CN101257089A - 电阻随机存取存储器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种包含具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层的电阻随机存取存储器及其制造方法，所述电阻随机存取存储器在室温沉积并且具有可变电阻特性。

Description

电阻随机存取存储器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种包括具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层的电阻随机存取存储器(RRAM)及其制造方法。所述RRAM的电阻层可以在低温下形成并且可以具有更好的电特性，因而，包括所述电阻层的RRAM可以更为可靠，并被以更有成本效益的方式制造。
背景技术
半导体存储器阵列包括连接在电路中的许多存储器单元。在作为半导体存储器件的实例的动态随机存取存储器(DRAM)中，单位存储器单元由开关和电容器组成。DRAM的优势在于DRAM具有更高的集成度和以更快的速度运作。然而，当DRAM的电源中断时，所有存储在DRAM中的数据都会丢失。
闪存装置是即使电源中断、其中存储的数据仍被保持的非易失性存储器装置的实例。然而，尽管闪存装置具有不同于易失性存储器装置的非易失特性，它的集成度和运作速度却低于DRAM。
关于非易失性存储器装置有大量研究(例如，磁性随机存取存储器(MRAM)，铁电随机存取存储器(FRAM)，以及相变随机存取存储器(PRAM))。
在MRAM中，通过改变隧道结的磁化方向来存储数据。在FRAM中，使用铁电的极化特性来存储数据。MRAM和FRAM都有各自的优点和缺点。
PRAM包括电阻器和开关(晶体管)，并且通过使用由特定材料的相变引起的电阻值改变来存储数据。在PRAM的制造工艺中，当使用传统的DRAM工艺时，蚀刻工艺不易于被执行。蚀刻工艺花费更长的时间。所以，PRAM的产量可能会减少，并且因此增加了PRAM的制造成本。
RRAM使用过渡金属氧化物的可变电阻特性，其中电阻值根据施加的电压而变化。
用于形成RRAM的材料的一个例子是NiO。NiO层可以根据沉积温度具有不同的电流-电压特性。
NiO层的电流-电压特性如图1A所示。
在图1A中，样品1是在室温时使用溅射法沉积而成的NiO层，样品2是在大约350℃的温度时使用溅射法沉积而成的NiO层。根据在室温下沉积的样品1的电流-电压特性，样品1不具有可变电阻特性。另一方面，根据在大约350℃的温度下沉积的样品2，样品2具有可变电阻特性。这些结果可以从图1B中观察得出，图1B中示出了在0.0-2.0伏的电压范围内样品2的可变电阻特性。
因为样品1在较低的温度沉积，样品1不具有可变电阻特性，因此样品1不能作为RRAM使用。然而，较低温度的沉积有利于减少制造成本或使用柔性衬底，例如，塑料衬底。
发明内容
示范性实施例提供了一种包含可以在低温下沉积形成并且具有更好的电特性的电阻层的电阻随机存取存储器(RRAM)及其制造方法，用于减少存储器的制造成本和提供一种更为柔软的设备。
根据示范性实施例，电阻随机存取存储器包括下电极，位于下电极上的具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层，以及位于电阻层上的上电极。
电阻层中的金属氧化物可以是从由镍氧化物、钛氧化物、铪氧化物、锆氧化物、锌氧化物、钨氧化物、钴氧化物和铌氧化物构成的组中选择的至少一种氧化物。
电阻层中的金属离子掺杂物可以是过渡金属离子。电阻层中的金属离子掺杂物可以在金属氧化物的金属的位置被取代以结合到氧。电阻层中的金属离子掺杂物的数量可以在大约0.0001-5wt％的范围内。
根据示范性实施例，制造电阻随机存取存储器的方法可以包括形成下电极，在下电极上形成具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层，以及在电阻层上形成上电极。
电阻层可以在从室温(大约25℃)到大约200℃的温度范围内形成。
示范性实施例提供了一种具有更高集成度、更快运行速度、更低功率电平和/或更高数据保持特性的电阻随机存取存储器(RRAM)。
示范性实施例提供了一种利用更低温度沉积形成的和/或具有更好的可变电阻特性的电阻层供使用在例如RRAM中。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，将更为清楚地理解示范性实施例。图1A-5如这里所描述的代表非限制示范性实施例。
图1A是利用室温沉积获得的NiO层(样品1)和利用更高温度沉积获得的NiO层(样品2)的电流-电压特性曲线图；
图1B是样品2的可变电阻特性曲线图；
图2A是根据示范性实施例的电阻随机存取存储器的截面图；
图2B是根据示范性实施例的、布置在晶体管上的电阻随机存取存储器的截面图；
图3是根据示范性实施例的电阻随机存取存储器的X射线衍射数据和传统电阻随机存取存储器的X射线衍射数据曲线图；
图4是根据示范性实施例的电阻随机存取存储器的电流-电压特性和传统电阻随机存取存储器的电流-电压特性曲线图；以及
图5是根据示范性实施例的电阻随机存取存储器的可变电阻特性曲线图。
具体实施方式
实施例的内容将被结合相应的附图进行详细介绍。然而，实施例并不局限于下文所述的实施例，并且这里所引入的实施例使得更容易和更能完全地理解实施例的范围和精神。在附图中，为了清楚而夸大了层和区域的厚度。
