CN101307005A - 离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 - Google Patents
离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101307005A CN101307005A CNA2008100291622A CN200810029162A CN101307005A CN 101307005 A CN101307005 A CN 101307005A CN A2008100291622 A CNA2008100291622 A CN A2008100291622A CN 200810029162 A CN200810029162 A CN 200810029162A CN 101307005 A CN101307005 A CN 101307005A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer material
- cushioning layer
- cathode cushioning
- reaction
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 anionic sodium salt Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N bromoethane Chemical compound CCBr RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- PYNUOAIJIQGACY-UHFFFAOYSA-N propylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCCN PYNUOAIJIQGACY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 6
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical group CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 1-phenylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 IYDMICQAKLQHLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- PZFMWYNHJFZBPO-UHFFFAOYSA-N 3,5-dibromophenol Chemical compound OC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 PZFMWYNHJFZBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001126918 Sycon Species 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052728 basic metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003818 basic metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LZTBZQSQFMLGQH-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-yloxyboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C(OB(O)O)=CC=CC2=C1 LZTBZQSQFMLGQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- SSOLNOMRVKKSON-UHFFFAOYSA-N proguanil Chemical compound CC(C)\N=C(/N)N=C(N)NC1=CC=C(Cl)C=C1 SSOLNOMRVKKSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用,该缓冲层材料具有电子注入/传输功能,在化学结构上以苯为中心,通过接入刚性端基并调节阴离子基团种类,使得所制备的阴极缓冲层材料兼具醇溶性和非晶态特性。该离子型阴极缓冲层材料可通过醇溶液旋涂法制备均匀薄膜,且可不破坏醇溶剂为不良溶剂的发光薄膜层。同时,在使用此类阴极缓冲层材料后,电致发光器件性能可以与使用Ba/Al电极的器件性能相当,从而可避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极。本发明具有制备简单和材料易于提纯、成膜、长期稳定性好的优点。
Description
技术领域
本发明涉及可溶性离子型阴极缓冲层材料。具体涉及以苯为中心、铵为主要官能团的离子型阴极缓冲层材料及其制备方法,本发明还涉及该分子材料在发光二极管以及照明器件制备中的应用。
背景技术
1987年,美国柯达公司的Tang和VanSlyke制备了以小分子有机金属配合物八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层的“三明治型”(阳极/发光层/阴极)薄膜电致发光器件,开创了有极小分子电致发光的基础与应用研究。在过去二十年中,有机电致发光二极管(OLEDs)由于其在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意。
