CN101297409B - 转移光伏电池的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了制备电极的方法、以及相关的组件、系统和方法。

Description

转移光伏电池的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2005年7月12日提交的序列号为No.60/698,553的美国临时申请的优先权，其内容在此引入作为参考。
技术领域
本申请涉及制备光伏电池的方法、以及相关的组件、系统和方法。
背景技术
光伏电池通常用于将光形式的能量转化成电形式的能量。典型的光伏电池包括设置在两个电极之间的光活性材料。一般地，光穿过所述电极之一或两者以与光活性材料相互作用，从而将太阳能转换为电能。
发明内容
一方面，本发明特征在于一种方法，其包括将印模(die)与支撑光伏电池的第一层接触，使得该光伏电池转移到第二层。
另一方面，本发明特征在于一种方法，其包括用冲压(stamping)形成光伏电池。
实施方式可包括一个或多个下述的方面。
该方法可进一步包括将印模至少加热到100℃(例如，至少约150℃，至少约200℃，至少约250℃，或至少约300℃)。
该接触可包括对印模施加至少约100psi(例如，至少约1000psi或至少约5000psi)的压力。
该方法可进一步包括在光伏电池和该第一层之间设置脱模层(release layer)。在一些实施方式中，该脱模层具有选自聚酯(例如，脂肪族聚酯)或聚乙烯(例如，低分子量聚乙烯)的材料。
该光伏电池可以设置在接触层和第一层之间。在一些实施方式中，该接触层可以包括粘合材料(例如，环摒树脂、聚氨酯、聚脲(polyureas)、苯乙烯-丙烯腈共聚物、基于聚乙烯的聚合物、或基于聚丙烯的聚合物)。
该光伏电池可包括光活性材料。在一些实施方式中，光活性材料可以包括电子供体材料和电子受体材料。在一些实施方式中，该光活性材料可以包括光敏化的互连纳米粒子材料。在一些实施方式中，光活性材料包括非晶硅或硒化铜铟镓(CuInGaSe2；CIGS)。
电子受体材料可包括选自球碳、无机纳米粒子、噁二唑、碟状液晶、碳纳米棒、无机纳米棒、含有CN基团的聚合物、含有CF3基团的聚合物及其组合的材料。
电子供体材料可包括选自碟状液晶、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯基亚乙烯基、聚硅烷、聚噻吩基亚乙烯基、聚异硫茚(polyisiothianaphthalenes)及其组合的材料。
光敏化的互连纳米粒子材料可包括选自硒化物、硫化物、碲化物、氧化钛、氧化钨、氧化锌、氧化锆及其组合的材料。
印模可在该印模的表面上与第一层接触，该表面的至少一部分是弯曲的。
第二层可在该第二层的表面上接受该光伏电池，该表面的至少一部分是弯曲的。
该第一或第二层可包括柔性衬底。在一些实施方式中，该第一或第二层可包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚合烃、纤维素聚合物、聚碳酸酯、聚酰胺、聚醚、聚醚酮及其组合的聚合物。
其他特征和优点将通过说明书、附图和权利要求而明晰。
附图说明
图1是将光伏组件(module)转移到平坦衬底上的热冲压过程的略图；
图2是附着在平坦衬底上的光伏组件的横截面图；
图3是将光伏组件转移到弯曲衬底上的热冲压过程的略图；
图4是附着在弯曲衬底上的弯曲光伏组件的横截面图；
图5是有机光伏电池的横截面图；
图6是网状电极的实施方式的正视图；
图7是图6中的网状电极的横截面图；
图8是网状电极的一部分的横截面图；
图9是另一个有机光伏电池的横截面图；
图10是包括多个串联的光伏电池的系统的示意图；
图11是包括多个并联的光伏电池的系统的示意图；
图12是染料敏化的太阳能电池的横截面图；
在各图中的相同附图标记表示相同元件。
具体实施方式
总的来说，本发明涉及转移光伏组件或光伏电池的方法。
在一些实施方式中，可以通过以下冲压方法将具有一个或多个光伏电池的光伏组件转移到层上。可以将印模(例如，热冲压印模)的表面(例如，弯曲表面)与第一层(例如，柔性衬底)的背表面接触。该第一层的前表面可覆盖有光伏组件。然后可将该第一层的前表面与作为接收层的第二层接触。当对印模施加压力时，第一层前表面上的光伏组件转移并粘合到第二层上。施加到印模上的压力可为至少约100psi(例如，至少约1000psi，至少约5000psi)。在一些实施方式中，可以在印模接触第一层的背表面之前将该第一层的前表面与第二层相接触。在这些实施方式中，光伏组件可在与第一层分离之前粘合到第二层上。
