CN101289753B - 电沉积铝 - Google Patents
电沉积铝 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101289753B CN101289753B CN2008101092607A CN200810109260A CN101289753B CN 101289753 B CN101289753 B CN 101289753B CN 2008101092607 A CN2008101092607 A CN 2008101092607A CN 200810109260 A CN200810109260 A CN 200810109260A CN 101289753 B CN101289753 B CN 101289753B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorine
- chlorine
- hydrogen
- independently
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/42—Electroplating: Baths therefor from solutions of light metals
- C25D3/44—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/11—Use of protective surface layers on electrolytic baths
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种包含镀液的电沉积铝用物质组合物，该镀液包含经选择的铝盐在基本无水有机溶剂中的溶液，涉及特定铝盐用于电沉积的用途，以及涉及电沉积铝的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种电沉积铝用物质组合物，电沉积用特定铝盐的用途，及电沉积铝的方法。
背景技术
铝是具有基于其优良性能的高技术含量的金属。特别是铝涂层被用于许多高科技技术。
铝不可由水溶液进行电沉积。至今电沉积铝成功使用的电沉积镀液(bath)/液均被归入如下三组之一：
a)AlX3(尤其X为Cl或Br)
b)AlH3(尤其在醚中的LiAlH4或AlCl3)
c)AlR3(尤其R为乙基或异丁基)
下面提到的是作为电沉积方法的实例：
如今最普遍使用的方法是采用有机铝电解质的电沉积用镀液。所用的电解质为溶解于芳香族(aromats)的三烷基铝和碱性卤化物的组合。SIGAL-方法(Siemens-Galvanisch Aluminium)是采用如下通式的络合物KF·2AlR3(1∶2络合物)其中采用不同的烷基与烷基混合物铝，(1∶2络合物)优于(1∶1络合物)。
电沉积铝也可由DMSO(二甲亚砜)中的AlCl3和LiCl或由甲醇中的三氟醋酸铝(Al(TFA)3)获得，效率达30％。
尽管以现有技术中通常使用的铝有机化合物得到的铝涂层质量高，但另一方面实施和管理相关工艺普遍相当复杂并不无危险。下面几点列出了所有的问题：
-铝有机化合物对湿度相当敏感，会被微量水分解。而分解伴随着剧烈的水解，导致危险氢的形成。
-所用铝源在空气中自燃。
-铝有机化合物与多种其它的化学品如氧化剂或醇类不能共存。
因此，现有技术中的这些方法必须于保护气体的氛围中在细致管理和严格监控下实施。
所有这些事实和缺点清楚表明非常需要对电沉积铝技术领域的改善。
发明内容
根据本发明的一个方面，是提供一种包含镀液的电沉积铝用物质组合物，该镀液包含经选择的铝盐在基本无水有机溶剂中的溶液。优选地，该盐为卤代铝醇化物。另一个方面是所选择的铝盐用于电沉积的用途。有利地，使用卤代铝醇化物。根据本发明的第三方面，是提供一种由镀液进行电沉积铝的方法，该镀液包含经选择的铝盐在基本无水有机溶剂中的溶液。
具体实施方式
下面的详细描述以本发明可实施的具体实施方案进行示例性说明。理解为可以采用其它的实施方案以及进行结构上或其它的变化而不背离本发明的范围。因此，下面的详细描述无限制意义，本发明的范围由附加的权利要求进行限定。
根据本发明的一个方面，提供一种包含镀液的电沉积铝用物质组合物，该镀液包含铝盐在基本无水有机溶剂中的溶液，该铝盐选自
卤代铝醇化物；或
具有带强吸电子基团的阴离子的铝盐。
物质组合物及下面描述的其它方面表明，提供一种新的由镀液电沉积铝的方式，而无需再必须严格监控和管理-包括电解用密封槽-在现有技术的工艺上显示了较大的优势。本发明不同方面选择的铝盐对湿度依然敏感，但它们既不易于在空气中自燃，也没有显示出任何毒性或与其它化学品如氧化剂的不相共存。因此，该工艺可利用标准电沉积装置于保护气体氛围中实施，而无需严格监控。
此处“基本无水有机溶剂”定义为通过标准Karl-Fischer-Titration测定的水含量等于或小于1％的有机溶剂。进一步理解为基本无水有机溶剂也可为不同的基本无水有机溶剂的混合物。
此处“镀液”定义为容器和包含于该容器中的流体的组合，铝存于流体中。通过阴极和阳极将电流施加于流体，将铝由镀液电沉积由此对选择表面镀铝。
“醇化物”为铝和醇的盐，优选同系醇，优选卤代醇。实例包括甲醇盐、乙醇盐、丙醇盐或丁醇盐，此处尤其是它们的卤代衍生物。
“吸电子基团”或EWG将电子从反应中心拉开。实例包括五卤代苯甲酸根，取代的磺酸根阴离子或卤代羧酸阴离子。
优选铝盐溶解于基本无水有机溶剂中，以0.05-5mol/kg溶剂的浓度，或者也优选以大于或等于0.1mol/kg溶剂的量。
根据本发明物质组合物的一个实施方案中，铝醇化物的醇根阴离子(alcoholate anion)选自卤代甲醇根(halogenated ethanolate)、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
本发明物质组合物的另一个实施方案中，卤代铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物。
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
物质组合物的另一个实施方案，在根据通式Ia-Ig的化合物中，任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
物质组合物的另一个实施方案，在根据通式Ia-Ig的化合物中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢，优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢，更优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
物质组合物的另一个实施方案，在该组合物中卤代铝醇化物的醇根阴离子为通式Ib的化合物。
物质组合物的另一个实施方案，在根据通式Ib的化合物中，R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2和3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢；优选R1、R2和3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢；更优选R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
物质组合物的另一个实施方案中，具有强吸电子基团的阴离子选自：
