术：
太阳能是一种洁净、无污染、取之不尽用之不竭的自然能源，将太阳能直接转换为电能是大规模利用太阳能的一项重要技术基础。自1954年贝尔实验室开发出效率为6％的第一个单晶硅太阳电池，直至现在太阳电池市场以每年35％的速度递增。在短短的半个世纪里，太阳电池已经完成了第一代晶体硅电池研究，正处于第二代薄膜电池研究高峰，并继续朝第三代高效率电池努力。随着传统能源的日益枯竭和石油价格的不断上升，以及人们对自身生存环境要求的不断提升，积极寻找新的替代能源已刻不容缓，作为无污染的清洁能源，太阳电池必将会得到迅速的发展。而作为现今占据太阳电池绝大部分市场的晶体硅太阳电池，其制备技术一直代表着整个太阳电池工业的制备技术水平。尤其是在最近几年里，无论是在降低生产成本方面，还是在提升电池转换效率方面，硅太阳电池制备工艺都取得了飞速的进步。如何提高硅片转换效率是太阳电池研究的重点课题之一，而有效地减少太阳光在单晶硅片表面的反射损失是提高太阳电池转换效率的一个重要方法。
为了有效地降低硅表面的反射，绒面制备是一个非常可行的工艺。理想的绒面为“金字塔”形，常用的制备方法为机械刻槽法和化学腐蚀法。机械刻槽利用V形刀在硅表面摩擦以形成规则的V形槽，从而形成规则的、反射率低的绒面。如果用单刀抓槽，虽然能得到优质的绒面，但是速度太慢，采用多刀同时抓槽又容易破坏硅片。化学腐蚀法可以在硅表面形成不规则的“金字塔”，但是“金字塔”的大小和形状不易控制，使得化学腐蚀方法难以制得高质量的绒面。
近年来，磁场强度超过10T的超导强磁场的应用已受到人们的广泛重视。强磁场因其强大的磁化作用，可以使得非铁磁性物质也能显示出内禀磁性，如水、塑料、木材等可在强磁场中悬浮。与普通磁场作用于宏观的物体不同，强磁场能够将高强度的磁能传递到物质的原子尺度，改变原子的排列、匹配和迁移等行为，从而对材料的组织和性能产生深远的影响。在材料制备中，磁场能控制材料生长过程中的形态、大小、分布和取向等，从而影响材料的组织结构，最终获得具有优良性能的新材料。通过强磁场的磁化效应来制备太阳能电池高效绒面的技术尚没有出现。
发明内容：
本发明的目的是提供一种磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法，通过该方法可以在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，从而实现磁场下单晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。
本发明的技术方案如下：一种磁场下单晶硅太阳能电池高效绒面的制备方法，采用磁场下化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，该方法具有以下工艺步骤：
a.将单晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，所述反应液的配比为：氢氧化钠或氢氧化钾质量百分数为0.05％～15％，乙醇或异丙醇的质量百分数为5％～30％，硅酸钠的质量百分数为0.05％～3％；反应液的温度保持在50℃～100℃。
b.磁场施加于单晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在10T以下，绒面制备时间10～45分钟。
进一步地，所述的反应液配比为：氢氧化钠质量百分数1％，乙醇质量百分数10％，硅酸钠质量百分数0.1％，溶液温度为80℃。
本发明将绒面制备反应器放置于磁场中，高纯单晶硅片浸于电子纯的氢氧化钠或氢氧化钾的碱性水溶液中，通过计算机精确控制加热器使溶液维持在适宜的温度，由于硅与氢氧根反应，因此硅片表面被腐蚀；同时，由于磁场强大的作用，适当的磁场强度可以有效控制氢氧根离子的运动方向，使得氢氧根快速均匀的向硅片表面运动，与硅片发生反应，同时低浓度的碱溶液也使硅片表面的气泡迅速脱离硅片，从而实现了磁场下单晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。
将单晶硅太阳能电池绒面的制备过程置于强磁场中进行，利用强磁场对物质极强的磁化力、磁能作用以及对运动电荷的洛仑兹力，能增强反应物的活化和离解，促进硅原子、氢氧根等反应粒子之间的相互作用，使氢氧根离子迅速向硅片表面运动。在绒面制备过程中，“金字塔”择优迅速均匀生长，影响并且控制单晶硅太阳电池绒面的生长过程。磁场下制备出的单晶硅太阳能电池绒面，绒面的质量得到了明显改善，“金字塔”均匀致密，表面反射率降低，同时降低绒面的生长时间、提高绒面的生长速率，较低的表面反射率有效提高了太阳能电池的转换效率。
附图说明：
图1为本发明的绒面制备反应器结构示意图；
图2为本发明的磁场产生装置示意图；
附图标号说明：
1-制绒槽，2-样品架，3-加热器，4-热电偶，5-控制柜，6-制绒槽盖，7-超导磁铁线圈，8-强磁场装置外壁，9-强磁场装置内壁，10-强磁场冷却装置。
具体实施方式：
本发明采用磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面技术，从而制备出高质量、均匀的绒面。原料是电子纯的氢氧化钠或氢氧化钾，乙醇或异丙醇、硅酸钠，单晶硅片，采用带计算机精确控制加热器的制绒槽。
首先，绒面制备反应器中通入一定量的去离子水，刚好超过硅片的高度，然后加入一定量的氢氧化钠或氢氧化钾、乙醇或异丙醇、硅酸钠。其中氢氧化钠或氢氧化钾在反应液中的质量百分数保持在0.05％～15％，乙醇或异丙醇在反应液中的质量百分数保持在5％～30％，硅酸钠在反应液中的质量百分数保持在0.05％～3％，溶液的温度保持在50℃～100℃之间，绒面制备时间10～45分钟。具体实验装置可参见附图1和2。