在一些实施方式中，可将印模加热到合适的温度(例如，至少约100℃，至少约150℃，至少约200℃，至少约250℃，至少约300℃)以促进将光伏组件从第一层的前表面转移到第二层上。
在一些实施方式中，可以在光伏组件和第一层之间设置脱模层以帮助光伏组件的脱离。该脱模层可包括在等于或低于冲压过程中印模的温度时软化或熔化的材料。这种材料的例子有蜡或低熔点聚合物(例如，脂族聚酯或低分子量聚乙烯)。该脱模层可具有至少约0.1微米(至少约0.5微米，至少约1.0微米)或至多约50微米(至多约10微米，至多约5微米)的厚度。在一些实施方式中，该脱模层在冲压过程中软化或熔化，以促进光伏组件从第一层分离。该光伏组件可以在脱模层的顶部、底部、或顶部和底部之间的位置分离。
在一些实施方式中，光伏组件可以设置在接触层和第一层上的脱模层之间。该接触层可具有至少约0.1微米(至少约0.5微米，至少约1.0微米)或至多约50微米(至多约10微米，至多约5微米)的厚度。该接触层可包括粘合材料。通常，任何能够保持光伏组件原位的粘合材料可用于接触层。在一些实施方式中，该粘合材料是热敏粘合材料，例如，在加热到某一活化温度(例如，至多约150℃，至多约100℃，或至多约50℃)后变为粘性的材料。优选，该活化温度等于或低于在冲压过程中所用印模的温度。热敏粘合材料的例子包括环氧树脂、聚氨酯、聚脲、苯乙烯-丙烯腈共聚物、基于聚乙烯的聚合物、或基于聚丙烯的聚合物。不希望受理论束缚，据信该接触层可促进该光伏组件与第二层粘合。例如，当在冲压过程中加热印模时，接触层中的热敏粘合材料变为粘性，然后将光伏组件粘合到第二层上。在一些实施方式中，该粘合材料可包括氟化粘合剂。该粘合材料还可由在使用的厚度下为透明的材料形成或可包含导电粘合剂。
在一些实施方式中，光伏组件可包括一个或多个光伏电池，例如有机光伏电池、染料敏化的太阳能电池(DSSC)、非晶硅太阳能电池、CIGS太阳能电池和/或串联式(tandem)电池。
图1是使用印模100将光伏组件130从平坦衬底110转移到衬底150的平坦接收表面151的热冲压过程的略图。如图1所示，光伏组件130设置于脱模层120和接触层140之间。在热冲压过程中，将印模100加热到合适的温度(例如，至少约100℃)，然后与衬底110接触。在脱模层120和接触层140软化或熔化后，对印模100施加压力(例如，至少约100psi)以使接触层140接触接收表面151，使得其粘合到衬底150。在除去印模100时，光伏组件130然后可以在脱模层120处从衬底110分离。图2显示了通过接触层140粘合到衬底150的光伏组件130的横截面图。图3示出了与图1中描述的相似的过程，除了衬底110和150两者具有弯曲表面。图4显示了通过接触层140粘合到衬底150并与弯曲的接收表面151一致的光伏组件130的横截面图。
在一些实施方式中，上述方法可用于连续的制造工艺，例如卷装进出(roll-to-roll)或丝网(web)工艺。卷装进出工艺的例子已描述在例如美国申请公开No.2005-0263179中。
在一些实施方式中，上述的方法可用于将有机光伏电池从一个衬底转移到另一个衬底。图5显示了包括透明衬底210、网状阴极220、空穴载流子层230、光活性层(包括电子供体材料和电子受体材料)240、空穴阻挡层250、阳极260和衬底270的有机光伏电池200的横截面图。
图6和图7分别示出网状电极的正视图和横截面图。如图6和7所示，网状阴极220包括实心区域(solid region)222和开口区域224。通常，区域222由导电材料形成，使得网状阴极220可容许光经由区域224通过并经由区域222传导电子。
由开口区域占据的网状阴极220的面积(网状阴极220的开口面积)可以根据需要选择。通常，网状阴极220的开口面积是网状阴极220总面积的至少约10％(例如，至少约20％，至少约30％，至少约40％，至少约50％，至少约60％，至少约70％，至少约80％)和/或至多约99％(例如，至多约95％，至多约90％，至多约85％)。