-五卤代苯甲酸根，优选选自C6F5COO-或C6Cl5COO-；
-取代的磺酸根阴离子，优选选自通用结构II的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-卤代羧酸阴离子，优选通用结构IIIa、IIIb、IIIc或IIId，
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个，优选至少一半为卤素。
此处“烷基”定义为由以任选支链排列的碳和氢原子组成的单价基团。因此“烷基”理解为是指饱和的直链或支链烃，其可为未取代或单取代或多取代。其中C1-4烷基表示C1-、C2-、C3-或C4-烷基，如甲基、乙基、丙基或丁基，如果被取代也可为CHF2、CF3或CH2OH等
术语“取代”在本发明的上下文中理解为是指至少一个氢基团被F、Cl、Br、I、NH2、SH或OH取代，“多取代”(多次取代)理解为是指在不同的或相同的原子上用相同的或不同的取代基进行多次取代，例如三次取代在相同的碳原子上，如CF3的情况，或在不同的位置，如-...CH(OH)-CH2-CH2-CHCl2。“任选至少单取代”是指或者“单取代”、“多取代”或-如果不符合该选项-“未取代”。
物质组合物的另一个实施方案中，在通用结构(III)或(IIIa)-(IIId)的阴离子中，
-R21选自任选至少单取代的CH3、CF3、CCl3、或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢、氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为氟或氯。
物质组合物的另一个实施方案中，有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与上述铝盐不形成络合物的有机溶剂，或具有30-10，优选25-12给体能力(donatorpower)的有机溶剂，或可溶解上述铝盐的溶剂。
应理解为优选使用的有机溶剂也可以-但不必须-具有上述提到性能的组合。由于铝盐在溶剂中的稳定性的原因，特别优选非质子溶剂(不提供氢键)。如果有机溶剂与上述铝盐不形成络合物也是优选的。这可由给体能力部分预测，但-由于溶剂与盐之间相互作用的复杂性-难以由该性能完全预测。无论如何，这可由本领域某些技术人员利用简单的试验方便地测定。测定铝盐可溶解的溶剂也是可实现的。这些是优选的溶剂，特别是铝盐以较高的浓度如5mol/kg，或更优选2.5mol/kg或1mol/kg可完全溶解其中的那些。给体能力是溶剂的特征，明确定义在文献中(Gutmann V.的The Donor-Acceptor Approach to MolecularInteractions，Plenum出版社，纽约1978年)。
物质组合物的另一个实施方案中，有机溶剂选自非质子有机溶剂，或可溶解铝盐的溶剂，优选可溶解铝盐的非质子有机溶剂。
物质组合物的另一个实施方案中，基本无水有机溶剂以不同的基本无水有机溶剂混合物的形式提供。此为混合溶剂方法。
物质组合物的另一个实施方案中，有机溶剂具有低于1％，优选等于或低于0.5％，更优选等于或低于0.25％，最优选等于或低于0.15％的水含量。这可使用标准Karl-Fischer-Titration法进行测定。
物质组合物的另一个实施方案中，有机溶剂选自
-乙腈、四氢呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
-或碳酸酯，优选选自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-1，3-二氧戊环(dioxolan)-2-酮)；
-或羧酸酯；优选选自乙酸乙酯。
物质组合物的还一个实施方案中，铝盐以大于或等于0.1mol/kg溶剂的量，或以0.05-5mol/kg溶剂的浓度存在于镀液中。
物质组合物的另一个实施方案中，镀液另外包含至少一种其它的电解质，优选非水电解质，更优选磷酸盐、烷基磺酸盐、硼酸盐、亚锑酸盐或砷酸盐；最优选电解质选自六氟磷酸盐、三(五氟乙基)三氟磷酸盐、甲烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、四氟硼酸盐、二[草酸根合(2-)]硼酸盐、二[甲硅烷根合(2-)]硼酸盐、二[1，2-苯二酚根合(2-)-0，0’]硼酸盐、六氟锑酸盐、或六氟砷酸盐；或选自六氟磷酸盐或四氟硼酸盐。
此处“电解质”定义为作为电导介质包含自由离子的物质。实例特别包括盐，并包括非水电解质，优选在干电池组或干电池技术领域也公知的那些。实例为磷酸盐、烷基磺酸盐、硼酸盐、亚锑酸盐或砷酸盐。
物质组合物的另一个实施方案中，另外包含阳极和阴极；优选可溶的铝阳极。
“阳极”和“阴极”为这样两个电极，电流通过它们流入极化的电装置，例如包含电解质，如铝盐的溶液。
在物质组合物的另一个实施方案中，将阳极和阴极至少部分置于包含于镀液中的溶液内，同时优选没有阻挡基本无水有机溶剂在阴极和阳极之间流动的物理阻片或膜。
该实施方案被特别作为本发明物质组合物的槽/镀液的不可分割排布。
在物质组合物的另一个实施方案中，该组合物还包含用于从镀液，优选从镀液或包含于镀液内的溶液表面排除氧或湿气或两者的手段；优选以密封、或覆盖镀液或包含于镀液内的溶液表面的罩的，或以用于将保护气体引入到镀液或包含于镀液内的溶液表面的手段的形式；或它们的组合。
“罩”和“密封”指用于封闭包含镀液，或更精确地，包含在本发明物质组合物的镀液内的溶剂表面区域，以防止气体或如湿气侵入的不同手段。特别是这可理解为优选提供封闭系统。另一方面为排除氧气或湿气的侵入另外通常使用的方法是利用保护性气体占据反应混合物，例如包含于镀液中的溶液表面之上的空间。用于引进保护性气体的手段包括例如不同的阀或孔，通过它们可施加保护性气体等，之后例如通过罩或密封优选将保护性气体限制到溶液之上的空间，这也将随之用于进一步地排除气体或湿气的侵入。
另一方面是铝盐用于电沉积铝的用途，该铝盐选自
卤代铝醇化物；或
具有带强吸电子基团阴离子的铝盐。
所述用途的一个实施方案中，铝醇化物的醇根阴离子选自卤代甲醇根、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
所述用途的另一个实施方案中，卤代铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物。
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
所述用途的另一个实施方案，在根据通式(Ia)-(Ig)任一的化合物中，任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
所述用途的另一个实施方案，在根据通式(Ia)-(Ig)任一的化合物中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢，优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢，更优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
所述用途的另一个实施方案，铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ib的化合物。
