CN101297218A - 用于检测电子束的暴露的导体件系统和方法 - Google Patents

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Abstract

披露了一种用于检测沿路径产生的电子束(106)强度的检测器(104)。一种示例性的检测器包括连接到支撑件(112)的暴露的导体件(105)，该支撑件(112)配置为将该暴露的导体件(105)设置于电子束(106)路径内；与该暴露的导体件(105)隔离的接地导体件(107)，该导体件(107)部分围绕该暴露的导体件(105)，以形成等离子罩，该等离子罩具有窗口，该窗口至少设置在该电子束的方向上。

Description

用于检测电子束的暴露的导体件系统和方法
背景技术
电子束用于多种不同的应用场合，包括但不局限于，为消毒目的对包装材料的照射。例如，利用等离子束照射对包装材料进行消毒，例如容置液体以用于大众消费的纸盒。为提供对该电子束强度的即时控制，以及监测均一性变化，电子传感器用于剂量照射测量。分析来自于传感器的信号并作为反馈控制信号反馈到电子束控制系统内。在包装材料消毒中，这样的传感器反馈可用于保证足够的消毒等级。根据期望多长时间的保质期以及包装件的分发及存储是在冷冻或还是环境温度下进行，而可选择不同的消毒等级。
一种基于直接测量方法测量电子束强度的现有传感器的类型使用置于真空室内的导体件。该真空室用于提供与周围环境的隔离。因为基于真空的传感器可能相对较大，所以它们设置于直接电子束路径外部，以避免遮挡目标物体。该遮挡可例如妨碍对包装材料的正确照射(并由此妨碍正确的消毒)。因此，这些传感器依赖来自于该电子束外围的次级信息，或者来自于该次级照射的信息，以提供测量。
在操作中，来自于具有充足能量电子束的电子将穿透窗口(如该真空的钛(Ti)窗口)并被导体件吸收。被吸收的电子在导体件内建立电流。该电流的幅度是穿透该真空室窗口的电子数目的度量。该电流提供在传感器位置处的电子束强度的度量。
一种已知的电子束传感器具有真空室，该室带有保护涂层以及在室内部代表信号线的电极，该传感器在公开的美国专利申请No.US2004/0119024中进行了描述。该室壁用于围绕该电极保持真空容积。该真空室具有精确地与该电极对准的窗口，以检测该电子束强度。该传感器配置为相对于被照射的移动物品，设置在对着该电子束发生器的位置，以用于检测次级照射。
在专利申请WO2004/061890中描述了一种类似的离子束传感器。在该传感器的一个实施方式中，真空室被移除，并且该电极提供有绝缘层或膜。提供该绝缘层以避免来自于静电场和由电子束产生的等离子电子的影响，从而大体上避免影响该电极输出。
美国专利No.6,657,212描述了一种电子束照射处理设备，其中在电流检测单元的导体件(例如不锈钢导体件)上提供绝缘膜，该单元设置于电子束管窗口的外部。电流测量单元包括测量电流的电流计。该专利描述了陶瓷涂覆的检测器的优点。
发明内容
披露了一种用于检测沿路径产生的电子束强度的检测器。一种示例性的检测器包括连接到支撑件的暴露的导体件，该支撑件配置为将该导体件设置于电子束路径内；与该暴露的导体件隔离的第二导体件，该第二导体件连接到电压电位并部分围绕该暴露的导体件，以形成等离子罩，该等离子罩具有窗口，该暴露的导体件通过该窗口暴露于电子束，该窗口至少设置在该电子束的方向上。
披露了一种用于检测沿路径产生的电子束强度的装置。该示例性的装置包括用于传导由该电子束的电子建立的电流的装置；以及用于防护该传导装置免受等离子影响的装置，该防护装置具有窗口，该窗口设置为将该传导装置的至少一部分直接暴露于该电子束的路径。
