KR20230087241A - 검사장치 및 이를 이용한 검사방법 - Google Patents

검사장치 및 이를 이용한 검사방법 Download PDF

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Abstract

실시예는 복수 개의 마이크로 발광소자가 배치되는 스테이지; 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부; 및 상기 스테이지와 상기 전자빔 조사부가 수용되고 내부에 진공을 형성하는 챔버를 포함하는 검사장치를 개시한다.

Description

검사장치 및 이를 이용한 검사방법{INSPECTION DEVICE AND INSPECTION METHOD USING THE SAME}
실시예는 마이크로 발광소자의 불량 여부를 비접촉식으로 검사할 수 있는 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다.
현재 상용화된 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. 최근에는 OLED 디스플레이에 대한 개발이 활발하나 OLED 디스플레이는 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 문제점이 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 발광 다이오드는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다. 특히 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
최근에는 발광 다이오드를 작게 제작한 마이크로 발광소자를 디스플레이의 픽셀로 사용하는 기술에 대한 연구가 진행되고 있다. 이러한 마이크로 발광소자는 한 장의 웨이퍼에 매우 많은 발광소자가 제작되므로 발광소자의 불량 여부를 정확히 검사하는 것이 중요하다.
마이크로 발광소자를 검사하는 방법은 마이크로 발광소자에 접촉하여 발광시키는 접촉 방식과, 발광소자에 접촉하지 않고 발광시키는 비접촉 방식으로 구분될 수 있다.
종래 비접촉식 검사장치는 도 1과 같이 마이크로 발광소자(100)와 필드 플레이트(11)를 이격 배치하고 전압을 인가하여 전기적 필드를 형성함으로써, 마이크로 발광소자(100)에 용량성 전류를 주입하여 발광시키는 구조이다.
그러나, 마이크로 발광소자(100)와 필드 플레이트(11) 사이의 갭(G1, G2)이 일정하지 않으면 용량성 전류 레벨이 달라져 일부 마이크로 발광소자만 발광할 수 있다. 따라서 정확한 검사가 어려워지는 문제가 있다.
실시예는 전자빔을 조사하여 마이크로 발광소자를 발광시키는 검사장치를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 특징에 따른 검사장치는, 복수 개의 마이크로 발광소자가 배치되는 스테이지; 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부; 및 상기 스테이지와 상기 전자빔 조사부가 수용되고 내부에 진공을 형성하는 챔버를 포함한다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 발광하는 광을 검출하는 광검출부; 및 상기 광검출부에서 검출한 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 정보를 이용하여 불량 여부를 판단하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 전자빔 조사부는 제1 전극층, 및 상기 제1 전극층 상에 형성되어 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 향해 전자빔을 방출하는 복수 개의 에미터를 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 에미터는 탄소나노튜브를 포함할 수 있다.
상기 전자빔 조사부에 인가되는 전압을 조절하는 전압 조절부를 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자는, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층은 복수 개로 구획되고, 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 상기 제1 도전형 반도체층은 서로 연결되고, 상기 전압 조절부는 상기 제1 전극층과 상기 제1 도전형 반도체층에 전압을 인가할 수 있다.
상기 전압 조절부는 상기 제1 전극층과 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 하부에 배치된 제2 전극층에 전압을 인가할 수 있다.
상기 전자빔 조사부에서 조사하는 전자빔의 강도를 측정하는 전자빔 측정부를 포함할 수 있다.
상기 전자빔 조사부는 복수 개의 조사 영역을 포함하고, 상기 전자빔 측정부는 상기 복수 개의 조사 영역에 대응되는 복수 개의 감지 영역을 포함하고, 상기 제어부는 일부 감지 영역에서 감지된 전자빔의 강도가 미리 정해진 기준 범위에서 벗어나는 경우, 상기 일부 감지 영역에 대응되는 조사 영역의 전자빔 조사 강도를 조절할 수 있다.
상기 광검출부는 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 생성되어 상기 스테이지의 하부로 출사되는 광을 검출할 수 있다.
상기 광검출부는 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 생성되어 상기 전자빔 조사부의 상부로 출사되는 광을 검출할 수 있다.
본 발명의 일 특징에 따른 검사방법은, 챔버 내부에 진공을 형성하는 단계; 상기 챔버 내부에 배치된 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 강도를 측정하는 단계; 및 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전자빔을 조사하는 단계는, 상기 챔버 내부에 배치된 전자빔 조사부에서 전자빔을 조사하여 상기 마이크로 발광소자를 발광시킬 수 있다.
