CN101296605A - 电波吸收多层基板 - Google Patents

Abstract

提供一种电波吸收多层基板，即使在电波吸收基板中压接有绝缘基板的情况下，也能够维持在装入电波吸收多层基板之前电波吸收片所具有的电波吸收率。本发明的电波吸收多层基板(1A)包括：含有软磁性合金粉末(3)及粘接材料(4)的电波吸收片(2)，分别具有与上述电波吸收片(2)面对的对置面(5Aa、5Ba)压接在电波吸收片上的2块绝缘基板(5A、5B)。一方的绝缘基板(5A)的对置面(5Aa)中形成有多个孔(5Ab)。

Description

电波吸收多层基板

技术领域

本发明涉及一种电波吸收多层基板，特别地涉及一种可恰当地利用在需要消除噪音的移动电话机和AV设备等电子设备中所使用的电子电路的电波吸收多层基板。

背景技术

通常，在移动电话机机或无线设备等高频电子设备中，为了抑制由软布线板或IC等的电子线路产生的高频噪音的泄漏，避免从处于高频电子设备的外部的外部电路泄漏的高频噪音混入高频电子设备的电子线路，而在电子线路上粘贴电波吸收多层基板。

如图17所示，通过将2块绝缘基板105A、105B固接在电波吸收片102的表面102a及背面102b上，形成现有的电波吸收多层基板101。由于作为绝缘基板105A、105B除了需要提高绝缘性及保护性外、还需要使其与电波吸收片102的良好粘接性，所以大多采用预浸料。此外，作为电波吸收片102，如图18所示，使用含有软磁性合金粉末103及粘接材料104并形成为片状的材料。虽然作为此软磁合金大多采用铝硅铁粉(Sendust)、高导磁铁镍合金(permalloy)、Ni-Zn铁氧体、Li-铁氧体等高导磁率材料，但是，近年来，采用软磁特性优良的Fe基金属玻璃合金。

在电波吸收片102中使用金属玻璃合金的情况下，使此金属玻璃合金成为扁平粒子状形成软磁性合金粉末103，同时，作为粘接材料104使用硅树脂或聚氯乙烯等并含有这些材料，通过刮浆法(doctor blade)使它们片化后，通过热加压形成电波吸收片102。使用扁平粒子状的金属玻璃合金的电波吸收片102，通过热加压能够减薄电波吸收片102的厚度，同时能够提高金属玻璃合金的密度，所以比使用其它种类的软磁性合金粉末的电波吸收片(未图示)更能够提高电波抑制效果。

但是，如图19及图20所示，使绝缘基板105A、105B热压接在电波吸收片102上形成电波吸收多层基板101的情况下，由于热压接的影响就会软化电波吸收片102的粘接材料104并会使电波吸收片102压缩。由于使用金属玻璃合金的电波吸收片102的虚数导磁率μ”，具有越压缩扁平粒子状的金属玻璃合金就越降低的性质，所以，就存在形成的电波吸收多层基板101的电波吸收率比电波吸收片102具有的电波吸收率更加降低这样的问题。

发明内容

因此，鉴于这些点而进行本发明，本发明的目的在于，提供一种电波吸收多层基板，即使在将绝缘基板压接在电波吸收片上的情况下也能够在装入电波吸收多层基板之前维持电波吸收片具有的电波吸收率。

为了实现上述目的，作为本发明的第1方式，本发明的电波吸收多层基板的特征在于，包括：含有软磁性合金粉末及粘接材料、形成为片状的电波吸收片，分别具有与电波吸收片面对的对置面、夹持电波吸收片而压接在电波吸收片上的2块绝缘基板；2块绝缘基板中至少一块绝缘基板具有形成了1个或2个以上的孔或突部的对置面。

根据本发明的第1方式的电波吸收多层基板，在绝缘基板的压接时，由于电波吸收片中的孔对置部或突起非对置部比其它的部分更难被压缩，所以能够防止电波吸收片的电波吸收率的下降。

本发明的第2方式的电波吸收多层基板，其特征在于，包括：含有软磁性合金粉末及粘接材料、形成为片状的电波吸收片，夹持电波吸收片而压接的2块绝缘基板；形成为具有1个或2个以上贯通孔的片状、使贯通孔与电波吸收片面对、夹在绝缘基板和电波吸收片之间的隔板。

根据本发明的第2方式的电波吸收多层基板，在绝缘基板的压接时，由于电波吸收片中的贯通孔对置部比其它的部分更难被压缩，所以能够防止电波吸收片的电波吸收率的下降。

本发明的第3方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1或第2方式的电波吸收多层基板中，形成2个以上孔或突部或贯通孔。

根据本发明的第3方式的电波吸收多层基板，由于孔或突部或贯通孔相对于电波吸收片是防滑的，所以在绝缘基板的压接时，就能够防止绝缘基板或隔板滑向与该压缩方向正交的方向。

本发明的第4方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第3任意一种方式的电波吸收多层基板中，以固定间隔配置孔或突部或贯通孔。

根据本发明的第4方式的电波吸收多层基板，由于在绝缘基板的孔或隔板的贯通孔之间形成的壁部或绝缘板的突部成为对置面间的支持部并以等间隔配置，所以在绝缘基板的热压接时，就能够提高电波吸收多层基板的耐压缩强度。

本发明的第5方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第4任意一种方式的电波吸收多层基板中，以矩形形状或直线壁状形成孔或突部或贯通孔。

根据本发明的第5方式的电波吸收多层基板，由于容易以固定间隔形成孔或突部或贯通孔，所以就能够容易地增加孔或突部或贯通孔的形成个数。

本发明的第6方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第5任意一种方式的电波吸收多层基板中，以格子状或交错格子状配置孔或突部或贯通孔。

根据本发明的第6方式的电波吸收多层基板，就能够通过增加孔或突部或贯通孔的形成个数，从而在热压接时提高电波吸收多层基板的耐压缩强度。

本发明的第7方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第6任意一种方式的电波吸收多层基板中，在使用预浸料形成绝缘基板及/或隔板的同时，将其热压接在电波吸收片上。

根据本发明的第7方式的电波吸收多层基板，由于预浸料绝缘性及粘接性良好，所以在将电波吸收多层基板粘贴在布线板上时使电波吸收片与形成在布线板上的导体电隔离，同时能够容易地将电波吸收多层基板粘接在布线板上。此外，通过在隔板中使用预浸料，能够防止隔板从电波吸收片移位。

本发明的第8方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第7任意一种方式的电波吸收多层基板中，通过冲压加工形成具有孔或突部的绝缘基板或具有贯通孔的隔板。

根据本发明的第8方式的电波吸收多层基板，由于能够通过一次冲压加工工序形成绝缘基板的孔或突部或者隔板的贯通孔，所以能够容易地形成这些孔或突部或贯通孔。

本发明的第9方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第8任意一种方式的电波吸收多层基板中，软磁性合金粉末是以非晶质相为主相的金属玻璃合金。

根据本发明的第9方式的电波吸收多层基板，由于在提高电波吸收片的导磁率的同时使其磁损失下降，所以能够提高电波抑制效果。

本发明的第10方式的电波吸收多层基板，其特征在于，在第1至第9任意一种方式的电波吸收多层基板中，以25μm～440μm的深度或突出长度或贯通长度形成孔或突部或贯通孔。

根据本发明的第10方式的电波吸收多层基板，由于如果电波吸收片的厚度在其热加压前为25μm～440μm的话，则其虚数导磁率(磁损失)变为10以上，利用这一点，设定孔的深度或突部的长度或贯通孔的贯通长度，使得绝缘基板间距离为最低限度25μm～440μm，所以能够使电波吸收多层基板的虚数导磁率为10以上。

发明效果

根据本发明的电波吸收多层基板，由于通过部分地防止电波吸收片的压缩来防止其电波吸收率的下降，所以起到即使在将绝缘基板压接在电波吸收片上的情况下，也能够维持在装入电波吸收多层基板前电波吸收片所具有的电波吸收率这样的效果。

附图说明

图1是表示第1实施方式的电波吸收多层基板的分解纵剖面图。

图2是表示第1实施方式的电波吸收多层基板的纵剖面图。

图3是表示第1实施方式的在2块绝缘基板之中对置面上形成了孔的绝缘基板的对置面的平面图。

图4是表示在绝缘基板的对置面上形成了1个孔时的电波吸收多层基板的分解纵剖面图。

图5是表示在绝缘基板的对置面上形成了1个孔时的电波吸收多层基板的纵剖面图。

图6是表示在对置面上形成了1个孔的绝缘基板的对置面的平面图。

图7是表示以固定间隔形成孔时的绝缘基板的对置面的平面图。

图8是表示以交错格子状配置孔时的绝缘基板的对置面的平面图。

图9是表示在第1实施方式热压接绝缘基板前的电波吸收片的剖面图。

图10是表示在第1实施方式热压接绝缘基板后的电波吸收片的剖面图。

图11是表示在另一实施方式中在各个对置面上形成了孔时的电波吸收多层基板的分解纵剖面图。

图12是表示在另一实施方式中在各个对置面上形成了孔时的电波吸收多层基板的纵剖面图。

图13是表示在另一实施方式中在各个对置面上形成了突部时的电波吸收多层基板的分解纵剖面图。

图14是表示在另一实施方式中在各个对置面上形成了突部时的电波吸收多层基板的纵剖面图。

图15是表示第2实施方式的电波吸收多层基板的分解纵剖面图。

图16是表示第2实施方式的电波吸收多层基板的纵剖面图。

图17是表示现有的电波吸收多层基板一例的分解纵剖面图。

图18是表示现有的电波吸收多层基板中热压接绝缘基板前的电波吸收片的剖面图。

图19是表示现有的电波吸收多层基板一例的纵剖面图。

图20是表示现有的电波吸收多层基板中热压接绝缘基板后的电波吸收片的剖面图。

符号说明

1A、1A′、1B、1C；2电波吸收片；2c孔对置部；2e贯通孔对置部；3软磁性合金粉末；4粘接材料；5A、5B绝缘基板；5Aa、5Ba对置面；5Ab、5Bb孔；5Ac、5Bc壁部；5Ad突部；6隔板；6b贯通孔

具体实施方式

下面，使用图1至图14，根据第1及第2实施方式说明本发明的电波吸收多层基板。

图1至图3示出了第1实施方式的电波吸收多层基板1A。第1实施方式的电波吸收多层基板1A，如图1所示，包括电波吸收片2及2块绝缘基板5A、5B。

如图9所示，通过刮浆法使含有软磁性合金粉末3及粘接材料4的混合物片化，或通过将软磁性合金粉末3喷射在粘接材料4上的涂敷法进行片化、通过热压接得到电波吸收片2。为了在提高软磁性合金粉末3的密度的同时相互修复电波吸收片2的表面缺损部及内部空隙使电波吸收特性提高，优选多片层叠此电波吸收片2。

作为软磁性合金粉末3，优选使用以非晶质相为主相的金属玻璃合金、特别是Fe基金属玻璃合金。作为Fe基金属玻璃合金的成份，作为一个例子可以使用Fe_{100-x-y-z-w-t}M_xP_yC_zB_wSi_t(M：是选自Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Pt、Pd、Au中的1种或2种以上元素)。表示此成份比的x、y、z、w、t为0.5％原子比≤x≤8％原子比、2％原子比≤y≤15％原子比、0％原子比≤z≤8％原子比、1％原子比≤w≤12％原子比、0％原子比≤t≤8％原子比、70％原子比(100-x-y-z-w-t)≤79％原子比。此外，作为另一例子，可以使用过去一直使用的Fe-Al-Ga-C-P-Si-B类合金或其它的Fe基以外的成份的金属玻璃合金。

在软磁性合金粉末3中使用金属玻璃合金的情况下，最初，粉碎通过液体急冷法急冷所希望的成份的金属玻璃合金金属溶液而得到的合金薄带，或者利用粉碎机等机械地粉碎通过水粉化法或气体粉化法得到的球状粒子，由此获得金属玻璃合金的扁平粒子。对于得到的金属玻璃合金，以缓和内部应力为目的，优选按照需要进行热处理。优选热处理温度Ta是居里温度Tc以上玻璃迁移温度Tg以下的范围。

优选此扁平粒子(未图示)的尺寸比(长径/厚度)为2.5以上，更优选12以上。扁平粒子的尺寸比是2.5以上的情况下，电波吸收片2的虚数导磁率μ”为10以上。此外，此尺寸比为12以上的情况下，电波吸收片2的虚数导磁率为μ”为15以上。再有，虽然由于扁平粒子的尺寸比越高，在电波吸收片2的压缩形成时扁平粒子进行取向，GHz频带的虚数导磁率μ”也越高，提高了电波吸收特性，但根据现在的制造技术的水平，尺寸比的上限是250左右。

此外，作为Fe基金属玻璃合金，优选满足ΔTx＝Tx-Tg＞25K(/ΔTx：过冷却液体的温度间隔、Tx：结晶开始温度、Tg：玻璃迁移温度)的式子。满足上式的Fe基金属玻璃合金软磁性特性优异，电波吸收片2的虚数导磁率μ”为10以上，根据情况为15以上，提高了GHz频带中的电磁波抑制效应，有效地屏蔽了高频的电波。

作为粘接材料4优选使用硅树脂等耐热性树脂或聚氯乙烯等的热可塑性树脂。在此，在电波吸收片2中除软磁性合金粉末3和粘接材料4外，还可以添加甲苯、二甲苯、异丙醇等分散剂或由硬脂酸盐制成的润滑剂。

作为电波吸收片2中的软磁性合金粉末3的含有率，在软磁性合金粉末3中使用金属玻璃合金的情况下，优选为41％体积比以上83％体积比以下的范围。如果软磁性合金粉末3的含有率为41％体积比以上，电波吸收片2的虚数导磁率μ”就会为10以上，所以有效地防止电波吸收片2的阻抗下降。如果软磁性合金粉末3的含有率为83％体积比以下，相邻的软磁性合金粉末3之间就不会直接接触，所以有效地防止电波吸收片2的阻抗下降。

优选电波吸收片2的厚度t，在电波吸收片2的热加压前为25μm以上440μm以下的范围。如果热加压前的电波吸收片2的厚度t为25μm以上440μm以下的范围的话，则电波吸收片2的虚数导磁率μ”为10以上。再有，如果热加压前的电波吸收片2的厚度t为55μm以上400μm以下的范围的话，则电波吸收片2的虚数导磁率μ”为15以上。

如图1所示，使用耐热性树脂或预浸料以薄膜平板状形成电波吸收多层基板1A的2块绝缘基板5A、5B。这些2块绝缘基板5A、5B分别具有与电波吸收片2面对的对置面5Aa、5Ba，以夹持电波吸收片2的形式被分别压接在电波吸收片2的表面2a及背面2b上。使用预浸料形成这些2块绝缘基板5A、5B的情况下，在170℃、40～50Kg/cm²的热加压条件下将2块绝缘基板5A、5B热压接在电波吸收片2上。

第1实施方式的2块绝缘基板5A、5B中，如图1至3所示，至少一侧的绝缘基板(在第1实施方式中上侧的绝缘基板)5A在对置面5Aa上具有孔5Ab。优选孔5Ab的开口总面积约大越好。虽然孔5Ab的个数可以是图4至图6所示的1个或图3、图7或图8所示的2个以上的任何一种，但优选2个以上且尽可能多地形成孔5Ab。

此外，优选如图3、图7或图8所示具有固定间隔配置此孔5Ab，特别地优选以图3或图8所示的格子状或交错格子状配置此孔5Ab，在第1实施方式中选择图3所示的格子配置。

而且，孔5Ab的形状可以是圆形状(未图示)或三角形状(未图示)，如图3所示，优选形成为矩形形状。可以使用任意的方法形成这些孔5Ab，如果考虑形成工序的简化则优选通过一次冲击冲压加工形成这些孔5Ab。优选以25μm～440μm的深度形成这些孔5Ab，如果考虑电波吸收多层基板1A的薄型化和虚数导磁率μ”的提高则优选以50μm～80μm的深度形成这些孔5Ab。

接着，使用附图，说明第1实施方式的电波吸收多层基板1A的作用。

在图1所示的第1实施方式的电波吸收多层基板1A中，在电波吸收片2的软磁性合金粉末3中使用以非晶质相为主相的金属玻璃合金。为此，由于在提高电波吸收片2的导磁率的同时降低其磁损失，所以能够提高电波抑制效应。即使在金属玻璃合金中是上述Fe基金属玻璃合金，也能够进一步提高电波抑制效应。

此外，在第1实施方式中，使用预浸料形成压接在电波吸收片2上的2块绝缘基板5A、5B。由于预浸料的绝缘性及粘接性良好，所以在将电波吸收多层基板1A粘贴在布线板时，能够一面使电波吸收片2与此布线板的导体电隔离，一面容易地将电波吸收多层基板1A粘接在布线板上。

而且，在第1实施方式的电波吸收多层基板1A中，如图2所示，按夹在2块绝缘基板5A、5B中的形式形成电波吸收片2。将这些2块绝缘基板5A、5B热压接在电波吸收片2的表面2a及背面2b上。在热压接2块绝缘基板5A、5B时借助于此热会使电波吸收片2的粘接材料4软化。在此，2块绝缘基板5A、5B的对置面5Aa、5Ba就像现有的绝缘基板105A、105B的对置面那样任何一个都是平滑面(参照图17)。电波吸收片2相比于热加压前会被压缩(参照图19)。由于当电波吸收片2被压缩时，在电波吸收片2的内部具有固定间隔，保持在粘接材料上的软磁性合金粉末3的间隔在层叠方向上变小，所以电波吸收片2本来具有的虚数导磁率μ”会下降，电波吸收片2的电波吸收率就会下降。

因此，在第1实施方式中，如图1所示，在2块绝缘基板5A、5B中的任意一侧的绝缘基板5A的对置面5Aa上设置孔5Ab。由此，如图2所示，即使因绝缘基板5A、5B的压接而使得电波吸收片2被压缩，如图10所示，电波吸收片2中的孔对置部2c比其它的部分2d更难于被压缩。在电波吸收片2中的孔对置部2c中，在电波吸收片2的内部具有固定间隔保持的软磁性合金粉末3的间隔在层叠方向上相比于其它的部分2d不被压缩，此外，由于软磁性合金粉末3的扁平粒子未被压缩而没有变形，所以电波吸收片2的性质不变化，能够防止此电波吸收率的下降。

如图1至图3所示，由于通过形成多个对置面5Aa的孔5Ab，在绝缘基板5A、5B的压接时，在绝缘基板5A、5B的压接时形成在对置面5Aa的孔5Ab和孔5Ab之间的壁部5Ac嵌入电波吸收片2中，防止相对于电波吸收片2的滑动，所以就能够防止绝缘基板5A、5B向与其压缩方向正交的方向滑动。此外，如图4至图6所示，虽然如果对置面5Aa的孔5Ab是1个的话，能够使电波吸收片2的孔对置部2c的面积最大，但绝缘基板5A、5B热加压时的电波吸收多层基板1A的耐压缩强度就会部分地不同。因此，如图3、图7、图8所示，形成2个以上对置面5Aa的孔5Ab，通过以固定间隔配置这些孔，形成在孔5Ab之间的壁部5Ac成为支持部、等间隔地配置，能够提高电波吸收多层基板1A的耐压缩强度。

此外，如图3所示，如果孔5Ab的形状为矩形形状，则一面使在这些孔5Ab和孔5Ab之间形成的壁部5Ac成为规定的厚度，一面使以固定间隔形成孔5Ab变得容易，所以能够提高绝缘基板5A、5B热压接时的电波吸收多层基板1A的耐压缩强度，同时能够容易地增加孔5Ab的形成个数。此时，这些孔5Ab如果以图3所示的格子状或图8所示的交错格子状配置的话，则以规定厚度形成孔5Ab和孔5Ab间的壁部5Ac并以等间隔配置的同时，由于能够不浪费地配置孔5Ab，所以能够一面增加孔5Ab的形成个数一面提高电波吸收多层基板1A的耐压缩强度。

而且，在第1实施方式中，通过冲压加工形成这样的对置面5Aa的孔5Ab。虽然在其它的形成法中有时在绝缘基板5A上形成孔5Ab会困难，但由于如果是冲压加工形成则能够通过一次的工序形成孔5Ab，所以能够容易地形成孔5Ab。而且，以25μm～440μm的深度设定这些孔5Ab。由过去可知电波吸收片2的厚度如果在其热加压前是25μm～440μm的话，其虚数导磁率(磁损失)μ”就会为10以上。此外，可知电波吸收片2的厚度如果在其热加压前是55μm～400μm的话，其虚数导磁率(磁损失)μ”就会为15以上。

就是说，如果利用上述特性设定孔5Ab的深度以使绝缘基板5A、5B间的距离为最低限25μm～440μm的话，就能够使电波吸收多层基板1A的虚数导磁率(磁损失)μ”至少为10以上。但是，使孔5Ab的深度进一步加深时，仅此部分必须相应增厚绝缘基板5A的厚度。因此，由于如果孔5Ab的深度为50μm～80μm左右的话则能够相应减薄仅此部分的绝缘基板5A的厚度，所以就能够同时实现电波吸收多层基板1A的薄膜化及虚数导磁率μ”的提高。

再有，在第1实施方式中虽然仅在2块绝缘基板5A、5B的一侧的绝缘基板5A的对置面5Aa上设置孔5Ab，但在其它的实施方式的电波吸收多层基板1A′中，也可以如图11及图12所示，在2块绝缘基板5A、5B的对置面5Aa、5Ba上分别形成孔5Ab、5Bb。

此外，在第1实施方式中，在绝缘基板5Ad对置面5Aa上设置孔5Ab，在另一实施方式中，也可以如图13及图14所示，在绝缘基板5A的对置面5Aa上形成突部5Ad。由于如果在对置面5Aa上形成突部5Ad的话，则能够在对置面5Aa上产生凹凸，所以难于压缩电波吸收片2中的突部非对置部2e，能够得到与在对置面5Aa设置孔5Ab的作用相同的作用。

因此，在对置面5Aa上形成了突部5Ad的情况下，通过形成2个以上突部5Ad，以固定间隔配置突部5Ad，以格子状或交错格子状配置突部5Ad，通过冲压加工形成突部5Ad以及使突部5Ad的突出长度为25μm～440μm的作用，能够得到与在对置面5Aa上设置孔5Ab的作用相同的作用。此外，如果以固定宽的直线壁状形成突部5Ad的话，则如图3所示，由于能够一面使第1实施方式中的形成在对置面5Aa的孔5Ab间的壁部5Ac成为规定的厚度，一面得到与以固定间隔配置孔5Ab相同的效果，所以能够一面使电波吸收多层基板1B的耐压缩强度提高，一面容易地增加突部5Ad的形成个数。

接着，使用图15及图16，说明第2实施方式的电波吸收多层基板1C。

图15及图16示出第2实施方式的电波吸收多层基板1C。如图15所示，第2实施方式的电波吸收多层基板1C包括电波吸收片2、2块绝缘基板5A、5B及隔板6。对于电波吸收片2而言，使用与在第1实施方式中使用的相同的电波吸收片2。但是，对于2块绝缘基板5A、5B而言，虽然其大部分与第1实施方式相同，但这些对置面5Aa、5Ba的任意一个都不形成孔(或突部5Ad)5Ab，而平滑地形成对置面。代替与此，在电波吸收片2和绝缘基板5A之间包括第1实施方式中没有的隔板6。

如图15所示，使用耐热性树脂或预浸料以均匀的厚度的片形成隔板6的同时，以面对电波吸收片2穿设的形状形成1个或2个以上的贯通孔6b。优选，隔板6的材质与绝缘基板5A、5B的材质一致。此隔板6被压接在电波吸收片2的一侧的面(在第2实施方式中如图15所示其表面2a)。使用预浸料形成这些隔板6及2块绝缘基板5A、5B的情况下，在170℃、50Kg/cm2的热加压条件下，将隔板6与2块绝缘基板5A、5B一起热压接在电波吸收片2上。

隔板6的贯通孔6b，与第1实施方式的对置面5Aa的孔5Ab相同，如图15所示，优选形成2个以上。优选以固定间隔配置此贯通孔6b，更优选以格子状或交错格子状配置此贯通孔6b。

此外，优选以矩形状形成此贯通孔6b，优选通过一次冲压加工形成此贯通孔6b。此时，通过调整隔板6的厚度，将贯通孔6b的贯通长度设定在25μm～440μm，特别地优选设定在50μm～80μm。

接着，使用附图，说明第2实施方式的电波吸收多层基板1C的作用。

在第2实施方式的电波吸收多层基板1C中，与第1实施方式相同，在软磁性合金粉末3中使用以非晶质相为主相的金属玻璃合金。因此，由于在提高电波吸收片2的导磁率的同时，使其磁损失下降，所以就能够提高电波抑制效应。

如图15及图16所示，为了电隔离及保护此电波吸收片2，自此电波吸收片2的表面2a侧及背面2b侧压接2块绝缘基板5A、5B。而且，在第2实施方式的电波吸收多层基板1C中，在绝缘基板5A和电波吸收片2之间插入设置有1个或2个以上的贯通孔6b的隔板2。如图15所示，由于面对电波吸收片2设置隔板6的贯通孔6b，所以如图16所示，面对电波吸收片2中的贯通孔6b的部分即贯通孔对置部2f比其它的部分2g更难于被压缩。由此，与第1实施方式相同，能够防止电波吸收片2的电波吸收率的下降。

此外，如果形成2个以上隔板6的贯通孔6b，则会与第1实施方式中的对置面5Aa的孔5Ab一样，防止贯通孔6b相对于电波吸收片2滑动。因此，就能够在绝缘基板5A、5B的压接时防止绝缘基板5A、5B及隔板6滑向与其压缩方向正交的方向。此外，如果以固定间隔配置2个以上的贯通孔6b的话，则在隔板6的贯通孔6b间形成的壁部6c就成为对置面5Aa、5Ba间的支持部并等间隔地配置。因此，与第1实施方式一样能够提高电波吸收多层基板1C的耐压缩强度。

此外，由于如果以矩形形状形成贯通孔6b的话则很容易按固定间隔形成贯通孔6b，所以能够容易地增加贯通孔6b的形成个数。特别地，通过以格子状或交错格子状配置贯通孔6b，就能够一面使贯通孔6b的形成个数增加，一面使电波吸收多层基板1C的耐压缩强度提高。由于通过一次冲压加工形成这样的隔板6的贯通孔6b，所以能够容易地形成贯通孔6b。

而且，利用如果是电波吸收片2的厚度在其热加压前是25μm～440μm的话，则其虚数导磁率(磁损失)μ”就会为10以上的事实，将贯通孔6b的贯通深度设为25μm～440μm时，就能够与在实施方式1中使对置面5Aa的孔5Ab的深度为25μm～440μm一样，使电波吸收多层基板1C的虚数导磁率(磁损失)μ”为10以上。

此外，使用预浸料形成2块绝缘基板5A、5B及具有贯通孔6b的隔板6，如果对电波吸收片2加热压接的话，由于预浸料的绝缘性及粘接性良好，就能够使电波吸收片2与其它的导体电隔离，同时容易地将电波吸收多层基板1C粘接在其它的布线板上。此外，通过在隔板6中使用预浸料，就能够防止隔板6从电波吸收片2上移位。

即，根据第1及第2实施方式的电波吸收多层基板，由于通过部分地防止电波吸收片2的压缩而防止其电波吸收率的下降，所以即使是在电波吸收片2上压接有绝缘基板5A、5B的情况下，也会起到能够维持在装入电波吸收多层基板1C前电波吸收片2具有的电波吸收率这样的效应。

再有，本发明不限于上述实施方式等，能够按照需要进行各种变更。

Claims (18)

1、一种电波吸收多层基板，其特征在于，包括：

含有软磁性合金粉末及粘接材料、形成为片状的电波吸收片，

分别具有与上述电波吸收片面对的对置面、夹持上述电波吸收片而压接在上述电波吸收片上的2块绝缘基板；

上述2块绝缘基板中至少一块绝缘基板具有形成了1个或2个以上的孔或突部的上述对置面。

2、一种电波吸收多层基板，其特征在于，包括：

含有软磁性合金粉末及粘接材料、形成为片状的电波吸收片，

夹持上述电波吸收片而压接的2块绝缘基板；

形成为具有1个或2个以上贯通孔的片状、使上述贯通孔与上述电波吸收片面对而夹在上述绝缘基板和上述电波吸收片之间的隔板。

3、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

形成2个以上的上述孔或上述突部。

4、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以固定间隔配置上述孔或上述突部。

5、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以矩形形状或直线壁状形成上述孔或上述突部。

6、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以格子状或交错格子状配置上述孔或上述突部。

7、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

在使用预浸料形成上述绝缘基板的同时，将其热压接在上述电波吸收片上。

8、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

通过冲压加工形成具有上述孔或上述突部的上述绝缘基板。

9、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

上述软磁性合金粉末是以非晶质相为主相的金属玻璃合金。

10、根据权利要求1所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以25μm～440μm的深度或突出长度或贯通长度形成上述孔或上述突部或上述贯通孔。

11、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

形成2个以上的上述贯通孔。

12、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以固定间隔配置上述贯通孔。

13、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以矩形形状或直线壁状形成上述贯通孔。

14、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以格子状或交错格子状配置上述贯通孔。

15、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

在使用预浸料形成上述绝缘基板及上述隔板的同时，将其热压接在上述电波吸收片上。

16、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

通过冲压加工形成上述绝缘基板或具有上述贯通孔的隔板。

17、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

上述软磁性合金粉末是以非晶质相为主相的金属玻璃合金。

18、根据权利要求2所述的电波吸收多层基板，其特征在于，

以25μm～440μm的深度或突出长度或贯通长度形成上述贯通孔。

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