披露了一种用于检测沿路径产生的电子束强度的检测器。一种示例性的检测器包括连接到支撑件的暴露的导体件，该支撑件配置为将该导体件设置在电子束路径内；以及与该暴露的导体件隔离的第二导体件，并设置为通过将该暴露的导体件的暴露大体上限定在至少该电子束路径的方向，而影响在该暴露的导体件上的次级电子的感应。
披露了一种用于利用沿路径发射的电子束照射目标区域的方法。公开一种示例性的方法包括通过电子出射窗口以及沿路径发射电子束；检测从该电子出射窗口离开的电子束，使用暴露的导体件以及与该暴露的导体件隔离的第二导体件执行该检测，该第二导体件部分围绕该暴露的导体件，以形成具有窗口的等离子罩，该窗口至少设置在该电子束路径的方向上；以及相对该暴露的导体件在期望的测量位置保持移动的目标材料。
附图说明
通过阅读以下对实施方式的具体描述，并结合附图，其它的特点和实施方式对本领域的技术人员而言将更加明显，其中相同的参考标号用来指明相同的元件，并且其中：
图1示出了根据一个示例性的实施方式，用于利用电子束照射目标区域的示例性系统；
图2和3A-3B示出了多检测器结构的示例性实施方式；
图4A-4K和图5示出了电子束检测器的备选实施方式。
具体实施方式
图1示出了一种装置，表示为示例性的系统100，其用于照射在沿该路径发射的电子束内的目标区域。该系统100可包括如检测器104的装置，以用于检测沿路径产生的电子束强度。检测器104可包括如暴露的导体件105的装置，以用于传导由该电子束的电子所建立起来的电流。在一个示例性的实施方式中，该暴露的导体件105连接到支撑件112，该支撑件112配置为将该导体件设置于电子束106路径内。
检测器104也可包括如第二导体件107的装置，以用于防护该传导装置免受等离子影响，该防护装置具有窗口，该窗口设置为将该传导装置暴露给该电子束路径。第二导体件107可与暴露的导体件105隔离，并可配置为部分围绕该暴露的导体件，以形成等离子罩。该等离子罩可包括例如窗口，至少该暴露的导体件的一部分通过该窗口直接暴露给该电子束，该窗口设置为至少在该电子束路径的方向上。
在一个示例性的实施方式中，第二导体件107连接到电压电位，例如该检测器的接地电位(例如，该示例性系统100的接地电势)，或者连接到足以影响从该检测器邻近区域内的等离子抽出电子的速率的电压电位。
正如这里所引用的，可通过调整施加在该第二导体件的电压而根据经验来确定上述速率，直到在指定的时间段上对该电子束强度测量的一致性和精确性达到期望的水平。在该指定的时间段内，例如通过将该第二导体件连接到测试电位，以及通过同时使用第二独立的检测器(类似于图1中检测器的配置或其它合适的配置，且其外层处于接地电位)，来监测该电子束强度。该第二检测器可在该指定的时间段上周期性地设置于该电子束路径中，以在设置阶段期间测量电子束强度。当周期地插入该电子束路径内时，该第二检测器可用于获得一种测量，该测量与使用图1中检测器(该检测器持续地保持在该电子束路径内)获得的测量对比。在两个测量之间，可从该电子束路径移走该第二检测器，并且可释放任何等离子堆积(plasma buildup)。图1中检测器上的电压电位可在不同设置阶段循环调整，直到识别施加到该第二导体件的电压电位，其提供期望的图1中检测器测量的一致性和精确性。在一个示例性的实施方式中，0到10伏特量级的电压电位可施加到该第二导体件。
在图1中的实施方式中，第二导体件107设置在导体件105下，从而该“窗口”由不直接面向第二导体件107的导体件105的暴露部分形成。该窗口的另一个示例性实施方式将在以下关于图4进行讨论。第二导体件107与暴露的导体件隔离，并设置为通过大体上将该暴露的导体件的暴露限定到至少该电子束路径的方向，而影响次级电子在该暴露的导体件上的感应(influence)。
示例性检测器104可与图1中系统100的其它部分结合使用。在图1中，系统100包括用于发射电子的装置，例如电子束发生器102，用于沿路径发射电子束106。提供如支撑件114的装置，用于在目标区域108内支撑目标材料。检测器104可用于检测由电子束发生器沿路径产生的电子束106的强度，该电子束106照射目标区域108。