可以理解的是，当提到一个元件或层与另一个元件或层的关系是“在......上”、“连接到”或“耦合到”时，可以是指直接位于上方、连接或耦合到另一个元件或层，也可以是指中间有其它元件或层存在。相反，当提到一个元件与另一个元件或层的关系是“直接在......上”、“直接连接到”或“直接耦合到”时，则不存在中间元件或层。全文中相同的参考数字涉及相同的元件。这里使用的术语“和/或”包括列出的一个或多个相关项目的任意和全部组合。
可以理解的是，尽管这里可能使用术语第一、第二、第三等描述各种不同的元件、部件、区域、层和/或部分，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该被这些术语所限制。这些术语仅仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分相区别。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以在不违反实施例的宗旨的前提下可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
与空间相关的术语，例如“在......之下”、“在......下面”、“较低的”、“在......上方”、“上面的”等等，用在这里是为了便于描述附图中的一个元件或部件与另一个元件或部件(另一些元件或部件)的关系。可以理解的是，这些与空间相关的术语是为了包含除附图中描述的取向外、在使用或运行中的设备的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在其它元件或部件下面”或“在其它元件或部件之下”的元件将定向为“在其它元件或部件的上面”。因此，作为示例的术语“在......下面”可以包含上下两个方向。设备可以是其它方向(旋转90度或以其它的方向)，并且这里使用的空间相关的描述符遵循上述解释。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定的实施例而非对实施例的限制。这里所使用的单数形态“一”、“一个”和“该”也包括复数形态，除非上下文明确指出其它情况。同样可以理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“由......组成”时，说明存在的规定部件、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或扩充一个或多个其它部件、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们构成的组。
这里参照截面图描述实施例，其中该截面图是实施例(和中间结构)的示意图。同样地，例如由于制造技术和/或公差造成的图示形状的变化是可以被预料到的。因此，实施例不应该被解释为被限制于这里描述的特定形状的区域，而应该包括例如由于制造导致的形状的背离。例如，图中矩形的注入区域典型地可以具有倒圆或弯曲特征和/或在它边缘的注入浓度可以具有倒圆或弯曲特征而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样地，通过注入形成的埋入区域可以导致在埋入区域与注入发生的表面之间的区域中的一些注入。因而，图中所述的区域实际上是示意性的，它们的形状不是用于说明设备的区域的真实形状，也不是用于限制实施例的范围。
除非有限定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与实施例所属技术领域普通技术人员通常的理解相同的含意。进一步可以理解的是，术语，例如那些在通常使用的词典中定义的，应该认为是具有与上下文一致的相关领域的含意，而且不应认为是理想的或过度正式的意义，除非在这里清楚地如此定义。
图2A是根据实施例的电阻随机存取存储器(RRAM)的截面图。
参照图2A，具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层22被形成在下电极21上，并且上电极23被形成在电阻层22上。
下电极21和上电极23可以通过利用通常用于制造半导体装置的电极材料(例如，铝，铪，锆，锌，钨，钴，金，铂，钌，铱，钛，或导电金属氧化物)形成。然而，电极材料并不局限于此。
电阻层22的金属氧化物可以是镍氧化物，钛氧化物，铪氧化物，锆氧化物，锌氧化物，钨氧化物，钴氧化物，铌氧化物，或其它(例如，NiO，TiO2，HfO，ZrO，ZnO，WO3，CoO，Nb2O5，或类似的)，但并不局限于此。因此，至少两种金属氧化物可以结合用作电阻层22的金属氧化物。
电阻层22的金属离子掺杂物可以是过渡金属离子。例如，金属离子掺杂物可以是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。特别地，金属离子掺杂物可以是从由Ni+2离子、Ti+4离子、Hf+3离子、Zr+3离子、Zn+3离子、W+3离子、Co+2和Nb+2离子构成的组中选择的至少一种离子。
电阻层22的金属离子掺杂物可以取代电阻层22的金属氧化物的金属的位置以结合到氧。例如，当电阻层22中的金属氧化物是NiO且金属离子掺杂物是Ti离子时，Ti离子可以取代NiO中Ni的位置，残余电子可以补偿空穴。这样，即使当电阻层22在较低温度(例如，温度范围从大约室温到大约200℃)形成，电阻层22也可以有更好的电特性。
为了使电阻层即使在较低温度形成也能具有更好的电特性，电阻层22中的金属离子掺杂物的数量可以在大约0.0001-5wt％的范围之内，例如，0.001-1wt％。
根据示范性实施例的RRAM可以在1S(开关)-1R(电阻)系统中操作，在所述系统中RRAM连接到晶体管或开关，例如，二极管。
