CN101257028A - 薄膜晶体管基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种薄膜晶体管基板及制造TFT基板的方法，其能够简化制造工艺并保护栅驱动器不被侵蚀。薄膜晶体管基板包括：包括显示区域和非显示区域的绝缘基板，包括在显示区域中绝缘基板上形成的第一栅电极的栅金属图形，在栅金属图形上形成的栅绝缘层，在栅栅绝缘层上形成的与第一栅电极交叠的第一半导体图形，包括连接到第一半导体图形两端的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，连接到第一漏电极并形成在栅绝缘层上的透明导电图形，和形成在第一半导体图形和数据金属图形上的保护层。
Description
技术领域
本公开涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，且尤其涉及一种LCD装置的薄膜晶体管(“TFT”)基板以及该TFT基板的制造方法，其能够简化制造工艺并能够防止栅驱动器被侵蚀。
背景技术
通常，LCD装置包括具有多条栅线和多条数据线的显示面板、将栅信号提供给多条栅线的栅驱动器以及将数据信号提供给多条数据线的数据驱动器。
栅驱动器和数据驱动器以芯片的形式安装于显示面板上。目前，已经开发了一种建立在显示面板中的栅驱动器，以降低显示装置的尺寸并提高生产量。栅驱动器包括第一保护层，以覆盖安装于栅驱动器上的TFT。透明电极沿着第一保护层形成。这种情况下，透明电极形成于栅驱动器的顶部上，以便电连接到显示装置。然而，由于透明电极暴露到显示装置的外部，所以当在高温和高湿度下长时间驱动显示装置时栅驱动器可被侵蚀。
像素电极通过在第一保护层中形成的接触孔电连接到漏电极。像素电极和第一保护层通过多个掩模工艺形成。形成像素电极和第一保护层的掩模工艺可包括一系列的工艺，如薄膜沉积工艺、清洗工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、光刻胶剥离工艺以及检查工艺。由于这些掩模工艺是必须的，因此显示装置具有复杂的制造工艺，从而导致制造成本的明显增加。而且，由于像素电极通过接触孔连接到漏电极，因此在两个电极之间的接触面积变小，并由此增加了电阻。因此，负载功耗可能增加。
发明内容
本发明的示范性实施例提供了一种TFT基板及其制造方法，其能够简化制造工艺并防止栅驱动器被侵蚀。
本发明的示范性实施例提供了一种薄膜晶体管基板，其包括：具有显示区域和非显示区域的绝缘基板，包括形成在显示区域中绝缘基板上的第一栅电极的栅金属图形，形成在栅金属图形上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上与第一栅电极交叠的第一半导体图形，包括连接到第一半导体图形两个端部的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，连接到第一漏电极并形成在栅绝缘层上的透明导电图形，和形成在第一半导体图形和数据金属图形上的保护层。
该薄膜晶体管基板还包括第二半导体图形，其中栅金属图形包括形成在绝缘层上与非显示区域对应的第二栅电极和栅信号线，其中第二半导体图形形成在栅绝缘层上与第二栅电极交叠，且其中数据金属图形包括连接到第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
栅绝缘层包括暴露出栅信号线并形成在第二半导体图形上的第一接触孔，且其中第二源电极通过第一接触孔连接到栅信号线。
栅金属图形包括非显示区域中连接到栅信号线的栅焊垫部分。
栅绝缘层包括暴露出栅焊垫部分的第二接触孔。
透明导电图形通过第二接触孔连接到栅焊垫部分并包括形成在栅绝缘层上的第一透明电极。
数据金属图形形成在非显示区域中并包括连接到第一源电极的数据焊垫部分。
透明导电图形连接到数据焊垫部分并包括形成在栅绝缘层上的第二透明电极。
本发明的示范性实施例提供一种薄膜晶体管基板的制造方法。该薄膜晶体管基板的制造方法包括：形成包括在显示区域中于绝缘层上形成的第一栅电极的栅金属图形，在栅金属图形上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成与第一栅电极交叠的第一半导体图形，形成包括连接到第一半导体图形两端部的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，在栅绝缘层上形成包括连接到第一漏电极的像素电极的透明导电图形，和在第一半导体图形和数据金属图形上形成保护层。
形成栅金属图形的步骤包括对应于非显示区域在绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线，其中形成半导体图形的步骤包括在栅绝缘层上形成与第二栅电极交叠的第二半导体图形，且其中形成数据金属图形的步骤包括形成连接到第二半导体图形两侧的第二源电极和第二漏电极。
形成半导体图形的步骤包括形成暴露出栅信号线的第一接触孔。
形成数据金属图形的步骤包括通过第一接触孔将栅信号线连接到第二源电极。
形成半导体图形的步骤包括形成暴露出栅焊垫部分的第二接触孔。
形成透明导电图形的步骤包括在栅绝缘层上形成通过第二接触孔连接到栅焊垫部分的第一透明导电电极。
形成数据金属图形的步骤包括形成连接到第一源电极的数据焊垫部分。
形成透明导电图形的步骤包括在栅绝缘层上形成连接到数据焊垫部分的第二透明电极。
本发明的示范性实施例提供了一种薄膜晶体管基板的制造方法。薄膜晶体管基板的制造方法包括：形成包括对应于显示区域在绝缘基板上的第一栅电极的栅金属图形的第一掩模工艺，在栅金属图形上形成栅绝缘层和在栅绝缘层上形成与第一栅电极交叠的第一半导体图形的第二掩模工艺，形成包括连接到第一半导体图形两侧的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形的第三掩模工艺，以及在栅绝缘层上形成包括连接到第一漏电极的像素电极的透明导电图形和在第一半导体图形和数据金属图形上形成保护层的第四掩模工艺。
第一掩模工艺包括对应于非显示区域在绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线，其中第二掩模工艺包括在栅绝缘层上形成与第二栅电极交叠的第二半导体图形，且其中第三掩模工艺包括形成连接到第二半导体图形两侧的第二源电极和第二漏电极。
第四掩模工艺包括在其上形成了数据金属图形的绝缘层上沉积透明导电层，在透明导电层上沉积光刻胶，经由掩模对应于除了透明导电图形之外的区域的光刻胶被曝光，通过显影和蚀刻曝光的光刻胶去除对应于除了透明导电图形之外的区域的透明导电层，在绝缘基板上沉积保护层，以及通过浮脱工艺去除在透明导电图形上形成的光刻胶和保护层。
以下参考附图更加详细地描述本发明的示范性实施例。在整个附图中将使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。将省略在此引入的非常公知的功能和结构的详细描述，以避免模糊本发明的主题。
虽然本发明可以有很多不同形式的实施例，但是在图中示出了示范性实施例，将其理解为，认为本公开是本发明原理的范例，且其不将本发明限于所示出的具体实施例。
附图说明
根据以下描述结合附图将更详细理解本发明的示范性实施例，附图中：
图1是根据本发明示范性实施例的LCD装置的方框图；
图2是根据本发明示范性实施例的LCD装置的平面图；
图3是沿着图2中的截线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’取得的LCD装置的截面图；
图4A至4D是示出根据本发明示范性实施例的LCD装置的TFT基板制造方法的截面图；以及
图5A至5E是示出根据本发明示范性实施例的图4D中示出的TFT基板制造方法中第四掩模工艺的截面图。
具体实施方式
图1是根据本发明示范性实施例的LCD装置的方框图。
本发明的LCD装置包括显示面板140、数据驱动器120、栅驱动器122和计时控制器100。
显示面板140包括TFT基板、滤色器基板(未示出)和密封于TFT基板和滤色器之间的液晶层(未示出)。滤色器基板包括用于显示颜色的红(R)、绿(G)和蓝(B)色滤光器以及用于将公共电压提供给液晶的公共电极。滤色器基板还可包括白色滤光器以改善显示装置的发光。
TFT基板包括显示区域L1和非显示区域L2。多条栅线GL1至GLn、多条数据线DL1至DLm、TFT和像素电极PIXEL形成在TFT基板的显示区域L1中。多条栅线GL1至GLn以及多条数据线DL1至DLm相互垂直地设置。TFT连接到每个像素区域中的像素电极PIXEL。
例如，第一TFT连接到第一栅线GL1、第一数据线DL1和像素电极。
栅驱动器122、栅焊垫(未示出)和数据焊垫(未示出)形成在非显示区域L2中。栅驱动器122连接到多条栅线GL1至GLn。栅焊垫和数据焊垫分别连接到栅驱动器122和多条数据线DL1至DLm。
液晶材料具有各向异性特性，以使液晶分子根据施加到公共电极和像素电极上的电压差改变它们的取向。液晶分子通过电压差扭曲，以使其可以通过控制施加到公共电极和像素电极的电压来调整光透射率。