网状阴极220可以采用多种方式制备。在一些实施方式中，网状电极可以如上所述冲压到层(例如，衬底)上。在一些实施方式中，网状阴极220可以是由编织形成实心区域222的材料的线形成的编织网。可以使用例如平织、荷兰(Dutch)编织、斜织、荷兰斜织或其组合来编织该线。在某些实施方式中，网状阴极220由焊接金属丝网形成。在一些实施方式中，网状阴极220是成形的多孔网。多孔金属网可例如通过如下制备：从材料(例如，导电材料，如金属)片中去除区域224(例如，通过激光去除，通过化学蚀刻，通过穿孔)，随后拉伸该片(例如，在二维上拉伸该片)。在某些实施方式中，网状阴极220是通过如下形成的金属片：去除区域224(例如，通过激光去除，通过化学蚀刻，通过穿孔)，而没有随后拉伸该片。
在某些实施方式中，实心区域222全部由导电材料形成(例如，区域222由基本上均质的导电材料形成)。可用于区域222的导电材料的例子包括导电金属、导电合金和导电聚合物。示例性的导电金属包括金、银、铜、铝、镍、钯、铂和钛。示例性的导电合金包括不锈钢(例如，332不锈钢、316不锈钢)、金合金、银合金、铜合金、铝合金、镍合金、钯合金、铂合金和钛合金。示例性的导电聚合物包括聚噻吩(例如，poly(3，4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(例如，掺杂的聚苯胺)、聚吡咯(例如，掺杂的吡咯)。在一些实施方式中，使用导电材料的组合。在一些实施方式中，实心区域222具有小于约3欧姆/平方(ohm per square)的电阻率。
如图8所示，在一些实施方式中，实心区域222由材料302形成，该材料302上覆盖不同的材料304(例如，采用金属化，采用气相淀积)。通常，材料302可由任何需要的材料(例如，电绝缘材料、导电材料或半导体材料)形成，材料304是导电材料。可形成材料302的电绝缘材料的例子包括织物、光纤材料、聚合物材料(例如，尼龙)和天然材料(例如，亚麻、棉、毛、丝)。可形成材料302的导电材料的例子包括上面公开的导电材料。可形成材料302的半导体材料的例子包括氧化铟锡、氟化的氧化锡、氧化锡和氧化锌。在一些实施方式中，材料302是纤维的形式，材料304是覆盖在材料302上的导电材料。在某些实施方式中，材料302是网的形式(见上面的描述)，其在形成网后，用材料304覆盖。作为例子，材料302可以是多孔金属网，材料304可以是覆盖于该多孔金属网上的PEDOT。
通常，网状阴极220的最大厚℃(例如，在基本上垂直于与网状阴极220接触的衬底210表面的方向上网状阴极220的最大厚度)应小于空穴载流子层230的总厚度。典型地，网状阴极220的最大厚度为至少约0.1微米(例如，至少约0.2微米，至少约0.3微米，至少约0.4微米，至少约0.5微米，至少约0.6微米，至少约0.7微米，至少约0.8微米，至少约0.9微米，至少约1微米)和/或至多约10微米(例如，至多约9微米，至多约8微米，至多约7微米，至多约6微米，至多约5微米，至多约4微米，至多约3微米，至多约2微米)。
虽然如图6所示具有矩形形状，但开口区域224一般可以具有任何所需形状(例如，方形、圆形、半圆、三角形、菱形、椭圆形、梯形、不规则形状)。在一些实施方式中，网状阴极220中不同的开口区域224具有不同的形状。
虽然如图7所示具有方形横截面形状，但实心区域222一般可以具有任何所需形状(例如，矩形、圆形、半圆、三角形、菱形、椭圆形、梯形、不规则形状)。在一些实施方式中，网状阴极220中不同的实心区域222具有不同的形状。在其中实心区域222具有圆形横截面的实施方式中，该横截面可具有约5微米到约200微米的直径。在其中实心区域222具有梯形横截面的实施方式中，该横截面可具有约0.1微米到约5微米的高度和约5微米到约200微米的宽度。
在一些实施方式中，网状阴极220是柔性的(例如，足够柔软以采用连续的卷装进出(roll-to-roll)制造工艺引入光伏电池200中)。在某些实施方式中，网状阴极200是半刚性的或不可弯曲的。在一些实施方式中，网状阴极220的不同区域可以是柔性的、半刚性的或不可弯曲的(例如，一个或多个区域柔性和一个或多个不同的区域半刚性，一个或多个区域柔性和一个或多个不同的区域不可弯曲的)。
通常，网状电极220可设置在衬底210上。在一些实施方式中，网状电极220可以部分地嵌入衬底210中。