图2B是1T(晶体管)-1R(电阻)结构的截面图，在该结构中根据实施例的RRAM连接到晶体管。
参考图2B，与第一掺杂区202和第二掺杂区203相接触的栅极结构形成在包括第一掺杂区202和第二掺杂区203的衬底201上。所述栅极结构可以包括栅极绝缘层204和栅电极层205。层间绝缘层206形成在衬底201和栅极结构之间，接触栓207形成在第一掺杂区202或第二掺杂区203上的层间绝缘层206中。根据示范性实施例的所述RRAM可以形成在接触栓207上。RRAM的下电极21、电阻层22以及上电极23与上面描述的那些元件相同。所述RRAM可以连接到包括p型半导体层和n型半导体层的二极管结构，而不是连接到上述晶体管。
根据示范性实施例的制造RRAM的方法包括形成下电极21，在下电极21上形成具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层22，在电阻层22上形成上电极23。
电阻层22可以在较低的温度形成，例如，在从室温(大约25℃)到大约200℃的温度范围内。参考图1A，样品1，在室温沉积而成的NiO层，不具备充分的可变电阻特性。然而，示范性实施例中的RRAM可以包含具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层，并且，如上所述，即使当电阻层在较低温度(例如，在从室温(大约25℃)到大约200℃的范围内)沉积时，所述RRAM也可以具有更好的可变电阻特性。该结果在后面描述的示例中可以观察到。因此，示范性实施例中的RRAM能够以更有成本效益的方式制造，并且可以被形成在更柔软的衬底上，例如，塑料衬底。
电阻层22中金属氧化物和金属离子掺杂物同上所述。
RRAM的电阻层22可以通过采用掺杂金属离子掺杂物的金属靶的沉积方法形成。金属离子掺杂物的例子可以是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。特别地，可以是从由Ni+2离子、Ti+4离子、Hf+3离子、Zr+3离子、Zn+3离子、W+3离子、Co+2和Nb+2离子构成的组中选择的一种离子。
考虑到在沉积之后形成的电阻层22中可能包含的金属离子掺杂物的数量，掺入的金属离子掺杂物的数量可以在大约0.0001-5wt％的范围内，例如，0.001-1wt％。
电阻层22可以通过使用至少两个金属靶沉积形成，例如，从由镍靶、钛靶、铪靶、锆靶、锌靶、钨靶、钴靶和铌靶构成的组中选择的至少两个靶。
电阻层22可以利用各种沉积方法(例如，溅射法，化学汽相沉积(CVD)，等离子体汽相沉积(PVD)，或原子层沉积(ALD)方法)形成。
参考下面的例子具体描述示范性实施例。这里的例子只是示例性的而不应被解释为对示范性实施例范围的限定。
实例1：包含具有0.05wt％钛离子的NiO层的RRAM
在衬底上形成厚度为50nm的铂电极。厚度为
Figure A20081009202400101
大小为100μm×100μm、具有0.05wt％钛离子的NiO层通过使用反应溅射方法形成在铂电极上，所述反应溅射方法使用掺杂有0.05wt％钛离子(O2分压：10mol％，溅射温度：大约25℃的室温)的镍靶。然后，铂电极形成在具有0.05wt％钛离子的NiO层上以提供RRAM。
实例2：包含具有0.1wt％钛离子的NiO层的RRAM
通过与实例1相同的方式制造RRAM，除了利用掺杂有0.1wt％钛离子的镍靶代替掺杂有0.05wt％钛离子的镍靶形成具有0.1wt％钛离子的NiO层之外。
比较例1
通过与实例1相同的方式制造RRAM，除了使用纯镍靶代替掺杂有0.05wt％钛离子的镍靶并且溅射温度在大约400℃之外。
评估例1
包含根据实例2获得的具有0.1wt％钛离子的NiO层(室温沉积)的RRAM以及包含根据比较例1获得的纯NiO层(大约400℃沉积)的RRAM的XRD数据如图3所示。包含纯NiO层(室温沉积)的RRAM的XRD数据也在图3中以NiO，R.T.示出以供比较。
参照图3，根据包含室温沉积的纯NiO层的RRAM的XRD数据，强度在所示的NiO(200)处较弱，且没有可变电阻特性。另一方面，根据比较例1获得的包含在大约400℃沉积的纯NiO层的RRAM的XRD数据，强度在所示的NiO(200)处较高，且具有可变电阻特性。
根据实例2获得的具有0.1wt％钛离子的NiO层的RRAM在NiO(200)处的XRD峰的形状与根据比较例1获得的包括在大约400℃沉积的、具有可变电阻特性的纯NiO层的RRAM在NiO(200)处的XRD峰的形状相似。因此，根据实例2获得的包括具有0.1wt％钛离子的NiO层作为电阻层的RRAM可能具有更好的电阻特性，因为即使电阻层在室温沉积，该RRAM在NiO(200)处也具有更高的峰值强度。
评估例2
图4是根据示范性实施例的实例1、实例2和比较例1的RRAM的电流-电压特性曲线图。
参照图4，根据实例1和实例2获得的RRAM的电阻可能比根据比较例1获得的RRAM的电阻更大。根据实例2的RRAM的可变电阻特性如图5所示。参考图5，即使RRAM的电阻层在室温沉积，根据实例2的RRAM的电阻层可能具有更好的可变电阻特性。
示范性实施例中的RRAM的电阻层可以具有更好的电阻特性并且可以在从大约室温到大约200℃的较低的温度范围内沉积。因此，示范性实施例的RRAM能够以更有成本效益方式制造，并且可以被更为可靠地用作柔软的装置上。
前面所述的实施例是举例说明而不是对它们的限定。尽管描述了这些实施例，那些本领域技术人员可以很容易地想到许多本质上不脱离这些实施例的提示和优点的可能的修改。因此，所有这些修改都包括在权利要求的保护范围以内。所以，可以理解的是，前面所述的实施例是举例说明而不是限定本发明的特定的实施例，公开的实施例的修改和其它实施例一样，都包括在权利要求的保护范围内。