响应于从计时控制器100接收的数据控制信号DCS，数据驱动器120每一水平周期产生与一条线相对应的数据信号，并将该数据信号提供给多条数据线DL1至DLm。数据驱动器120通过带式载体封装(未示出)可连接到显示面板140。
计时控制器100将像素数据信号R、G和B提供给数据驱动器120。响应于外部控制信号，计时控制器100产生数据控制信号DCS和栅控制信号GCS，以分别控制数据驱动器120和栅驱动器122。在该示范性实施例中，栅控制信号GCS包括第一和第二时钟信号、扫描触发信号等。数据控制信号DCS包括源起始脉冲信号、源移位时钟信号、极性控制信号等。
栅驱动器122响应于从计时控制器100接收的栅控制信号GCS在每个水平周期产生栅驱动信号，并将栅驱动信号顺序提供给多条栅线GL1至GLn。栅驱动器122包括多个TFT，该多个TFT通过使用具有高载流子的多晶硅或非晶硅集成在非显示区域L2上。栅驱动器122的TFT通过相同工艺与形成在显示面板140的显示区域L1上的TFT同时形成。
栅驱动器122例如可包括七个TFT(未示出)，和多个相互连接的级(未示出)。在第一水平周期期间，栅驱动器122将由七个TFT产生的扫描信号提供给第一栅线GL1。在第二水平周期期间栅驱动器122将扫描信号提供给第二栅线GL2，并在第三水平周期期间将扫描信号提供给第三栅线GL3。以这种方式，栅驱动器122顺序产生每一水平周期的一个扫描脉冲，以顺序驱动多条栅线GL1至GLn。
图2是根据本发明示范性实施例的LCD装置的平面图，和图3是沿着图2中的截线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’取得的LCD装置的截面图。截线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’分别涉及栅驱动器区域GDR、像素区域PR、栅焊垫区域GPR和数据焊垫区域DPR。栅驱动器区域GDR、栅焊垫区域GPR和数据焊垫区域DPR形成在TFT基板的非显示区域L2中，和像素区域PR形成在TFT基板的显示区域L1中。
参考图2和3，第二TFT T2和栅信号线22形成在绝缘基板10上栅驱动器区域GDR中。第二TFT T2包括第二栅电极24、第二有源层50b、第二欧姆接触层54b、第二源电极52b和第二漏电极60b。
第二有源层50b与第二栅电极24交叠，栅绝缘层40安置在其间以形成沟道。第二欧姆接触层54b形成在第二有源层50b和第二源电极和漏电极52b和60b之间。第二漏电极60b连接到包括在栅驱动器122中的其他TFT(未示出)。第二源电极52b通过经由第一接触孔74暴露出的连接信号线53连接到栅信号线22。栅信号线22优选由与第二栅电极24相同的金属材料制成。
第一保护层30形成在连接信号线53、第二源电极和漏电极52b和60b以及第二有源层50b上。第二保护层68形成在第一保护层30上。在该示范性实施例中，希望第一保护层30是无机层和第二保护层68是有机层。第一和第二保护层30和68防止第二TFT T2和栅信号线22被侵蚀。
栅信号线22通过连接信号线53将栅驱动信号提供给第二TFT T2，并且第二TFT T2通过第二漏电极60b将栅驱动信号提供给其他TFT(未示出)。
第一TFT T1和像素电极32形成在于绝缘基板10上形成的像素区域PR中。
第一TFT T1包括第一栅电极26、第一有源层50a、第一欧姆接触层54a、第一源电极52a和第一漏电极60a。第一栅电极26连接到栅线80，于图2中示出，并通过栅线80接收栅驱动信号。第一源电极52a连接到数据线82，于图2中示出，并通过数据线82接收数据信号。第一漏电极60a连接到像素电极32。第一有源层50a与第一栅电极26交叠，其间设置有栅绝缘层40以形成沟道。第一欧姆接触层54a形成于第一有源层50a与第一源电极和漏电极52a和60a之间。
像素电极32直接连接到第一漏电极60a并将从第一漏电极60a产生的数据信号提供给液晶。第一保护层30形成在第一源电极和漏电极52a和60a以及第一有源层50a上。第二保护层68形成在第一保护层30和像素电极32上。
根据本发明示范性实施例的像素电极32直接连接到第一漏电极60a，与常规像素电极通过接触孔连接到漏电极相反。因此，在根据本发明示范性实施例的像素电极32和第一漏电极60a之间的接触区域可比现有技术中公知的像素电极和漏电极之间的接触区域宽。
由于在像素电极32和第一漏电极60a之间的接触区域变宽了，因此像素电极32和第一漏电极60a的电阻降低了，由此降低了负载功率。而且，由于像素电极32与第一保护层30同时形成，因此可减少掩模制造工艺。
