CN101295052A - 滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种滤波器，它包括：基膜；形成在基膜的一侧上的防反射层；形成在基膜的另外一侧上的电磁干扰屏蔽层；形成在电磁干扰屏蔽层和显示面板的前基板之间以直接粘接滤波器至显示面板的前基板的粘接层；向外突出形成的导电构件，形成在穿透防反射层和基膜的凹槽内以电连接电磁干扰屏蔽层和导电构件。因此，该滤波器包括单个基膜并能够在等离子显示装置的前表面使电磁干扰屏蔽层接地。另外，提供了包括该滤波器的等离子显示装置。

Description

滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置

技术领域

本发明涉及滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置，并且更具体地讲，涉及包括单个基膜并能够使在等离子显示装置的前表面中的电磁干扰(EMI，electro magnetic interference)屏蔽层接地的滤波器和包括该滤波器的等离子显示装置。

本申请要求2007年4月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2007-0041615和2008年3月27日提交的韩国专利申请No.10-2008-0028492的优先权，这里依据授权范围加入其全部内容。

背景技术

使用等离子显示面板(PDP，plasma display panel)的等离子显示装置是利用气体放电显示图像的平板显示装置，并由于它与传统阴极射线管(CRT，cathode-ray tube)相比在厚度、显示功率(capacity)、亮度、对比度、残影和可视角度方面具有优秀的显示特性而被认为是下一代的平板显示装置。

在构造PDP时，滤波器被贴附至等离子显示面板的前表面以防止反射、屏蔽电磁干扰和阻挡近红外射线。但是，包括多个基膜的多层滤波器的结构不够简单，并且多层滤波器的生产成本也比较高。

发明内容

依据本发明的方面，所提供的滤波器包括：基膜；形成在基膜的一侧上的防反射层；形成在基膜的另外一侧上的电磁干扰(EMI)屏蔽层；形成在EMI屏蔽层和显示面板前基板之间以直接粘接滤波器至显示面板的前基板的粘接层；和突出于滤波器形成的导电构件，容纳在穿透防反射层和基膜的凹槽内以电连接EMI屏蔽层和导电构件。

此时，本导电构件可以为Ag电极，导电构件可以沿滤波器的边缘连续形成，并且凹槽的宽度可以在10到100μm的范围内。

EMI屏蔽层可以包括：具有图案的卤化银层；和镀在卤化银层上面的铜层。卤化银层可以通过在基膜上实行光刻法形成。卤化银层可以通过在基膜上形成感光树脂层和在感光树脂层上实行印刷法形成。

卤化银层和铜层的组合厚度可以在2到6μm的范围内。

依据本发明的另一个方面，提供了包括如上所述的滤波器的等离子显示装置。

附图说明

参考附图详细描述本发明的示例性实施例将使本发明的以上和其它特性和优点变得更为清楚明了，其中相似的附图标记指代相同或相似的部件，在附图中：

图1是示出了使用多层基膜的现有滤波器的截面图；

图2是图1的现有滤波器的平面视图；

图3是依据本发明的实施例的包括单个基膜的滤波器；

图4是图3中的依据本发明的实施例的滤波器的沿图3中的线IV-IV的局部截面图；

图5A到5C是示出依据本发明的实施例的用以形成图3中的滤波器的导电构件的方法的截面图；

图6是依据本发明的另一实施例的包括单个基膜的滤波器的截面图；

图7是依据本发明的另一实施例的包括单个基膜的滤波器的截面图；

图8A到8H是示出使用传统刻蚀法生产网栅型电磁干扰(EMI)屏蔽层的方法的截面图；

图9是示出了依据本发明的实施例的在采用图8A到8H中示出的方法生产的EMI屏蔽层上形成的防反射层的截面图；

图10A到10D是示出依据本发明的实施例的通过使用曝光和镀敷的方法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的视图；

图11是示出了依据本发明的实施例的形成在采用图10A到10D中示出的方法生产的EMI屏蔽层上的防反射层的截面图；

图12A到12D是示出了依据本发明的另一实施例的使用印刷法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的视图；

图13是示出了依据本发明的实施例的在使用图12A到12D中示出的方法生产的EMI屏蔽层上形成的防反射层的截面图；

图14是依据本发明的实施例的包括滤波器的等离子显示装置的透视图；和

图15是依据本发明的实施例的沿图14的线XV-XV的局部截面图。

具体实施方式

先参考附图，图1是示出了使用等离子显示面板(PDP)的等离子显示装置的截面图，以便提供利用气体放电显示图像的平板显示装置，由于它与传统阴极射线管(CRT)相比在厚度、显示功率、亮度、对比度、残影和可视角度方面具有优秀的显示特性而被认为是下一代的平板显示装置。

滤波器1贴附于等离子显示面板的前表面上，以便防止反射、屏蔽电磁干扰(EMI)并阻挡近红外光。如图1中截面图所示，现有滤波器1包括三个基膜。该滤波器包括：防反射层；近红外阻挡层；和EMI屏蔽层，其中每一层都被布置在三个基膜中相应的基膜上。粘接剂被用于粘接滤波器1至等离子显示面板的前表面。图2是如图1所示的现有滤光片的平面视图。由于滤波器1包括多层基膜，EMI屏蔽层2可以暴露于等离子显示面板的前表面(图2中的顶部)和/或后表面。因此，EMI屏蔽层2能够从等离子显示面板的前表面和/或后表面接地。

但是，如上所述，包括多个基膜的多层滤波器的结构不够简单，并且多层滤波器的生产成本也比较高。

图3是依据本发明的实施例的包括单个基膜12的滤波器10的透视图。

图4是依据本发明的实施例的滤波器10的沿图3中的线IV-IV的局部截面图。

参考图3，依据目前实施例的滤波器10包括：防反射层11；基膜12；电磁干扰(EMI)屏蔽层13；和粘接层14，各层从顶部起顺序相叠。防反射层11能够包括1～3个薄的叠层。例如，防反射层11可由减反射层和表面硬度增强层组合而形成。减反射层可以是抗反射(AR)层、防眩(AG)层、或AR/AG的组合层。因此，减反射层散射来自减反射层的表面的入射光，并防止滤波器10周围的光被减反射层的表面所反射。

另外，防反射层11可以是表面硬度增强层。表面硬度增强层是包括硬质涂覆材料的硬质涂层。可防止滤波器10被外部材料划伤。硬质涂层可以使用聚合体作为结合剂。聚合体可以是丙烯基聚合体、氨基甲酸乙酯基聚合体、环氧树酯基聚合体、硅氧烷基聚合体、或紫外线(UV)硬化树酯，如低聚物。这里，可以另外添加硅基滤波器，以增加防反射层11的硬度。

防反射层11可以具有在5.0～10.0μm范围内的厚度、3H的硬度以及1～10％的雾度(haze)，但不局限于此。

基膜12可以用可视光线能够通过的材料形成，并使滤波器10能够直接贴附至等离子显示装置的前表面。就界面特性而言，基膜12可以是任何能够轻松粘接至如玻璃或塑料等材料的透明材料。另外，基膜12可以为了运输和粘接过程方便而用挠性材料形成。

现在将详细描述基膜12。基膜12可以用聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酰纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)形成，并且优选的是用PC、PET、TAC或PEN形成。

基膜12可以被着色以具有预定的颜色。通过控制基膜12的着色条件，可视光线通过滤波器10的透射率能够被控制。例如，当基膜12着色为黑色时，可视光线的透射率减小。另外，透射的可视光线的颜色能够被控制。换句话说，基膜12的颜色可以由用户确定或用以提升采用滤波器10的等离子显示装置的色纯度。另外，基膜12可以对应于等离子显示装置的等离子显示面板的子像素采用彩色图案着色。然而，基膜12可以采用各种方式着色，以进行基膜12的彩色校正。

EMI屏蔽层13屏蔽从等离子显示面板产生并对人体有害的EMI。EMI屏蔽层13可以采用导电材料(比如铜)以网栅形式形成。随后将详细描述在基膜12上以网栅形式形成EMI屏蔽层的方法。

或者，EMI屏蔽层13可以由导电层(未示出)形成。导电层可以由一个或多个金属层形成。另外，导电层可以通过堆叠至少一个金属层或金属氧化物层形成。当金属氧化物层和金属层层叠在一起时，金属氧化物层可以防止金属层被氧化或变质。另外，当EMI屏蔽层13被形成以具有多层层叠结构时，不仅EMI屏蔽层13的表面电阻能够被校正，而且可视光的透射率也能够被控制。

金属层可以由钯、铜、铂、铑、铝、铁、钴、镍、锌、钌、锡、钨、铱、铅(Pb)、银(Ag)或它们的合金形成。另外，金属氧化物层可以由氧化锡、氧化铟、氧化锑、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化镁、氧化硅、氧化铝、金属醇化物、氧化铟锡、或氧化锑锡形成。

导电层不仅能够屏蔽EMI，还可以阻挡近红外射线。因此，外围电子装置能够被防止由于近红外射线而机能故障。

粘接层14形成在EMI屏蔽层13的底部表面上使得滤波器10能够粘接至等离子显示面板的前表面。粘接层14和等离子显示面板的折射率差异不应该超过预定的值，比如1.0％，以减少重影的出现。

粘接层14可以包括：热塑性UV硬化树脂，比如丙烯酸脂基树脂或压敏胶粘剂(PSA)。这样的粘接层14可以使用深涂法、气刀法、滚涂法、线棒刮涂法、或凹板(Gravure)涂法形成。

粘接层14还可以包括：吸收近红外射线的复合物。粘接层14还可以包括：着色剂，比如染料或色素，用以通过阻挡氖光实现色彩校正。着色剂有选择地吸收在可见光范围内的波长范围在400～700nm内的光。特别是在放电等离子显示面板的同时，由于作为放电气体的氖而产生并不需要的波长为大约585nm的可见光。因此，着色剂可以由复合物形成，比如：基于菁的化合物、基于方酸的化合物、基于偶氮甲碱的化合物、基于呫吨的化合物、基于氧鎓醇(oxonol)的化合物、或基于偶氮的化合物形成，以吸收可视光。这样的着色剂可以以微粒分散在粘接层14中。

同时，滤波器10可以有选择地包括近红外射线阻挡层(未示出)和色彩校正层(未示出)中的至少一个层。如上所述，近红外射线能够被EMI屏蔽层13或粘接层14所阻挡，但如果需要，可以添加独立的层以加强对于近红外射线的阻挡。色彩校正层在从等离子显示装置入射的可视光的色纯度低或者在色温需要校正时被使用。

依据本发明的目前的实施例的滤波器10具有范围在20～90％的透射率和范围在1～11％的雾度。

为了使EMI屏蔽层13屏蔽EMI，EMI屏蔽层13需要接地。但是，在传统的包括单个基膜的滤波器中，EMI屏蔽层并不暴露于等离子显示装置的前表面，因此EMI屏蔽层不能被接地。因此，依据本发明的目前的实施例的滤波器10也包括导电构件15。

现在将参考图3和图4描述导电构件15。如图3中所示，导电构件15沿滤波器10的边缘形成。如图4所示，导电构件15在形成在防反射层11和基膜12中的凹槽15a中形成。另外，导电构件15暴露于外侧，使得电连接于EMI屏蔽层13。另外，导电构件15可以沿滤波器10的边缘连续地形成。这里，导电构件15可以是由Ag、Cu、Al或Ni形成的金属电极。凹槽15a的宽度在10～100μm的范围内。

通过形成暴露于防反射层11的顶部表面、将要被电连接于EMI屏蔽层13的导电构件15，EMI屏蔽层13能够在滤波器10的前表面上被接地。另外，由于导电构件15沿滤波器10的边缘连续接触EMI屏蔽层13，从而增加了接地面积，并提高了接地性能。因此，EMI屏蔽性能也得以提高。另外，由于基膜12由一个薄片形成，滤波器10的结构变得简单，并且生产成本能够得以降低。

图5A到5C是示出依据本发明的实施例的形成滤波器10的导电构件15的方法的截面图。形成导电构件15的方法将参考图5A到5C进行描述。

首先，如图5A所示，防反射层11被形成在基膜12的顶部表面上，并且EMI屏蔽层13被形成在基膜12的底部表面上。粘接层14通过在EMI屏蔽层13底面上涂覆粘接剂形成。然后，通过使用图5A中示出的切削构件50，沿如图5B示出的滤波器10的边缘在防反射层11和基膜12中形成凹槽15a。凹槽15a为嵌入导电构件15提供空间。导电构件15可以用Ag形成。EMI屏蔽层13被导电构件15电连接于外侧，因此凹槽15a可以在EMI屏蔽层13的一部分中形成。凹槽15a可以沿滤波器10的边缘被连续或不连续地形成。然后，导电构件15被通过在凹槽15a中涂覆Ag形成，如图5C中所示。

形成导电构件15的方法并不仅限于此，并可以由一个本领域普通技术人员进行修改或改变。

图6是依据本发明的另一个实施例的包括单个基膜22的滤波器20的截面图。滤波器20通过从顶部顺序层叠防反射层21、EMI屏蔽层23、基膜22和粘接层24形成。滤波器10和滤波器20之间的差异在于：EMI屏蔽层23形成在防反射层21和基膜22之间，并且凹槽形成在防反射层21中使得EMI屏蔽层23能够暴露于外侧。导电构件25形成在凹槽内并于防反射层21的顶部表面突出，以电连接EMI屏蔽层23至外侧。

图7是依据本发明的另一个实施例的包括单个基膜32的滤波器30的截面图。滤波器30通过从顶部顺序层叠防反射层31、EMI屏蔽层33、基膜32和粘接层34形成。EMI屏蔽层33包括：EMI屏蔽部分；和接地部分。接地部分环绕EMI屏蔽部分形成。接地部分被配置以被电连接于地电位。滤波器20和滤波器30之间的差异在于：防反射层31的宽度小于基膜32的宽度，从而暴露EMI屏蔽层33的接地部分的上部表面。但是不需要暴露接地部分的整个上部表面。因此，与图4和图6中的滤波器10和20不同，图7中的滤波器30不需要导电构件15或25。

图8A到8H是示出使用传统刻蚀方法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的截面图。首先，参考图8A，粘接剂3被涂覆在基膜2的一侧上，然后，参考图8B，薄铜膜4被层叠在粘接剂3上。参考图8C，光阻层5被形成在薄铜膜4上，然后，参考图8D，紫外射线通过对应于电路版图设计的掩膜照射在光阻层5上。然后，参考图8E，光阻层5a被显影。光阻层5a可采用使光阻层5a暴露于光的区域被显影的正性法或使光阻层5a未暴露于光的区域被显影的负性法而形成。

参考图8F，薄铜膜4的未被光阻层5a覆盖的部分被蚀刻剂蚀刻，然后，参考图8G，用铜形成的网栅图案4a通过移去光阻层5a形成。薄铜膜4的厚度通常在10～12μm的范围内，因而当薄铜膜4被蚀刻时，基膜2的表面会出现微小的凸凹不平。外部光线被这样的不平整的基膜2散射并从而变得模糊。因此，能够防止这种漫射的溶液6应被涂覆在基膜2的表面上，如图8H中所示。但是，通过刻蚀薄铜膜4形成的网栅图案4a具有矩形形状，并且溶液6不容易被涂覆在由网栅图案4a和基膜2形成的拐角区域上。这样，使用传统刻蚀法进行网栅型EMI屏蔽层的生产就完成了。

图9是依据本发明的实施例的在使用图8A到8H中示出的方法生产的EMI屏蔽层上形成的防反射层7的截面图。参考图9，形成在EMI屏蔽层上的防反射层7的厚度通常在5～10μm的范围内，因而仅形成单个防反射层7并不能覆盖网栅图案4a。因此，应形成两个防反射层7或者减小网栅图案4a的厚度。当使用这样的方法生产EMI屏蔽层时，由于薄铜膜的尺寸特性而只有一个具有专有尺寸的EMI屏蔽层能够被生产出。因此，当滤波器尺寸变化，例如，滤波器尺寸增加时，为获得满意的产量而引起生产成本增加。

因此，网栅型EMI屏蔽层可以使用如下描述的曝光和镀敷法或印刷法形成。

图10A到10D是示出依据本发明的实施例的使用曝光和镀敷法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的截面图。首先，参考图10A，感光卤化银16，比如AgCl或者AgNO3，被涂覆在基膜12上。然后，参考图10B，紫外射线通过依据电路版图设计的掩膜照射在感光卤化银16上，从而显影感光卤化银层16a，如图10C中所示。感光卤化银层16a能够采用使暴露区域中的感光材料被显影的正性法或使非暴露区域中的感光材料被显影的负性法形成。在本发明中，能够使用任何方法来形成感光卤化银层16a。由于感光卤化银层16a以网栅图案形成，并且不稳定，它易于被氧化。因此，参考图10D，铜被镀敷在感光卤化银层16a上，以仅在感光卤化银层16a上形成具有高电导的镀敷层17。卤化银层16a和镀敷层17的组合厚度可以在2～6μm的范围内。因此，使用曝光和镀敷法进行网栅型EMI屏蔽层的生产就完成了。图11是依据本发明的实施例的形成在使用如图10A到10D中的方法生产的EMI屏蔽层上的防反射层的截面图。参考图11，为了生产如图6或图7中示出的滤波器20或30这样的滤波器，防反射层11被形成在使用在图10A到10D中示出的方法生产的EMI屏蔽层上。防反射层11的厚度通常在5～10μm的范围内，从而EMI屏蔽层能够通过只形成单个防反射层11而被覆盖。参考图11，铜层的组合，即覆盖在卤化银层16a上的镀敷层17被用于替代薄铜膜作为导电层，从而导电层(卤化银层16a和镀敷层17)可变薄。因此，只需要单个防反射层11，从而生产滤波器的步骤数能够被减少。另外，由于不再对薄铜膜进行刻蚀处理并且薄的感光卤化银16被显影，基膜12的表面能够变得平整，从而不再需要在图8A到8H中示出的生产工艺方法中使用的溶液6，滤波器的生产工艺也得以简化。而且，即使滤波器的尺寸发生变化，例如，即使当滤波器的尺寸增加时，为实现令人满意的产量也不会引起生产成本增加。

使用在图10A到10D中示出的方法生产的EMI屏蔽层可被用于生产图6和7中的滤波器20和30。考虑到为了更好的理解和方便起见，对图6和7中的滤波器20和30的图示进行了许多简化，本领域普通技术人员将理解图11所示的滤波器显示了去除了导电构件25和粘接层24的图6中的滤波器。同样，本领域普通技术人员将明白图11中示出的滤波器也显示了去除了粘接层34的图7中的滤波器。

在图11中示出的滤波器中，基膜12的表面由于薄感光卤化银16被显影而能够变得平整，从而可以不再需要涂覆能够防止由于基膜12的不平整而产生光的漫射的溶液，这简化了滤波器的生产工艺。而且，即使滤波器的尺寸发生变化，例如，即使当滤波器的尺寸增加时，调整至适当的产量所消耗的费用不会增加。

使用图10A到10D中的示出的方法生产的EMI屏蔽层能够被用于生产图4中的滤波器10。考虑到为了更好的理解和方便起见，对图4中的滤波器10的图示进行了许多简化，本领域普通技术人员将理解图4中的滤波器能够基于图10D中示出的EMI屏蔽层生产出，如果防反射层11形成在基膜12上的与形成有EMI屏蔽层一侧相对的另外一侧上，粘接层14形成在EMI屏蔽层上，并且导电构件15形成凹槽内。在包括图10D中示出的EMI屏蔽层的图4示出的滤波器中，基膜12的表面由于薄感光卤化银16被显影而能够变得平整，从而可以不再需要涂覆能够防止由于基膜12的不平整而产生光的漫射的溶液，这简化了滤波器的生产工艺。而且，即使滤波器的尺寸发生变化，例如，即使当滤波器的尺寸增加时，调整至适当的产量所消耗的费用不会增加。

图12A到12D是示出依据本发明的实施例的通过使用印刷法生产网栅型EMI屏蔽层的方法的截面图。首先，参考图12A，感光树脂层18形成在基膜12上。然后，参考图12B，用AgCl或AgNO3形成的卤化银层19被依照电路版图印刷在感光树脂层18上。如果卤化银层19被直接印刷在基膜12上，卤化银层19则易于脱离，所以首先在基膜12上形成感光树脂层18。

由于卤化银层19以网栅图案形成并且不稳定，它易于被氧化，因此铜被镀敷到卤化银层19上。因此，参考图12C，具有高的电导的镀敷层20仅形成在卤化银层19上。然后，显影处理被进行以去除不需要的树脂。因此，参考图12D，感光树脂层18中未被卤化银层19和镀敷层18覆盖的部分被去除。卤化银层19和镀敷层20的组合厚度可以在2～6μm的范围内。

使用图12A到12D中示出的方法生产的EMI屏蔽层可被用于生产图6和7中的滤波器20和30。考虑到为了更好的理解和方便起见，对图6和7中的滤波器20和30的图示进行了许多简化，本领域普通技术人员将理解图13所示的滤波器显示了去除了导电构件25和粘接层24的图6中的滤波器。同样，本领域普通技术人员将明白图13中示出的滤波器也显示了去除了粘接层34的图7中的滤波器。

在图13中的滤波器中，EMI屏蔽层为2～6μm厚，5～10μm厚的防反射层被覆盖在EMI屏蔽层和基膜12上。因此，与图9中示出的传统方法不同，防反射层11能够通过仅一次覆盖使得EMI屏蔽层被埋入防反射层11而完全覆盖EMI屏蔽层。因而，只需要单个防反射层11，从而用以生产膜20或30的步骤数能够得以减少。另外，基膜12的表面能够由于薄感光卤化银19被显影而能够变得平整，从而可以不再需要涂覆能够防止由于基膜12的不平整而产生光的漫射的溶液，这简化了滤波器的生产工艺。而且，即使滤波器的尺寸发生变化，例如，即使当滤波器的尺寸增加时，调整至适当的产量所消耗的费用不会增加。

使用图12A到12D中示出的方法生产的EMI屏蔽层可被用于生产图4中的滤波器10。考虑到为了更好的理解和方便起见，对图4中的滤波器10的图示进行了许多简化，本领域普通技术人员将理解图4中的滤波器10能够基于图12D中示出的EMI屏蔽层生产出，如果防反射层11形成在基膜12上的与形成有EMI屏蔽层的一侧相对的另外一侧上，粘接层14形成在EMI屏蔽层上，并且导电构件15形成凹槽内。在图4中示出的包括在图12D中示出的EMI屏蔽层的滤波器中，基膜12的表面由于薄感光卤化银16被显影而能够变得平整，从而可以不再需要涂覆能够防止由于基膜12的不平整而产生光的漫射的溶液，这简化了滤波器10的生产工艺。而且，即使滤波器10的尺寸发生变化，例如，即使当滤波器10的尺寸增加时，调整至适当的产量所消耗的费用不会增加。

图14是依据本发明的实施例的包括滤波器10的等离子显示装置100的透视图。图15是依据本发明的实施例的沿图14的线XV-XV的局部截面图。

参考图14和15，依据本发明的目前的实施例的等离子显示装置100包括：等离子显示面板150；底架130；和电路单元140。依据本发明的滤波器10被贴附至等离子显示面板150的前表面。粘接剂比如双面胶粘带154可以被用于组合等离子显示面板150和底架130，并且导热构件153可以被布置在底架130和等离子显示面板150之间以在等离子显示面板150工作时通过底架130散发热量。

等离子显示面板150通过气体放电产生图像并包括组合在一起的前面板151和后面板152。依据本发明的以前的实施例的滤波器10、20和30能够通过使用粘接层14被粘接至等离子显示面板150的前表面。尽管滤波器在图14中标注为10，但很明显滤波器20和30也能够被粘接至等离子显示面板150的前表面。

等离子显示面板150的EMI被滤波器10屏蔽，并且眩光现象减少。另外，红外射线和氖光能够被阻挡。而且，由于滤波器10被直接粘接至等离子显示面板150的前表面，由于重影引起的问题能够从根本上得以解决。

另外，与传统的包括两到四层基膜的直接粘接基膜滤波器不同，滤波器10具有简单的结构和低的生产费用。

底架130被布置在等离子显示面板150的后部上，并在结构上支撑等离子显示面板150。底架130可以由具有优秀的硬度的金属比如铝或铁形成，或用塑料形成。

导热构件153被布置在等离子显示面板150和底架130之间。另外，双面胶粘带154沿导热构件153的边缘布置。双面胶粘带154承担将等离子显示面板150和底架130固定在一起的功能。

电路单元140布置在底架130的后部。电路单元140布线形成驱动等离子显示面板150的电路。电路单元140通过信号传输装置向等离子显示面板150传输电子信号。信号传输装置可以是柔性印制电缆(FPC)、带载封装(TCP)、膜上芯片(COF，chip on film)中的一种。在目前的实施例中，FPC 161被布置在底架130的右侧和左侧，并且TCP 160被布置在底架130的顶部和底部。

如上所述，本发明的滤波器被应用于等离子显示面板150，但并不仅限于此，它能够被粘接到各种显示装置的前表面。

尽管本发明已经被具体示出并参考它的示例性实施例进行了描述，本领域普通技术人员能够明白在不偏离如权利要求中定义的本发明的精神和范围的前提下可以在形状和细节方面对其进行各种修改。

Claims (12)

1、一种滤波器，包括：

基膜；

防反射层，形成在所述基膜的一侧上；

电磁干扰屏蔽层，形成在所述基膜的另外一侧上；

粘接层，形成在所述电磁干扰屏蔽层和显示面板的前基板之间，以直接粘接滤波器至显示面板的前基板；和

导电构件，从所述滤波器突出形成并容纳在穿透所述防反射层和基膜的凹槽中，以电连接所述电磁干扰屏蔽层和导电构件。

2、一种滤波器，包括：

基膜；

电磁干扰屏蔽层，形成在所述基膜的一侧上；

防反射层，形成在所述电磁干扰屏蔽层上；

粘接层，形成在所述基膜的另外一侧上，以直接粘接所述滤波器至显示面板的前基板；和

导电构件，从所述滤波器突出形成并容纳在穿透所述防反射层的凹槽中以电连接所述电磁干扰屏蔽层和导电构件。

3、一种滤波器，包括：

基膜；

电磁干扰屏蔽层，形成在所述基膜的一侧上并包括电磁干扰屏蔽部分和环绕所述电磁干扰屏蔽部分形成的接地部分；

防反射层，形成在所述电磁干扰屏蔽层上；和

粘接层，形成在所述基膜的另外一侧上，以直接粘接所述滤波器至显示面板的前基板，

其中，所述电磁干扰屏蔽层的接地部分的至少一部分向所述防反射层暴露。

4、如权利要求1到3中的任何一个所述的滤波器，其中，电磁干扰屏蔽层包括：具有图案的卤化银层；和覆在所述卤化银层上的铜层。

5、如权利要求4所述的滤波器，其中，通过在基膜上实行光刻法形成卤化银层。

6、如权利要求4所述的滤波器，其中，通过在基膜上形成感光树脂层和在感光树脂层上实行印刷法形成卤化银层。

7、如权利要求4所述的滤波器，其中，所述卤化银层和铜层的组合厚度在2到6μm的范围内。

8、如权利要求1和2中的任何一个所述的滤波器，其中，导电构件由从包括Ag、Cu、Al和Au的组中选取的一种材料形成。

9、如权利要求1和2中的任何一个所述的滤波器，其中，导电构件沿滤波器的边缘连续形成。

10、如权利要求1和2中的任何一个所述的滤波器，其中，凹槽的宽度在10到100μm的范围内。

11、如权利要求1和3中的任何一个所述的滤波器，其中，粘接层包括色素或染料。

12、一种等离子显示装置，包括：权利要求1到3中的任何一个所述的滤波器。

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