CN101300630A - 磁盘结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种可以防止由于涡流的产生而引起的信号SN比劣化的磁盘结构及其制造方法。在磁盘(101)上按顺序形成金属薄膜(102)、磁性薄膜(103)、绝缘膜(104)，同时，在上述绝缘膜(104)上形成RF－ID芯片(106)以及与RF－ID芯片连接的天线(109)的构成部。
Description
技术领域
本发明涉及磁盘结构及其制造方法，特别是涉及一种安装了包含了象RF-ID这样的天线的无线电路的磁盘结构及其制造方法。
背景技术
由于现有的光盘应用范围的飞跃性扩张，在光盘中安装CPU等信号处理电路且执行与存储在光盘中的信息有机关联的信号处理的系统引起了关注。CPU等信号处理电路与外部装置之间的信号发送接收的典型构成是在包含于CPU侧的无线通信电路中的天线与外部装置侧的天线之间通过无线信号进行。作为光盘安装CPU，由于结构简单且成本低，所以使用RF-ID芯片是有效的。通过无线通信电路在光盘与外部装置之间进行通信的结构已被公开，例如专利文献1。
专利文献1：特开平11-007436(图2，第[0011]段)
这种RF-ID芯片安装于光盘的结构的一个例子在图9中示出。在图9中，在光盘101上安装RF-ID芯片106，与该RF-ID芯片106连接的天线线圈109形成在光盘101上。
发明内容
安装有上述这种结构的RF-ID芯片的光盘由光盘驱动装置驱动，通过无线频率信号在读/写(R/W)装置与RF-ID芯片之间进行信号的发送接收。
然而，在使用光盘的情况下，由于是通过无线频率信号进行信息发送接收，所以产生如下的问题。
即，由于数MHz以上的高频无线信号从读/写(R/W)装置向容纳在磁盘驱动装置中的RF-ID芯片发出，所以该高频信号不仅通过RF-ID芯片，还通过磁盘驱动装置内的各种电气电路和导体(主轴电机等)，并在其中产生涡流。由于该涡流，在电气电路内产生噪音成分，则原始的信号SN比将会劣化。
本发明的目的是鉴于现有技术的上述问题提出的，提供可以克服该问题，并防止由于涡流的产生而引起的信号SN比劣化的磁盘结构及其制造方法。
用于解决上述问题的本发明，采用如下特征的构成。
(1)一种磁盘结构，在形成于磁盘上的磁性薄膜上形成无线通信部的构成部。
(2)一种磁盘结构，在磁盘上按顺序形成金属薄膜、磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上述绝缘膜上形成RF-ID芯片以及与上述RF-ID芯片连接的天线的构成部。
(3)一种磁盘结构，在磁盘上按顺序形成磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上述绝缘膜上形成RF-ID芯片以及与上述RF-ID芯片连接的天线的构成部。
(4)上述(2)的磁盘结构，上述金属膜由铝材料形成。
(5)上述(1)至(4)任意一个的磁盘结构，上述磁性薄膜由铁氧体材料形成。
(6)上述(1)至(5)任意一个的磁盘结构，在上述磁盘中形成有凹部，在该凹部形成有上述构成部。
(7)上述(1)至(6)任意一个的磁盘结构，上述构成部被树脂模型层覆盖。
(8)上述(6)的磁盘结构，形成于上述凹部的上述构成部由树脂模型覆盖，且构成为与上述凹部以外的磁盘平面大致共面。
(9)上述(1)至(8)任意一个的磁盘结构，上述无线通信部或RF-ID芯片安装在磁盘的内圆周侧。
(10)上述(1)至(9)任意一个的磁盘结构，上述磁盘的两个表面具有记录面。
(11)上述(1)至(10)任意一个的磁盘结构，上述磁盘由两个磁盘粘贴构成，在中央部附近位置夹持设置上述无线通信部。
(12)上述(1)至(11)任意一个的磁盘结构，上述磁盘是光盘。
(13)一种磁盘结构的制造方法，包含：制作磁盘的步骤，在上述磁盘上的规定部分形成金属薄膜的步骤，在上述金属薄膜上形成磁性薄膜的步骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的天线线圈的步骤，通过粘着层将RF-ID芯片固定在上述磁盘规定区域的步骤，以及将上述RF-ID芯片与上述天线线圈连接的步骤。
(14)一种磁盘结构制造方法，包括如下步骤：制作磁盘的步骤，在上述磁盘上的规定部分形成磁性薄膜的步骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的天线线圈的步骤，通过粘着层将RF-ID芯片固定在上述磁盘规定区域的步骤，以及将上述RF-ID芯片与上述天线线圈连接的步骤。
根据本发明，可以大幅度减少对光盘上的RF-ID芯片发出的由于电波信号通过磁盘驱动装置内的各种电气电路和导体部产生的涡流，结果可以防止由于涡流引起的噪音成分重叠在原本的信号电流中导致的SN比劣化，可以实现稳定的信号发送接收。
附图说明
图1是根据本发明的光盘结构的一个实施例的剖面图。
图2是用于说明根据本发明实施例的光盘结构的简化的部分剖面图。
图3是根据本发明的的光盘结构的其它实施例的简化剖面图。