接下来，栅焊垫GP形成在绝缘基板10上的栅焊垫区域GPR中。栅焊垫GP通过栅信号线22将从计时控制器100产生的栅控制信号提供给栅驱动器122。在该示范性实施例中，栅焊垫GP通过栅信号线22连接到栅驱动器122。
栅焊垫GP包括电连接到计时控制器100的第一透明电极84a和连接到栅信号线22的栅焊垫部分28。第一透明电极84a通过形成在栅绝缘层40上的第二接触孔72连接到栅焊垫部分28。
参考数据焊垫区域DPR，数据焊垫DP形成在数据焊垫区域DPR中的栅绝缘层40上。通过图2中示出的数据线82，数据焊垫DP将从图2中示出的计时控制器100产生的数据信号提供给像素区域PR的第一TFT T1。
数据焊垫DP包括电连接到计时控制器100的第二透明电极84b和连接到数据线82的数据焊垫部分62。第二透明电极84b形成在于绝缘层40上形成的数据焊垫部分62上并连接到数据焊垫部分62。
图4A至4D是示出根据本发明示范性实施例的LCD装置的TFT基板制造方法的截面图。图4A至4D中示出的截线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’分别涉及到栅驱动器区域GDR、像素区域PR、栅焊垫区域GPR以及数据焊垫区域DPR。
图4A是示出根据本发明示范性实施例的TFT基板制造方法的第一掩模工艺的截面图。栅图形被形成在绝缘基板10的指定区域上。栅图形包括在栅驱动器区域GDR中形成的栅信号线22和第二栅电极24、在像素区域PR中形成的第一栅电极26以及在栅焊垫区域GPR中形成的栅焊垫部分28。
更具体地，栅金属层通过沉积方法如溅射形成在绝缘基板10上。栅金属层通过使用第一掩模的光刻工艺和蚀刻工艺图形化，从而形成栅驱动器区域GDR的栅信号线22和第二栅电极24、像素区域PR的第一栅电极26以及栅焊垫区域GPR的栅焊垫部分28。栅金属层可由例如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或者Al合金的金属材料以单层或多层结构形成。
图4B是示出根据本发明示范性实施例的TFT基板制造方法的第二掩模工艺的截面图。栅绝缘层40形成在其上形成了栅图形的绝缘基板10上。形成包括第一和第二欧姆接触层54a和54b以及第一和第二有源层50a和50b的半导体图形。第二欧姆接触层54b和第二有源层50b形成在栅驱动器区域GDR中的第二栅电极24上，和第一欧姆接触层54a和第一有源层50a形成在像素区域PR中的第一栅电极26上。
更具体地，通过使用等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)方法，将绝缘材料、非晶硅层和n+或p+杂质掺杂非晶硅层顺序沉积在其上形成了栅图形的绝缘基板10上。在该示范性实施例中，绝缘材料构成了栅绝缘层40，并可包括如氧化硅(SiOX)或氮化硅(SiNX)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
接下来，通过使用第二掩模的光刻工艺和蚀刻工艺图形化杂质掺杂非晶硅层、非晶硅层和绝缘材料。第一和第二接触孔74和72形成在栅绝缘层40中，由此在第二和第一栅电极24和26上形成半导体图形。
第一和第二接触孔74和72形成在栅驱动器区域GDR和栅焊垫区域GPR中，以分别暴露出栅信号线22和栅焊垫部分28。半导体图形包括在栅驱动器区域GDR中的第二栅电极24上的半导体层50b和54b和在像素区域PR中第一栅电极26上的半导体层50a和54a。
图4C是示出根据本发明示范性实施例的TFT基板制造方法的第三掩模工艺的截面图。源/漏金属图形形成在其上形成了半导体图形和栅绝缘层40的绝缘基板10上。在该示范性实施例中，源/漏金属图形包括栅驱动器区域GDR的第二源电极和漏电极52b和60b、像素区域PR的第一源电极和漏电极52a和60a以及数据焊垫区域DPR的数据焊垫部分62。
更具体地，在其上形成了半导体图形和栅绝缘层40的绝缘基板10上通过沉积方法如溅射形成源/漏金属层。源/漏金属层通过使用第三掩模的光刻工艺和蚀刻工艺图形化，从而形成第二源电极和漏电极52b和60b、第一源电极和漏电极52a和60a、以及数据焊垫部分62。此时，通过第一接触孔74连接到栅信号线22并延伸到第二源电极52b的连接信号线53形成在栅驱动器区域GDR中。源/漏金属层可由例如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或者Al合金的金属材料以单层或多层结构形成。
