CN101282107A - 动态操控电流式混频器及正交动态操控电流式混频器 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种动态操控电流式混频器及正交动态操控电流式混频器，包括吉尔伯特混频核心、一对负载元件、动态电流操控单元以及转导单元，吉尔伯特混频核心有第一节点与第二节点，接收第一差动输入信号，于第一节点提供第一差动输出信号，这些负载元件分别耦接于吉尔伯特混频核心的第一节点与第一固定电压之间，动态电流操控单元有耦接至第二节点与第四节点的第三节点，转导单元耦接于第四节点与第二固定电压之间，接收第二差动输入信号，动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离吉尔伯特混频核心。本发明可有效地抑制闪烁噪声，对本地振荡信号的质量较不敏感，同时确保混频电路所需的增益与输出信号准位也未超出等效双载子电路的要求。

Description

动态操控电流式混频器及正交动态操控电流式混频器
技术领域
本发明涉及一种双平衡混频器(double-balanced mixer)，特别是关于一种具有动态电流操控单元的双平衡混频器。
背景技术
混频电路在使用金属氧化物半导体场效应管所组成的高频应用中会受到有限的供应电压(通常低于2伏特)以及大量的闪烁噪声(频率达数千万赫兹)的影响，因此此类混频电路所需的增益与输出信号准位超出等效双载子电路的需求。
图1是显示现有技术中双平衡混频器的电路图。图1中的双平衡混频器包括了金属氧化物半导体场效应管差动对(Q131-Q132与Q133-Q134)，金属氧化物半导体场效应管差动对的漏极连接到输出端(Output-I+与Output-I-)，金属氧化物半导体场效应管差动对的栅极连接到第一输入端(Input-II+与Input-II-)。图1所示的双平衡混频电路也包括主动元件Q135、Q136、Q137与Q138，金属氧化物半导体场效应管差动对Q131-Q132的源极连接到主动元件Q135与Q136的漏极，金属氧化物半导体场效应管差动对Q133-Q134的源极连接到主动元件Q137与Q138的漏极，主动元件Q135与Q136的栅极连接至第二输入端(Input-I+)；主动元件Q137与Q138的栅极连接至第二输入端(Input-I-)，主动元件Q135、Q136、Q137与Q138的源极通过一阻抗单元(如：衰退阻抗)连接至接地端。
图2是显示由Raja S Pullela等人在ISSCC 2006所揭露的现有技术正交混频器200的电路图。其中正交混频器200包括一I-正交混频器210、一Q-正交混频器220、一两倍频的本地振荡级230以及转导级240。图2所示I-正交混频器210包括金属氧化物半导体场效应管差动对M9-M10与金属氧化物半导体场效应管差动对M11-M12，其中金属氧化物半导体场效应管差动对M9-M10的漏极分别连接到输出端BBIp与BBIn，金属氧化物半导体场效应管差动对M9-M10的栅极分别连接到第一输入端LOIp与LOIn；金属氧化物半导体场效应管差动对M11-M12的漏极分别连接到输出端BBIp与BBIn，金属氧化物半导体场效应管差动对M11-M12的栅极分别连接到第一输入端LOIn与LOIp。
图2所示的Q-正交混频器220包括金属氧化物半导体场效应管差动对M13-M14与M15-M16，其中金属氧化物半导体场效应管差动对M13-M14的漏极分别连接到输出端BBQp与BBQn，金属氧化物半导体场效应管差动对M13-M14的栅极连接到第一输入端LOQp与LOQn；金属氧化物半导体场效应管差动对M15-M16的漏极分别连接到输出端BBQp与BBQn，金属氧化物半导体场效应管差动对M15-M16的栅极连接到第一输入端LOQn与LOQp。
另外，两倍频的本地振荡级230包括金属氧化物半导体场效应管M5、M6、M7与M8，金属氧化物半导体场效应管差动对M9-M10与金属氧化物半导体场效应管差动对M11-M12的源极分别连接至金属氧化物半导体场效应管M5与M7的漏极；而金属氧化物半导体场效应管差动对M13-M14与金属氧化物半导体场效应管差动对M15-M16的源极分别连接至金属氧化物半导体场效应管M6与M8的漏极；金属氧化物半导体场效应管M5与M7的栅极连接至一输入端2Lop，而金属氧化物半导体场效应管M6与M8的栅极连接至一输入端2Lon。金属氧化物半导体场效应管M1与M3连接于金属氧化物半导体场效应管M5-M6的源极与一接地端之间，而金属氧化物半导体场效应管M2与M4连接于金属氧化物半导体场效应管M7-M8的源极与接地端之间，金属氧化物半导体场效应管M1与M3的栅极连接至输入端以输入射频信号RF+，而金属氧化物半导体场效应管M2与M4的栅极连接至一输入端以输入射频信号RF-。
发明内容
为了克服现有技术中混频电路运行使用金属氧化物半导体场效应管所组成的高频应用中常受到有限的供应电压以及大量的闪烁噪声影响的技术问题，本发明提供一种动态操控电流式混频器与正交动态操控电流式混频器。