有机电致发光要达到应用,并实现产业化,需要解决的关键问题是如何提高其效率和稳定性。而有机电致发光器件的效率和稳定性不仅取决于有机材料本身的品质和性能,而且还取决于器件中从阳极和阴极注入载流子的平衡关系及载流子注入的程度。由于大多数共轭聚合物是以空穴传输为主,使得电子的注入和输运受到共轭聚合物低的电子亲和势和低的电子迁移率的限制,成为改善器件性能的瓶颈。为了降低电子的注入势垒,形成欧姆接触,一般使用功函数较低的活泼金属作为阴极材料。但这类低功函数的碱金属及碱土金属易与水、氧甚至有机层发生反应,器件需要严密的包封。如果能够使用在空气中稳定性较好的金属,如Al、Ag等作为负电极,将会大大方便器件制备并增强器件长期稳定性。但稳定性较好的金属功函数较高,致使电子注入势垒较大,从而影响器件工作电压。
目前,许多研究人员都在致力于电子注入型传输材料的研究,目标是可以利用在空气中稳定的金属作阴极而又能保证高效的电子注入,在此前的技术中比较广泛采用的是使用碱金属,或碱土金属的卤化物或氧化物等电介质薄层。最近,一系列阴极有机缓冲层材料被开发出来,并成功用于蒸镀器件中。然而,在旋涂器件中,阴极缓冲材料的研发仍然面临诸多挑战。需要说明的是,阴极缓冲材料在具备电子注入、传输性能同时,还可作为隔离层,防止电极金属原子、离子扩散到发光层中,引起发光淬灭或者所谓器件中阴极附件中“黑点”现象。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺点,提供离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用。该分子材料具有制备简单、易于提纯、成膜、长期稳定性好的优点。适用于溶液法加工的高分辨全色显示以及照明器件中电子注入/传输层。
为达到上述发明目的,本发明采用了如下技术方案:
离子型阴极缓冲层材料,该类材料具有如下化学结构式中的一种:
其中,R1,R2是刚性基团,为苯基或稠环芳烃或及其衍生物;n=1-18;R3-R5为碳数为1-18的烷基链;X-是阴离子。
所述的R1,R2具有如下结构单元中的一种:
所述的X-具有如下结构单元中的一种:
所述的离子型阴极缓冲层材料可溶于有机溶剂。
上述离子型阴极缓冲层材料的制备方法包括如下步骤:
(1)以酚羟基被保护起来后的3,5-二溴苯酚作为反应原料,通过钯催化偶联反应引入刚性基团R2及R3,然后在酸性条件下把被保护起来的酚羟基还原,酚羟基被保护起来后的3,5-二溴苯酚与刚性基团的摩尔比为2∶1~2.2∶1;
(2)以步骤(1)所得的酚,先后通过与N,N-二甲基-3-氯丙胺(盐酸盐)、溴乙烷反应,得到阴离子为溴的目标产物;酚与N,N-二甲基-3-氯丙胺(盐酸盐)以及反应产物与溴乙烷的摩尔比均为1∶1.2~1∶2;
(3)以步骤2所得到的阴离子为溴的铵,通过与目标阴离子的钠盐进行离子交换,可得到不同阴离子的目标产物;阴离子为溴的铵与钠盐的摩尔比为1∶1.2~1∶3。
所述的钯催化偶联反应引入刚性基团R2及R3是指反应物在惰性气体保护下,反应温度范围在70~110℃,反应时间范围在8~36小时,使用摩尔比为1%~3%的四(三苯基瞵)钯作为催化剂。
所述的离子型阴极缓冲层材料的在制备阴极缓冲层材料中的应用。
所述的离子型阴极缓冲层材料的在电致发光及照明器件中的应用。
相比于已有材料和技术,本发明具有如下优点和有益效果:
(1)离子型阴极缓冲层材料合成简单,提纯方便;
(2)离子型阴极缓冲层材料具有良好的溶解性和成膜性;
(3)离子型阴极缓冲层材料具有较高薄膜形态稳定性(旋涂成膜);
(4)离子型阴极缓冲层材料具有好的电子注入/传输性能。
本发明所述的离子型阴极缓冲层材料采用类似星形的非对称结构的分子设计,由于离子基团的引入以及整个分子的空间构型使材料可以溶于多种有机极性溶剂,如甲醇,乙腈,二甲基亚砜等,并能够通过旋涂或者打印的方法形成均一的薄膜。同时,由于刚性基团的引入使得材料具有较好的热稳定性和具有较高薄膜形态稳定性,避免了材料在长期使用过程中结晶而影响器件的性能与寿命。
具体实施方式
以下结合优选的实施例以及图例来对离子型阴极缓冲层材料的制备作进一步的说明,但本发明所要求保护的范围并不局限于实施例所涉及的范围。
实施例1,1-溴-3,5-二(1-萘基)苯的制备:
将1-萘基硼酸(8.73g,50.82mmol),1,3,5-三溴苯(8.00g,25.41mmol)溶解在甲苯(100ml),Na2CO3的水溶液(2mol/L,50ml)和乙醇(30ml)的混合液中,搅拌并用注射器针头排气30分钟,迅速加入四(三苯基膦)钯(0.61g,0.53mmol,1%),反应温度90℃,在氮气保护下加热回流8h后,冷却至室温并用二氯甲烷萃取,有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为石油醚,得到白色固体。
实施例2,4,4,5,5-四甲基-2-(3,5-二(1-萘基)苯基)-1,3,2-二氧杂硼烷的制备:
将1-溴-3,5-二(1-萘基)苯(5.80g,14.18mmol)溶于干燥过的四氢呋喃(THF,80ml)中,在-78℃下逐滴加入正丁基锂(2.80M,6.60ml,18.44mmol),在N2气氛下反应1h,再快速加入2-异丙基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷(3.81ml,18.44mmol),然后逐渐升到室温反应24h。将反应混合物倒入水中,并用二氯甲烷萃取。有机层用食盐水洗涤并用无水MgSO4干燥。减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为石油醚/二氯甲烷的混合溶液,得到白色产品。