Claims (19)

1.一种电阻随机存取存储器，包括：
下电极；
在所述下电极上的具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；以及
在所述电阻层上的上电极。
2.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是从由镍氧化物、钛氧化物、铪氧化物、锆氧化物、锌氧化物、钨氧化物、钴氧化物和铌氧化物构成的组中选择的至少一种氧化物。
3.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是NiO。
4.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是过渡金属离子。
5.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。
6.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是钛离子。
7.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物在所述金属氧化物的金属的位置被取代以结合到氧。
8.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物的数量在大约0.0001-5wt％的范围内。
9.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是NiO并且所述金属离子掺杂物是钛离子。
10.一种制造电阻随机存取存储器的方法，所述方法包括：
形成下电极；
在所述下电极上形成具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；
在所述电阻层上形成上电极。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层在从大约室温到大约200℃的温度范围内形成。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层在大约室温下形成。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属氧化物是从由镍氧化物、钛氧化物、铪氧化物、锆氧化物、锌氧化物、钨氧化物、钴氧化物和铌氧化物构成的组中选择的至少一种氧化物。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物在所述金属氧化物的金属的位置被取代以结合到氧。
16.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用以所述金属离子掺杂物掺杂的金属靶的沉积来形成。
17.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用至少两种金属靶的沉积来形成。
18.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用溅射、化学汽相沉积、等离子体汽相沉积或原子层沉积方法来形成。
19.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用掺杂钛离子的Ni靶的沉积来形成。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958400A (zh) * 2010-07-19 2011-01-26 中国科学院物理研究所 一种柔性阻变存储器及其制备方法
CN102623634A (zh) * 2012-03-29 2012-08-01 杭州电子科技大学 一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法
CN103227284A (zh) * 2013-05-09 2013-07-31 北京大学 一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
CN106229407A (zh) * 2016-09-08 2016-12-14 北京大学 一种高一致性阻变存储器及其制备方法
CN106463340A (zh) * 2015-01-05 2017-02-22 王士原 具有注入及辐射通道的电阻式随机存取存储器

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8975613B1 (en) 2007-05-09 2015-03-10 Intermolecular, Inc. Resistive-switching memory elements having improved switching characteristics
JP4539885B2 (ja) * 2007-08-06 2010-09-08 ソニー株式会社 記憶素子および記憶装置
US7960216B2 (en) * 2008-05-10 2011-06-14 Intermolecular, Inc. Confinement techniques for non-volatile resistive-switching memories
US8183553B2 (en) * 2009-04-10 2012-05-22 Intermolecular, Inc. Resistive switching memory element including doped silicon electrode
US8343813B2 (en) * 2009-04-10 2013-01-01 Intermolecular, Inc. Resistive-switching memory elements having improved switching characteristics
US8129704B2 (en) * 2008-05-01 2012-03-06 Intermolecular, Inc. Non-volatile resistive-switching memories
US7977152B2 (en) * 2008-05-10 2011-07-12 Intermolecular, Inc. Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization
US8008096B2 (en) * 2008-06-05 2011-08-30 Intermolecular, Inc. ALD processing techniques for forming non-volatile resistive-switching memories
KR100960013B1 (ko) * 2008-07-24 2010-05-28 주식회사 하이닉스반도체 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법
US9385314B2 (en) 2008-08-12 2016-07-05 Industrial Technology Research Institute Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof
JP5512525B2 (ja) * 2008-09-08 2014-06-04 株式会社東芝 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
US8049305B1 (en) 2008-10-16 2011-11-01 Intermolecular, Inc. Stress-engineered resistance-change memory device
KR20100062570A (ko) * 2008-12-02 2010-06-10 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
US8420478B2 (en) * 2009-03-31 2013-04-16 Intermolecular, Inc. Controlled localized defect paths for resistive memories
KR20110021405A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
US8072795B1 (en) 2009-10-28 2011-12-06 Intermolecular, Inc. Biploar resistive-switching memory with a single diode per memory cell
WO2011071009A1 (ja) * 2009-12-08 2011-06-16 日本電気株式会社 電気化学反応を利用した抵抗変化素子及びその製造方法
JP5732827B2 (ja) * 2010-02-09 2015-06-10 ソニー株式会社 記憶素子および記憶装置、並びに記憶装置の動作方法
US8313996B2 (en) 2010-09-22 2012-11-20 Micron Technology, Inc. Reactive metal implated oxide based memory
CN102130297B (zh) * 2010-12-17 2013-07-10 天津理工大学 基于p/n型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
WO2012127735A1 (ja) 2011-03-18 2012-09-27 日本電気株式会社 抵抗変化素子及び半導体記憶装置
US8884285B2 (en) * 2011-07-13 2014-11-11 Rutgers, The State University Of New Jersey Multifunctional zinc oxide nano-structure-based circuit building blocks for re-configurable electronics and optoelectronics
US9627439B2 (en) 2011-07-13 2017-04-18 Rutgers, The State University Of New Jersey ZnO-based system on glass (SOG) for advanced displays
US8288297B1 (en) * 2011-09-01 2012-10-16 Intermolecular, Inc. Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications
TWI500116B (zh) * 2012-09-06 2015-09-11 Univ Nat Chiao Tung 可撓曲非揮發性記憶體及其製造方法