衬底210通常由透明材料形成。如这里提及的，透明材料是在用于光伏电池200中的厚度下传输在光伏电池运行过程中使用的波长或波长范围的入射光的至少约60％(例如，至少约70％，至少约75％，至少约80％，至少约85％，至少约90％，至少约95％)的材料。可形成衬底210的示例性材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚合烃、、纤维素聚合物、聚碳酸酯、聚酰胺、聚醚、聚醚酮、及其组合。在某些实施方式中，该聚合物可为氟化的聚合物。在一些实施方式中，使用聚合材料的组合。在某些实施方式中，衬底210的不同区域可由不同的材料形成。
通常，衬底210可以是柔性、半刚性或刚性的(例如，玻璃)。在一些实施方式中，衬底210具有小于约5000兆帕(例如，小于约2500兆帕或小于约1000兆帕)的挠曲模量。在某些实施方式中，衬底210的不同区域可以是柔性、半刚性或不可弯曲的(例如，一个或多个区域柔性和一个或多个不同的区域半刚性，一个或多个区域柔性和一个或多个不同的区域不可弯曲的)。
典型地，衬底210为至少约1微米(例如，至少约5微米，至少约10微米)厚和/或至多约1000微米(例如，至多约500微米，至多约300微米，至多约200微米，至多约100微米，至多约100微米)厚。
通常，衬底210可以是着色的或非着色的。在一些实施方式中，衬底210的一个或多个部分是着色的，而其一个或多个不同的部分是非着色的。
衬底210可以具有一个平坦表面(例如，光撞击其上的表面)，两个平坦表面(例如，光撞击其上的表面和相反表面)，或没有平坦表面。衬底210的非平坦表面可以是例如弯曲的或阶梯状的。在一些实施方式中，衬底210的非平坦表面被图案化(例如，具有图案化的阶梯以形成菲涅耳透镜、双凸透镜或双凸棱镜)。
空穴载流子层230通常由在用于光伏电池200中的厚度下传输空穴到网状阴极220并基本上阻止电子传输到网状阴极220的材料形成。可形成层230的材料的例子包括聚噻吩(如PEDOT)、聚苯胺、聚乙烯基咔唑、聚亚苯基、聚苯基亚乙烯基、聚硅烷、聚亚噻吩基亚乙烯基和/或聚异硫茚(polyisothianaphthanenes)。在一些实施方式中，空穴载流子层230可以包括空穴载流子材料的组合。
通常，空穴载流子层230的上表面(即，空穴载流子层230与活性层240接触的表面)和衬底210的上表面(即，衬底210与网状电极220接触的表面)之间的距离可以根据需要改变。典型地，空穴载流子层230的上表面和网状阴极220的上表面之间的距离是至少0.01微米(例如，至少约0.05微米，至少约0.1微米，至少约0.2微米，至少约0.3微米，至少约0.5微米)和/或至多约5微米(例如，至多约3微米，至多约2微米，至多约1微米)。在一些实施方式中，空穴载流子层230的上表面和网状阴极220的上表面之间的距离为约0.01微米到0.5微米。
活性层240通常包括电子受体材料和电子供体材料。
电子受体材料的例子包括球碳、噁二唑、碳纳米棒、碟状液晶、无机纳米粒子(如，由氧化锌、氧化钨、磷化铟、硒化镉和/或硫化铅形成的纳米粒子)、无机纳米棒(例如，由氧化锌、氧化钨、磷化铟、硒化镉和/或硫化铅形成的纳米棒)、或包括能够接收电子或形成稳定阴离子的部分的聚合物(如，含有CN基团的聚合物，含有CF3基团的聚合物)。在一些实施方式中，电子受体材料是取代的球碳(例如，C61-苯基-丁酸甲基酯；PCBM)。在一些实施方式中，活性层240可以包括电子受体材料的组合。
电子供体材料的例子包括碟状液晶、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯基亚乙烯基、聚硅烷、聚噻吩基亚乙烯基、聚异硫茚(polyisiothianaphthalenes)、及其组合。在一些实施方式中，电子供体材料是聚(3-己基噻吩)。在某些实施方式中，活性层240可以包括电子受体材料的组合。
通常，活性层240足够厚以相对有效地吸收撞击在其上的光子以形成相应的电子和空穴，并且足够薄以相对有效地将空穴和电子分别传输到层230和250。在某些实施方式中，层240是至少0.05微米(例如，至少约0.1微米，至少约0.2微米，至少约0.3微米)厚和/或至多约1微米(例如，至多约0.5微米，至多约0.4微米)厚。在一些实施方式中，层240为约0.1微米到约0.2微米厚。
空穴阻挡层250通常由在光伏电池200中使用的厚度下传输电子到阳极260和基本上阻挡空穴传输到阳极260的材料形成。可形成层250的材料的例子包括LiF和金属氧化物(例如，氧化锌，氧化钛)。