本发明揭示一种动态操控电流式混频器，包括吉尔伯特(Gilbert)混频核心，具有多个第一节点与多个第二节点，接收第一差动输入信号，并在所述第一节点处提供第一差动输出信号；一对负载元件，分别耦接于所述Gilbert混频核心的所述第一节点与第一固定电压之间；动态电流操控单元，具有耦接至所述第二节点与多个第四节点的多个第三节点；以及转导单元，耦接于所述第四节点与第二固定电压之间，并接收第二差动输入信号；其中，所述动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离所述Gilbert混频核心。
本发明还揭示一种正交动态操控电流式混频器，包括：并联在第一固定电压与第二固定电压之间的第一动态操控电流式混频器与第二动态操控电流式混频器。其中所述第一动态操控电流式混频器与所述第二动态操控电流式混频器均包括：Gilbert混频核心，具有多个第一节点与多个第二节点，接收第一差动输入信号，并在所述第一节点提供第一差动输出信号；一对负载元件，分别耦接于所述Gilbert混频核心的所述第一节点与第一固定电压之间；动态电流操控单元，具有耦接至所述第二节点与多个第四节点的多个第三节点；以及转导单元，耦接于所述第四节点与第二固定电压之间，并接收第二差动输入信号；其中，所述动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离所述Gilbert混频核心。所述第一动态操控电流式混频器与所述第二动态操控电流式混频器的所述第一差动输入信号之间有90度的相位差。
本发明还揭示一种混频器，包括：信号输入端；射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号为差动电流；本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流；以及电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管，其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
本发明还揭示一种正交动态操控电流式混频器，包括：I-正交混频器与Q-正交混频器，具有相同的信号输入端，其中每一正交混频器包括：射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号转换为差动电流；本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流；以及电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管，其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
依据本发明提供的动态操控电流式混频器或正交动态操控电流式混频器将电流导离Gilbert混频核心以有效地抑制闪烁噪声，对本地振荡信号的质量较不敏感，同时混频电路所需的增益与输出信号准位也未超出等效双载子电路的要求。
附图说明
图1是显示现有技术中双平衡混频器的电路图。
图2是显示由Raja S Pullela等人在ISSCC 2006所揭露的现有技术正交混频器的电路图。
图3为依据本发明一实施例动态操控电流式混频器的电路图。
图4A是显示图3所示动态操控电流式混频器的详细电路图。
图4B是显示图4A中本地振荡信号LO+/LO-与操控电压2fo的波形示意图。
图4C显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。
图4D是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。
图5A是显示图3所示动态操控电流式混频器的详细电路图。
图5B是显示图5A所示本地振荡信号LO+/LO-与操控电压2fo的波形示意图。
图5C是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。
图5D是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。
图6A是显示现有技术的双平衡混频器与本发明揭示动态操控电流式混频器中的Gilbert混频核心的电流示意图。
图6B与图6C分别显示现有技术的双平衡混频器与依据本发明实施例动态操控电流式混频器中的Gilbert混频核心的N型金属氧化物半导体场效应管电流示意图。
图6D是显示现有技术中双平衡混频器与依据本发明实施例动态操控电流式混频器的噪声指数的示意图。
图7A是显示依据本发明一实施例正交动态操控电流式混频器的电路图。
图7B是显示本地振荡信号LOIP/LOIN与LOQP/LOQN以及操控电压2LOP与2LON的波形示意图。
图8A是显示依据本发明一实施例正交动态操控电流式混频器的电路图。
图8B是显示本发明提供如图8A所示的正交动态操控电流式混频器的另一优选实施例的电路图。
具体实施方式
为让本发明的上述及其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并结合说明书附图，作详细说明如下：