用于沿路径发射电子束106的电子束发生器102包括真空室110。提供支撑件112，以在真空室和目标区域之间沿路径的位置处把持该电子束检测器。检测器104通过绝缘件109与支撑件112隔离。电子束检测器104可形成具有暴露的导体件，该暴露的导体件设置于真空室110和目标区域108之间沿该路径的位置，以检测和瞬时测量存在于该真空室内的电子束106强度。
提供的用于在目标区域108邻近区域内支撑目标材料的支撑件114例如可与包装材料固定设备116相关联。在一个示例性的实施方式中，用于该目标材料的支撑件114可以是包装材料卷材(web)传送辊或者任何其它合适的设备。支撑件114可用于在相对于电子束检测器104的暴露导体件的期望测量位置处，将该目标材料把持在该目标区域内。
例如，该期望的测量位置可以是距该暴露的导电件固定距离的位置。或者，该位置可以是距暴露的导体件可控的、可重复变化的距离。因此，当目标材料移动进入以及在电子束106邻近区域附近时，期望的测量位置可能是多种情况之一。
用于电子束检测器104的支撑件112可配置为在将由电子束发生器102产生的电子束的直接路径内，将检测器设置于该电子束发生器和目标区域108之间。如这里所引用的，词组“直接路径内”指在电子束出射窗口的电子束输出和目标区域之间的位置，从而检测沿电子束106期望宽度的全部电子，而不是仅限制区域内的电子。来自于平行路径内电子束的电子影响设置于目标区域108内的任何目标物。
如示例性的图1中的实施方式所示，电子束发生器102包括高压电源118，其适合用于提供充足的电压以为需要的应用驱动电子束发生器。该电子束发生器还包括热丝电源(filament power supply)120，其参考该高压电源118的高压，具有用于电子束发生器的电子发射热丝122的合适的输出电压。另外，该高压电源包括栅极控制119。
热丝122可在真空室110内容置于反射体内。在示例性的实施方式中，真空室110可不透气地密封。在操作中，来自于热丝122的电子(e-)沿电子束路径发射，例如在朝目标区域108方向上沿电子束106的路径。
在示例性的图1的实施方式中，检测器104示为独立于电子束发生器102。由热丝122产生的电子束106可穿过该电子束发生器的电子出射窗口124。
到达电子束检测器104的电子可被检测和测量。例如，可提供电流计126以测量电子束检测器104暴露的导体件内的电流，以作为电子束强度的度量。来自于电流计的输出可提供给控制器128，该控制器128可用作响应电子束检测器的输出而调整电子束强度的装置。例如，可使用控制器128的负反馈将电子束强度调整到设定值。在示例性的实施方式中，发射的电子束可具有例如，所需要的小于100keV或更少或更大的能量(例如，60至80keV)。
电流计126可以是任何适合直接或间接测量电子束强度的设备。例如，电流计可以是与电阻相结合的电压计，或者安培计，或者任何其它合适的设备。
示例性的电子束检测器104包括暴露的导体件，该导体件可形成为例如裸线探针。在一个示例性的实施方式中，检测器104的暴露的导体件可以是铜或不锈钢电线，或者任何其它合适的导体件。为保护该导线免受环境影响，导线可涂敷以导电涂层。例如，该外部导电涂层可以是惰性导电材料，例如金或钻石。
当导体件被引入至电子束时可捕获电子，这些电子可记录为代表电子束强度瞬时测量的电流。该导体件可配置为相对小的尺寸，以安装入任何几何体。
当从图1中热丝122发射的电子朝该目标区域移动时，该电子会沿该路径与空气分子碰撞。该发射的电子可具有充足的能量以沿该路径离子化该气体，由此产生包含离子和电子的等离子。等离子电子为次级电子，或热电子，其具有与来自电子束的电子相比较低的能量。该等离子电子具有不规则分布的矢量速度，并且移动距离的长度仅是该电子束平均自由路径的一小部分。