典型地，空穴阻挡层250为至少0.02微米(例如，至少约0.03微米，至少约0.04微米，至少约0.05微米)厚和/或至多约0.5微米(例如，至多约0.4微米，至多约0.3微米，至多约0.2微米，至多约0.1微米)厚。
阳极260通常由导电材料形成，例如上面提及的一种或多种导电材料。在一些实施方式中，阳极260由导电材料的组合形成。
通常，衬底270与衬底220相同。在一些实施方式中，衬底270可与衬底220不同(例如，具有不同的形状或者由不同的材料或非透明材料形成)。
图9显示了在衬底210和空穴载流子层230之间包括粘合层410的光伏电池400的横截面图。
通常，任何能够保持网状阴极220原位的材料可用于粘合层410。一般说来，粘合层410由在用于光伏电池400中的厚度下透明的材料形成。粘合剂的例子包括环氧树脂和聚氨酯。可用于粘合层410的可商购材料的例子包括BynelTM粘合剂(DuPont)和615粘合剂(3M)。在一些实施方式中，层410可包括氟化的粘合剂。在某些实施方式中，层410包括导电粘合剂。导电粘合剂可由例如固有导电的聚合物，如上述公开的导电聚合物(例如，PEDOT)形成。导电粘合剂还可由包括一种或多种导电材料(例如，导电微粒)的聚合物(例如，非固有导电的聚合物)形成。在一些实施方式中，层410包括含有一种或多种导电材料的固有导电聚合物。
在一些实施方式中，层410的厚度(例如，在基本上垂直于与层410接触的衬底210的表面的方向上层410的厚度)小于网状阴极220的最大厚度。在一些实施方式中，层410的厚度是网状阴极220最大厚度的至多约90％(例如，至多约80％，至多约70％，至多约60％，至多约50％，至多约40％，至多约30％，至多约20％)。然而，在某些实施方式中，层410的厚度约等于或大于网状阴极220的最大厚度。
通常，具有网状阴极的光伏电池可以按照需要制造。
在一些实施方式中，光伏电池可以如下制造。采用常规技术在衬底270上形成电极260，在电极260上形成空穴阻挡层250(例如，使用真空淀积法或溶液涂敷法)。在空穴阻挡层250上形成活性层240(例如，采用溶液涂敷法，如缝隙涂布，旋涂或凹版涂敷)。在活性层240上形成空穴载流子层230(例如，采用溶液涂敷法，如缝隙涂布，旋涂或凹版涂敷)。网状阴极220部分设置于空穴载流子层230中(例如，通过上述的冲压方法)。然后采用常规方法在网状阴极220和空穴载流子层230上形成衬底210。
在某些实施方式中，光伏电池可以如下制造。采用常规技术在衬底270上形成电极260，在电极260上形成空穴阻挡层250(例如，使用真空淀积法或溶液涂敷法)。在空穴阻挡层250上形成活性层240(例如，采用溶液涂敷法，如缝隙涂布，旋涂或凹版涂敷)。在活性层240上形成空穴载流子层230(例如，采用溶液涂敷法，如缝隙涂布，旋涂或凹版涂敷)。采用常规方法将粘合层410设置于空穴载流子层230上。网状阴极220部分设置于粘合层410和空穴载流子层230中(例如，通过将网状阴极220设置在粘合层410的表面上并挤压该网状阴极220)。然后采用常规方法在网状阴极220和粘合层410上形成衬底210。
虽然前述的工艺包括将网状阴极220部分设置于空穴载流子层230中，但在一些实施方式中，网状阴极220通过在空穴载流子层230或粘合层410的表面上印刷阴极材料以提供如图中所示的具有开口结构的电极而形成。例如，网状阴极220可使用冲压、浸涂、挤出涂覆、喷涂、喷墨印刷、丝网印刷和凹版印刷来印制。阴极材料可以设置于在加热或辐射(例如，UV辐射，可见光辐射，IR辐射，电子束辐射)时固化的糊料中。该阴极材料可例如通过丝网真空淀积成网状图案或在淀积后其可通过光刻法图案化。
可以将多个光伏电池电连接起来形成光伏系统。例如，图10是具有包括光伏电池520的组件510的光伏系统500的示意图。电池520串联电连接，系统500电连接到负载。作为另一个例子，图11是具有包括光伏电池620的组件610的光伏系统600的示意图。电池620并联电连接，系统600电连接到负载。在一些实施方式中，光伏系统的一些(或全部)光伏电池可具有一个或多个公共衬底。在某些实施方式中，光伏系统中的一些光伏电池串联电连接，和光伏系统中的一些光伏电池并联电连接。