图4是根据本发明的又一实施例的光盘结构的简化剖面图。
图5是将根据本发明的光盘装载到光盘驱动装置并使其动作时的简化的结构图。
图6是根据本发明的其它实施例的光盘结构的简化剖面图。
图7是根据本发明又一实施例的光盘结构的简化剖面图。
图8是表示根据本发明的光盘结构的制造工序的流程图。
图9是表示现有的安装到光盘的RF-ID芯片的安装结构的一个实施例的图。
符号说明
1光盘驱动器
2读/写(R/W)装置
11转盘
12主轴电机
13控制电路
14检波器
101、101A、101B光盘
102金属薄膜
103磁薄膜
104绝缘膜
105粘着层
106RF-ID芯片
107导线
108连接层
109天线线圈
110树脂模型层
具体实施方式
下面，参照附图说明根据本发明的磁盘结构的优选实施例的构成及动作。还有，在以下实施例的说明中，虽然是以光盘作为磁盘，但是本发明并不局限于光盘，具有同样构造的全部磁盘都可以适用。
图1是根据本发明的磁盘结构的一个实施例的剖面图。此外，在图2中示出了用于说明根据本实施例的光盘结构的简化后的一部分剖面图。在图2中省略了图1的一部分构成部。
在图中，对于本实施例，在普通光盘101的表面上形成有金属薄膜(在本实施例中是铝(Al)膜)102。在该金属薄膜102上形成磁性薄膜(铁氧体等)103的面积比形成RF-ID芯片106的区域大。并且，在该磁性薄膜103上，形成聚酰亚铵等的绝缘膜104作为柔性衬底。在绝缘膜104上，通过粘着层105与RF-ID芯片106粘着形成，同时，在圆周方向形成例如由金属薄膜构成的螺旋状的天线线圈109。该天线线圈109和RF-ID芯片106通过导线107和连接层108连接。特别是，这些金属薄膜102、磁性薄膜103、绝缘膜104、RF-ID芯片106、天线线圈109、导线107以及连接层108等整个表面由树脂模型层110覆盖。
图3是根据本发明的磁盘结构的其它实施例的剖面图。
在本实施例中，在普通的光盘101的表面形成凹部后，在该凹部上形成上述金属薄膜102、磁性薄膜103、绝缘膜104、RF-ID芯片106、天线线圈109等。并且，这些全部构成要素以使树脂模型层110埋入光盘101的凹部的厚度形成。根据这样的结构，虽然比普通的光盘厚一些，但是可以得到具有均匀厚度的光盘结构。
图4是根据本发明又一个实施例的磁盘结构的简化后的剖面图。
本实施例是图1和图3中示出的实施例的变形例，图4表示图1的变形例，RF-ID芯片106设置在光盘的内圆周侧(靠近光盘开口孔的一侧)。其他的结构与图1相同。由于本实施例的RF-ID芯片106设置在光盘的内圆周侧，所以与设置在外侧的情况相比，可以减少光盘旋转时偏离轴心的现象，稳定旋转，实现动作的稳定化。
图5表示将根据本发明的磁盘(光盘)101安装到磁盘驱动装置1时的简化结构图，是用于说明由本发明得到的效果的图。
在通过磁盘驱动装置1的主轴电机12旋转驱动的转盘11上安装光盘101。控制电路13在控制主轴电机12旋转驱动的同时，从光盘101的光数据记录面读取光数据，并控制检波器14的位置。
安装在光盘101上的RF-ID芯片106与外部装置之间的信号发送接收通过无线信号进行。为此，在磁盘驱动装置1的外表面侧设置有读/写(R/W)装置2。
读/写(R/W)装置2具有天线和无线电路，该天线与形成在RF-ID芯片106的天线(天线线圈109)之间通过无线信号的形式进行信息的发送接收，其中RF-ID芯片106安装在光盘101上。
由于RF-ID芯片106进行使用电磁波(电波)的非接触通信，所以可以以非接触的状态对半导体存储器(IC芯片)内的数据进行通信(读取写入)，如上所述，RF-ID芯片106通常由IC芯片和与其连接的线圈状的天线构成。
读/写(R/W)装置2具有读/写功能，与设置在上述光盘表面的RF-ID芯片106内的发送接收部之间通过无线通信进行数据的发送接收。读/写(R/W)装置2与RF-ID芯片106内的发送接收部之间的数据通信是以例如106kbps的传输速度进行的。
由于RF-ID芯片106内的天线接收来自读/写(R/W)装置2的电波，且通过共振作用产生电动势(电磁感应等)，所以通过电源整流部对该电动势进行整流并用作RF-ID芯片106的电源。
而且，在使用现有的光盘的情况下，如前所述，从读/写(R/W)装置2向容纳在光盘驱动装置1中的RF-ID芯片106发送数MHz以上的高频信号时，不仅在RF-ID芯片106中，而且在磁盘驱动装置1内的各种电气电路中和导体(主轴电机等)中也流动着电波，产生涡流，形成相对于电路中流动的信号的噪音成分。
与此相对的，在本发明中，在与读/写(R/W)装置2相对的一侧设置RF-ID芯片106，在与光盘101的RF-ID芯片106安装面的相反面一侧设置各种电路和导体，特别是在RF-ID芯片106的下表面形成磁性薄膜103。因此，高频电波集中地通过高透射率的磁性薄膜103，而不通过光盘101下方的电路和导体，与现有技术相比，产生的涡流也会减少。即，得到磁屏蔽效果。
图6是根据本发明的其它实施例的磁盘结构的简化剖面图。