在示例性的实施方式中，该检测器可形成为剂量映射单元。例如，图2示出了一种示例性的实施方式，其中可提供两维电子束强度测量。此时，示例性的检测器阵列形成为网格，以在该电子束路径横截面的两个维度内(即，在横断该电子束路径的平面内)测量在多个位置中的每个的电子束强度。
在图2的检测器300中，可在网格结构中提供检测器302阵列，该网格结构可连接到电子束出射窗口306。由此，检测器300可看作检测器网状物，或者剂量匹配单元。来自于各导体件的信息(例如，信号幅度、信号差/比率、导体件位置等)可用于通过处理器304产生发射强度分布曲线。另外，该网格结构可起到保护出射窗口306的作用。
另外，在图2的示例性实施方式中，检测器302可设置为彼此成角度，和/或相对于目标区域内目标材料的期望传送方向成角度，并且在横断电子束路径的平面内。该配置可最小化对经过网格下方的目标材料的遮挡。
例如，当目标物(例如包装材料)从如图2中示意图的较低部分移到该示意图的顶部时，当包装材料经过时，该包装材料的所有部分将会等同地被电子束照射。该成角度的检测器将纵贯其二维横截面在多个位置检测该电子束，由此提供电子束的精确分布曲线，而不影响消毒处理。但是，应当理解的是在一个示例性的实施方式中(图未示)，该角度也可以是0或90度，即该检测器可设置为与电子出射窗口成垂直角度。
图3A和3B示出了示例性的实施方式，其中出射窗口308和310分别形成为具有蜂巢支撑件的结构。该出射窗口可使用支撑在该蜂巢支撑件上的箔片形成。该蜂巢结构的孔允许该电子束由该真空室朝向图3A中检测器104a移动。在图3B中，以对称布置提供多个检测器104b、104c、104d和104e。当然，可使用任何数量的该检测器。这些实施方式中的检测器也可起到窗口保护的作用。
图4A-4K示出了示例性检测器的又一另外的实施方式。这些检测器可依照如图1的检测器104的示例性实施方式来使用。
在图4A中，所示出的检测器包括暴露的导体件404，其用于检测电子束中电子的瞬时强度。检测器104的第二导体件402形成为外部层，其通过绝缘层406与暴露的导体件404隔离。第二导体件402可以关于图1实施方式中第二导体件107所讨论的方式连接到电压电位，例如接地电位或任何其它期望的电位。
该第二导体件402，以及绝缘层406，仅部分围绕导体件404，从而在期望的防护/暴露角度经由窗口408暴露导体件404。在此处描述的示例性实施方式中，该暴露角度是表示直接暴露给电子束106(例如，经由电子束窗口124发射的电子束)的导体件404部分的角度。
在图4A中，导体件404的暴露部分近似为60度，从而防护/暴露角为300度。当然可使用任何合适的防护/暴露角，包括但不限于180度或更小或更大的角度。
在图4A的实施方式中，当该目标材料设置为距导体件固定距离时，等离子基本上不会影响导体件和该电子束强度的测量。该等离子基本上被吸引到该目标材料，并且不会被导体件404捕获。
图4A-4K示出了可用于例如检测器与目标材料之间距离变动的情形的检测器的实施方式。对于如固定距离或者以可控的方式变化的距离，这些检测器也使用。
图4B示出了一种备选的实施方式，其包括暴露的导体件404和保持在如接地的电压电位的第二导体件402。该第二导体件形成具有U形横截面，以及如图所示具有180度的防护/暴露角。提供第二导体件402，从而使接近暴露的导体件404的等离子电子量的变化可由第二导体件402取代。
第二导体件402可用于最小化等离子对电流测量的影响，并形成对该导体件404的防护，以防止导体件404受到围绕等离子电子的相当大地影响。该等离子电子会代之以被接地导体件402吸引。在图4B中所示的实施方式中，导体件404和接地导体件402之间的空气用作绝缘体。使用圆柱形导体件404的可选配置对于本领域的技术人员而言是显而易见的。例如，可行成方形而非圆柱形的导体件。