图4D是示出根据本发明示范性实施例的TFT基板制造方法的第四掩模工艺的截面图。透明导电图形形成在其上形成了源/漏金属图形的绝缘基板10上。透明导电图形包括像素区域PR的像素电极32、栅焊垫区域GPR的第一透明电极84a和数据焊垫区域DPR的第二透明电极84b。
将参考图5A至5D详细描述根据本发明示范性实施例的TFT基板制造方法的第四掩模工艺。参考图5A至5D，截线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’分别示出了栅驱动器区域GDR、像素区域PR、栅焊垫区域GPR和数据焊垫区域DPR。
如图5A中所示，使用沉积方法如溅射将透明导电层31形成在其上形成了源/漏金属图形的绝缘基板10的整个表面上。透明导电层31优选由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)或者非晶氧化铟锡(a-ITO)制成。
参考图5B，沉积光刻胶66以覆盖透明导电层31。通过使用包括光阻挡层92的掩模基板90的掩模工艺进行光刻工艺。除了光阻挡层92区域之外的掩模基板90的区域S与在绝缘基板10上形成的透明导电层31上的曝光区域相对应。在该示范性实施例中，其上形成了光阻挡层92的区域包括对应于像素区域PR的图5C中所示像素电极32、栅焊垫区域GPD的图5C中所示第一透明电极84a以及数据焊垫区域DPR的图5C中所示第二透明电极84b的区域。
参考图5C，曝光区域的透明导电层31通过蚀刻工艺去除，从而暴露出栅驱动器区域GDR的第二有源层50b和第二源电极和漏电极52b和54b以及像素区域PR的第一有源层50a和第一源电极和漏电极52a和54a。光刻胶图形66a保留在除了曝光区域之外的区域上，即保留在像素区域PR的像素电极32上、栅焊垫区域GPR的第一透明电极84a上以及数据焊垫区域DPR的第二透明电极84b上。
参考图5D，无机绝缘材料通过使用PECVD、旋涂或非旋涂(spinlesscoating)方法沉积在其上形成了光刻胶图形66a的绝缘基板10的整个表面上以形成第一保护层30。在该示范性实施例中，希望构成第一保护层30的无机绝缘层由与栅绝缘层40相同的材料形成。
接下来，如图5E中所示，图5D中示出的光刻胶图形66a和在光刻胶图形66a上形成的无机绝缘材料通过使用剥离器的浮脱工艺(liftoff process)同时去除，从而暴露出像素区域PR的像素电极32、栅焊垫区域GPR的第一透明电极84a和数据焊垫区域DPR的第二透明电极84b。
最终，有机绝缘材料沉积在其上暴露出像素电极32、第一透明电极84a和第二透明电极84b的绝缘基板10的整个表面上，从而形成第二保护层68。构成第二保护层68的有机绝缘材料可由环氧树脂基丙烯酸树脂制成。
根据本发明的示范性实施例，由于TFT基板通过改变保护层和像素电极的制造顺序和通过使用浮脱工艺来制造，因此减少了掩模工艺的数量。因此，降低了制造成本。而且，由于像素电极直接连接到漏电极，因此降低了功耗。此外，由于保护层覆盖了像素电极，因此防止栅驱动器被侵蚀。
虽然已经参考其示范性实施例示出并描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，其中可作出各种形式和细节上的变化，而不会脱离附属的权利要求所限定的本发明的精神和范围。
本申请要求2006年9月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2006-93334的优先权，在此通过参考将其公开内容整体并入本文。
Claims (19)
1. 一种薄膜晶体管基板，包括：
绝缘基板，包括显示区域和非显示区域；
栅金属图形，包括形成在该显示区域中该绝缘基板上的第一栅电极；
栅绝缘层，形成在该栅金属图形上；
第一半导体图形，形成在该栅绝缘层上与该第一栅电极交叠；
数据金属图形，包括连接到该第一半导体图形的两端的第一源电极和第一漏电极；
透明导电图形，连接到该第一漏电极并形成在该栅绝缘层上；和
保护层，形成在该第一半导体图形和该数据金属图形上。
2. 如权利要求1的薄膜晶体管基板，还包括第二半导体图形，
其中该栅金属图形包括对应于该非显示区域形成在该绝缘层上的第二栅电极和栅信号线，
其中该第二半导体图形形成在该栅绝缘层上与该第二栅电极交叠，和
其中该数据金属图形包括连接到该第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