在根据本发明用途的另一个优选实施方案，根据通式(Ib)的化合物中，R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2和3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢，优选R1、R2和3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢，更优选R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
所述用途的另一个实施方案中，具有强吸电子基团的阴离子选自：
-五卤代苯甲酸根，优选选自C6F5COO-或C6Cl5COO-；
-取代的磺酸根阴离子，优选选自通用结构II的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-卤代羧酸阴离子，优选通用结构IIIa、IIIb、IIIc或IIId
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个，优选至少一半为卤素。
所述用途的另一个实施方案，在根据通式(II)或(IIIa)至(IIId)的化合物中，
-R21选自任选至少单取代的CH3，CF3，CCl3，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢，氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为氟或氯。
所述用途的另一个实施方案中，在导电表面电沉积铝，导电表面优选选自金属、金属合金和导电聚合物。
“导电表面”在本发明的意思是其表面能够传导电流的物体表面。实例包括如金属涂覆的晶片表面(参考下面)。
所述用途的另一个实施方案中，在导电表面电沉积铝，优选导电表面选自金属、金属合金和导电聚合物，更优选在导电金属的金属表面，优选金属选自Ag、Au、Cr、Cu、Fe、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Si、Ta、Ti、V、W、Zn或In、Pb、Sb和Sn；更优选Ag、Au、Cr、Cu、Fe、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Si、Ta、Ti、V、W或Zn；或这些金属的合金。
所述用途的另一个实施方案中，电沉积铝用于生成新的包装材料，用于线路电镀(pattern plating)或代替导电表面上的溅射，或产生导电表面，或用于防腐蚀保护，或用于压条(layering)-任选与其它金属。
此处“溅射”定义为一种方法，在该方法中，由于高能离子对材料的轰击，固体靶材料中的原子喷出射入气相。该方法通常用于薄膜镀，如用金属溅射晶片(参考下面)以形成导电表面。
另一个方面提供由镀液电沉积铝的方法，其中通过将电极/阴极和阳极至少部分置于镀液内，施加电流到镀液，该镀液包含在基本无水有机溶剂中的具有阴离子铝盐的溶液，该铝盐选自
卤代铝醇化物；或
带有强吸电子基团阴离子的铝盐。
所述方法的另一个实施方案，以直流电的连续方式如DC方法，或脉冲式改变强度的方式如脉冲电镀，施加电流。
所述方法的另一个实施方案中，阳极为可溶性的铝阳极。
所述方法的另一个实施方案中，没有阻挡有机溶剂在阴极和阳极之间流动的物理阻片或膜。
该实施方案被特别描绘成根据本发明方法的槽/镀液(cell/bath)的不可分割排布。
所述方法的另一个实施方案中，从镀液表面排除氧气或湿气或两者；优选通过密封，或覆盖镀液或包含于镀液中的溶液表面的罩，或将保护气体引入到镀液或包含于镀液中的溶液表面的手段；或它们的组合。
所述方法的一个实施方案中，铝醇化物的醇根阴离子选自卤代甲醇根、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
所述方法的另一个实施方案中，铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物。
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
所述方法的另一个实施方案，在根据通式(Ia)-(Ig)的化合物中，任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
所述方法的另一个实施方案，在根据通式(Ia)-(Ig)的化合物中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢，优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢，更优选R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
所述方法的另一个实施方案，卤代铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ib的化合物。
所述方法的另一个实施方案，在通式(Ib)的化合物中，R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯，优选为氟或氯，更优选或者全部为氟或全部为氯；或
R1、R2和3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢，优选R1、R2和3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢，更优选R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
所述方法的另一个实施方案中，具有强吸电子基团的阴离子选自：
-五卤代苯甲酸根，优选选自C6F5COO-或C6Cl5COO-；
-取代的磺酸根阴离子，优选选自通用结构II的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-卤代羧酸阴离子，优选通用结构IIIa、IIIb、IIIc或IIId
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个或优选至少一半为卤素。
所述方法的另一个实施方案，在根据通式(II)或通式(IIIa)至(IIId)的化合物中，
-R21选自任选至少单取代的CH3，CF3，CCl3，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
-R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢，氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为氟或氯。
本发明方法的另一个实施方案中，有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与Cr(II)或Cr(III)或它们各自的盐不形成络合物的有机溶剂或具有30-10，优选25-12给体能力的有机溶剂，或铝盐可溶解其中的溶剂。
所述方法的另一个实施方案中，有机溶剂选自非质子有机溶剂，或铝盐可溶解其中的溶剂。优选铝盐可溶解其中的非质子有机溶剂。
所述方法的另一个实施方案中，基本无水有机溶剂以不同的基本无水有机溶剂混合物的形式提供。此为混合溶剂方法。
所述方法的另一个实施方案中，有机溶剂具有低于1％，优选等于或低于0.5％，更优选等于或低于0.25％，最优选等于或低于0.15％的水含量。
所述方法的另一个实施方案中，有机溶剂选自
-乙腈、四氢呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
-或碳酸酯，优选选自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-1，3-二氧戊环-2-酮)；