图3为依据本发明一实施例动态操控电流式混频器的电路图。动态操控电流式混频器300包括吉尔伯特(Gilbert)混频核心310、一对负载元件RL、动态电流操控单元330以及转导单元350。Gilbert混频核心310有第一节点311与311’以及第二节点313与313’，且包括耦接于其间的N型金属氧化物半导体场效应管差动对T7-T8与T9-T10。Gilbert混频核心310接收第一差动输入信号，如：本地振荡信号LO+/LO-；并在其第一节点311与311’处分别提供第一差动输出信号，如：中频信号IF+/IF-，这些负载元件RL分别耦接于Gilbert混频核心310的第一节点311与311’与供应电压Vcc之间。动态电流操控单元330具有第三节点331与331’，其中第三节点331与331’分别耦接至第二节点313与313’以及第四节点333与333’，动态电流操控单元330包括第一开关335与第二开关335’，第一开关335与第二开关335’分别依据操控电压2fo将第四节点333与333’交替地连接至第三节点331与331’以及固定电压Vdd，操控电压2fo的频率为第一差动输入信号的两倍，如：本地振荡信号LO+/LO-的两倍。转导单元350包括耦接于第四节点333与333’以及一接地端之间的N型金属氧化物半导体场效应管T1与T2，N型金属氧化物半导体场效应管T1与T2的栅极接收射频信号RF+/RF-。
图4A是显示图3所示动态操控电流式混频器的详细电路图。在图4A中，动态电流操控单元330包括N型金属氧化物半导体场效应管T3、T4、T5与T6，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6分别耦接于第三节点331与331’以及第四节点333与333’之间，N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5耦接于固定电压Vdd与第四节点333与333’之间，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6的栅极接收操控电压2fo，而N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5的栅极连接至一参考电压Vref。，优选地，固定电压Vdd与固定电压Vcc相同。图4B是显示图4A中本地振荡信号LO+/LO-与操控电压2fo的波形示意图。在本地振荡信号LO+/LO-的交叉点Toff处，操控电压2fo的电压准位低于参考电压Vref，使得N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6得以关闭，转导单元350的电流(交流与直流)被传导至N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5，由于在本地振荡信号LO+/LO-的交叉点之外，操控电压2fo的电压准位会超过参考电压Vref，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6得以导通，转导单元350的电流(交流与直流)被导至N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6，已知Gilbert混频核心310的闪烁噪声正比于在交叉点所注入的电流量，因此，依据本发明提供的动态电流操控单元330将电流导离Gilbert混频核心310便可成功地抑制闪烁噪声，也对本地振荡信号的质量不太敏感。
图4C显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。图4A与图4C所示的动态操控电流式混频器之间的主要差异为图4C中的Gilbert混频核心与负载元件被往下折叠并耦接至接地端GND，同时，Gilbert混频核心310中的N型金属氧化物半导体场效应管T7、T8、T9与T10均被取代为P型金属氧化物半导体场效应管。
图4D是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。图4A与图4D所示的动态操控电流式混频器之间的主要差异是图4D中的Gilbert混频核心310的N型金属氧化物半导体场效应管T7、T8、T9与T10均由双极结型晶体管(BJT)所取代，即在本实施例中，Gilbert混频核心包括双极结型晶体管的差动对。要注意的是，图4D中Gilbert混频核心310与负载元件也可被往下折叠并耦接至接地端GND，此外，包括N型金属氧化物半导体场效应管T3、T4、T5与T6的动态电流操控单元仅是一优选实施例，本发明范围不以此为限，举例而言，双极结型晶体管也可适用于动态电流操控单元。
图5A是显示图3所示动态操控电流式混频器的详细电路图。在图5A中，动态电流操控单元330包括N型金属氧化物半导体场效应管T3、T4、T5与T6，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6分别耦接于第三节点331与331’以及第四节点333与333’之间，N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5耦接于固定电压Vdd以及第四节点333与333’之间，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6的栅极连接至一参考电压Vref，而N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5的栅极接收操控电压2fo。优选地，固定电压Vdd与供应电压Vcc相同。