3. 如权利要求2的薄膜晶体管基板，其中该栅绝缘层包括第一接触孔，该第一接触孔暴露出该栅信号线并形成在该第二半导体图形上，且其中该第二源电极通过该第一接触孔连接到该栅信号线。
4. 如权利要求3的薄膜晶体管基板，其中该栅金属图形包括该非显示区域中连接到该栅信号线的栅焊垫部分。
5. 如权利要求4的薄膜晶体管基板，其中该栅绝缘层包括暴露出该栅焊垫部分的第二接触孔。
6. 如权利要求5的薄膜晶体管基板，其中该透明导电图形通过该第二接触孔连接到该栅焊垫部分并包括形成在该栅绝缘层上的第一透明电极。
7. 如权利要求3的薄膜晶体管基板，其中该数据金属图形形成在该非显示区域中并包括连接到该第一源电极的数据焊垫部分。
8. 如权利要求7的薄膜晶体管基板，其中该透明导电图形连接到该数据焊垫部分并包括形成在该栅绝缘层上的第二透明电极。
9. 一种薄膜晶体管基板的制造方法，该方法包括：
形成包括于显示区域中绝缘层上形成的第一栅电极的栅金属图形；
在该栅金属图形上形成栅绝缘层；
在该栅绝缘层上形成与该第一栅电极交叠的第一半导体图形；
形成包括连接到该第一半导体图形的两端的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形；
在该栅绝缘层上形成包括连接到该第一漏电极的像素电极的透明导电图形；和
在该第一半导体图形和该数据金属图形上形成保护层。
10. 如权利要求9的方法，其中形成该栅金属图形的步骤包括对应于非显示区域在该绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线，其中形成该半导体图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成与该第二栅电极交叠的第二半导体图形，和其中形成该数据金属图形的步骤包括形成连接到该第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
11. 如权利要求10的方法，其中形成该半导体图形的步骤包括形成暴露出该栅信号线的第一接触孔。
12. 如权利要求11的方法，其中形成该数据金属图形的步骤包括通过该第一接触孔将该栅信号线连接到该第二源电极。
13. 如权利要求12的方法，其中形成该半导体图形的步骤包括形成暴露出该栅焊垫部分的第二接触孔。
14. 如权利要求13的方法，其中形成该透明导电图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成通过该第二接触孔连接到该栅焊垫部分的第一透明导电电极。
15. 如权利要求14的方法，其中形成该数据金属图形的步骤包括形成连接到该第一源电极的数据焊垫部分。
16. 如权利要求15的方法，其中形成该透明导电图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成连接到该数据焊垫部分的第二透明电极。
17. 一种薄膜晶体管基板的制造方法，该方法包括：
第一掩模工艺，形成包括对应于显示区域在绝缘基板上的第一栅电极的栅金属图形；
第二掩模工艺，在该栅金属图形上形成栅绝缘层并在该栅绝缘层上形成与该第一栅电极交叠的第一半导体图形；
第三掩模工艺，形成包括连接到该第一半导体图形的两侧的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形；和
第四掩模工艺，在该栅绝缘层上形成包括连接到该第一漏电极的像素电极的透明导电图形，和在该第一半导体图形和该数据金属图形上形成保护层。
18. 如权利要求17的方法，其中该第一掩模工艺包括对应于非显示区域在该绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线，其中该第二掩模工艺包括在该栅绝缘层上形成与该第二栅电极交叠的第二半导体图形，和其中该第三掩模工艺包括形成连接到该第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
19. 如权利要求18的方法，其中该第四掩模工艺包括：
在其上形成该数据金属图形的该绝缘层上沉积透明导电层；
在该透明导电层上沉积光刻胶；
通过掩模将对应于除了该透明导电图形之外的区域的光刻胶曝光；
通过显影和蚀刻曝光的光刻胶，去除除了该透明导电图形之外的区域的该透明导电层；
在该绝缘基板上沉积该保护层；和
通过浮脱工艺去除形成在该透明导电图形上的该光刻胶和该保护层。
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