-或羧酸酯；优选选自乙酸乙酯。
所述方法的另一个实施方案中，镀液另外包含至少一种其它的电解质，优选非水电解质，更优选磷酸盐、烷基磺酸盐、硼酸盐、亚锑酸盐或砷酸盐；最优选电解质选自六氟磷酸盐、三(五氟乙基)三氟磷酸盐、甲烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、四氟硼酸盐、二[草酸根合(2-)]硼酸盐、二[甲硅烷根合(2-)]硼酸盐、二[1，2-苯二酚根合(2-)-0，0’]硼酸盐、六氟锑酸盐、或六氟砷酸盐；或选自六氟磷酸盐或四氟硼酸盐。
除了上述列举的部分用途，本发明的各方面可用于多种高实用价值的用途。包括在晶片上的电沉积铝。晶片优选半导体材料，例如用于微电子的硅晶体的薄片，于其上例如可通过各种方式构造微电路。
铝的用途可完全替换铜的用途。电沉积铝似乎可以比溅射更经济。本发明方面的电沉积铝可形成较厚的铝层。目前这些较厚的层通过首先生成Cu ECD的替代方法获得。本发明-特别是其廉价的铝层-在此可为更划算的替代品。
铝合金可通过目标压条如Cu、Ge进行生产。甚至可生产具有不同层的夹层结构(例如Cu 100nm/Al 5μm/Cu 100nm/Al 10μm)。铝合金具有改善的传导性或电子迁移性。甚至可实施线路电镀从而得到厚铝层构造。
以溅射作为对比，铝层的经济和技术极限为5μm。
通常铝比铜有如下优势：
-较小的压力导致较低的晶片弯曲
-根据现有技术，铝与Alu w/b、Au w/b、和Cu w/b是可粘容的。
-铝可自钝化且不容易产生氧化问题。
另外，通过本发明方面得到的电沉积铝，还可用于生产新的包装材料，其中使用金属带代替线包装。此处使用较厚的铝是有利的。它可以
-易于构造，
-具有厚且经济的层
-和自钝化。
另外，由本发明方面得到的电沉积铝，还可用于电镀精炼或作为腐蚀保护。导电表面或优选的金属在上面已有所描述。
虽然此处举例说明和描述了具体的实施方案，本领域普通技术人员将理解各种替换和/或等效实施方案可以代替所给出的具体实施方案，而不背离本发明的范围。该申请意在覆盖在此讨论的具体实施方案的任意变通方法或变化。因此，这意味着本发明只受限于权利要求及其等效范围。
实验部分
第一个试验：制备溶液为基本无水乙腈中含0.3mol/kg Al(OCH2CF3)3的镀液，并于50℃通过阳极和阴极施加电流密度j为-0.2--0.8mA/cm2的电流。将铝电沉积于黄铜上。结果可参见图1-4。
第二个试验：制备溶液为基本无水乙腈中含0.3mol/kg Al(OCH2CF3)3的镀液，并于50℃通过阳极和阴极施加电流密度j为-0.2--0.5mA/cm2的电流。将铝电沉积于铂上。结果可参见图5。
图1作为第一个试验黄铜上电沉积铝的扫描电子显微镜总视图。可以看到不同的区(暗和明)，可能由于具有上部搅拌器和底部电极的浴/槽结构。暗区与明区相比，具有较厚的层，但也更脆弱并具有更多裂纹。明区的层较薄，更透亮且更均匀。因此清楚表明通过选择合适的条件可以获得不同形式的层。
图2为黄铜上电沉积铝的扫描电子显微镜视图，限于上述暗区(图1)。
图3为黄铜上电沉积铝的扫描电子显微镜视图，限于上述明区(图1)。
图4为黄铜上电沉积铝的扫描电子显微镜视图，限于上述明区(图1)。另外显示了明区的EDX(X-射线能量分布)。由此，特定试样的元素可通过X-射线激发原子进行测定，并测量被激发粒子的能量。该EDX显示了所形成层的纯度和质量，其中氟来自于醇化物。
图5作为第二个试验在铂上电沉积铝的扫描电子显微镜总视图。另外显示了EDX(X-射线能量分布)。由此，特定试样的元素可通过X-射线激发原子进行测定，并测量被激发粒子的能量。该EDX显示了所形成层的纯度和质量，其中氟来自于醇化物。
Claims (94)
1.一种包含镀液的电沉积铝用物质组合物，该镀液包含铝盐在基本无水有机溶剂中的溶液，该铝盐选自
卤代铝醇化物，其中所述卤代铝醇化物中的卤素选自氟或氯；或
具有带吸电子基团的阴离子的铝盐，其中所述具有带吸电子基团的阴离子选自五卤代苯甲酸根、取代的磺酸根阴离子或卤代羧酸阴离子。
2.如权利要求1的组合物，其中所述铝醇化物的醇根阴离子选自卤代甲醇根、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
3.如权利要求1的组合物，其中所述卤代铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物，
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
4.如权利要求3的组合物，其中任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
5.如权利要求3的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
6.如权利要求5的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
7.如权利要求5的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12全部为氟或全部为氯。
8.如权利要求5的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
9.如权利要求5的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
10.如权利要求3的组合物，其中所述卤代铝醇化物的醇根阴离子为通式Ib的化合物。
11.如权利要求10的组合物，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2和R3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢。
12.如权利要求10的组合物，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
13.如权利要求10的组合物，其中R1、R2、R3、R11和R12全部为氟或全部为氯。
14.如权利要求10的组合物，其中R1、R2和R3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢。
15.如权利要求10的组合物，其中R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
16.如权利要求1的组合物，其中所述具有吸电子基团的阴离子选自：
C6F5COO-或C6Cl5COO-；
通用结构Ⅱ的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
通用结构Ⅲa、Ⅲb、Ⅲc或Ⅲd的卤代羧酸阴离子，
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个为卤素。
17.如权利要求16的组合物，其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为卤素。
18.如权利要求16的组合物，其中
R21选自任选至少单取代的CH3、CF3、CCl3、或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢、氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的的至少一半为氟或氯。
19.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与权利要求1-18的铝盐不形成络合物的有机溶剂，或具有30-10给体能力的有机溶剂，或权利要求1-18的铝盐可溶解其中的溶剂。
20.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与权利要求1-18的铝盐不形成络合物的有机溶剂，或具有25-12给体能力的有机溶剂，或权利要求1-18的铝盐可溶解其中的溶剂。
21.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂具有低于1％的水含量。
22.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.5％的水含量。
23.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.25％的水含量。
24.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.15％的水含量。
25.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自
乙腈、四氢呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
或碳酸酯；
或羧酸酯。
26.如权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-1，3-二氧戊环-2-酮)或乙酸乙酯。
27.如权利要求1的组合物，其中所述铝盐以大于或等于0.1mol/kg溶剂的量，或以0.05-5mol/kg溶剂的浓度存在于镀液中。
28.如权利要求1的组合物，其中所述镀液另外包含至少一种其它的电解质。
29.如权利要求28的组合物，其中所述其它的电解质是非水电解质。
30.如权利要求28的组合物，其中所述其它的电解质是磷酸盐、烷基磺酸盐、硼酸盐、亚锑酸盐或砷酸盐。
31.如权利要求28的组合物，其中所述其它的电解质是六氟磷酸盐、三(五氟乙基)三氟磷酸盐、甲烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、四氟硼酸盐、二[草酸根合(2-)]硼酸盐、二[甲硅烷根合(2-)]硼酸盐、二[1，2-苯二酚根合(2-)-0，0’]硼酸盐、六氟锑酸盐、或六氟砷酸盐；或选自六氟磷酸盐或四氟硼酸盐。
32.如权利要求1的组合物，其中另外包含阳极和阴极。
33.如权利要求1的组合物，其中另外包含可溶的铝阳极。
34.如权利要求1的组合物，其中所述组合物还包含用于从镀液排除氧或湿气或两者的手段；。
35.如权利要求34的组合物，其中所述手段是用于从镀液或包含于镀液内的溶液的表面排除氧或湿气或两者的手段。
36.如权利要求35的组合物，其中所述手段是以密封、或覆盖镀液或包含于镀液内的溶液表面的罩，或用于将保护气体引入到镀液或包含于镀液内的溶液表面的手段的形式；或它们的组合。
37.铝盐用于电沉积铝的用途，该铝盐选自
卤代铝醇化物，其中所述卤代铝醇化物中的卤素选自氟或氯；或
具有带吸电子基团的阴离子的铝盐，其中所述具有带吸电子基团的阴离子选自五卤代苯甲酸根、取代的磺酸根阴离子或卤代羧酸阴离子。
38.如权利要求37的用途，其中所述铝醇化物的醇根阴离子选自卤代甲醇根、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
39.如权利要求37的用途，其中所述卤代铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物，
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
40.如权利要求39的用途，其中任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
41.如权利要求39的用途，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
42.如权利要求39的用途，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
43.如权利要求39的用途，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12全部为氟或全部为氯。
44.如权利要求39的用途，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
45.如权利要求39的用途，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
46.如权利要求39的用途，其中所述铝醇化物的醇根阴离子为通式Ib的化合物。
47.如权利要求46的用途，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2和R3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢。
48.如权利要求46的用途，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
49.如权利要求46的用途，其中R1、R2、R3、R11和R12全部为氟或全部为氯。
50.如权利要求46的用途，其中R1、R2和R3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢。
51.如权利要求46的用途，其中R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
52.如权利要求37的用途，其中所述具有吸电子基团的阴离子选自：
C6F5COO-或C6Cl5COO-；
通用结构Ⅱ的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代的C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
通用结构Ⅲa、Ⅲb、Ⅲc或Ⅲd的卤代羧酸阴离子，
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个为卤素。
53.如权利要求52的用途，其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为卤素。
54.如权利要求52的用途，其中
R21选自任选至少单取代的CH3、CF3、CCl3、或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢、氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为氟或氯。
55.如权利要求37的用途，其特征在于铝被电沉积在导电表面。
56.如权利要求37的用途，其特征在于铝被电沉积在导电表面，所述导电表面选自金属、金属合金和导电聚合物。
57.如权利要求37的用途，其特征在于铝被电沉积在导电金属的金属表面或Si的表面。
58.如权利要求57的用途，其特征在于所述金属选自Ag、Au、Cr、Cu、Fe、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Ta、Ti、V、W、Zn或In、Pb、Sb和Sn；或选自这些金属的合金。
59.如权利要求57的用途，其特征在于所述金属选自Ag、Au、Cr、Cu、Fe、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Ta、Ti、V、W、或Zn；或选自这些金属的合金。