在图4C中，接地导体件402形成具有更加方形的结构，具有180度的防护/暴露角。
与图4A类似，图4D-4J包括在暴露的导体件404和接地导体件402之间作为绝缘体的绝缘材料。图4D-4J示出了检测器104的另一结构，其中为了说明的目的，该防护/暴露角是180度。
在图4D中，更加方形的横截面用于暴露的导体件404和接地导体件402，并且在两个导体件之间提供绝缘材料406。
图4E示出的检测器包括暴露的导体件404，其具有矩形横截面，并且包括第二导体件，其形成为接地基板402，并且两个导体件之间具有绝缘元件406。
图4F示出了类似的结构，其中基板402形成以匹配绝缘层406和暴露的绝缘件404的形状。
图4G中，使用图4F中的配置，并带有圆柱形的暴露导体件402。在图4G中，需要注意的是第二导体件402包围了面向该电子束发生器的绝缘层406的上部表面。
图4H中，使用圆柱形暴露的导体件和接地导体件，其中第二导体件402具有窗口408，其形成为在面向电子束发生器方向上的开口。
图4I中，示出了另一个实施方式，其中该检测器形成为具有U形横截面的层状结构，包括暴露的导体件404和第二导体件402，并且二者之间具有绝缘层406。
图4J中，示出了略微类似于图1中的实施方式，其中绝缘层406具有U形横截面。第二导体件402分为两个部分，其中每个各自的部分提供在一个U形架的末端上。该暴露的导体件404提供在U形绝缘层的内侧上，并与第二导体件402隔离。
由此，在这些配置中，导体件404的至少一部分直接暴露于来自电子束发生器的电子束。当然，本领域的技术人员应当理解，可使用用于该暴露的导体件、第二导体件和绝缘层的其它的构造、形状以及材料选择。例如，该暴露的导体件可形成为基板的导电表面。同样，该第二导体件可形成为基板的导电表面。两个导体件形成于其上的基板可以是绝缘层或者绝缘元件。
图4K示出了另一实施方式，其中该暴露的导体件404包括在形成为绝缘层406的绝缘件内，该绝缘层为H形构造。于该H形绝缘元件406的部分内提供第二导体件402，从而它与暴露的导体件404隔离，并且不直接暴露给从例如电子出射窗口104发射的电子束106。该导体件402、404可形成为裸线。
该暴露的导体件404和第二导体件402的每个可连接到测量设备，例如电流计412和414，它们分别产生输出A1和A2。电流计412和414的输出可提供给图1中的控制器128。该电子束强度可确定为度量A1-A2，其中A1是与电子和等离子的电流成比例的度量，而A2仅是等离子的度量。这些测量还可用于确定电子束强度。
在图5中，示出了略微类似于图4A的实施方式。提供暴露的导体件504，其优选地由金属制成，例如铝。所述导体件504部分由绝缘层506覆盖，其由氧化物制成，例如氧化铝(Al2O3)。绝缘层可选地由另一种绝缘材料制成，例如聚合物。第二导体件502形成在绝缘层506的外侧上。所述第二导体件502优选地由金(Au)制成。第二导体件502和绝缘层506在目标区域内仅部分围绕导体件504，从而经由窗口508暴露导体件504。但是，窗口508并不沿检测器的整个长度延伸，而仅在目标区域内(即，在电子束路径内)。在检测器末端，暴露铝导线以充当用于该检测器的连接器。根据该实施方式的检测器可加工为使用如阳极氧化工艺由氧化铝厚层覆盖铝导线。使用如等离子气相沉积技术来沉积金层。然后，磨削窗口508以暴露导线504。