然后将单晶硅片放入配好反应液的制绒槽1中，再将制绒槽1放置于磁场中，在磁场条件下，磁场强度保持在10T以下，加热反应20分钟，采用磁场下加热生长模式制备太阳电池绒面。
本发明的特点是在磁场中制备单晶硅太阳能电池绒面，本发明方法中以单晶硅片为原料，电子纯的氢氧化钠或氢氧化钾、乙醇或异丙醇、电子纯的硅酸钠为反应物，在磁场的作用下，使制绒槽内的硅片表面制备均匀的绒面，即生长均匀致密的“金字塔”。
本发明方法能快速制备高质量、低反射率的“金字塔”绒面，并能及时除去硅片表面的气泡，适合致密、均匀“金字塔”绒面的制作。用本发明方法制备的绒面致密而均匀，表面反射率低，有效提高了太阳能电池的光电转化效率，能保证制备的单晶硅太阳能电池绒面质量的稳定。
现结合附图对实施例做进一步描述：
将单晶硅片经过去离子水超声清洗后，然后放入图1所示的制绒槽1内的样品架2上进行绒面制备，同时整个制绒槽装置放置于图2所示的强磁场装置内壁9中进行，并且样品架2在超导磁铁线圈7的中间位置，超导磁场连续可调。如图1和图2所示，样品架2放置于制绒槽1中，加热器3输出功率连续可调，与热电偶4组合可精确控制制绒槽1中溶液的温度。采用单晶硅片为原料，电子纯的氢氧化钠或氢氧化钾、乙醇或异丙醇和电子纯硅酸钠为反应物。上述原料在各实施例中的浓度如下表所示，热电偶4置于加热器3下方，通过控制器5将溶液温度稳定在±1℃之间。整个过程都在强磁场冷却装置10中进行的，磁场强度保持在10T以下，适当调节超导磁铁线圈7获得合适的磁场强度，使得单晶硅绒面的制备顺利进行。
| 实施例 | 氢氧化钾浓度(质量百分比) | 氢氧化钠浓度(质量百分比) | 乙醇浓度(质量百分比) | 异丙醇浓度(质量百分比) | 硅酸钠浓度(质量百分比) | 溶液温度(℃) |
| 1 | 0.05％ | 5％ | 0.05％ | 50 | ||
| 2 | 1％ | 10％ | 0.1％ | 80 | ||
| 3 | 5％ | 15％ | 1％ | 85 | ||
| 4 | 10％ | 20％ | 2％ | 90 | ||
| 5 | 15％ | 30％ | 3％ | 100 | ||
| 6 | 0.05％ | 5％ | 0.05％ | 50 | ||
| 7 | 1％ | 10％ | 0.1％ | 80 | ||
| 8 | 5％ | 15％ | 1％ | 85 | ||
| 9 | 10％ | 23％ | 2％ | 90 | ||
| 10 | 15％ | 30％ | 3％ | 100 | ||
| 11 | 0.05％ | 5％ | 0.05％ | 50 | ||
| 12 | 1％ | 10％ | 0.1％ | 80 | ||
| 13 | 5％ | 15％ | 1％ | 85 | ||
| 14 | 10％ | 20％ | 2％ | 90 | ||
| 15 | 15％ | 30％ | 3％ | 100 | ||
| 16 | 0.05％ | 5％ | 0.05％ | 50 | ||
| 17 | 1％ | 10％ | 0.1％ | 80 | ||
| 18 | 5％ | 15％ | 1％ | 85 | ||
| 19 | 10％ | 20％ | 2％ | 90 |
| 20 | 15％ | 30％ | 3％ | 100 |
对通过上述各实施例制得的单晶硅绒面样品采用光学显微镜观察，绒面“金字塔”致密且大小均匀。通过分光光度计进行绒面反射率测量，其反射率低于7％。制成太阳能电池后，测量表明光电转换效率可以提高6％以上，表明该方法制备的单晶硅太阳能电池绒面为高质量的绒面。
Claims (2)
1.一种磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法，其特征在于：采用磁场下化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，该方法具有以下工艺步骤：
a.将单晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，所述反应液的配比为：氢氧化钠或氢氧化钾质量百分数为0.05％～15％，乙醇或异丙醇的质量百分数为5％～30％，硅酸钠的质量百分数为0.05％～3％；反应液的温度保持在50℃～100℃；
b.磁场施加于单晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在10T以下，绒面制备时间10～45分钟。
2、根据权利要求1所述的磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法，其特征在于所述的反应液配比为：氢氧化钠质量百分数1％，乙醇质量百分数10％，硅酸钠质量百分数0.1％；溶液温度为80℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2008100423320A CN101350380B (zh) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100423320A CN101350380B (zh) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法 |
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| CN101350380A true CN101350380A (zh) | 2009-01-21 |