상기 진공을 형성하는 단계와 상기 전자빔을 조사하는 단계 사이에, 상기 챔버 내부에 배치된 전자빔 조사부의 복수 개의 조사 영역에서 전자빔 강도를 측정하는 단계; 및 상기 복수 개의 조사 영역 중에서 미리 정해진 강도 범위를 벗어나는 조사 영역의 전자빔 강도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 전자빔을 조사하여 마이크로 발광소자를 발광시키는 검사장치를 제공함으로써 복수 개의 마이크로 발광소자를 균일하게 발광시켜 검사할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래 검사장치의 개념도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 검사장치의 개념도이고,
도 3은 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 4는 발광소자가 전자빔에 의해 발광하는 원리를 보여주는 도면이고,
도 5는 도 3의 제1 변형예이고,
도 6은 도 3의 제2 변형예이고,
도 7a 내지 도 7e는 다양한 형태의 에미터를 보여주는 도면이고,
도 8a는 전자빔 측정부가 전자빔의 균일도를 측정하는 상태를 보여주는 도면이고,
도 8b는 제1 전극층과 전자빔 측정부가 복수 개의 영역으로 구분된 상태를 보여주는 도면이고,
도 9는 측정된 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 강도를 보여주는 도면이고,
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 검사장치의 개념도이고,
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 검사장치의 개념도이고,
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 다른 검사장치의 개념도이고,
도 13은 픽업 장치의 점착층을 복수 개의 마이크로 발광소자에 부착한 상태를 보여주는 도면이고,
도 14는 픽업 장치로 복수 개의 마이크로 발광소자를 전사한 후 검사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 15는 도 14의 변형예이고,
도 16은 픽업 장치에 전사된 복수 개의 마이크로 발광소자를 다른 기판에 전사하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 검사 방법을 보여주는 흐름도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 검사장치의 개념도이고, 도 3은 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 4는 발광소자가 전자빔에 의해 발광하는 원리를 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 검사장치는 복수 개의 마이크로 발광소자(100)가 배치되는 스테이지(300), 복수 개의 마이크로 발광소자(100)에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부(200), 및 스테이지(300)와 전자빔 조사부(200)가 수용되고 내부에 진공을 형성하는 챔버(500)를 포함한다.
챔버(500)는 스테이지(300) 및 전자빔 조사부(200)가 수용되며, 내부에 진공을 형성하여 전자빔이 스캐터링되는 것을 방지할 수 있다. 챔버(500)는 10-5 Torr 이하의 진공을 유지할 수 있고, 연속사용시간은 10,000시간 이상일 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하기 위한 다양한 조건을 만족하도록 조정될 수 있다.
마이크로 발광소자(100)는 사이즈가 1㎛ 내지 200㎛인 발광 다이오드일 수 있다. 예시적으로 마이크로 발광소자(100)의 사이즈는 30㎛ 내지 60㎛일 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 다양한 사이즈의 발광 소자가 적용될 수 있다. 또한, 마이크로 발광소자(100) 이외에 200㎛ 내지 500㎛의 미니 사이즈 발광소자도 적용될 수 있다.
마이크로 발광소자(100)는 메사 식각(H1)되어 활성층(130) 및 제2 도전형 반도체층(140)이 복수 개로 구분될 수 있으나, 제1 도전형 반도체층(120)은 서로 연결된 상태일 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 도전형 반도체층(120)도 완전히 분리될 수 있다.
마이크로 발광소자(100)는 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 기판(110) 상에 에피 성장시킬 수 있다.
전자빔 조사부(200)는 제1 전극층(210), 및 제1 전극층(210)의 하부에 형성되어 복수 개의 마이크로 발광소자(100)를 향해 전자빔을 방출하는 복수 개의 에미터(220)를 포함할 수 있다.
제1 전극층(210)은 Al, Ag, Cu, Ti, Pt, Ni, Ir 또는 Rh을 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 제1 전극층(210)은 ITO와 같은 투명 전극으로 제작될 수도 있다. 제1 전극층(210)은 음극일 수 있다.
에미터(220)는 탄소나노튜브(CNT)를 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 탄소나노튜브에 인가되는 전계에 의해 전자빔이 생성될 수 있다.
에미터(220)를 구성하는 복수 개의 탄소나노튜브는 제1 전극층(210)에서 스테이지(300)를 향하는 제1 방향(수직 방향)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 복수 개의 탄소나노튜브는 제1 방향과 수직한 제2 방향(수평 방향)으로 연장된 형상을 가질 수도 있다.
복수 개의 에미터(220)는 제1 전극층(210)에 균일하게 배열될 수 있다. 따라서, 복수 개의 에미터(220)에서 방출되는 전자빔은 균일하게 복수 개의 마이크로 발광소자(100)에 조사될 수 있다.
전압 조절부(400)는 제1 전극층(210)과 마이크로 발광소자(100)의 제1 도전형 반도체층(120)에 전압을 인가할 수 있다. 제1 전극층(210)은 음극 역할을 수행하고, 제1 도전형 반도체층(120)은 양극 역할을 수행할 수 있다.