60.如权利要求37的用途，其特征在于电沉积铝用于生成新的包装材料，用于线路电镀或代替导电表面上的溅射，或产生导电表面，或用于防腐蚀保护，或用于压条-任选与其它金属。
61.由镀液电沉积铝的方法，其中通过将电极和阳极至少部分置于镀液内，施加电流到镀液，该镀液包含在基本无水有机溶剂中的带有阴离子的铝盐的溶液，该铝盐选自
卤代铝醇化物，其中所述卤代铝醇化物中的卤素选自氟或氯；或
具有带吸电子基团的阴离子的铝盐，其中所述具有带吸电子基团的阴离子选自五卤代苯甲酸根、取代的磺酸根阴离子或卤代羧酸阴离子。
62.如权利要求61的方法，其中所述阳极为可溶性铝阳极。
63.如权利要求61的方法，其中没有阻挡有机溶剂在阴极和阳极之间流动的物理阻片或膜。
64.如权利要求61的方法，其中从镀液表面排除氧气或湿气或两者。
65.如权利要求61的方法，其中从镀液表面排除氧气或湿气或两者是通过密封，或覆盖镀液或包含于镀液中的溶液表面的罩，或将保护气体引入到镀液或包含于镀液中的溶液表面的手段；或它们的组合达成。
66.如权利要求61的方法，其中所述铝醇化物的醇根阴离子选自卤代甲醇根、卤代乙醇根、卤代异丙醇根、卤代正丙醇根、卤代异丁醇根、卤代正丁醇根或卤代叔丁醇根。
67.如权利要求61的方法，其中所述铝醇化物的醇根阴离子为根据通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或Ig的任意一种的化合物，
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢或卤素，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的至少一个为卤素。
68.如权利要求67的方法，其中任意给定阴离子中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12中的一半以上为卤素。
69.如权利要求67的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氢、氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
70.如权利要求67的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
71.如权利要求67的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12全部为氟或全部为氯。
72.如权利要求67的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9彼此独立地选自氟或氯，而R10、R11和R12为氢。
73.如权利要求67的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9或者全部为氟或全部为氯，而R10、R11和R12为氢。
74.如权利要求67的方法，其中所述卤代铝醇化物的醇根阴离子为通式Ib的化合物。
75.如权利要求74的方法，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氢、氟或氯；或其中R1、R2和R3彼此独立地选自氢、氟或氯，而R11和R12为氢。
76.如权利要求74的方法，其中R1、R2、R3、R11和R12彼此独立地选自氟或氯。
77.如权利要求74的方法，其中R1、R2、R3、R11和R12全部为氟或全部为氯。
78.如权利要求74的方法，其中R1、R2和R3彼此独立地选自氟或氯，而R11和R12为氢。
79.如权利要求74的方法，其中R1、R2和R3或者全部为氟或全部为氯，而R11和R12为氢。
80.如权利要求61的方法，其中所述具有吸电子基团的阴离子选自：
C6F5COO-或C6Cl5COO-；
通用结构Ⅱ的任意一种的磺酸根阴离子
其中R21选自任选至少单取代的C1-4烷基，或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
通用结构Ⅲa、Ⅲb、Ⅲc或Ⅲd的卤代羧酸阴离子，
其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一个为卤素。
81.如权利要求80的方法，其中R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢或卤素，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为卤素。
82.如权利要求80的方法，其中
R21选自任选至少单取代的CH3、CF3、CCl3、或甲苯甲酰(p-甲苯)；或
R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37彼此独立地选自氢、氟或氯，R31、R32、R33、R34、R35、R36和R37中的至少一半为氟或氯。
83.如权利要求80的方法，其中所述有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与Cr(II)或Cr(III)或其各自盐不形成络合物的有机溶剂，或具有30-10给体能力的有机溶剂，或铝盐可溶解其中的溶剂。
84.如权利要求80的方法，其中所述有机溶剂选自非质子有机溶剂，或与Cr(II)或Cr(III)或其各自盐不形成络合物的有机溶剂，或具有25-12给体能力的有机溶剂，或铝盐可溶解其中的溶剂。
85.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂具有低于1％的水含量。
86.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.5％的水含量。
87.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.25％的水含量。
88.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂具有等于或低于0.15％的水含量。
89.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂选自
乙腈、四氢呋喃(THF)、叔丁基-甲基醚；
或碳酸酯；
或羧酸酯。
90.如权利要求61的方法，其中所述有机溶剂选自碳酸二甲酯、或丙二醇碳酸酯(4-甲基-1，3-二氧戊环-2-酮)或乙酸乙酯。
91.如权利要求61的方法，其中所述镀液另外包含至少一种其它的电解质。
92.如权利要求61的方法，其中所述其它的电解质是非水电解质。
93.如权利要求61的方法，其中所述其它的电解质是磷酸盐、烷基磺酸盐、硼酸盐、亚锑酸盐或砷酸盐。
94.如权利要求61的方法，其中所述其它的电解质是是六氟磷酸盐、三(五氟乙基)三氟磷酸盐、甲烷磺酸盐、三氟甲烷磺酸盐、四氟硼酸盐、二[草酸根合(2-)]硼酸盐、二[甲硅烷根合(2-)]硼酸盐、二[1，2-苯二酚根合(2-)-0，0’]硼酸盐、六氟锑酸盐、或六氟砷酸盐；或选自六氟磷酸盐或四氟硼酸盐。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/737530 | 2007-04-19 | ||