实施例3,2-(3,5-二溴苯氧基)-四氢-2H-吡喃的制备:
将3,5-二溴苯酚(2.00g,7.94mmol)溶于15ml二氯甲烷中,在0-5℃下逐滴加入3,4-二氢-2H-吡喃(1.00g,11.90mmol),搅拌,待体系变澄清后,加入2.00mg对甲苯磺酸,室温搅拌1小时,然后加入0.10g碳酸氢钠和3滴水终止反应。减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为石油醚/二氯甲烷的混合溶液,得到产品为无色液体。
实施例4,2-(3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)苯氧基)-四氢-2H-吡喃的制备:
将4,4,5,5-四甲基-2-(3,5-二(1-萘基)苯基)-1,3,2-二氧杂硼烷(1.91g,4.18mmol)和2-(3,5-二溴苯氧基)-四氢-2H-吡喃(0.70g,2.09mmol)溶解在甲苯(25ml),Na2CO3的水溶液(2mol/L,9ml)和乙醇(10ml)的混合液中,搅拌并用注射器针头排气30分钟,迅速加入四(三苯基膦)钯(0.15g,0.13mmol,3%),反应温度110℃,在氮气保护下加热回流36小时后,冷却至室温并用二氯甲烷萃取。有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为石油醚/二氯甲烷的混合溶剂,得到粗产品。粗产品再石油醚回流,得到白色固体。
实施例5,3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)-苯酚的制备:
将2-(3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)-苯氧基)-四氢-2H-吡喃(1.63g,1.95mmol)溶解在二氯甲烷(25ml)和乙醇(6ml)的混合液中,在氮气保护下加入1mol/ml的盐酸(3ml),加热回流6小时后,冷却至室温并用二氯甲烷萃取。有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为石油醚/二氯甲烷的混合溶剂,得到白色固体。
实施例6,3-(3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)苯氧基)-N,N-二甲基丙-1-胺的制备:
将3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)-苯酚(1.36g,1.81mmol),N,N-二甲基-3-氯丙胺盐酸盐(0.37g,2.35mmol)溶解在乙腈(60ml)中,再加入2.30g CsCO3,氮气保护下加热回流48小时后,冷却至室温并用二氯甲烷萃取。有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用硅胶柱分离,洗脱剂为乙酸乙酯,得到白色固体。
实施例7,铵离子盐1的制备:
将3-(3,5-二(3,5-二(1-萘基)苯基)苯氧基)-N,N-二甲基丙-1-胺(0.79g,0.95mmol)和溴乙烷(0.21g,1.90mmol)溶解在四氢呋喃(36ml)和二甲基亚砜(9ml)的混合液中,室温搅拌48小时,二氯甲烷萃取。有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用正庚烷沉析,得白色固体。
实施例8,阴离子交换:
向1(0.11g,0.12mmol)的乙腈(20ml)溶液中加入对甲苯磺酸钠(0.12g,0.60mmol)的水溶液1ml,室温搅拌72小时,二氯甲烷萃取。有机层用无水MgSO4干燥,过滤,减压除去溶剂后用正庚烷沉析,得白色固体(离子型阴极缓冲层材料)。
核磁共振氢谱分析结果:1H NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):1.32(t,3H,J=2.0),2.20(m,5H),3.26(s,6H),3.53-3.60(m,4H),4.08(t,2H,J=1.7),7.01(d,2H,J=2.6),7.16(d,2H,J=0.4),7.39-7.58(m,16H),7.66-7.71(m,5H),7.82-7.91(m,12H),8.05(d,4H,J=2.7)。
实施例9,旋涂法电致发光二极管的制备过程:
电阻为10-20Ω/口的氧化铟锡(ITO)导电玻璃基片依次经丙酮,洗涤剂,去离子水和异丙醇超声清洗,在烘箱烘干后,用PLASMA(氧等离子)处理4分钟,进一步去除导电玻璃上的有机杂质。紧接着,以旋涂方式在处理过的ITO玻璃片上涂布一层PEDOT:PSS(BaytronP4083,购于Bayer AG)薄膜,厚度约为50nm。之后,将基片在真空烘箱里80℃干燥8小时除去溶剂,在氮气氛的手套箱(Vacuum Atmosphere Co.)里将P-PPV的甲苯溶液旋涂在PEDOT:PSS层上,再然后阴极缓冲层材料的甲醇溶液旋涂在P-PPV层上。接着是在3×10-4Pa的真空下,蒸镀金属Al(120nm)阴极。器件有效发光面积为0.17cm2。薄膜厚度用TencorAlfa Step-500表面轮廓仪测定。金属电极蒸镀的沉积速率及其厚度用Sycon Instrument的厚度/速度仪STM-100测定。除了PEDOT:PSS薄膜的旋涂过程在大气环境中完成外,其它的所有环节均在氮气环境的手套箱内完成。如表1所示,旋涂器件的电致发光性能以2作为电子注入/传输层为例进行说明。结构为:
器件I:ITO/PEDOT:PSS/P-PPV/Al
器件II:ITO/PEDOT:PSS/P-PPV/2/Al
如表1所示,用于旋涂方法制作的电致发光二极管,采用离子型阴极缓冲层后,启亮电压得到降低,最大亮度达6702cd/m2,最大电流效率达11.5cd/A,比不用该阴极缓冲层材料提高了37倍。
表1
Claims (6)
3、根据权利要求1或2所述的离子型阴极缓冲层材料,其特征在于该材料可溶于极性有机溶剂,具备醇溶性。
4、权利要求1-3任一项所述的离子型阴极缓冲层材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)以酚羟基被保护起来后的3,5-二溴苯酚作为反应原料,通过钯催化偶联反应引入刚性基团R2及R3,然后在酸性条件下把被保护起来的酚羟基还原,酚羟基被保护起来后的3,5-二溴苯酚与刚性基团的摩尔比为2∶1~2.2∶1;
(2)以步骤(1)所得的酚,先后通过与N,N-二甲基-3-氯丙胺(盐酸盐)和溴乙烷反应,得到阴离子为溴的目标产物;酚与N,N-二甲基-3-氯丙胺(盐酸盐)以及反应产物与溴乙烷的摩尔比均为1∶1.2~1∶2;
(3)以步骤2所得到的阴离子为溴的铵,通过与目标阴离子的钠盐进行离子交换,得到不同阴离子的目标产物;阴离子为溴的铵与钠盐的摩尔比为1∶1.2~1∶3。
5、根据权利要求4所述的离子型阴极缓冲层材料的制备方法,其特征在于所述钯催化偶联反应引入是指反应物在惰性气体保护下,反应温度范围在70~110℃,反应时间范围在8~36小时,使用摩尔比为1%~3%的四(三苯基瞵)钯作为催化剂。
6、权利要求1-4任一项所述的离子型阴极缓冲层材料在电致发光显示及照明器件中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100291622A CN101307005B (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100291622A CN101307005B (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101307005A true CN101307005A (zh) | 2008-11-19 |
CN101307005B CN101307005B (zh) | 2012-05-09 |
Family
ID=40123712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100291622A Expired - Fee Related CN101307005B (zh) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101307005B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101948395A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-01-19 | 华南理工大学 | 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 |
JP2012531413A (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 有機化合物の製造方法及び有機化合物 |
CN102976960A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 华南理工大学 | 含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 |
CN105895830A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-24 | 华南师范大学 | 一种有机发光二极管ito电极的制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100340582C (zh) * | 2005-08-12 | 2007-10-03 | 复旦大学 | 一类含氟代苯基的聚苯乙烯撑及其应用 |
-
2008
- 2008-07-01 CN CN2008100291622A patent/CN101307005B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012531413A (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 有機化合物の製造方法及び有機化合物 |
CN101948395A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-01-19 | 华南理工大学 | 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 |
CN101948395B (zh) * | 2010-06-18 | 2013-07-24 | 华南理工大学 | 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 |