전압 조절부(400)는 3000V 내지 5000V의 고전압을 1KHz 이하로 펄스 구동할 수 있다. 고전압 펄스가 인가되면 제1 전극층(210)과 마이크로 발광소자(100) 사이에는 전계(Electric Field)가 형성될 수 있다. 따라서, 에미터(220)에서 방출된 전자빔은 마이크로 발광소자(100)에 유효하게 조사될 수 있다.
광검출부(600)는 복수 개의 마이크로 발광소자(100)가 발광하는 이미지 또는 영상을 촬영할 수 있다. 광검출부(600)는 카메라일 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 마이크로 발광소자(100)의 발광 여부를 검출할 수 있는 다양한 검출 장비가 제한 없이 적용될 수 있다.
광검출부(600)는 수집된 발광 강도(스펙트럼) 또는 파장을 분석하여 전기적 신호로 변환한 후, 제어부(700)로 전기적 신호를 전달할 수 있다.
제어부(700)는 검사장치의 전반을 제어하는 프로세서(Processor)이다. 제어부(700)는 전자빔 조사부(200) 및 전압 조절부(400)의 동작을 제어하며, 광검출부(600)의 측정 결과를 수신하여 마이크로 발광소자(100)의 평가 결과가 포함되는 맵 데이터를 출력할 수 있다.
제어부(700)는 검사장치 내 구성요소들의 동작을 제어하기 위한 알고리즘 또는 알고리즘을 재현한 프로그램에 대한 데이터를 저장하는 메모리(미도시), 및 메모리에 저장된 데이터를 이용하여 전술한 동작을 수행하는 프로세서(미도시)로 구현될 수 있다. 이때, 메모리와 프로세서는 각각 별개의 칩으로 구현될 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 메모리와 프로세서는 단일 칩으로 구현될 수도 있다.
제어부(700)는 처리한 데이터를 저장하는 저장부(미도시)와 연결될 수 있으며, 이러한 저장부는 ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 및 플래쉬 메모리(Flash memory)와 같은 비휘발성 메모리 소자 또는 RAM(Random Access Memory)과 같은 휘발성 메모리 소자 또는 하드디스크 드라이브(HDD, Hard Disk Drive), CD-ROM과 같은 저장 매체 중 적어도 하나로 구현될 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.
각각의 마이크로 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(120), 활성층(130), 및 제2 도전형 반도체층(140)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(120)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(120)에 제1 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(120)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 제1 도펀트가 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트인 경우, 제1 도전형 반도체층(120)은 n형 질화물 반도체층일 수 있다.
활성층(130)은 제1 도전형 반도체층(120) 상에 배치될 수 있다. 또한, 활성층(130)은 제1 도전형 반도체층(120)과 제2 도전형 반도체층(140) 사이에 배치될 수 있다.
활성층(130)은 제1 도전형 반도체층(120)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(130)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(130)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(130)의 구조는 이에 한정하지 않는다. 활성층(130)은 가시광 파장대의 광을 생성할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(140)은 활성층(130) 상에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(140)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(140)에 제2 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(140)은 Inx5Aly2Ga1-x5-y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2 도펀트가 도핑된 제2 도전형 반도체층(140)은 p형 반도체층일 수 있다.
도 4를 참조하면, 전자빔(E)이 마이크로 발광소자에 조사되면 활성층에서 전자빔이 충돌하여 전자-정공쌍이 생성될 수 있다. 생성된 전자-정공쌍은 활성층의 장벽층에 의해 우물층에 구속될 수 있다. 구속된 전자와 정공은 재결합을 통해 가시광을 발광할 수 있다.
마이크로 발광소자에서 방출되는 가시광의 강도는 전자빔의 강도(또는 밀도)에 비례할 수 있다. 따라서, 마이크로 발광소자에서 방출되는 광을 검출하여 불량 여부를 판단할 수 있도록 전자빔의 강도(또는 밀도)는 조절될 수 있다.
마이크로 발광소자는 청색 발광소자, 녹색 발광소자, 및 적색 발광소자를 포함할 수 있다. 따라서, 마이크로 발광소자는 청색, 녹색 또는 적색 파장대의 광을 발광할 수 있다. 또한, 패널 기판에 전사가 완료된 마이크로 발광소자의 경우 청색, 녹색, 및 적색 파장대의 광이 동시에 검출될 수도 있다.
실시예에 따르면, 전자빔을 조사하여 마이크로 발광소자를 발광시키는 음극 발광(Cathodoluminescence, CL)방식이므로 다른 비접촉식 발광 방식에 비해 복수 개의 마이크로 발광소자(100)를 균일하게 발광시킬 수 있는 장점이 있다.
주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)은 고체 상태에서 작은 크기의 미세 조직과 형상을 관찰할 때 널리 쓰이는 현미경으로서 초점 심도가 깊고 3차원적인 영상의 관찰이 용이해서 복잡한 표면구조나 결정외형 등의 입체적인 형상을 높은 배율로 관찰할 수 있는 분석 장비이다.