| US11/737,530 US20080257744A1 (en) | 2007-04-19 | 2007-04-19 | Method of making an integrated circuit including electrodeposition of aluminium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101289753A CN101289753A (zh) | 2008-10-22 |
| CN101289753B true CN101289753B (zh) | 2011-03-09 |
Family
ID=39871137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101092607A Expired - Fee Related CN101289753B (zh) | 2007-04-19 | 2008-04-18 | 电沉积铝 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080257744A1 (zh) |
| CN (1) | CN101289753B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104975336A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 微宏动力系统（湖州）有限公司 | 一种用于锂电池负极材料的多孔硅的制备方法 |
| KR102174846B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2020-11-05 | 루미실드 테크놀로지스 인코포레이티드 | 수성 매질 중 원소의 전기화학적 증착 |
| US11261533B2 (en) | 2017-02-10 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Aluminum plating at low temperature with high efficiency |
| CN107190282B (zh) * | 2017-05-19 | 2019-07-30 | 东北大学 | 一类室温熔融盐及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091063A (en) * | 1989-06-10 | 1992-02-25 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Organoaluminum electrolytes and process for the electrolytic deposition of aluminum |
| CN1156767A (zh) * | 1996-02-05 | 1997-08-13 | 吉首大学 | 一种电镀铝液 |
| US6207036B1 (en) * | 1997-04-19 | 2001-03-27 | Aluminal Oberflachentechnik Gmbh | Electrolytic high-speed deposition of aluminum on continuous products |
| CN1656256A (zh) * | 2002-05-31 | 2005-08-17 | 阿鲁米纳表面技术有限及两合公司 | 有机铝配合物的生产方法及其用于生产铝－镁合金电化学沉积用电解质溶液的用途 |
| EP1647613A1 (de) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | Aluminal Oberflächentechnik GmbH & Co. KG | Elektrolyt zur galvanischen Abscheidung von Aluminium |
| CN1784512A (zh) * | 2003-03-05 | 2006-06-07 | 环球爱奥尼克斯公司 | 铝和难熔金属自非芳香有机溶剂的电沉积 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL44151A (en) * | 1974-02-06 | 1976-10-31 | Ramat Gan | Electrolyte for the electrodeposition of aluminum and process for such electrodeposition |
| US4490561A (en) * | 1983-10-13 | 1984-12-25 | Conoco Inc. | Method for alkoxylating fluorinated alcohols |
| US4732993A (en) * | 1986-11-21 | 1988-03-22 | Stauffer Chemical Company | Fluoroalkoxyaluminum compounds and their use in polymerization processes |
| US20040173468A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Global Ionix | Electrodeposition of aluminum and refractory metals from non-aromatic organic solvents |
| KR20060009930A (ko) * | 2003-05-12 | 2006-02-01 | 알케마 인코포레이티드 | 고순도 설폰산 전해질 용액 |
| US20050121329A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thrust pad assembly for ECP system |
| US7544281B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Uniform current distribution for ECP loading of wafers |
| JP2012144763A (ja) * | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アルミニウム構造体の製造方法およびアルミニウム構造体 |
-
2007
- 2007-04-19 US US11/737,530 patent/US20080257744A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-04-18 CN CN2008101092607A patent/CN101289753B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091063A (en) * | 1989-06-10 | 1992-02-25 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Organoaluminum electrolytes and process for the electrolytic deposition of aluminum |
| CN1156767A (zh) * | 1996-02-05 | 1997-08-13 | 吉首大学 | 一种电镀铝液 |
