CN101308778A - 一种半导体芯片的减薄方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体芯片的减薄方法，具体地说是半导体芯片等器件厚度的减薄工艺，属于集成电路制造技术领域。特征是将半导体器件有图形的面朝下行列拼排；需减薄正面粘附在保护膜上，形成一个正方形或长方形；在正方形或长方形外围放置面积、厚度与半导体器件面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间半导体器件受力均匀；再设置减薄厚度，采用磨削法开始减薄；减薄结束后，已减薄芯片后处理；最后交出满足工艺要求芯片。本发明不需改变现有的减薄设备、工装夹具等；减薄后芯片厚度一致与圆片减薄厚度一致性相当，成品率高；芯片级尺寸减薄后芯片边缘无缺损、无裂纹。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片的减薄方法，具体地说是半导体芯片等器件厚度的减薄工艺，属于集成电路制造技术领域。
背景技术
目前，半导体芯片等器件厚度的减薄均是整个圆片减薄，通常是采用在圆片背部通过磨削法、研磨法、化学机械抛光、干式抛光等方法将多余的厚度减去，以达到降低封装高度；去掉背面氧化物或扩散层消除寄生结，减小热阻，改善背面金属化时的欧姆接触和减小串联电阻，减薄至一定厚度后还有利于提高芯片抗折性能。磨削法、研磨法、化学机械抛光、干式抛光等方法均是借助于金刚砂轮或磨料或腐蚀试剂以及组合，将器件需要减去的地方去掉，在其处理过程中均需要在大圆片上进行，否则会导致厚度不均匀、缺损等发生。
减薄主要方法为磨削法，该方法是通过金刚砂轮和吸附圆片的多孔陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将硅片磨削变薄，并由纯水带走磨削下来的硅渣。磨削法具有接触长度、接触面积、切入角度、磨削力恒定而使加工状态稳定，高速旋转的砂轮使硅片平整度好。
目前集成电路圆片减薄技术已成熟，但芯片级尺寸的半导体器件还无工艺方法可实现减薄。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处，从而提供一种半导体芯片的减薄方法，不改变现有减薄设备、工装夹具等；减薄后芯片厚度一致与圆片减薄厚度一致性相当，成品率高；芯片级尺寸减薄后芯片边缘无缺损、无裂纹。
本发明一种半导体芯片的减薄方法，采用以下工艺步骤：
1、将芯片有图形的面朝下行列拼排；
2、芯片需减薄正面粘附在保护膜上，形成一个正方形或长方形；
3、在正方形或长方形外围放置面积、厚度与芯片面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间芯片受力均匀；
4、设置减薄厚度，采用磨削法，通过旋转金刚砂轮与粘附在膜上的芯片随陶瓷吸盘作相反方向旋转，借助于金刚砂轮将芯片磨削变薄为所需厚度，并由纯水带走磨削下来的硅渣，金刚砂轮转速为700～1200转/分钟，并以20μm～300μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘旋转速度为15～25转/分钟，纯水流量为10L～50L/分钟。
5、减薄结束，用无尘纤维纸擦拭减薄芯片，直至干净，然后将已减薄芯片从保护膜上取下来，减薄芯片正面朝上距离微型热风机口下方20～30cm，吹10～15分钟；吹干温度为60-100℃；直至芯片表面水迹完全吹干；
6、交出满足工艺要求芯片。
本发明所述的片状物是废芯片或大块的长方形硅片等。
本发明所述的保护膜为聚氯乙烯材料制成，保护膜厚度为140μm±10μm。
本发明与已有技术相比具有以下优点：
1、本发明在不改变现有减薄设备、工装夹具等的情况下，解决了芯片级尺寸减薄问题；
2、本发明解决了芯片级尺寸减薄中芯片非常容易被纯水等冲走的情况，使成品率几乎为100％；
3、解决了厚度均匀问题，减薄后芯片厚度一致与圆片减薄厚度一致性相当，平整度达到设备所给的技术指标；
4、解决了芯片级尺寸减薄后芯片边缘缺损、存在一定微裂纹等问题。
具体实施方式
下面本发明将结合实施例作进一步描述：
实施例一：将100颗厚度为630μm、尺寸大小为6mm×6mm芯片减薄至350μm，采用以下工艺步骤：
取100颗厚度为630μm的芯片，将芯片图形面朝下紧密整齐拼排在减薄用正面保护膜中央，每行10只共10行，形成一个正方形，在芯片外围放置废的较大的、厚度与芯片相当的废芯片，废芯片围成一个紧密的大正方形区域；(采用已有技术中的磨削法进行减薄)设置减薄厚度为350μm，开始通过金刚砂轮和吸附小芯片的陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将小芯片磨削变薄，并由纯水带走磨削下来的硅渣，金刚砂轮转速为800转/分钟，并以30μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘以每分钟18转速度旋转，纯水流量为每分钟10L～15L；减薄结束后，用无尘纤维纸擦拭已减薄芯片，无尘纤维纸脏后，更换新的无尘纤维纸来擦拭，直至无尘纤维纸上无明显硅屑，然后将已减薄芯片从保护膜上取下来，正面朝上，放在微型热风机口下方30cm地方吹10分钟，热风温度80℃，直至芯片表面水迹完全吹干；交出满足工艺要求芯片。
实施例二：将72颗厚度为680μm、尺寸大小为5mm×4mm芯片减薄至300μm，采用以下工艺步骤：
取72颗厚度为680μm的芯片，将芯片图形面朝下紧密整齐拼排在减薄用正面保护膜中央，每行9只共8行，形成一个长方形，在芯片外围放置废的较大的、厚度与芯片相当的废芯片，废芯片围成一个紧密的大长方形区域；设置减薄厚度为300μm，开始通过金刚砂轮和吸附小芯片的陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将小芯片磨削变薄，并由纯水带走磨削下来的硅渣，金刚砂轮转速为750转/分钟，并以25μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘以每分钟18转速度旋转，纯水流量为每分钟10L～15L；减薄结束后，也可用99％无水酒精浸泡无尘纤维纸擦拭已减薄芯片，无尘纤维纸脏后，更换新的无尘纤维纸来擦拭，直至无尘纤维纸上无明显硅屑，然后将已减薄芯片从保护膜上取下来，正面朝上，放在微型热风机口下方25cm地方吹12分钟，热风温度70℃，直至芯片表面水迹完全吹干；交出满足工艺要求芯片。
实施例三：将2颗厚度为550μm、尺寸大小为6mm×5mm芯片减薄至280μm，采用以下工艺步骤：
取2颗厚度为550μm的芯片，将芯片图形面朝下紧密整齐拼排在减薄用正面保护膜上，排成1行，形成一个长方形，在芯片外围放置废的较大的、厚度与芯片相当的废芯片，废芯片围成一个紧密的大长方形区域；设置减薄厚度为280μm，开始通过金刚砂轮和吸附小芯片的陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将小芯片磨削变薄，并由纯水带走磨削下来的硅渣，金刚砂轮转速为850转/分钟，并每25μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘以每分钟18转速度旋转，纯水流量为每分钟10L～15L；减薄结束后，用无尘纤维纸擦拭已减薄芯片，无尘纤维纸脏后，更换新的无尘纤维纸来擦拭，直至无尘纤维纸上无明显硅屑，然后将已减薄芯片从保护膜上取下来，正面朝上，放在微型热风机口下方20cm地方吹15分钟，热风温度60℃，直至芯片表面水迹完全吹干；交出满足工艺要求芯片。
Claims (2)
1、一种半导体芯片的减薄方法，其特征是采用以下工艺步骤：
(1)、将芯片有图形的面朝下行列拼排；
(2)、芯片需减薄正面粘附在保护膜，形成一个正方形或长方形；
(3)、在正方形或长方形外围放置面积、厚度与芯片面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间芯片受力均匀；
(4)、设置减薄厚度，采用磨削法开始减薄；通过金刚砂轮和吸附芯片的陶瓷吸盘以相反方向旋转，借助于金刚砂轮将芯片磨削变薄为所需厚度，并由纯水带走磨削下来的硅渣；金刚砂轮转速为700～1200转/分钟，并以20～300μm/分钟速度下降，陶瓷吸盘旋转速度为15～25转/分钟，纯水流量为10L～15L/分钟；