CN102976960A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 华南理工大学 | 含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 |
CN105895830A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-24 | 华南师范大学 | 一种有机发光二极管ito电极的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101307005B (zh) | 2012-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016176955A1 (zh) | 芳基多酚与1,3,5-均三嗪交联聚合物空穴注入与传输材料及其制备方法及应用 | |
CN102056959A (zh) | 掺杂共轭聚合物、器件及器件的制造方法 | |
Xue et al. | Highly Efficient and Fully Solution‐Processed White Electroluminescence Based on Fluorescent Small Molecules and a Polar Conjugated Polymer as the Electron‐Injection Material | |
Ren et al. | Synthesis of Dibenzothiophene‐Containing Ladder Polysilsesquioxane as a Blue Phosphorescent Host Material | |
CN101307005B (zh) | 离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用 | |
CN101161698B (zh) | 打断共轭超支化聚合物材料及制备方法和应用 | |
CN101265258B (zh) | 一种有机材料及其在有机电致发光器件中的应用 | |
CN101492442A (zh) | 复杂二芳基芴材料及其制备和应用方法 | |
CN109467681A (zh) | 一种高分子热活化延迟荧光材料及其制备方法 | |
CN101280187A (zh) | 可溶性电子传输型电致红光材料及其制备方法与应用 | |
WO2021203663A1 (zh) | 一类基于菲并咪唑单元的电致发光聚合物及其制备方法与应用 | |
CN104177603B (zh) | 以螺双芴为核心的超支化白光聚合物及其制备方法 | |
US10319910B2 (en) | Organic electroluminescent diode and method for manufacturing hole transporting layer thereof | |
CN111978292B (zh) | 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件 | |
Ren et al. | Ladder polysilsesquioxane for wide-band semiconductors: synthesis, optical properties and doped electrophosphorescent device | |
CN108276558B (zh) | 一类电致发光聚合物及其制备方法与应用 | |
CN103012173B (zh) | 一种可交联化合物及其制备方法和由其制成的发光器件 | |
CN109020978A (zh) | 一类星型荧光分子及其制备方法与应用 | |
CN104861156A (zh) | 基于螺双芴核心的芴-咔唑共聚超支化聚合物 | |
EP3024049A1 (en) | Fluorinated aromatic small molecules as functional additives for dispersion of conductive polymers | |
CN101948395B (zh) | 含胺基的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用 | |
CN108484418B (zh) | 一类支化蓝色荧光分子及其制备方法与应用 | |
Liu et al. | Alcohol‐Processable Organic Amorphous Electrolytes as an Effective Electron‐Injection Layer for Organic Light‐Emitting Diodes | |
US20200091434A1 (en) | Polymer and method for preparing the same, electron injection layer, oled device and display device | |
CN101318926B (zh) | 一种可溶性功能咔唑衍生物的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120509 Termination date: 20170701 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |