具体实施方式
以下将参照附图更全面地描述本发明,在附图中图示了本发明的示例实施例。然而,本发明还可以以不同的形式实施,而不应被解释为限于在此阐明的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将透彻和完整,并且本公开将向本领域普通技术人员全面传达本发明的范围。
以下参照图1到7详细描述根据本发明实施例的液晶显示器(LCD)。图1是根据本发明实施例的液晶显示器(LCD)100的电路图,图2是图1中图示的温度测量装置400的电路图;图3是用于解释图2中图示的可变电阻元件Rs的操作的图;图4是用于解释图2中图示的差分放大器350的操作的图;图5是图示了图1中图示的显示区域DA和可变电阻元件Rs的布局,图6是沿图5中V1-VI’线的剖面图,而图7是沿图5中VII-VII’线的剖面图。
参照图1和图2,LCD 100包括液晶板200和温度测量装置400。
液晶板200包括显示区域DA和非显示区域PA。
显示区域DA包括多个栅极线(未示出)、多个数据线(未示出)和分别安排在数据线和栅极线的交叉点处的多个像素(未示出)。显示区域DA显示图像。稍后将参考图5到7来详细描述显示区域DA的结构和形成显示区域DA的方法。
温度测量装置400包括温度传感器330、分压器320和差分放大器350。温度测量装置400测量液晶板200的温度。
温度传感器330输出第一随温度而定的电压Vtemp1,其作为液晶板200的温度的函数而变化。温度传感器330包括具有作为液晶板200的温度的函数而变化的电阻的可变电阻元件Rs、以及与该可变电阻元件Rs串联连接的第一固定电阻元件Rc1。具体来说,参考图2,可变电阻元件Rs包括在液晶板200中,并且特别是在液晶板200的非显示区域PA中。也就是说,可变电阻元件Rs的电阻作为液晶板200的温度的函数而变化。
温度传感器330对第一输入电压Vin1分压,并输出第一随温度而定的可变电压Vtemp1。参照图3,可变电阻元件Rs的电阻可随温度增加而增加,并可随温度降低而降低。参照图4,第一随温度而定的可变电压Vtemp1可随温度增加而降低,并可随温度降低而增加。如果可变电阻元件Rs接地,并且向第一固定电阻元件Rc1施加第一输入电压Vin1,如图2所示,则第一随温度而定的可变电压Vtemp1可随温度的增加而增加,并可随温度的降低而降低。假设温度传感器330的结构如图2所图示。
分压器320通过对第二输入电压Vin2进行分压,而产生成参考电压Vref。参考电压Vref可以大于或等于第一随温度而定的可变电压Vtemp1。当第二输入电压Vin2与第一输入电压Vin1相同时,第一固定电阻元件Rc1和第二固定电阻元件Rc2具有相同的电阻,如1.5千欧,可变电阻元件Rs的电阻在1.35千欧-1.75千欧的范围内变化,第三固定电阻元件Rc3的电阻可以为1千欧,其等于或低于可变电阻元件Rs的最小电阻。
差分放大器350放大第一随温度而定的可变电压Vtemp1和参考电压Vref之差,并且作为放大结果输出第二随温度而定的可变电压Vtemp2。第二随温度而定的可变电压Vtemp2可由下面的方程(1)来表达:
Vtemp2=(Vref-Vtemp1)×R2/R1 (1)
差分放大器350根据温度而增加第一随温度而定的可变电压Vtemp1的变化范围,并输出第二随温度而定的可变电压Vtemp2,如图4所示。差分放大器350(从第一随温度而定的可变电压Vtemp1中)去除噪声,并输出放大的第二随温度而定的可变电压Vtemp2。也就是说,差分放大器350增强了温度传感器330的灵敏度。例如,如果第一电阻器R1的电阻是1.8千欧,而第二电阻器R2的电阻是18千欧,则温度传感器330的灵敏度可以增加十倍。因而,温度测量装置400可以精确地测量液晶板200的温度。可以通过改变第一电阻器R1和第二电阻器R2的电阻来调节温度传感器330的灵敏度。
下面参考图5-7来详细描述可变电阻元件Rs的结构和形成可变电阻元件Rs的方法。除可变电阻元件Rs之外的温度测量装置400的所有元件都安排在LCD 100的电路板300上。具体地说,在电路板300上安排第一至第三固定电阻元件Rc1-Rc3和差分放大器350。
参照图2,温度测量装置400还可以包括缓冲器340和341。缓冲器340按照原样为差分放大器350提供第一随温度而定的可变电压Vtemp1。缓冲器341按照原样为差分放大器350提供参考电压。缓冲器340和341可以是运算放大器(OP)。
简言之,温度测量装置400输出根据液晶板200的温度而变化的第一随温度而定的可变电压Vtemp1,并还借助于差分放大器350而输出具有改善灵敏度的无噪声的第二随温度而定的可变电压Vtemp2。
下面参考图5-7对图1中图示的显示区域DA和可变电阻元件Rs进行更详细的描述。
如图5-7所示,在可以由透明玻璃或塑料形成的绝缘基板10上形成多个栅极线22、温度感测线310和存储电极线28。
栅极线22传送栅极信号,并基本上沿行方向延伸。每条栅极线22都包括栅极电极26和栅极端24,该栅极端24具有用于将对应的栅极线22连接到层或外部驱动电路的大区域。生成栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在附着于绝缘基板10上的挠性印刷电路膜(未示出)上,或者可以直接安装在绝缘基板10上或集成在绝缘基板10中。如果栅极驱动电路直接集成在绝缘基板10中,则栅极线22可直接连接到栅极驱动电路。
温度感测线310沿行方向延伸,但是该方向不重要也不关键。通过以这种方式延长温度感测线310,可以增加温度感测线310的电阻,并因此,也可以增加温度感测线310的灵敏度。温度感测线310有端部321和324,它们比温度感测线310的其它部分都要宽,并因此可以用来接收/输出驱动信号,并将温度感测线310和外部驱动电路连接。具体来说,端部321可以是信号所施加到的输入端,并因而,可向其施加图1中的第一输入电压Vin1。端部324可以是输出信号的输出端,可以连接到图1中的第一固定电阻元件Rc1,并可以输出第一随温度而定的可变电压Vtemp1。温度感测线310与端部321、324可以构成图1中的固定电阻器Rs。
预定电压所施加到的存储电极线28基本上沿着与栅极线22平行的方向延伸。存储电极线28包括存储电极27,它比存储电极线28的其余部分都宽。存储电极27被安排在一对相邻的栅极线22之间,并与像素电极82重叠。存储电极线28的形状和排列不限于图5图示的内容,并且可以以各种方式变更。
每一栅极线22、温度感测线310和存储电极线28可以包括由铝(Al)、铜(Cu)、铂(Pt)或铬(Cr)构成的单层或多层膜。如果每一栅极线22、温度感测线310和存储电极线28包括由上层膜和下层膜构成的多层膜,则下层膜可以由低电阻率的金属构成,如基于铝的金属(如铝(Al)或铝合金)、基于银的金属(例如银(Ag)或银合金),或基于铜的金属(例如铜(Cu)或铜合金),而上层膜可以由以下材料构成:基于钼的金属(例如钼(Mo)或钼合金)、基于钼的金属的氮化物、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)。
栅极线22、温度感测线310和存储电极线28可以采用反应溅射方法(sputtering method)形成。
在栅极线22上安排栅极绝缘层30。温度感测线310和存储电极线28由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成。
半导体层40被安排在栅极绝缘层30上,并由氢化非晶硅或多晶硅构成。半导体层40形成为岛,并与栅极线22的每一栅极电极26重叠。
欧姆触头55和56被安排在半导体层40上。欧姆触头55和56可以由掺杂有高浓度n型杂质(如磷)的n+氢化非晶硅构成,或由硅化物构成。
多个数据线62和多个漏极电极66被安排在欧姆触头55和56以及栅极绝缘层70上。数据线62传送数据信号,基本上沿列方向延伸,并与栅极线22相交。每一数据线62具有源极电极65和端部68,端部68比对应数据线62的其余部分要宽,并因而可以用来将源极电极65连接到层或外部驱动电路。生成数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在挠性印刷电路膜(未示出)上,该印刷电路膜附着在绝缘基板10上,或可以直接安装在绝缘基板10上或集成在绝缘基板10中。如果数据驱动电路直接集成在绝缘基板10中,则数据线22可以直接连接到栅极驱动电路。漏极电极66包括漏极电极延伸部分67,并与数据线62分离。源极电极65和漏极电极66分别安排在栅极电极26的相对两侧。
栅极电极26、源极电极65和漏极电极66连同半导体层40一起构成薄膜晶体管(TFT)。
钝化层70安排在数据线62和漏极电极66上。
钝化层70可以由无机介电材料或有机介电材料构成,并可具有平滑的(planarized)表面。无机介电材料的例子包括氮化硅和氧化硅。
穿过钝化层70形成多个接触孔78和77,使得可以分别通过接触孔78和77暴露端部68和漏极电极扩展部分67。具体地说,穿过钝化层70和栅极绝缘层30形成接触孔74,使得可以通过接触孔74暴露栅极端24。此外,也穿过钝化层70和栅极绝缘层30形成接触孔322和325,使得可分别通过接触孔322和325暴露温度感测线310的端部321和324。
像素电极82和多个接触辅助部件(assiatants)84、88、323和326安排在钝化层70上。像素电极82和接触辅助部件84、88、323、326可以由透明传导材料如ITO或IZO,或反射型金属如铝、银、铬或它们的合金构成。
像素电极82经由接触孔77与漏极电极延伸部分67物理和电气相连,并因而可以通过漏极电极66将数据电压施加到像素电极82上。当将数据电压施加到像素电极82上时,像素电极82连同公共电极(未显示)一起生成电场,该公共电极安排在与包括该像素电极82的当前显示板不同的显示板(未显示)上,并向该公共电极施加公共电压。插入在像素电极82和公共电极之间的液晶层(未显示)中的液晶分子的取向(orientation)由该电场确定。通过液晶层透射的光的偏振可根据液晶层中的液晶分子的取向而改变。像素电极82与存储电极27和存储电极线28重叠,并因而可维持向液晶层充电的电压。