图5B是显示图5A所示本地振荡信号LO+/LO-与操控电压2fo的波形示意图。在本地振荡信号LO+/LO-的交叉点Toff处，操控电压2fo的电压准位高于参考电压Vref，使得N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6得以关闭，转导单元350的电流(交流与直流)被导至N型金属氧化物半导体场效应管T4与T5；由于在本地振荡信号LO+/LO-的交叉点之外，操控电压2fo的电压准位会低于参考电压Vref，N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6得以导通，转导单元350的电流(交流与直流)被导至N型金属氧化物半导体场效应管T3与T6，于是，在本地振荡信号LO+/LO-的交叉点Toff，转导单元350的电流被导离了Gilbert混频核心310，因此可抑制闪烁噪声。
图5C是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。图5A与图5C所示的动态操控电流式混频器之间的主要差异为图5C中的Gilbert混频核心与负载元件被往下折叠并耦接至接地端GND，同时，Gilbert混频核心310中的N型金属氧化物半导体场效应管T7、T8、T9与T10是由P型金属氧化物半导体场效应管所取代。
图5D是显示本发明另一实施例动态操控电流式混频器的示意图。图5A与图5D所示的动态操控电流式混频器之间的主要差异是图5D中的Gilbert混频核心310中的N型金属氧化物半导体场效应管T7、T8、T9与T10是由双极结型晶体管(BJT)所取代。要注意的是，图5D中Gilbert混频核心与负载元件也可以被往下折叠并耦接至接地端GND。此外，包括N型金属氧化物半导体场效应管T3、T4、T5与T6的动态电流操控单元仅为一实施例，本发明范围不以此为限。举例而言，双极结型晶体管也可适用于动态电流操控单元。
图6A是显示现有技术的双平衡混频器与本发明揭示动态操控电流式混频器中的Gilbert混频核心的电流示意图。在图6A中，虚线曲线对应于现有技术中的电流曲线，实线曲线对应于本发明中Gilbert混频核心的电流曲线。在本地振荡信号的交叉点处(以虚线方块表示)，现有技术中双平衡混频器的Gilbert混频核心的电流高于依据本发明实施例动态操控电流式混频器中Gilbert混频核心的电流。图6B与图6C分别显示现有技术的双平衡混频器与依据本发明实施例动态操控电流式混频器中的Gilbert混频核心的N型金属氧化物半导体场效应管电流示意图。在图6B中，现有技术中双平衡混频器的Gilbert混频核心的N型金属氧化物半导体场效应管电流约为1毫安，而在图6C中，依据本发明实施例动态操控电流式混频器中的Gilbert混频核心的N型金属氧化物半导体场效应管电流只有大约0.3毫安。图6D是显示现有技术中双平衡混频器与依据本发明实施例动态操控电流式混频器的噪声指数的示意图。在图6D中，现有技术中双平衡混频器的噪声指数在10.4k赫兹时约为15.3dB，而依据本发明实施例动态操控电流式混频器的噪声指数在10.4k赫兹时只有12.3dB。
图7A是显示依据本发明一实施例正交动态操控电流式混频器的电路图。在图7中，正交动态操控电流式混频器700包括I-正交混频器710与Q-正交混频器760，I-正交混频器710与Q-正交混频器760均为图5A所揭露的动态操控电流式混频器，且并联在供应电压Vcc与接地端之间。I-正交混频器710中的Gilbert混频核心接收本地振荡信号LOIP/LOIN，而Q-正交混频器760中的Gilbert混频核心接收本地振荡信号LOQP/LOQN，I-正交混频器710中的动态电流操控单元受到操控电压2LOP的控制，而Q-正交混频器760中的动态电流操控单元受到操控电压2LON的控制，I-正交混频器710产生一中频信号IFIP/IFIN，而Q-正交混频器760产生一中频信号IFQP/IFQN，由于正交动态操控电流式混频器700中的I-正交混频器710与Q-正交混频器760均为动态操控电流式混频器，依据本发明实施例，正交动态操控电流式混频器700的噪声指数也有改善，需注意的是，本说明书揭露的图4A与图5A所示的动态操控电流式混频器的其它变形也可用于此正交动态操控电流式混频器。
图7B是显示本地振荡信号LOIP/LOIN与LOQP/LOQN以及操控电压2LOP与2LON的波形示意图。图7B中，在本地振荡信号LOIP/LOIN的交叉点t1处，由于操控电压2LOP的电压准位高于参考电压，电流Ia也因此高于电流Ib，同时，参考电压的电压准位也高于操控电压2LON，因此电流Id也高于电流Ic，换句话说，在本地振荡信号LOIP/LOIN的交叉点，电流Ia与电流Id消耗了大部分的电流，而在本地振荡信号LOQP/LOQN的交叉点，电流Ib与电流Ic消耗了大部分的电流，因此便可将电流Ia与Id以及Ic与Ib分别结合以达到电流再利用(current reuse)的功能。
图8A是显示依据本发明一实施例正交动态操控电流式混频器的电路图。图8A中正交动态操控电流式混频器与图7A所示的差异在于I-正交混频器710的N型金属氧化物半导体场效应管TI3、TI4、TI5与TI6的漏极分别连接至Q-正交混频器760的N型金属氧化物半导体场效应管TQ4、TQ3、TQ6与TQ5的漏极，图8A的节点A代表N型金属氧化物半导体场效应管TI3与TQ4的漏极相连，而节点B代表N型金属氧化物半导体场效应管TI4与TQ3的漏极相连，并以此类推，在此组态当中，可达成动态电流操控与电流结合再利用，且噪声指数与电流消耗也有所改善。
图8B是显示本发明提供如图8A所示的正交动态操控电流式混频器的另一优选实施例的电路图，其中差异在于I-正交混频器与Q-正交混频器均为图4A所揭露的动态操控电流式混频器。
此外，本发明实施例中还提供一种混频器，包括：信号输入端；射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号为差动电流。本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流。以及电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管，其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
本发明实施例中还提供一种正交动态操控电流式混频器，包括：I-正交混频器与Q-正交混频器，具有相同的信号输入端，其中每一正交混频器包括：射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号转换为差动电流；本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流；以及电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管。其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

Claims (24)

1.一种动态操控电流式混频器，其特征在于，所述的动态操控电流式混频器包括：
吉尔伯特混频核心，具有多个第一节点与多个第二节点，接收第一差动输入信号，并在所述第一节点处提供第一差动输出信号；
一对负载元件，分别耦接于所述吉尔伯特混频核心的所述第一节点与第一固定电压之间；
动态电流操控单元，具有耦接至所述第二节点与多个第四节点的多个第三节点；以及
转导单元，耦接于所述第四节点与第二固定电压之间，并接收第二差动输入信号；
其中，所述动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离所述吉尔伯特混频核心。
2.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述动态电流操控单元包括多个耦接于所述第三节点与所述第四节点之间的第一金属氧化物半导体场效应管；以及
多个耦接于所述第四节点与第三固定电压之间的第二金属氧化物半导体场效应管，其中，所述第一金属氧化物半导体场效应管与所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极分别接收操控电压与参考电压。
3.如权利要求2所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述操控电压的频率为所述第一差动输入信号的两倍。
4.如权利要求2所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第三固定电压相同。
5.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述转导单元的电流在所述第一差动输入信号的交叉点被导离所述吉尔伯特混频核心。
6.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第二固定电压分别为供应电压与接地端。
7.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述吉尔伯特混频核心包括金属氧化物半导体场效应管的差动对。
8.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述吉尔伯特混频核心包括双极结型晶体管的差动对。
9.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述负载元件包括一电阻。
10.如权利要求1所述的动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第二固定电压相同。
11.一种正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述的正交动态操控电流式混频器包括：