图5中描述的实施方式可选地包括由陶瓷管制成的绝缘层506，例如氧化铝(Al2O3)管。该暴露的导体件504可以是不锈钢导线，并可能带有薄的金涂层。该导线的直径优选地略小于该管的内部直径，这样在检测器加工过程中该导线可推入该管中。这样，检测器将不易热膨胀。该管涂覆以第二导体，该第二导体为在该管外部表面的金层502形式。然后，磨削窗口508以暴露导线504。该窗口可具有任何形状，例如矩形、椭圆形等。
本领域的技术人员容易理解，本发明可实现为其它具体形式，而不偏离本发明的精神和实质特点。因此，目前披露的实施方式在各方面都应认为说明性的，而非限制性的。本发明的范围由所附权利要求而非前述说明书来指明，并且在该意义和范围内的所有改变以及其等同方式确定为包括这里。

Claims (35)

1.一种用于检测沿路径产生的电子束(106)的强度的检测器(104；300)，其包括：
连接到支撑件(112)的暴露的导体件(105；404)，该支撑件(112)配置为将该导体件设置于电子束(106)的路径内；以及
与该暴露的导体件(105；404)隔离的第二导体件(107；402)，该导体件(107；402)连接到电压电位并部分围绕该暴露的导体件(105；404)以形成等离子罩，该等离子罩具有窗口，该暴露的导体件(105；404)通过该窗口暴露于电子束(106)，该窗口至少设置在该电子束路径的方向上。
2.根据权利要求1所述的检测器，其中该第二导体件(107；402)连接到该检测器(104)的接地电位。
3.根据权利要求1所述的检测器，其中该第二导体件(107；402)连接到电压电位，该电压电位足以影响从该检测器(104)邻近区域内的等离子抽出电子的速率。
4.根据权利要求1所述的检测器，其包括：
电流计(126)，用于检测该暴露的导体件(105)内的电流，作为对电子束强度的度量。
5.根据权利要求1所述的检测器，其中该暴露的导体件(105)形成具有外部导电涂层。
6.根据权利要求5所述的检测器，其中该外部导电涂层是惰性导电材料。
7.根据权利要求1所述的检测器，其包括：
暴露的导体件阵列，用于在该路径内多个位置中的每个处检测该电子束(106)的强度。
8.根据权利要求7所述的检测器，其中该阵列的暴露的导体设置为相对于目标区域(108)内目标材料的期望传送方向成角度，并且位于横断该路径的平面内。
9.根据权利要求7所述的检测器，其包括：
用于比较在至少两个不同的暴露的导体件内检测到的作为电子束强度度量的电流水平的装置。
10.根据权利要求1所述的检测器，其中该暴露的导体件形成为基板的导电表面。
11.根据权利要求10所述的检测器，其包括：
暴露的导体件阵列，各形成在基板上，以在多个位置的每个处检测该电子束强度。
12.根据权利要求11所述的检测器，其中该暴露的导体件设置为相对于目标区域(108)内目标材料的期望传送方向成角度，并且位于横断该路径的平面内。
13.根据权利要求1所述的检测器，其包括：
连接到该接地导体件(402)的绝缘元件(406)。
14.根据权利要求1所述的检测器(104)，其与用于利用沿路径发射的电子束(106)照射目标区域(108)的系统(100)相结合，该系统包括：
用于沿路径发射该电子束(106)的电子束发生器(102)，其中该电子束发生器(102)包括电子出射窗口(124)，该检测器(104)设置于沿该电子发生器(102)和目标区域(108)之间的路径的位置，以检测和测量从该电子出射窗口(124)射出的电子束(106)的强度。
15.根据权利要求14所述的检测器，其中该检测器(104；300)应用在该电子出射窗口(124)的外部。
16.根据权利要求14所述的检测器，其包括：
电子束控制器(128)，用于响应该电子束检测器(104，300)的输出，调整该电子束(106)的强度。
17.根据权利要求14所述的检测器，其中该电子束(106)以小于100keV的能量发射。
18.根据权利要求14所述的检测器，其包括支撑件(114)，用于在该目标区域(108)内把持目标材料，该支撑件包括：
至少一个包装材料卷材传送辊。
19.根据权利要求1所述的检测器，包括：
以H形结构形成的绝缘件(406)，其中该暴露的导体件(404)和该第二导体件(402)由该绝缘件(406)彼此隔离。
20.一种与根据权利要求19所述的检测器相结合的系统，包括：
连接到该暴露的导体件(404)的第一传感器；
连接到该第二导体件(402)的第二传感器；以及
用于结合该第一和第二传感器的输出以用作电子束强度度量的处理器。
21.用于检测沿路径产生的电子束(106)的强度的装置，包括：
用于传导由该电子束(106)的电子建立的电流的装置(404)；以及
用于防护该传导装置免受等离子影响的装置(406)，该防护装置(406)具有窗口(408)，其设置为将该传导装置(404)的至少一部分直接暴露于该电子束的路径。
22.根据权利要求21所述的装置，其结合：
用于沿路径发射电子束(106)的装置(102)，该发射装置(102)包括电子出射窗口(124)；以及
用于在该目标区域(108)内支撑目标材料的装置(114)。
23.根据权利要求22所述的装置，包括：
用于测量来自传导装置(404)的电流作为电子束强度度量的装置(126)。
24.根据权利要求22所述的装置，其中该传导装置(404)包括：
暴露的导体件阵列，以在该路径内多个位置中的每个处检测该电子束(106)的强度。
25.根据权利要求22所述的装置，其中该传导装置(404)形成为基板上的导电表面。
26.根据权利要求22所述的装置，包括：
用于响应该检测装置(126)的输出而可控地调整该电子束(106)强度的装置(128)。
27.用于检测沿路径产生的电子束强度的检测器，包括：
连接到支撑件(112)的暴露的导体件(404)，该支撑件(112)配置为将该导体件(404)设置在电子束(106)的路径内；以及
与该暴露的导体件(404)隔离的第二导体件(402)，并设置为通过大体上将该暴露的导体件(404)的暴露限定到至少该电子束路径(106)的方向，而影响在该暴露的导体件(404)上的次级电子感应。
28.根据权利要求27所述的检测器，其中通过大体上将所述导体件的暴露角限制为至少在该电子束路径(106)方向上暴露，
而获得在该暴露的导体件(404)上的次级电子感应。
29.根据权利要求27所述的检测器，包括：
电流计(126)，用于检测该暴露的导体件(404，105)内的电流，作为电子束强度的度量。
30.根据权利要求27所述的检测器，包括：
暴露的导体件阵列，以在该路径内多个位置中的每个处检测该电子束(106)强度。
31.根据权利要求27所述的检测器，其中该暴露的导体件形成为基板的导电表面。
32.根据权利要求27所述的检测器，其中该检测器(104)应用在该电子出射窗口(124)外部上。
33.用于利用沿路径发射的电子束(106)照射目标区域(108)的方法，包括：
通过电子出射窗口(124)并沿路径发射电子束(106)；
检测射出该电子出射窗口(124)的电子束(106)，该检测使用暴露的导体件(105；404)执行；以及
与该暴露的导体件(105；404)隔离的第二导体件(107；402)，该第二导体件(107；402)部分围绕该暴露的导体件(105；404)，以形成具有窗口(408)的等离子罩，该窗口至少设置在该电子束路径的方向上；以及
在相对该暴露的导体件(105；404)的期望的测量位置保持移动的目标材料。
34.根据权利要求33所述的方法，其中该暴露的导体件(105；404)设置于该电子出射窗口(124)和该目标材料之间。
35.根据权利要求33所述的方法，包括：
测量来自该暴露的导体件(105；404)的电流，作为电子束强度的度量。
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