| CN101350380B CN101350380B (zh) | 2010-12-08 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100423320A Expired - Fee Related CN101350380B (zh) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN101350380B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101831713A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-09-15 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片清洗制绒槽 |
| CN101866843A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-20 | 武汉理工大学 | 大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法 |
| CN101887851A (zh) * | 2010-05-25 | 2010-11-17 | 武汉理工大学 | 硅基三维结构的双面对准光刻加磁场辅助电化学腐蚀的方法 |
| CN102277574A (zh) * | 2011-08-15 | 2011-12-14 | 英利能源（中国）有限公司 | 单晶硅太阳电池及其的腐蚀液、制绒方法和制备方法和光伏组件 |
| CN101840956B (zh) * | 2009-03-17 | 2012-04-18 | 洛阳尚德太阳能电力有限公司 | 用于制造单晶硅片绒面的加热装置和方法 |
| CN105671642A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-15 | 林淑录 | 一种太阳能光伏电池硅片制绒液 |
| CN114447147A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-05-06 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100344001C (zh) * | 2004-09-30 | 2007-10-17 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种制备多晶硅绒面的方法 |
| CN1873062A (zh) * | 2006-05-06 | 2006-12-06 | 大连理工大学 | 一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置 |
| CN100444410C (zh) * | 2006-05-08 | 2008-12-17 | 高文秀 | P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺 |
-
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101840956B (zh) * | 2009-03-17 | 2012-04-18 | 洛阳尚德太阳能电力有限公司 | 用于制造单晶硅片绒面的加热装置和方法 |
| CN101866843A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-20 | 武汉理工大学 | 大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法 |
| CN101887851A (zh) * | 2010-05-25 | 2010-11-17 | 武汉理工大学 | 硅基三维结构的双面对准光刻加磁场辅助电化学腐蚀的方法 |
| CN101831713A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-09-15 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片清洗制绒槽 |
| CN102277574A (zh) * | 2011-08-15 | 2011-12-14 | 英利能源（中国）有限公司 | 单晶硅太阳电池及其的腐蚀液、制绒方法和制备方法和光伏组件 |
| CN105671642A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-15 | 林淑录 | 一种太阳能光伏电池硅片制绒液 |
| CN114447147A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-05-06 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法 |
| CN114447147B (zh) * | 2021-12-28 | 2024-05-14 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法 |
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