可在具有栅极线22的层面(level)上安排温度感测线310,而温度感测线310的面积可以小于2mm×2mm。但是,温度感测线310的形状、定向和大小以及如何形成温度感测线310并不限于这里阐明的内容。
在下文中参考图8和9详细描述根据本发明另一实施例的LCD。图8是根据本发明实施例的LCD 101的框图,而图9是用于解释图8中图示的校准器500的操作的图。在图1、2和8中,相同的附图标记表示相似的元件,并因此将省略其详细解释。
参照图8,LCD 101包括温度传感器330、存储器600和校准器500。校准器500对由温度传感器330输出的第一随温度而定的可变电压Vtemp1进行校准,并输出温度信息INFO。校准器500和存储器600可以安装在图1的电路板300上。
参照图9,目标温度-电压图TG表示对应于任何给定温度的目标电压,而实际温度-电压图AG表示由温度传感器330在任何给定温度输出的第一随温度而定的可变电压Vtemp1。校准器500对温度传感器330在第一温度T1输出的第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A进行校准,使得第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A可变得与目标电压Vtarget_B一样高。其后,校准器500输出关于目标电压Vtarget_B的温度信息INFO。
如上所述,温度传感器330的可变电阻元件Rs可以是安排在液晶板上的薄金属膜。图5中温度感测线310的厚度可由于工艺偏移(process drift)而改变,并因而可变电阻元件Rs的电阻可以根据温度而任意确定。在这种情况下,第一随温度而定的可变电压Vtemp1的可靠性可变得较低。也就是说,假设包括可变电阻元件Rs的温度传感器330在第一温度T1实际输出第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A,并假设温度传感器330在无工艺偏移的理想条件下在第一温度T1应输出目标电压Vtarget_B;工艺偏移会导致第一随温度而定的可变电压Vtemp1和第一目标电压Vtarget1之间的差异。
第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A没有准确地反映出液晶板的温度。例如,参考液晶板温度来处理图像信号的功能块需要准确地了解液晶板的温度。但是,如果温度传感器330因为工艺偏移而在第一温度T1输出第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A而不是目标电压Vtarget_B,则功能块可能错误地确定液晶板具有温度Tw,而不是第一温度T1。因此,校准器500必须将第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A校准到与第一目标电压Vtarget1一样高。也就是说,向校准器500提供对应于第一温度T1的第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A,将该第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A校准成与目标电压Vtarget_B一样高,并输出与目标电压Vtarget_B相关的温度信息INFO。校准器500可以采用由存储器600提供的校准数据来校准该第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A。
具体地说,假设将关于第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A的数字数据称为随温度而定的可变数据,则将第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A提供给校准器500,校准器500可将该第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A转换为随温度而定的可变数据,可采用预先存储在存储器600中的数据Dcal对该随温度而定的可变数据执行逻辑运算,并可输出作为该逻辑运算的结果的温度信息INFO。温度信息INFO可以是数字信息或模拟信息。也就是,如果随温度而定的可变数据是关于第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A的二进制数据并且校准数据Dcal是关于第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A和目标电压Vtarget_B之差的二进制数据,则校准器500可以将该随温度而定的可变数据和校准数据Dcal相加,并输出相加的结果作为温度信息INFO。替代地,校准器500还可以将该随温度而定的可变数据和校准数据Dcal相加,将相加的结果转换为模拟电压,并输出该模拟电压。在这种情况下,该模拟电压可以是目标电压Vtarget_B。
下面更详细地描述校准数据Dcal。参考图9的目标温度-电压图TG和实际温度-电压图AG,校准数据Dcal是关于目标电压Vtarget_B和第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A之差的数据。为了计算校准数据Dcal,测量由温度传感器330在第一温度T1输出的第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A,并计算第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A和目标电压Vtarget_B之差,其中第一随温度而定的可变电压Vtemp1_A和目标电压Vtarget_B之差是校准数据Dcal。通过这种方式,对校准数据Dcal进行计算。如果目标温度-电压图TG和实际温度-电压图AG如图9所示是具有相同斜率的直线,则可利用相同的校准数据Dcal来校准对应于任何给定温度的第一随温度而定的可变电压Vtemp1。
校准数据Dcal可以存储在存储器600中。当温度传感器330输出第一随温度而定的可变电压Vtemp1时,校准器500从存储器600读取校准数据Dcal,并用校准数据Dcal来校准第一随温度而定的可变电压Vtemp1。
如果LCD 101包括分别提供多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1的多个温度传感器300,则校准器300对所述多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1进行求平均,并利用上面提到的方法计算与所述多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1的平均值相关的校准数据Dcal。与所述多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1的平均值相关的校准数据可以存储在存储器600中。当温度传感器300分别输出多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1时,校准器500从存储器600读取校准数据Dcal,并用校准数据Dcal校准多个第一随温度而定的可变电压Vtemp1的平均值。
LCD101可以校准可变电阻元件Rs的电阻,并由此即使由于工艺偏移而使可变电阻元件Rs的电阻的可靠性变得非常低,也能够精确确定液晶板的温度。
根据本发明另一实施例的LCD将在下面参考图10和11进行详细描述。图10是根据本发明另一实施例的LCD 102的框图,而图11是解释图10中图示的校准器500的操作的图。在图2、8和10中,相同的附图标记表示相同的元件,并因此详细描述是不必要的。
参照图10,与LCD 100和101不同,LCD 102接收由温度测量装置400-A输出的第二随温度而定的可变电压Vtemp2,校准第二随温度而定的可变电压Vtemp2,并输出温度信息INFO。替代地,还可以使用第二温度测量装置400-B。如图10所示,第二温度测量装置400-B输出随温度而定的可变电压Vtemp3。
也就是说,表示第二随温度而定的可变电压Vtemp2的图(即温度-电压图AG)与图4中表示差分放大器的输出的图相同。
参照图11,在第二温度T2向校准器500提供第二随温度而定的可变电压Vtemp2_D,校准器500将该第二随温度而定的可变电压Vtemp2校准到与目标电压Vtarget_C一样低,并输出与该目标电压Vtarget_C相关的温度信息INFO。为此,校准器500可从存储器600中读取关于第二随温度而定的可变电压Vtemp2_D和目标电压Vtarget_C之差的校准数据Dcal,并利用该校准数据来校准第二随温度而定的可变电压Vtemp2_D。
LCD 102可以获得具有改善灵敏度并能适当反映液晶板温度的无噪声的随温度而定的可变电压。而且,LCD 102可以校准可变电阻元件Rs的电阻,并因此即使当因为工艺偏移而使可变电阻元件Rs的电阻的可靠性变得非常低时,也能准确地确定液晶板的温度。如上所述,LCD 102可以包括多个温度测量装置如400-A和400-B。这些装置可以与上述装置类似地实现。在这种情况下,为校准器500提供多个第二随温度而定的可变电压,校准器500对所述多个第二随温度而定的可变电压的平均值进行校准,并输出温度信息INFO。
如上所述,根据本发明,可能获得具有改善的灵敏度并能适当反映液晶板温度的无噪声的随温度而定的可变电压。此外,可能校准可变电阻元件的电阻,并因此即使当因为工艺偏移而使可变电阻元件Rs的电阻的可靠性变得非常低时,也能够准确地确定液晶板的温度。
虽然已经参照本发明的示例实施例而具体示出和描述了本发明,但本领域的技术人员将理解,在不脱离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行形式和细节的各种改变。