주사전자현미경은 전자빔을 발생 및 가속시키는 전자총(electron gun), 전자빔을 가늘게 모아주는 집속렌즈와 대물렌즈, 필라멘트를 떠난 전자가 시편에 닿을 때까지 전자빔의 경로를 조절하는 주사코일(deflection coil)로 구성되어 있다.
그러나 주사전자현미경은 국소적인 영역에 전자빔을 조사하여 화학 조성을 측정하는 점에서 대면적으로 전자빔을 조사하는 본 실시예와 차이가 있다.
전계방출 디스플레이(Field Emission Display)는 냉음극 전자원인 전계 방출 에미터 어레이를 매트릭스 형태로 배치하고 전자선을 형광체에 조사하여 음극 발광시키는 디스플레이다. 그러나, 전계방출 디스플레이의 에미터는 일반적으로 초소형 전자팁(Micro tips)으로 제작되며 탄소나노튜브로 제작되지 않는 점에서 본 실시예와 차이가 있다. 또한 요구되는 전자빔의 균일도가 본 실시예보다 낮다.
또한, PL(Photoluminesecnce) 방식은 시료에 빛을 주입하여 그 에너지로 여기와 재결합에 의해 빛이 발생하는 방식인 반면, 실시예의 음극 발광(Cathodoluminescence, CL) 방식은 전계 방출된 전자가 전기장에 의해 가속되어 에너지를 얻은 후 LED에 주입되어 빛이 발생하는 점에서 차이가 있다.
도 5는 도 3의 제1 변형예이고, 도 6은 도 3의 제2 변형예이다.
도 5를 참조하면, 발광 구조물을 아이솔레이션을 수행하여 복수 개의 마이크로 발광소자(100)를 제작한 후 불량 여부를 검사할 수도 있다. 실시예에 따르면, 각 마이크로 발광소자(100)의 제1 도전형 반도체층(120)도 메사 식각(H2)에 의해 완전히 분리되므로 전압 조절부(400)는 제1 전극층(210)과 복수 개의 마이크로 발광소자(100)의 하부에 배치된 별도의 제2 전극층(미도시)과 연결될 수 있다.
스테이지(300)가 전도성 재질로 제작된 경우 전압 조절부(400)는 제1 전극층(210)과 스테이지(300)에 연결되어 전계를 형성할 수도 있다.
전자빔 조사부(200)의 상부에 배치된 제1 광검출부(610)는 활성층(130)의 상부로 출사되어 전자빔 조사부(200)를 투과하는 광을 검출할 수 있다. 제1 전극층(210)이 ITO와 같은 투광성 전극으로 제작되어 전자빔 조사부(200)가 충분히 투광성을 갖는다면 제1 광검출부(610)는 유효하게 마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 측정할 수 있다.
스테이지(300)의 하부에 배치된 제2 광검출부(620)는 활성층(130)의 하부로 출사되어 스테이지(300)를 투과하는 광을 검출할 수 있다. 스테이지(300)가 투광성 재질로 제작되는 경우 제2 광검출부(620)는 유효하게 마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 측정할 수 있다.
실시예에서는 제1 광검출부(610)와 제2 광검출부(620)가 동시에 구비된 것을 예시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 광검출부(610) 또는 제2 광검출부(620) 중 어느 하나만을 구비할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 발광 구조물이 복수 개의 마이크로 발광소자로 분리되기 전에도 검사를 진행할 수도 있다. 발광 구조물의 일부 영역에 결함으로 인해 비발광 영역(T1)이 형성된 경우에도 나머지 영역에서는 발광 여부를 검사할 수 있다.
즉, 실시예에 따르면, 발광 구조물에 일부분만을 메사 식각한 상태(도 3 참조), 아이솔레이션에 의해 복수 개의 발광소자를 제작한 상태(도 5 참조), 또는 발광 구조물을 분리하지 않은 상태(도 6 참조)에서도 모두 검사가 가능하다. 또한, 마이크로 발광소자를 기판에서 분리한 전사 이후에서도 검사가 가능하다.
도 7a 내지 도 7e는 다양한 형태의 에미터를 보여주는 도면이다.
실시예에 따르면, 전자빔이 균일하게 복수 개의 마이크로 발광소자에 조사되는 것이 중요할 수 있다. 따라서, 에미터(220)는 균일한 전자빔을 방출하는 다양한 구조가 선택될 수 있다.
도 7a를 참조하면, 기판(230) 상에 제1 전극층(210)이 배치되고, 에미터(220)는 끝단이 뽀족하게 형성되어 전자를 방출하기 용이한 구조를 가질 수 있다. 이때, 절연층(241)과 게이트(242)에 의해 에미터(220)의 끝단 부분만 외부로 노출될 수 있다. 도 7b를 참조하면, 에미터(220)는 상부로 갈수록 급격히 샤프해지는 영역을 가질 수도 있다.