在一些实施方式中，包含多个光伏电池的光伏系统可以采用连续制造工艺制造，例如卷装进出或丝网(web)工艺。在一些实施方式中，连续制造工艺包括：在第一前进衬底上形成一组光伏电池部分；在第一衬底上的至少两个电池部分之间设置电绝缘材料；在该第一衬底上的至少两个电池部分之间的电绝缘材料中埋入导线；在第二前进衬底上形成一组光伏电池部分；合并该第一和第二衬底以及光伏电池部分以形成多个光伏电池，其中至少两个光伏电池通过导线电连接。在一些实施方式中，该第一和第二衬底可连续前进，周期性地前进，或不规则地前进。
在一些实施方式中，上面描述的冲压方法可用于在衬底上印制电极供DSSC之用。图12是DSSC 700的横截面图，其包括衬底710、电极720、催化剂层730、电荷载流子层740、光活性层750、电极760、衬底770和外部负载780。DSSC的例子在2005年12月19日提交的美国专利申请序列号No.11/311,805以及2005年11月9日提交的No.11/269,956中讨论，其内容在此引入作为参考。
在一些实施方式中，上面描述的冲压方法可用于在衬底上印制电极供串联式电池之用。串联式光伏电池的例子在美国专利申请序列号No.10/558878和美国临时申请序列号No.60/790606、60/792635、60/792485、60/793442、60/795103、60/797881和60/798258中讨论，其内容在此引入作为参考。
虽然已经公开了某些实施方式，但其他的实施方式是可能的。
作为一个例子，虽然已经描述了由网形成的阴极，但在一些实施方式中，也可以使用网状阳极。例如，当使用通过阳极传输的光时，这可为所需要的。在某些实施方式中，同时使用网状阴极和网状阳极。例如，当使用通过阴极和阳极两者传输的光时，这可以是需要的。
作为另一例子，虽然已经大体描述其中使用经由电池的阴极侧传输的光的实施方式，但是在某些实施方式中，使用经由电池的阳极侧传输的光(例如当使用网状阳极时)。在一些实施方式中，使用经由电池阴极和阳极侧两者传输的光(当使用网状阴极和网状阳极时)。
作为另一例子，虽然已经描述了由网形成的阴极，但在一些实施方式中，可使用非网状阴极。在某些实施方式中，使用非网状阴极和非网状阳极两者。
作为再一实例，虽然已经描述电极(例如网状电极、非网状电极)由导电材料形成，但是在一些实施方式中，光伏电池可包括一个或多个由半导体材料形成的电极(例如一个或多个网状电极，一个或多个非网状电极)。半导体材料的实例包括氧化铟锡、氟化的氧化锡、氧化锡和氧化锌。
作为额外的实例，在一些实施方式中，一个或多个半导体材料可布置在网状电极的开口区域中(例如，网状阴极的开口区域中，网状阳极的开口区域中，网状阴极的开口区域和网状阳极的开口区域中)。半导体材料的实例包括氧化锡、氟化的氧化锡、氧化锡和氧化锌。其他的半导体材料例如部分透明的半导体聚合物也可布置在网状电极的开口区域中。例如，部分透明的聚合物可以是在用于光伏电池中的厚度下传输在光伏电池运行过程中使用的波长或波长范围内的入射光的至少约60％(例如至少约70％、至少约75％、至少约80％、至少约85％、至少约90％、至少约95％)的聚合物。典型地，布置在网状电极的开口区域中的半导体材料在用于光伏电池的厚度下是透明的。
作为另一实例，在某些实施方式中，保护层可施加到衬底之一或两者上。例如，保护层可用于保持光伏电池免受污染(例如，污物、水分、氧气、化学物质)和/或使电池耐用。在某些实施方式中，保护层可由聚合物(例如氟化聚合物)形成。
作为再一实例，虽然已经描述了具有一个或多个网状电极的某些类型的光伏电池，但是一个或多个网状电极(网状阴极、网状阳极、网状阴极和网状阳极)还可用在其它类型的光伏电池中。这些光伏电池的实例包括具有由非晶硅、硒化镉、碲化镉、硫化铟铜和砷化镓铟铜形成的活性材料的光伏电池。
作为额外的实例，虽然已经描述材料302和304由不同的材料形成，但是在一些实施方式中材料302和304由相同材料形成。
作为另一实例，虽然如图8所示实心区域222由一种材料涂覆在不同材料上形成，但是在一些实施方式中，实心区域222可由多于两种的涂覆材料(例如三种涂覆材料、四种涂覆材料、五种涂覆材料、六种涂覆材料)形成。
其它实施方式在权利要求中。

Claims (26)

1.一种转移光伏电池的方法，包括：
提供由第一层支撑的光伏电池，所述光伏电池包含：
第一电极、
第二电极、和
该第一电极与该第二电极之间的光伏材料，所述光伏材料包括电子供体材料和电子受体材料；
加热印模；并且
在加热该印模时，向该印模施加压力以使得该印模与该第一层接触，从而将该光伏电池转移到第二层。
2.如权利要求1所述的方法，其中将该印模加热到至少100℃。
3.如权利要求1所述的方法，其中将该印模加热到至少300℃。