并联在第一固定电压与第二固定电压之间的第一动态操控电流式混频器与第二动态操控电流式混频器，其中所述第一动态操控电流式混频器与所述第二动态操控电流式混频器均包括：
吉尔伯特混频核心，具有多个第一节点与多个第二节点，接收第一差动输入信号，并在所述第一节点提供第一差动输出信号；
一对负载元件，分别耦接于所述吉尔伯特混频核心的所述第一节点与第一固定电压之间；
动态电流操控单元，具有耦接至所述第二节点与多个第四节点的多个第三节点；以及
转导单元，耦接于所述第四节点与第二固定电压之间，并接收第二差动输入信号；
其中，所述动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向或导离所述吉尔伯特混频核心；
其中，所述第一动态操控电流式混频器与所述第二动态操控电流式混频器的所述第一差动输入信号之间有90度的相位差。
12.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述动态电流操控单元包括多个耦接于所述第三节点与所述第四节点之间的第一金属氧化物半导体场效应管；以及
多个耦接于所述第四节点与一第三固定电压之间的第二金属氧化物半导体场效应管，其中，所述第一金属氧化物半导体场效应管与所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极分别接收操控电压与参考电压。
13.如权利要求12所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述操控电压的频率为所述第一差动输入信号的两倍。
14.如权利要求12所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第三固定电压相同。
15.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述转导单元的电流在所述第一差动输入信号的交叉点被导离所述吉尔伯特混频核心。
16.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第二固定电压分别为供应电压与接地端。
17.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述吉尔伯特混频核心包括金属氧化物半导体场效应管的差动对。
18.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述吉尔伯特混频核心包括双极结型晶体管的差动对。
19.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述负载元件均包括一电阻。
20.如权利要求11所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，每一所述动态电流操控单元包括多个耦接于所述第三节点与所述第四节点之间的第一金属氧化物半导体场效应管；以及
多个耦接于所述第四节点与另一动态电流操控单元的第三节点之间的第二金属氧化物半导体场效应管，其中，所述第一金属氧化物半导体场效应管与所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极分别接收操控电压与参考电压。
21.如权利要求20所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述操控电压的频率为所述第一差动输入信号的两倍。
22.如权利要求20所述的正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述第一固定电压与所述第三固定电压相同。
23.一种混频器，其特征在于，所述的混频器包括：
信号输入端；
射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号为差动电流；
本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流；以及
电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管，其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
24.一种正交动态操控电流式混频器，其特征在于，所述的正交动态操控电流式混频器包括：
I-正交混频器与Q-正交混频器，具有相同的信号输入端，其中每一正交混频器包括：
射频转导电路，具有一对晶体管，以转换由所述信号输入端所接收的输入差动信号转换为差动电流；
本地振荡切换电路，通过差动本地振荡信号所决定的频率切换所述混频电路输出端之间的差动电流；以及
电流操控电路，耦接于所述射频转导电路与本地振荡切换电路之间，并有第一、第二、第三与第四晶体管，其中所述第一与第二晶体管接收两倍频本地振荡信号的操控电压，且所述第三与第四晶体管共同耦接至具有参考电压的共通节点。
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