도 7c를 참조하면, 에미터(220)가 횡방향으로 배치되어 전자를 방출할 수도 있다. 이때, 방출된 전자는 휘어져 수직 방향으로 방출될 수 있다. 도 7d를 참조하면, 전압이 제1-1 전극층(210a)과 제1-2 전극층(210b)에 인가되면 제1-1 전극층(210a)에 형성된 제1 에미터(220-1)에서 광이 조사되어 제2 에미터(220-2)에 의해 반사될 수 있다. 도 7e를 참조하면, 에미터(220)에서 방출된 전자가 횡방향으로 방출되어 블록(243)에 의해 충돌하여 진행 방향이 변경될 수도 있다.
도 8a는 전자빔 측정부가 전자빔의 균일도를 측정하는 상태를 보여주는 도면이고, 도 8b는 제1 전극층과 전자빔 측정부가 복수 개의 영역으로 구분된 상태를 보여주는 도면이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 전자빔 측정부(910)는 전자빔 조사부(200)와 스테이지(300) 사이에 배치되어 전자빔의 균일도를 측정할 수 있다. 전술한 바와 같이 복수 개의 마이크로 발광소자(100)에 균일한 전자빔이 조사되어야 균일한 발광이 가능해질 수 있다. 만약 일부 영역에서 전자빔의 강도가 약해진다면 정상적인 발광소자임에도 불량인 것으로 판단할 수 있는 문제가 있다.
전자빔을 조사하여 검사하는 방식은 간접 측정 방식이므로 직접 전류를 인가하여 발광시키는 방식에 비해 상대적으로 발광 강도가 약할 수 있다. 따라서, 전자빔의 강도가 균일하지 않으면 일부 발광소자가 발광하지 않는 것으로 판단될 수 있다. 따라서, 정확한 검사가 어려워질 수 있다.
실시예에 따르면, 전자빔 조사부(200)는 복수 개의 조사 영역(S1 내지 S24)으로 구분될 수 있다. 각 조사 영역은 전압 조절부(400)에 의해 개별적으로 전압 레벨이 조절될 수 있다. 복수 개의 조사 영역(S1 내지 S24)은 24개인 것으로 도시되었으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 조사 영역의 개수는 다양하게 조절될 수 있다.
전자빔 측정부(910)는 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)으로 구분될 수 있다. 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)은 복수 개의 조사 영역(S1 내지 S24)과 서로 매칭되게 배치될 수 있다. 복수 개의 조사 영역(S1 내지 S24)이 24개로 구획된 경우 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)도 동일한 개수로 구획될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 마이크로 발광소자(100)에 전자빔을 조사하기 전에 먼저 전자빔 측정부(910)가 전자빔의 균일도를 측정하여 상대적으로 전자빔의 강도가 불균일한 지점을 검출하고, 해당 영역의 전자빔 강도(또는 밀도)가 미리 정해진 기준 범위(또는 평균 강도)와 매칭되도록 조정할 수 있다.
전자빔 측정부(910)는 구동부(미도시)에 의해 측정시 전자빔 조사부(200)의 하부에 배치되고, 측정이 완료되면 전자빔 조사부(200)의 하부에서 이탈할 수 있다.
예시적으로 중앙에 배치된 제10 조사 영역(S10)은 이웃한 조사 영역(S4, S9, S16, S11)에서 조사된 전자빔의 일부가 더해져 상대적으로 강도가 강할 수 있다. 이에 비해, 가장자리에 배치된 제1 감지 영역(S1)은 이웃한 조사 영역(S2, S7)이 적기 때문에 더해지는 전자빔의 양이 적어 상대적으로 강도가 약할 수 있다. 따라서, 제1 감지 영역(P1)에서 측정한 전자빔의 강도는 제10 감지 영역(P10)에서 측정한 전자빔의 강도보다 약할 수 있다.
이 경우 제어부는 제10 조사 영역(S10)에 비해 제1 조사 영역(S1)의 전압 레벨을 증가시키도록 전압 조절부(400)를 제어할 수 있다. 따라서, 중앙 영역에서의 전자빔의 강도와 가장자리 영역에서의 전자빔 강도를 균일하게 제어할 수 있다.
또는, 검사 결과 제9 감지 영역(P9)의 강도가 미리 정해진 기준 범위(또는 평균 강도)보다 강한 것으로 판단되면 제9 조사 영역(S9)의 전압 레벨을 낮추어 미리 정해진 기준 범위(또는 평균 강도)에 근접하게 조절할 수도 있다. 또한, 제10 감지 영역(P10)의 강도가 약한 것으로 판단되면 제10 조사 영역(S10)의 전압 레벨을 높여 미리 정해진 기준 범위(또는 평균 강도)에 근접하게 조절할 수도 있다. 이러한 조정을 통해 전자빔 조사부(200)에서 조사되는 전자빔의 균일도를 일정하게 조절할 수 있다.
도 9는 측정된 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 강도를 보여주는 도면이다.