(5)、减薄结束，用无尘纤维纸擦拭减薄芯片，直至无尘纤维纸上无明显硅屑，然后将已减薄芯片从保护膜上取下；再将减薄芯片正面朝上，距离微型热风机口下方20～30cm，吹10～15分钟；吹干温度为60-100℃；直至芯片表面水迹完全吹干；
(6)、交出满足工艺要求芯片。
2、根据权利要求1所述的一种半导体芯片的减薄方法，其特征在于所述的片状物是废芯片或长方形硅片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2008101235418A CN100555564C (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种半导体芯片的减薄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2008101235418A CN100555564C (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种半导体芯片的减薄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101308778A true CN101308778A (zh) | 2008-11-19 |
| CN100555564C CN100555564C (zh) | 2009-10-28 |
Family
ID=40125142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2008101235418A Active CN100555564C (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种半导体芯片的减薄方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN100555564C (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102082070B (zh) * | 2009-11-27 | 2012-07-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法 |
| CN102593016A (zh) * | 2012-03-20 | 2012-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种在柔性基板上安装薄芯片的方法 |
| CN103515250A (zh) * | 2013-09-10 | 2014-01-15 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种75μm超薄芯片生产方法 |
| CN103515316A (zh) * | 2013-09-10 | 2014-01-15 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种50μm超薄芯片生产方法 |
| CN106129194A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-11-16 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种红黄光发光二极管的制作方法 |
| CN109712926A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
| CN111081593A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-04-28 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于单芯片减薄的工装及方法 |
| CN114559369A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-31 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种红外探测器背减薄的限位粘接模具 |
| CN116190380A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-30 | 青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司 | 一种沟槽式mos器件及其制备方法 |
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- 2008-06-06 CN CNB2008101235418A patent/CN100555564C/zh active Active
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102082070B (zh) * | 2009-11-27 | 2012-07-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法 |
| CN102593016A (zh) * | 2012-03-20 | 2012-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种在柔性基板上安装薄芯片的方法 |
| CN103515250A (zh) * | 2013-09-10 | 2014-01-15 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种75μm超薄芯片生产方法 |
| CN103515316A (zh) * | 2013-09-10 | 2014-01-15 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种50μm超薄芯片生产方法 |
| CN103515250B (zh) * | 2013-09-10 | 2016-01-20 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种75μm超薄芯片生产方法 |
| CN103515316B (zh) * | 2013-09-10 | 2016-05-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种50μm超薄芯片生产方法 |
| CN106129194A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-11-16 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种红黄光发光二极管的制作方法 |
| CN109712926A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
| CN111081593A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-04-28 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于单芯片减薄的工装及方法 |
| CN111081593B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-09-30 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于单芯片减薄的工装及方法 |
| CN114559369A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-31 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种红外探测器背减薄的限位粘接模具 |
| CN116190380A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-30 | 青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司 | 一种沟槽式mos器件及其制备方法 |
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