US20150179657A1 (en) * 2013-12-24 2015-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
US20200044152A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition of doped transition metal oxide and post-deposition treatment thereof for non-volatile memory applications
US11527717B2 (en) 2019-08-30 2022-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Resistive memory cell having a low forming voltage

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923056A (en) * 1996-10-10 1999-07-13 Lucent Technologies Inc. Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials
US20060054950A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 In-Gyu Baek Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3571034B2 (ja) * 2002-06-18 2004-09-29 独立行政法人 科学技術振興機構 磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置
KR100773537B1 (ko) 2003-06-03 2007-11-07 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100682895B1 (ko) 2004-11-06 2007-02-15 삼성전자주식회사 다양한 저항 상태를 지닌 저항체를 이용한 비휘발성메모리 소자 및 그 작동 방법
US7812404B2 (en) * 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US8106375B2 (en) * 2005-11-30 2012-01-31 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Resistance-switching memory based on semiconductor composition of perovskite conductor doped perovskite insulator
US7666526B2 (en) * 2005-11-30 2010-02-23 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Non-volatile resistance-switching oxide thin film devices
JP4857014B2 (ja) * 2006-04-19 2012-01-18 パナソニック株式会社 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ
US7649242B2 (en) * 2006-05-19 2010-01-19 Infineon Technologies Ag Programmable resistive memory cell with a programmable resistance layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923056A (en) * 1996-10-10 1999-07-13 Lucent Technologies Inc. Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials
US20060054950A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 In-Gyu Baek Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958400A (zh) * 2010-07-19 2011-01-26 中国科学院物理研究所 一种柔性阻变存储器及其制备方法
CN102623634A (zh) * 2012-03-29 2012-08-01 杭州电子科技大学 一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法
CN103227284A (zh) * 2013-05-09 2013-07-31 北京大学 一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
CN106463340A (zh) * 2015-01-05 2017-02-22 王士原 具有注入及辐射通道的电阻式随机存取存储器
CN106229407A (zh) * 2016-09-08 2016-12-14 北京大学 一种高一致性阻变存储器及其制备方法

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