4.如权利要求1所述的方法，其中施加到该印模的压力为至少100psi。
5.如权利要求1所述的方法，其中施加到该印模的压力为至少1000psi。
6.如权利要求1所述的方法，其中施加到该印模的压力为至少5000psi。
7.如权利要求1所述的方法，还包括在该光伏电池和该第一层之间设置脱模层。
8.如权利要求7所述的方法，其中该脱模层包括聚酯或聚乙烯。
9.如权利要求1所述的方法，其中该光伏电池设置于接触层和该第一层之间。
10.如权利要求9所述的方法，其中该接触层包括粘合材料。
11.如权利要求10所述的方法，其中该粘合材料包括环氧树脂、聚氨酯、聚脲、苯乙烯-丙烯腈共聚物、基于聚乙烯的聚合物、或基于聚丙烯的聚合物。
12.如权利要求1所述的方法，其中该电子受体材料包括选自球碳、无机纳米粒子、噁二唑、碟状液晶、碳纳米棒、无机纳米棒、含有CN基团的聚合物、含有CF3基团的聚合物、及其组合的材料。
13.如权利要求1所述的方法，其中该电子供体材料包括选自碟状液晶、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯基亚乙烯基、聚硅烷、聚噻吩基亚乙烯基、和聚异硫茚的材料。
14.如权利要求1所述的方法，其中该光伏材料包括光敏化的互连纳米粒子材料。
15.如权利要求14所述的方法，其中该光敏化的互连纳米粒子材料包括选自硒化物、硫化物、碲化物、氧化钛、氧化钨、氧化锌、氧化锆及其组合的材料。
16.如权利要求1所述的方法，其中该光伏材料包括非晶硅或CIGS。
17.如权利要求1所述的方法，其中该印模在印模的表面上接触该第一层，该表面至少一部分是弯曲的。
18.如权利要求1所述的方法，其中该第二层在第二层的表面上接收光伏电池，该表面的至少一部分是弯曲的。
19.如权利要求1所述的方法，其中该第一或第二层包括柔性衬底。
20.如权利要求19所述的方法，其中该第一或第二层包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚合烃、纤维素聚合物、聚碳酸酯、聚酰胺、聚醚、聚醚酮、及其组合的聚合物。
21.一种转移光伏组件的方法，包括：
提供由第一层支撑的光伏组件，所述光伏组件包含多个光伏电池，各光伏电池包含：
第一电极、
第二电极、和
该第一电极与该第二电极之间的光伏材料，所述光伏材料包括电子供体材料和电子受体材料；
加热印模；并且
在加热该印模时，向该印模施加压力以使得该印模与该第一层接触，从而将该光伏组件转移到第二层。
22.如权利要求21所述的方法，其中将该印模加热到至少100℃。
23.如权利要求21所述的方法，其中施加到该印模的压力为至少100psi。
24.如权利要求21所述的方法，其中该电子受体材料包括选自球碳、无机纳米粒子、噁二唑、碟状液晶、碳纳米棒、无机纳米棒、含有CN基团的聚合物、含有CF3基团的聚合物、及其组合的材料。
25.如权利要求21所述的方法，其中该电子供体材料包括选自碟状液晶、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯基亚乙烯基、聚硅烷、聚噻吩基亚乙烯基、和聚异硫茚的材料。
26.如权利要求21所述的方法，其中该电子受体材料包括球碳，且该电子供体材料包括聚噻吩。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008122027A2 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Konarka Technologies, Inc. Novel electrode
JP2010537432A (ja) * 2007-08-24 2010-12-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン 秩序結晶性有機膜の成長
BRPI0819601A2 (pt) * 2007-11-27 2016-04-05 3Gsolar Ltd célula fotovoltaica para converter uma fonte de luz em eletricidade, método de produção de uma célula fotovoltaica para converter uma fonte de luz em eletricidade.
WO2010035195A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Nxp B.V. Solid state battery
KR101557301B1 (ko) * 2009-07-16 2015-10-05 광주과학기술원 상호침투 고분자 네트워크 구조의 광활성층을 구비하는 유기태양전지 및 그 제조방법
WO2011127131A1 (en) * 2010-04-06 2011-10-13 Konarka Technologies, Inc. Novel electrode
US8778724B2 (en) * 2010-09-24 2014-07-15 Ut-Battelle, Llc High volume method of making low-cost, lightweight solar materials
KR101022749B1 (ko) * 2010-12-09 2011-03-17 한국기계연구원 광 여과부를 구비하는 선택적 광 투과형 태양전지
US20150136207A1 (en) * 2012-06-05 2015-05-21 Saint-Gobain Glass France Roof panel comprising an integrated photovoltaic module
EP2883256A1 (en) * 2012-08-13 2015-06-17 Swansea University Opto-electronic device
JP6112545B2 (ja) * 2012-12-14 2017-04-12 学校法人桐蔭学園 色素増感型太陽電池、及びその製造方法、並びにその施工方法
US9640331B2 (en) 2013-03-22 2017-05-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Solid state dye-sensitized solar cell tandem module
EP2808913A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-03 Swansea University A laminated opto-electronic device and method for manufacturing the same
US9577196B2 (en) * 2014-02-28 2017-02-21 International Business Machines Corporation Optoelectronics integration by transfer process
CN106784151B (zh) * 2016-12-28 2018-08-14 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法
EP3364474A1 (en) 2017-02-20 2018-08-22 Epishine AB Laminated solar cell module
CN112789745A (zh) 2018-08-20 2021-05-11 爱普施恩有限公司 层压模块
US11696457B2 (en) 2018-09-14 2023-07-04 Epishine Ab Solar cell lamination
CN112789728B (zh) * 2019-02-18 2024-04-12 爱普施恩有限公司 太阳能电池层压

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150338A (zh) * 1994-05-19 1997-05-21 佳能株式会社 光电元件、它的电极结构及其制造方法
CN1192055A (zh) * 1996-12-27 1998-09-02 佳能株式会社 制造半导体构件的方法和制造太阳电池的方法
US6294401B1 (en) * 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6531704B2 (en) * 1998-09-14 2003-03-11 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for engineering the performance of substances
US6891191B2 (en) * 2003-09-02 2005-05-10 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication
US6900382B2 (en) * 2002-01-25 2005-05-31 Konarka Technologies, Inc. Gel electrolytes for dye sensitized solar cells

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4187917A (en) * 1977-11-30 1980-02-12 Hydroacoustics, Inc. Pile driver
JPS5536950A (en) * 1978-09-05 1980-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacturing of thin film photocell
US4318938A (en) * 1979-05-29 1982-03-09 The University Of Delaware Method for the continuous manufacture of thin film solar cells
US5264285A (en) * 1992-06-08 1993-11-23 Hughes Aircraft Company Method of bonding using polycarborane siloxane polymers
US5730852A (en) * 1995-09-25 1998-03-24 Davis, Joseph & Negley Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
JPH09107119A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Canon Inc 太陽電池モジュール及び製造法
US6258620B1 (en) * 1997-10-15 2001-07-10 University Of South Florida Method of manufacturing CIGS photovoltaic devices
DE19921515A1 (de) * 1999-05-10 2000-11-30 Ist Inst Fuer Solartechnologie Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ia/IIIb/VIa- Verbindungshalbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19958878B4 (de) * 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
US7186911B2 (en) * 2002-01-25 2007-03-06 Konarka Technologies, Inc. Methods of scoring for fabricating interconnected photovoltaic cells
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US6534707B1 (en) * 2000-10-11 2003-03-18 Visteon Global Technologies, Inc. Method for absorbing active, external and dynamic magnetic fields using a ferrite encapsulated coating
JP4662616B2 (ja) * 2000-10-18 2011-03-30 パナソニック株式会社 太陽電池
WO2002084631A1 (fr) * 2001-04-11 2002-10-24 Sony Corporation Procede de transfert d'element, procede de disposition d'element mettant en oeuvre ce procede et procede de production d'un appareil d'affichage d'image
WO2003005457A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-16 Ebara Corporation Solar cell module and method of manufacturing the same
US6881647B2 (en) * 2001-09-20 2005-04-19 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using templates
JP2003128490A (ja) * 2001-10-23 2003-05-08 Sony Corp 薄膜剥離装置
US6897089B1 (en) * 2002-05-17 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Method and system for fabricating semiconductor components using wafer level contact printing
US7449629B2 (en) * 2002-08-21 2008-11-11 Truseal Technologies, Inc. Solar panel including a low moisture vapor transmission rate adhesive composition
JP2005032917A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池の製造方法および転写シート
JP4250488B2 (ja) * 2003-09-16 2009-04-08 キヤノン株式会社 熱圧着方法
JP2005183615A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Ricoh Co Ltd 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置
WO2007011742A2 (en) * 2005-07-14 2007-01-25 Konarka Technologies, Inc. Cigs photovoltaic cells

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150338A (zh) * 1994-05-19 1997-05-21 佳能株式会社 光电元件、它的电极结构及其制造方法
CN1192055A (zh) * 1996-12-27 1998-09-02 佳能株式会社 制造半导体构件的方法和制造太阳电池的方法
US6294401B1 (en) * 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6531704B2 (en) * 1998-09-14 2003-03-11 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for engineering the performance of substances
US6900382B2 (en) * 2002-01-25 2005-05-31 Konarka Technologies, Inc. Gel electrolytes for dye sensitized solar cells
US6891191B2 (en) * 2003-09-02 2005-05-10 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication

Also Published As

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