在本实施例中，本发明通过存在形成在光盘101上的磁性薄膜103(优选是高透射率的)，使得来自读/写(R/W)装置2的高频无线信号的通路集中在磁性薄膜103，由此形成磁屏蔽，因此金属薄膜102不是必需的。本实施例是省去了该金属薄膜102，在光盘101上直接形成磁性薄膜103，并且在其上设置RF-ID芯片106的例子。
图7是根据本发明的其它实施例的磁盘结构的简化剖面图。
本实施例的光盘采用将两个光盘(101A和101B)粘贴在一起的两面光盘，由于在两个表面都存在光数据记录区域，如上述实施例所示，所以不能在不存在光数据记录区域的表面安装RF-ID芯片。因此，在本实施例中，在非光数据记录区域的空白区域构成本发明的结构。在光盘101A上，形成金属薄膜102、磁性薄膜103、RF-ID芯片106、天线109等。
根据以上说明的本发明的磁盘结构经过如图8所示的制造工序得到。在制作成普通的光盘后(步骤S1)，在其上规定的部分形成金属薄膜102(步骤S2)，此外，在其上形成磁性薄膜103(步骤S3)。接下来，形成绝缘膜104(步骤S4)，为了形成天线线圈，在形成铝膜等金属薄膜后，通过蚀刻形成希望形状的天线线圈109(步骤S5)。
并且，通过粘着层105将RF-ID芯片106固定在光盘101的规定区域，并通过导线107与天线线圈109连接(步骤S6)。这里，可以省略步骤S2中形成金属薄膜102的处理。
以上，详细地描述了本发明优选实施例的构成及动作。但是，这些实施例仅仅是本发明的示例，不能用于限定本发明。在本领域技术人员容易理解，不脱离本发明宗旨的情况下，可以根据特定用途进行各种变形改变。例如，在上述实施例中，不存在由铝材料构成的金属薄膜也可以得到本发明的效果。此外，在两个磁盘粘贴构成磁盘的情况下，如果在中心部附近的位置使RF-ID芯片这样的电子电路夹在两个磁盘之间而设置，可以防止由于夹持压力导致的该电子电路的损伤。
Claims (14)
1.一种磁盘结构，其特征在于：在形成于磁盘上的磁性薄膜上形成有无线通信部的构成部。
2.一种磁盘结构，其特征在于：在磁盘上按顺序形成金属薄膜、磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上述绝缘膜上形成RF-ID芯片以及与上述RF-ID芯片连接的天线的构成部。
3.一种磁盘结构，其特征在于：在磁盘上按顺序形成磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上述绝缘膜上形成RF-ID芯片以及与上述RF-ID芯片连接的天线的构成部。
4.一种根据权利要求2记载的磁盘结构，其特征在于：上述金属薄膜由铝材料形成。
5.根据权利要求1至4任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：上述磁性薄膜由铁氧体材料形成。
6.根据权利要求1至5任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：在上述磁盘中形成有凹部，在该凹部形成有上述构成部。
7.根据权利要求1至6任意一项权利要求记载的磁盘结构，其特征在于：上述构成部被树脂模型层覆盖。
8.根据权利要求6记载的磁盘结构，其特征在于：形成于上述凹部的上述构成部由树脂模型覆盖，且构成为与上述凹部以外的磁盘表面大致共面。
9.根据权利要求1至8任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：上述无线通信部或RF-ID芯片安装在磁盘内圆周侧。
10.根据权利要求1至9任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：上述磁盘的两个表面具有记录面。
11.根据权利要求1至10任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：上述磁盘由两个磁盘粘贴构成，在中央部附近位置夹持设置上述无线通信部。
12.根据权利要求1至11任意一项记载的磁盘结构，其特征在于：上述磁盘是光盘。
13.一种磁盘结构的制造方法，其特征在于，包含：制作磁盘的步骤，在上述磁盘上的规定部分形成金属薄膜的步骤，在上述金属薄膜上形成磁性薄膜的步骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的天线线圈的步骤，通过粘着层将RF-ID芯片固定在上述磁盘的规定区域的步骤，以及将上述RF-ID芯片与上述天线线圈连接的步骤。
14.一种磁盘结构制造方法，其特征在于，包括：制作磁盘的步骤，在上述磁盘上的规定部分形成磁性薄膜的步骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的天线线圈的步骤，通过粘着层将RF-ID芯片固定在上述磁盘的规定区域的步骤，以及将上述RF-ID芯片与上述天线线圈连接的步骤。
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