CN101325207B - 用于x射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底和x射线探测器 - Google Patents
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Abstract
在用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有该TFT阵列衬底的X射线探测器中，所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上。数据布线形成在栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极。光电二极管包括下部和上部电极以及光电导层。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管。偏置布线形成在有机绝缘层上。因此，提高了孔径比和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有TFT阵列衬底的X射线探测器。更具体地，本发明涉及用于X射线探测器，能够提高可靠性的TFT阵列衬底和具有所述TFT阵列衬底的X射线探测器。
背景技术
闪烁体把从X射线源发射出并且经过对象的X射线根据对象的密度转换为绿色光，绿色光是一种可见光。诊断放射线照相术是一种常规方法，通过该方法，当经过闪烁体的光经过光转换器时，一定数量的电荷被探测到，所述一定数量的电荷被转换为数字信号。诊断放射线照相术被分为图像处理方法和储存方法，或模拟型和数字型诊断放射线照相术。
模拟型诊断放射线照相术使用感光膜作为媒体，在所述媒体上存储图像。例如，对比率根据亮度差而变化，所述亮度差通过使用存储在感光膜上的图像根据曝光的程度来显影。
数字型诊断放射线照相术分为计算放射线照相术(“CR”)和数字放射线照相术(“DR”)。
CR通过使用磁性材料或荧光材料作为图像存储传感器直接存储从闪烁体发射出的图像，然后通过扫描仪处理图像而在显示装置上显示该图像。CR使用数字图像处理方法，但实质上不是显示数字图像，因为CR使用扫描仪。例如，CR包括如下限制：数字图像处理限制了编辑功能，同时传输功能和实现高对比率的能力。
另一方面，DR用于医学诊断装置中的基础图像处理。根据对从闪烁体发射的绿色光进行转换的传感器的类型，DR被分为电荷耦合器件(“CCD”)DR，互补金属氧化物半导体(“CMOS”)DR和平板(“FP”)DR。
这三种DR针对数字图像处理使用相同的基本原理。例如，在从X射线源发射可见光线并经过对象，闪烁体并根据像素对闪烁体进行分类，并且入射到DR探测传感器中后，光转换装置在每个像素中存储一定数量的电荷。然后，模数转换器(“ADC”)将存储在每个像素中的一定数量的电荷转换为数字信号，以处理数字图像。
CCD和CMOS DR使用相对小的传感器，因此当执行数字图像处理时，图像不得不被放大。因此，投射型DR具有分辨率、亮度、对比率等方面的缺点。CCD和CMOS DR对应于大尺寸电视中使用的方法，例如数字光处理(“DLP”)型电视和液晶显示(“LCD”)型电视。
通过允许与光电传感器以1∶1的比率匹配，使用平板玻璃的DR方法产生出具有最好质量的X射线图像。平板X射线探测(“FPXD”)型DR是最先进类型的DR。FPXD DR被分为直接型和非直接型。
直接型DR通过使用TFT电路直接将由闪烁体转换的光电电荷偏置到薄膜晶体管(“TFT”)，并且在TFT电路中感生光电电荷，从而感生光电电流。然后，光电电流通过ADC被处理为数字图像。例如，直接型DR使用简单结构，其中具有直接附着于TFT电路上的基于无定形硒(“a-Se”)的材料的闪烁体以及TFT电路被直接偏置。然而，直接型DR具有缺点，其中具有包括高光电转换效率的基于无定形硒的材料的闪烁体必须直接涂覆在TFT电路上。
此外，具有基于无定形硒的材料的闪烁体易受到在操作TFT电路中产生的热的影响，所述材料具有高的光电转换效率，因此，闪烁体的探测能力可能发生恶化。
非直接型DR包括X射线探测器的使用。X射线探测器的每个像素包括：具有p型杂质注入的p型光电导(photoconductive)层，不具有杂质的光电导层，具有n型杂质注入的n型光电导层，以及正-本征-负(“PIN”)光电二极管，所述光电二极管具有两个电极，以施加电压到导电层的两端。闪烁体形成在这个结构上。X射线探测器运用由外部辐射的X射线而从PIN光电二极管中产生的电子，并产生到外部的偏置电压，以将光转换为电信号。
特别地，在非直接型DR中，从X射线源发射的光经过对象，在碘化铯∶铊(“CsI∶TI”)闪烁体中被转换为绿色光。然后，当光被入射到平板上的PIN结二极管的本征硅层时，在硅中产生电子和空穴。P-型硅(“p-Si”)层的上层被在约5V到约7V之间的负电压偏置，负电荷的电子向与p-Si层的方向不同的n型硅(“n-Si”)层的方向移动。移动到n-Si层的电子经过TFT衬底上的源极-漏极层，并在读出集成电路(“ROIC”)上聚集。TFT电路的栅极层被驱动以读出聚集的电子。
如上文所述从每个像素读出的信号是具有光电流单元的模拟信号。所述模拟信号根据入射到每个像素单元的光的数量而有所不同。例如，入射到闪烁体的X射线的强度根据对象的密度而不同。根据光的数量和像素单元而有所不同的模拟信号通过ADC被数字化，以使数字图像显示在屏幕上。
PIN光电二极管的光电转换效率和闪烁体把X射线转换为可见光的效率受到限制。此外，在X射线探测器中可能出现漏电流。
发明内容
本发明努力解决上述的问题，本发明的方面提供一种用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底，能够提高光电转换效率。
在示例实施例中，本发明提供一种具有所述TFT阵列衬底的X射线探测器。
在示例实施例中，本发明提供一种用于X射线探测器的TFT阵列衬底，所述衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并包括栅极线和电连接到栅极线的栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上以与栅电极交叠。数据布线形成在栅绝缘层上，并包括数据线、源电极和漏电极。数据线与栅极线交叉。源电极电连接到数据线，并延伸到有源层的上部。漏极电极与有源层上的源电极间隔开。光电二极管形成在像素区中，并包括电连接到漏电极的下部电极、形成在下部电极上的光电导层以及形成在光电导层上的上部电极，所述光电导层使用外部提供的光产生电子和空穴，。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管，并包括接触孔。偏置布线形成在有机绝缘层上，并通过穿过有机绝缘层形成的接触孔而被电连接到上部电极。
根据本发明的另一个示例，偏置布线基本平行于数据线延伸，并且偏置布线的至少一部分接近数据线以与数据线交叠。
根据示例实施例，所述TFT阵列衬底还包括形成在有机绝缘层之下的钝化绝缘层，所述钝化绝缘层与有机绝缘层接触。
根据示例实施例，所述TFT阵列衬底还包括电连接到偏置布线并与偏置布线垂直交叉的辅助偏置布线，防止在偏置布线断开时TFT阵列衬底的故障。
根据另一示例实施例，本发明提供一种包括TFT阵列衬底和X射线发生器的X射线探测器。所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并包括栅极线和电连接到栅极线的栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上以与栅电极交叠。数据布线形成在栅绝缘层上，并包括数据线、源电极和漏电极。数据线与栅极线交叉。源电极电连接到数据线，并延伸到有源层的上部。漏极电极与有源层上的源电极间隔开。光电二极管形成在像素区中，并包括电连接到漏电极的下部电极、形成在下部电极上的光电导层以及形成在光电导层上的上部电极，所述光电导层使用外部提供的光产生电子和空穴，。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管，并包括接触孔。偏置布线形成在有机绝缘层上，并通过穿过有机绝缘层形成的接触孔而被电连接到上部电极。所述X射线发生器产生X射线，并将所述X射线照射到所述TFT阵列衬底上。
根据示例实施例，当钝化绝缘层和有机绝缘层同时使用时，偏置布线部分地与数据布线交叠，以使PIN光电二极管的面积最大化，且泄漏电流最小化。因此，提高了X射线探测器的电特性。
根据示例实施例，还形成辅助偏置布线，以提高X射线探测器的可靠性。
附图说明
通过参考附图详细描述示例实施例，本发明的以上和其它的特征和优点将变的更明显，其中：
图1是示出根据本发明的用于X射线探测器的薄膜晶体管(TFT)阵列衬底的示例实施例的平面图；
图2是沿图1中的I-I’线的截面图；
图3是示出根据本发明的用于X射线探测器的TFT阵列衬底的另一个示范实施例的平面图；
图4是沿图3中的II-II’线的截面图；
图5是示出根据本发明的用于X射线探测器的TFT阵列衬底的另一个示范实施例的平面图；
图6是示出具有图1中所示的TFT阵列衬底的X射线探测器的示例实施例的截面图。
具体实施方式
现在将在以下参考附图更充分地描述本发明，其中表示出了本发明的实施例。然而，本发明可以具有许多不同的形式，且不应该被解释为仅限于这里阐述的实施例。而应理解为，提供这些实施例以使公开彻底和完整，并且将充分地向本领域的技术人员传达本发明的范围。在附图中，层和区域的尺寸和相对尺寸可能为了清晰而被夸大。
应当理解，当一组成部分或层被作为“在之上”，“连接于”或“耦合于”另一组成部分或层而提到时，它可以直接地在之上，连接或耦合于另一组成部分或层，或者存在介入其间的组成部分或层。相反地，当一组成部分被作为“直接在之上”，“直接连接于”或“直接耦合于”另一组成部分或层而提到时，则没有介入其间的组成部分或层。相同的数字始终代表相同的组成部分。如这里所使用的，词语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任意和所有的组合。
应当理解，尽管这里可以使用第一，第二，第三等这些词来描述各种组成部分，元件，区域，层和/或部分，然而这些组成部分，元件，区域，层和/或部分不应受到这些词的限制。这些词仅用来将一个组成部分，元件，区域，层或部分与另一个区域，层或部分相区分。因此，以下所讨论的第一组成部分，元件，区域，层或部分也可被称为第二组成部分，元件，区域，层或部分，而不违背本发明的教义。
空间相关的词，比如“在之下”，“在下面”，“下部”，“在之上”，“上部”和类似的词，这里可以为了描述的方便而使用，以描述图中所示的一个组成部分或特征与另一组成部分或特征的关系。应当理解，空间相关的词意欲包括在使用中或操作中，除了图中描述的方向外，器件的其它不同方向。例如，如果图中的器件翻转，被描述为在另一组成部分或特征“下面”或“之下”的组成部分于是将被定位为在所述另一组成部分或特征“之上”。因此，词“下面”可以同时包括之上和之下两个方向。装置可以其他方式来定位(旋转90度或者在另一个方向)，并且相应地来解释这里使用的空间相关的说明用词。
这里使用的术语是仅用于描述特定的实施例的目的，并不意欲限制本发明。如这里所使用的，单数形式的“一”，“一个”和“这个”也意欲包括复数形式，除非上下文中另外明确地指出。应当进一步理解，词语“包括”和/或“包括”，当在本说明书中使用时，表明所述特征，整体，步骤，操作，组成部分，和/或元件的存在，但是并不排除另外一个或更多个其它特征，整体，步骤，操作，组成部分，元件和/或其组合的存在或添加。
这里参照截面图描述本发明的实施例，所述截面图是本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意图。同样的，可以预计到，根据制造技术和/或容限，图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为仅限于这里示出的特定区域的图形，而是也包括例如由制造而产生的形状上的偏差。例如，表示为矩形的注入区在它的边缘将典型地具有圆形的或曲线形的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区可以导致在埋入区和发生注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并不意欲表示器件中的区域的实际形状，也并不意欲限制本发明的范围。
除非以别的方式定义，这里使用的所有的词(包括技术的和科学的词)具有本发明所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。也可进一步理解，词语，比如那些通常使用的词典中定义的词，应该被解释为具有与相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过度正式的含义，除非这里特别地这样定义。
以下，将参考附图详细解释本发明。
图1是示出根据本发明的用于X射线探测器的薄膜晶体管(TFT)阵列衬底的示例实施例的平面图。图2是沿图1中的I-I’线的截面图。
参考图1和图2，栅极布线20包括具有低电阻的铝基金属材料，并形成在绝缘衬底10上。栅极布线20包括沿着第一方向延伸的栅极线22，和电连接到栅极线22的TFT的栅电极26。根据示范实施例，栅极布线20被连接到栅极线22的末端部分，并且进一步包括栅极焊盘，所述栅极焊盘接收外部提供的栅极信号，并将所述栅极信号传输到栅极线22。
包括氮化硅(“SiNx”)的栅绝缘层30覆盖绝缘衬底10上的栅极布线20。
有源层40形成在栅绝缘层30上以与栅电极26交叠。根据示范实施例，有源层40包括，包括例如无定形硅的半导体的半导体层，以及包括硅化物或以高浓度采用n型杂质剂掺杂的n+氢化无定形硅的电阻接触层。根据示范实施例，有源层40向数据线62和栅极线22之间的交叉部分延伸。
如图1所示，数据布线60包括比如钼，钼-钨合金(MoW)，铬(Cr)，钽(Ta)或钛(Ti)的金属，例如形成在有源层40和栅绝缘层30上。数据布线60是数据线62的分支，沿着基本垂直于第一方向的第二方向延伸，并与栅极线22交叉。数据布线60包括向有源层40的上部延伸的源电极65，以及与有源层40的上部之上的源电极65间隔开的漏电极66。根据示例实施例，数据布线60连接到数据线62的末端部分，且进一步包括接收外部提供的图像信号的数据焊盘。另外，数据布线60形成在栅绝缘层30上的像素区域中，而且包括连接到漏电极66的正-本征-负(“PIN”)光电二极管的下部电极68。
根据示例实施例，当数据布线60包括多于两层时，第一层数据布线60包括具有低电阻的铝基导电材料，并且第二层数据布线60包括与相邻材料良好接触的材料。例如，根据示例实施例，第二层包括铬-铝(“Cr-Al”)合金，铝-钼(“Al-Mo”)合金，铝(Al)合金等等。
光电导层70形成在PIN光电二极管的下部电极68上。所述光电导层70包括：具有n型杂质的无定形硅层，不含有杂质的本征无定形硅层，含有p型杂质的无定形硅层。光电导层70使用外部提供的光产生电子或空穴。
具有透明导电材料，比如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)，的PIN光电二极管的上部电极80形成在光电导层70上。
根据当前的实施例，下部电极68，光电导层70和上部电极80形成PIN光电二极管。
具有氮化硅(“SiNx”)或氧化硅(“SiOx”)的钝化绝缘层90形成在绝缘衬底10上，在所述绝缘衬底10上形成数据布线60和PIN光电二极管。由于施加到层的应力，包括氮化硅(“SiNx”)或氧化硅(“SiOx”)的层难于形成大于约5,000
的厚度。因此，所述层难于吸收PIN光电二极管的阶梯状部分，以至于在所述层之后形成的薄膜结构变得容易受到外力的影响。另外，氮化硅(“SiNx”)或氧化硅(“SiOx”)包含高介电常数，以至于可能出现漏电流。
因此，在当前的示范实施例中，具有低介电常数的有机绝缘层100包含在钝化绝缘层90上大于约2μm的厚度。例如，根据示范实施例，有机绝缘层100的厚度在约2μm到3μm之间。
根据示范实施例，当钝化绝缘层90和有机绝缘层100同时使用时，有机绝缘层100包括等于或小于约4.0的低介电常数，并且包括等于或大于约2μm的厚度，以使PIN光电二极管中的下部电极68和偏置布线104之间的泄漏电流最小化。因此，来自有源层40的上表面的漏电流可以被最小化，以提高TFT的电特性。可替代地，根据另一示范实施例，有机绝缘层仅用于没有钝化绝缘层90的绝缘中间层。
根据示范实施例，穿过钝化层90和有机绝缘层100形成接触孔94，以部分地暴露上部电极80。
偏置布线104沿着第二方向延伸，并形成在有机绝缘层100上。偏置布线104通过接触孔94与上部电极80接触。在当前示范的实施例中，偏置布线104向上部电极80传输偏置电压。偏置电压控制从光电导层70中产生的电子和空穴。
图3是示出根据本发明的用于X射线探测器的TFT阵列衬底的另一个示范实施例的平面图。图4是沿图3中的II-II’线的截面图。
根据示范实施例，X射线探测器中像素的孔径比对应于因数。所述填充因数表示感光像素的面积的比例。X射线探测器的填充因数被定义为一个像素面积上的PIN光电二极管的面积。因此，减小栅极布线20，数据布线60和TFT的尺寸以增大填充因数，以使一个像素上的PIN光电二极管的面积可以增加。然而，根据示范实施例，PIN光电二极管的面积不能增加超过规定的面积，且受限于设计规则。
因此，参考图3和图4，根据示范实施例，偏置布线104部分地与数据布线62交叠，以使PIN光电二极管的面积最大化。如图4中所示，尽管偏置布线104部分地与数据布线62交叠，有机绝缘层100作为绝缘中间层而集成在钝化绝缘层90上，以使寄生电容最小化。
图5是示出根据本发明的用于X射线探测器的TFT阵列衬底的另一个示范实施例的平面图。
参考图5，用于X射线探测器的TFT阵列衬底包括辅助偏置布线105，从而在偏置布线104断开时避免TFT阵列衬底的故障。
当由于外部杂质粒子造成偏置布线104在第一线中的一点断开时，偏置布线104的断开可以通过沿第二方向施加偏置电压而修复。然而，当偏置布线104在第一线中的多于两点处接连地断开时，即使沿着第二方向施加偏置电压，偏置布线104的断开，特别是两点间的像素，可能将不能修复。
因此，如图5所示，辅助偏置布线105被形成为与偏置布线104电连接，并且基本垂直于偏置布线104，以提高用于X射线探测器的TFT阵列衬底的效率。另外，根据当前的实施例，辅助偏置布线105与栅极线22交叠，以提高辅助偏置布线105的孔径比。
图6是示出根据本发明具有图1中所示的TFT阵列衬底的X射线探测器的示例实施例的截面图。图6的TFT阵列衬底基本与图1中的相同。因此，将使用相同的参考数字指代与图1中相同或相似的部分，同时将省略关于以上组成部分的任何进一步的解释。
参考图6，X射线发生器300产生X射线，所述X射线被照射到TFT阵列衬底200上。
根据本发明的用于X射线探测器的TFT阵列衬底，当钝化绝缘层90和有机绝缘层100被同时使用时，偏置布线部分地与数据布线交叠，以使PIN光电二极管的面积最大化，泄漏电流最小化。因此，可以提高X射线探测器的电特性。
另外，还形成辅助偏置布线，以提高X射线探测器的可靠性。
尽管本发明由此参考一些示例实施例而表示和描述，本领域的普通技术人员应当理解，其中可以进行各种形式上和细节上的变化，而不背离由权利要求所限定的本发明的精神和范围。
Claims (16)
1.一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底，所述薄膜晶体管阵列衬底包括：
栅极布线，形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极；
栅绝缘层，覆盖所述栅极布线；
有源层，形成在所述栅绝缘层上，以与所述栅电极交叠；
数据布线，形成在所述栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极，所述数据线与所述栅极线交叉，所述源电极电连接到所述数据线并延伸到所述有源层的上部，以及所述漏电极与所述有源层上的所述源电极间隔开；
光电二极管，形成在像素区域中，并且包括电连接到所述漏电极的下部电极、形成在所述下部电极上的光电导层、以及形成在所述光电导层上的上部电极，所述光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴；
有机绝缘层，覆盖所述数据布线和所述光电二极管，并包括接触孔；以及
偏置布线，形成在所述有机绝缘层上，并且通过穿过所述有机绝缘层形成的所述接触孔而电连接到所述上部电极，其中，所述偏置布线部分地与所述数据线交叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括钝化绝缘层，形成在所述有机绝缘层之下，并与所述有机绝缘层接触。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括辅助偏置布线，电连接到所述偏置布线，且与所述偏置线基本垂直地交叉。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述辅助偏置布线的至少一部分与所述栅极线交叠。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述有机绝缘层包括在2μm到3μm之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括辅助偏置布线，电连接到所述偏置布线，并与所述偏置布线垂直交叉，所述辅助偏置布线避免在所述偏置布线断开时所述薄膜晶体管阵列衬底的故障。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括钝化绝缘层，形成在所述有机绝缘层之下，并与所述有机绝缘层接触。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述有机绝缘层包括低介电常数和在所述钝化绝缘层上大于2μm的厚度。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中当使用所述钝化绝缘层和所述有机绝缘层时，所述有机绝缘层包括等于或小于4.0的低介电常数，并包括等于或大于2μm的厚度。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中穿过所述钝化绝缘层和所述有机绝缘层而形成所述接触孔，以部分地暴露所述上部电极。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述栅极线在第一方向延伸，所述数据线在第二方向延伸，所述偏置布线沿第二方向延伸并形成在所述有机绝缘层上，以使所述偏置布线通过所述接触孔与所述上部电极接触，向所述上部电极传输偏置电压，并控制从所述光电导层产生的电子和空穴。
12.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列衬底，还包括辅助偏置布线，电连接到所述偏置布线，并与所述偏置布线垂直交叉，所述辅助偏置布线避免在所述偏置布线断开时所述薄膜晶体管阵列衬底的故障。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述辅助偏置布线与所述栅极线交叠。
14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述数据布线连接到所述数据线的末端部分，并且还包括数据焊盘，所述数据焊盘接收外部提供的图像信号，以及所述数据布线形成在所述栅绝缘层上的像素区域中。
15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述光电二极管是正-本征-负光电二极管，且与所述有机绝缘层相接触。
16.一种X射线探测器，包括：
薄膜晶体管衬底阵列，包括
栅极布线，形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极；
栅绝缘层，覆盖所述栅极布线；
有源层，形成在所述栅绝缘层上，以与所述栅电极交叠；
数据布线，形成在所述栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极，所述数据线与所述栅极线交叉，所述源电极电连接到所述数据线并延伸到所述有源层的上部，以及所述漏电极与所述有源层上的所述源电极间隔开；
光电二极管，形成在像素区域中，并且包括电连接到所述漏电极的下部电极、形成在所述下部电极上的光电导层、以及形成在所述光电导层上的上部电极，所述光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴；
有机绝缘层，覆盖所述数据布线和所述光电二极管，并包括接触孔；以及
偏置布线，形成在所述有机绝缘层上，并且通过穿过所述有机绝缘层形成的所述接触孔而电连接到所述上部电极，其中，所述偏置布线部分地与所述数据线交叠；
X射线发生器，产生X射线，并将所述X射线照射到所述薄膜晶体管阵列衬底上。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20121129 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121129 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd. |