| US6207036B1 (en) * | 1997-04-19 | 2001-03-27 | Aluminal Oberflachentechnik Gmbh | Electrolytic high-speed deposition of aluminum on continuous products |
| CN1656256A (zh) * | 2002-05-31 | 2005-08-17 | 阿鲁米纳表面技术有限及两合公司 | 有机铝配合物的生产方法及其用于生产铝－镁合金电化学沉积用电解质溶液的用途 |
| CN1784512A (zh) * | 2003-03-05 | 2006-06-07 | 环球爱奥尼克斯公司 | 铝和难熔金属自非芳香有机溶剂的电沉积 |
| EP1647613A1 (de) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | Aluminal Oberflächentechnik GmbH & Co. KG | Elektrolyt zur galvanischen Abscheidung von Aluminium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080257744A1 (en) | 2008-10-23 |
| CN101289753A (zh) | 2008-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jiang et al. | Electrodeposition of aluminium from ionic liquids: Part I—electrodeposition and surface morphology of aluminium from aluminium chloride (AlCl3)–1-ethyl-3-methylimidazolium chloride ([EMIm] Cl) ionic liquids | |
| He et al. | Electrodeposition of tin: a simple approach | |
| Florea et al. | Ni and Ni alloy coatings electrodeposited from choline chloride‐based ionic liquids—electrochemical synthesis and characterization | |
| Zhu et al. | Electrochemical behavior of Ni (II)/Ni in a hydrophobic amide-type room-temperature ionic liquid | |
| CN101550003A (zh) | 纳米石墨烯基复合吸波材料及其制备方法 | |
| CN102379050A (zh) | 用于电池和超电容器的多孔三维铜、锡、铜锡、铜锡钴、及铜锡钴钛电极 | |
| CN101289753B (zh) | 电沉积铝 | |
| CN104480492B (zh) | 一种离子液体电沉积制备Ni‑La合金的方法 | |
| Nayana et al. | Effect of ethyl vanillin on ZnNi alloy electrodeposition and its properties | |
| Vorobyova et al. | Electrochemical deposition of gold–tin alloy from ethylene glycol electrolyte | |
| Protsenko et al. | Electrodeposition of chromium coatings from a choline chloride based ionic liquid with the addition of water | |
| Wu et al. | Electrochemical studies of zinc—nickel codeposition in chloride baths | |
| CN102337570B (zh) | 离子液体体系中共沉积Al-Mn合金镀层的方法 | |
| Hosseini et al. | The efficient acetoxy-group-based additives in protecting of anode in the rechargeable aluminium-air batteries | |
| CN105018975A (zh) | 一种离子液体在印制电路中电镀镍的方法 | |
| Vivegnis et al. | Copper–zinc alloy electrodeposition mediated by triethanolamine as a complexing additive and chemical dealloying | |
| Barbosa et al. | Development of a novel alkaline zinc–iron plating bath containing sorbitol and the chemical, physical and morphological characterization of the Zn–Fe films | |
| Stefanov et al. | Potentiodynamic and electronmicroscopy investigations of lead–cobalt alloy coated lead composite anodes for zinc electrowinning | |
| Sides et al. | Ruthenium electrodeposition from water-in-salt electrolytes and the influence of tetrabutylammonium | |
| Yan et al. | Electrocodeposition of lithium and copper from room temperature ionic liquid 1-ethyl-3-methyllimidazolium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide | |
| CN103806028A (zh) | 一种钨基粉末冶金材料电镀工艺 | |
| Ignatova et al. | Structure and еlectrocatalytic ability of Sn–Ni alloy powders prepared by direct and pulse electrodeposition | |
| CN104388992B (zh) | 离子液体体系中共沉积Al‑Zn合金镀层的方法 | |
| CN113755894B (zh) | 一种利用室温熔盐电沉积制备铝镁合金的方法 | |
| Liu et al. | Revisiting the Electroplating Process for Zn‐Metal Anodes: New Application of Traditional Electroplating Additive in ZIBs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110309 Termination date: 20190418 |