도 9를 참조하면, 제어부는 카메라에 수집된 복수 개의 마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 수집하여 맵 데이터를 생성할 수 있다. 제어부는 미리 정해진 발광 강도보다 약한 강도를 갖거나 발광이 없는 마이크로 발광소자(101)는 불량으로 판단할 수 있다.
전사 공정시에는 불량으로 판단된 마이크로 발광소자(101)를 제외한 정상 마이크로 발광소자(100)만을 선택적으로 전사할 수 있다. 또한, 전사가 완료된 이후에 검사한 경우에는 불량으로 판단된 마이크로 발광소자(101)를 선택적으로 제거할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 검사장치의 개념도이고, 도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 검사장치의 개념도이다.
도 10을 참조하면, 챔버(500)는 마이크로 발광소자(100)가 유입될 수 있는 제1 도어(510), 검사가 완료된 마이크로 발광소자(100)가 배출될 수 있는 제2 도어(520), 및 진공을 형성하는 진공 펌프(530)를 구비할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 로봇암 또는 컨베이어벨트에 의해 연속적으로 마이크로 발광소자(100)가 유입 및 배출될 수 있으므로 연속적인 검사가 가능해질 수 있다.
전자빔 조사부(200)는 제1 전극층(210)과 에미터(220) 이외에도 제1 전극층(210)이 배치되는 몸체(250) 및 몸체(250)를 승하강하는 제1 구동부(260)를 더 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 스테이지(300)에 마이크로 발광소자(100)가 안착되면 전자빔 조사부(200)가 하강할 수 있다.
스테이지(300)와 전자빔 조사부(200) 사이의 간격이 최적으로 조정되므로 전자빔을 균일하게 조사할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 스테이지(300)를 승하강시키는 제2 구동부(310)가 배치될 수도 있다.
즉, 제1 구동부(260)에 의해 전자빔 조사부(200)가 승하강할 수도 있고, 제2 구동부(310)에 의해 스테이지(300)가 승하강할 수도 있다. 또한, 제1 구동부(260)와 제2 구동부(310)에 의해 전자빔 조사부(200)와 스테이지(300)가 함께 승하강할 수도 있다.
제1 광검출부(610)는 전자빔 조사부(200)의 몸체(250) 내부에 배치될 수 있다. 제1 전극층(210)과 에미터(220)가 충분히 투명하다면 제1 광검출부(610)는 마이크로 발광소자(100)에서 상부로 방출된 광을 유효하게 검출할 수 있다.
제2 광검출부(620)는 스테이지(300)의 하부에 배치될 수도 있다. 스테이지(300)가 충분히 투명하다면 제2 광검출부(620)는 마이크로 발광소자(100)에서 하부로 방출된 광을 유효하게 검출할 수 있다.
실시예에서는 제1 광검출부(610)와 제2 광검출부(620)가 동시에 구비된 것을 예시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 광검출부(610) 또는 제2 광검출부(620) 중 어느 하나만을 구비할 수도 있다.
도 11을 참조하면, 검사장치는 마이크로 발광소자(100)를 스캐닝하는 구조를 포함할 수도 있다. 전자빔 조사부(200)는 마이크로 발광소자(100)의 일부 영역에 전자빔을 조사하고 광검출부(600)는 해당 영역에서 마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 검출할 수 있다. 또한, 전자빔 조사부(200)와 광검출부(600)는 일 방향(D1)으로 이동하면서 복수 개의 마이크로 발광소자(100)를 검사할 수도 있다.
이러한 구조에 의하면, 전자빔 조사부의 크기를 작게 제작할 수 있고, 마이크로 발광소자의 사이즈에 관계 없이 검사가 가능한 장점이 있다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 다른 검사장치의 개념도이고, 도 13은 픽업 장치의 점착층을 복수 개의 마이크로 발광소자에 부착한 상태를 보여주는 도면이고, 도 14는 픽업 장치로 복수 개의 마이크로 발광소자를 전사한 후 검사하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 15는 도 14의 변형예이고, 도 16은 픽업 장치에 전사된 복수 개의 마이크로 발광소자를 다른 기판에 전사하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 12를 참조하면, 마이크로 발광소자(100)는 패널 기판에 전사하는 공정이 필수적이다. 전사 공정이란 마이크로 발광소자(100)를 성장 기판(110)에서 분리하여 패널 기판에 옮기는 작업으로 정의할 수 있다.
전사 기술은 정전기를 이용하여 전사하는 기술, LLO(Laser-Lift-Off)를 이용하여 전사하는 기술, 및 점착 테이프를 이용하여 전사하는 기술 등이 사용될 수 있다.
예시적으로 점착 테이프를 이용하는 기술은 헤더(800)에 형성된 점착층(820)을 이용하여 마이크로 발광소자(100)를 성장 기판(110)에서 분리할 수 있다.
도 13을 참조하면, 헤더(800)가 하강하여 점착층(820)이 마이크로 발광소자(100)에 접착될 수 있다. 이후, 도 14와 같이 헤더(800)가 승강부(830)에 의해 상승하면 마이크로 발광소자(100)는 기판(110)에서 분리되어 점착층(820)으로 전사될 수 있다.
이때, 기판(110)과 마이크로 발광소자(100)의 결합력이 점착층(820)과 마이크로 발광소자(100)의 결합력보다 약해지도록 조정할 수 있다. 예시적으로 기판(110)을 식각하여 기판(110)과 마이크로 발광소자(100) 사이의 접촉면을 일부 제거하여 기판(110)과 마이크로 발광소자(100)의 결합력을 줄일 수 있다.
헤더(800)에는 전자빔 조사부(200)와 광검출부(600)가 배치될 수 있다. 전사 공정이 진공 상태에서 진행된다면, 전자빔 조사부(200)에서 방출된 전자빔은 점착층(820)을 통과하여 복수 개의 마이크로 발광소자(100)에 조사될 수 있다. 또한, 점착층(820)과 전자빔 조사부(200)가 충분히 투명하다면 광 검출부(600)는 복수 개의 마이크로 발광소자(100)에서 발광된 광을 검출할 수 있다.
이러한 구성에 의하면, 별도의 검사장치에 구비하지 않고도 마이크로 발광소자(100)를 전사하는 과정에서 검사가 가능할 수 있다. 마이크로 발광소자(100)를 선택적으로 전사할 수 있는 정전기 방식 또는 LLO 방식의 경우 이러한 검사 시스템이 더욱 효과적일 수 있다. 예시적으로 헤더(800)를 마이크로 발광소자(100)에 배치하여 상기 검사방식에 의해 불량 여부를 검사한 후 정상인 발광소자만을 선택적으로 전사할 수도 있다.
도 15를 참조하면, 광검출부(600)는 헤더(800)의 하측에 배치될 수도 있다. 따라서, 헤더(800) 내에 배치된 전자빔 조사부(200)에 의해 마이크로 발광소자(100)가 발광하게 되면, 헤더(800)의 하측에 배치된 광검출부(600)는 유효하게 발광 강도를 측정할 수 있다.
도 16을 참조하면, 헤더(800)는 전사 기판(920)으로 이동하여 복수 개의 마이크로 발광소자(100)를 전사시킬 수 있다. 예시적으로 헤더(800)의 점착층(830)에 UV 또는 열을 가하면 점착층(830)은 점성을 잃을 수 있다. 따라서 복수 개의 마이크로 발광소자(820)는 전사 기판(920)에 전사될 수 있다. 전사 기판(920)은 디스플레이 패널 기판일 수도 있고, 별도의 점착 기판일 수도 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 검사 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 2 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 검사 방법은, 챔버(500) 내부에 진공을 형성하는 단계(S10), 챔버(500) 내부에 배치된 마이크로 발광소자(100)에 전자빔을 조사하는 단계(S20); 마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 측정하는 단계(S30); 및 마이크로 발광소자(100)의 불량 여부를 판단하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.
챔버(500) 내부에 진공을 형성하는 단계(S10)는, 마이크로 발광소자(100)가 챔버(500) 내에 배치되면 진공펌프를 가동시켜 챔버(500) 내부의 진공을 10-5 Torr 이하로 조절할 수 있다. 챔버(500) 내의 진공을 10-5 Torr 이하로 조절하면 전자빔이 스캐터링되어 플라즈마가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
챔버(500) 내부에 배치된 마이크로 발광소자(100)에 전자빔을 조사하는 단계(S20)는, 전자빔 조사부(200)와 마이크로 발광소자(100) 사이에 3000V 내지 5000V의 고전압을 1KHz 이하로 펄스 구동할 수 있다.
전자빔이 마이크로 발광소자(100)에 조사되면 활성층에서 전자빔이 충돌하여 전자-정공쌍이 생성될 수 있다. 생성된 전자-정공쌍은 활성층의 장벽층에 의해 우물층에 구속될 수 있다. 구속된 전자와 정공은 재결합을 통해 가시광을 발광할 수 있다.
마이크로 발광소자에서 방출되는 가시광의 강도는 전자빔의 강도(또는 밀도)에 비례할 수 있다. 따라서, 마이크로 발광소자에서 방출되는 광을 검출하여 불량 여부를 판단할 수 있도록 전자빔의 강도(또는 밀도)는 조절될 수 있다.
마이크로 발광소자(100)의 발광 강도를 측정하는 단계(S30)는, 광검출부(600)가 복수 개의 마이크로 발광소자(100)가 발광하는 이미지 또는 영상을 촬영할 수 있다. 광검출부(600)는 카메라일 수 있으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 마이크로 발광소자(100)의 발광 여부를 검출할 수 있는 다양한 검출 장비가 제한 없이 적용될 수 있다.
광검출부(600)는 수집된 발광 강도 또는 파장을 분석하여 전기적 신호로 변환한 후, 제어부(700)로 전기적 신호를 전달할 수 있다.
마이크로 발광소자(100)의 불량 여부를 판단하는 단계(S40)는, 각각의 마이크로 발광소자(100)에서 출사되는 광을 검출하여 정해진 기준 강도 이하의 광을 방출하는 마이크로 발광소자(100)를 불량으로 판단할 수 있다.
실시예에 따르면, 진공을 형성하는 단계(S10)와 전자빔을 조사하는 단계(S20) 사이에, 챔버 내부에 배치된 전자빔 조사부의 복수 개의 조사 영역에서 전자빔 강도를 측정하는 단계; 및 복수 개의 조사 영역 중에서 미리 정해진 강도 범위를 벗어나는 조사 영역의 전자빔 강도를 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 전자빔 강도를 측정하는 단계는 마이크로 발광소자(100)에 전자빔을 조사하기 전에 먼저 전자빔 측정부(910)가 전자빔의 균일도를 측정할 수 있다. 전자빔 측정부(910)는 구동부(미도시)에 의해 측정시 전자빔 조사부(200)의 하부에 배치되고, 측정이 완료되면 전자빔 조사부(200)의 하부에서 이탈할 수 있다.
전자빔 측정부(910)는 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)으로 구분될 수 있다. 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)은 복수 개의 조사 영역(S1 내지 S24)과 서로 매칭되게 배치될 수 있다. 따라서, 복수 개의 감지 영역(P1 내지 P24)에서 측정한 값을 이용하여 어느 조사 영역의 전자빔이 불균일한지 판단할 수 있다.
전자빔 강도를 조절하는 단계는 상대적으로 전자빔의 강도가 불균일한 지점을 검출하여 해당 영역의 전자빔 강도가 미리 정해진 기준 범위(또는 평균 강도)와 매칭되도록 조정할 수 있다.
예시적으로 전자빔의 강도가 약한 지점은 조사 영역의 전압 레벨을 높일 수 있고, 전자빔의 강도가 강한 지점은 조사 영역의 전압 레벨을 낮출 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 복수 개의 마이크로 발광소자가 배치되는 스테이지;
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부; 및
    상기 스테이지와 상기 전자빔 조사부가 수용되고 내부에 진공을 형성하는 챔버를 포함하는 검사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 발광하는 광을 검출하는 광검출부; 및
    상기 광검출부에서 검출한 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 정보를 이용하여 불량 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 검사장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전자빔 조사부는 제1 전극층, 및 상기 제1 전극층 상에 형성되어 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 향해 전자빔을 방출하는 복수 개의 에미터를 포함하는 검사장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수 개의 에미터는 탄소나노튜브를 포함하는 검사장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 전자빔 조사부에 인가되는 전압을 조절하는 전압 조절부를 포함하는 검사장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자는, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층은 복수 개로 구획되고, 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 상기 제1 도전형 반도체층은 서로 연결되고,
    상기 전압 조절부는 상기 제1 전극층과 상기 제1 도전형 반도체층에 전압을 인가하는 검사장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 전압 조절부는 상기 제1 전극층과 상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 하부에 배치된 제2 전극층에 전압을 인가하는 검사장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 전자빔 조사부에서 조사하는 전자빔의 강도를 측정하는 전자빔 측정부를 포함하는 검사 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전자빔 조사부는 복수 개의 조사 영역을 포함하고,
    상기 전자빔 측정부는 상기 복수 개의 조사 영역에 대응되는 복수 개의 감지 영역을 포함하고,
    상기 제어부는 일부 감지 영역에서 감지된 전자빔의 강도가 미리 정해진 기준 범위에서 벗어나는 경우, 상기 일부 감지 영역에 대응되는 조사 영역의 전자빔 조사 강도를 조절하는 검사장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 광검출부는 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 생성되어 상기 스테이지의 하부로 출사되는 광을 검출하는 검사장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 광검출부는 상기 복수 개의 마이크로 발광소자에서 생성되어 상기 전자빔 조사부의 상부로 출사되는 광을 검출하는 검사장치.
  12. 챔버 내부에 진공을 형성하는 단계;
    상기 챔버 내부에 배치된 복수 개의 마이크로 발광소자에 전자빔을 조사하는 단계;
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 발광 강도를 측정하는 단계; 및
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하는 검사방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전자빔을 조사하는 단계는,
    상기 챔버 내부에 배치된 전자빔 조사부에서 전자빔을 조사하여 상기 마이크로 발광소자를 발광시키는 검사방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 진공을 형성하는 단계와 상기 전자빔을 조사하는 단계 사이에,
    상기 챔버 내부에 배치된 전자빔 조사부의 복수 개의 조사 영역에서 전자빔 강도를 측정하는 단계; 및
    상기 복수 개의 조사 영역 중에서 미리 정해진 강도 범위를 벗어나는 조사 영역의 전자빔 강도를 조절하는 단계를 포함하는 검사방법.
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