CN101228691B - 压电谐振器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

压电谐振器具备：由压电薄膜构成的压电体层(101)；第一电极(102)，形成在压电体层(101)的一个主面上，并且其断面具有将与压电体层(101)相接的一侧作为长边的台形形状；及第二电极(103)，形成在压电体层(101)的另一个主面上，并且其断面具有将与压电体层(101)相接的一侧作为长边的台形形状。

Description

压电谐振器的制造方法
技术领域
本发明涉及在以便携式电话或无线LAN等为代表的无线通信设备中使用的、利用了压电薄膜的压电谐振器、及其压电谐振器的制造方法。 
背景技术
内置在便携式通信设备等中的部件要求维持高性能且要求更小型化且轻量化。例如，在便携电话中使用的选择高频信号的滤波器或共用器中，要求小型且插入损耗小。作为满足该要求的滤波器的一种，已知有使用利用压电薄膜的压电谐振器的滤波器。 
图12是现有的压电谐振器的剖面图(参照专利文献1)。该现有的电压谐振器按以下顺序制造。 
最初，在由硅等构成的基板504的表面上形成成为空腔506的凸部。然后，在该凸部中填充由磷硅酸玻璃(PSG)或有机阻挡层等易熔性材料构成的牺牲层，然后进行平坦化。接着，在牺牲层上形成由氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等构成的绝缘膜510。接着，在绝缘膜510上形成成为第一电极502的导电膜。接着，利用通常的光刻技术，将导电膜构图为预定的形状，形成第一电极502。在此，第一电极502通过溅射法或蒸镀法形成，广泛利用钼(Mo)、钨(W)或铝(Al)等。接着，在第一电极502上形成由氮化铝(AlN)或氧化锌(ZnO)等压电体构成的压电体层501。进而，在压电体层501上形成成为第二电极503的导电膜。接着，通过再次对导电膜进行蚀刻加工，从而形成第二电极503。最后，利用氢氟酸或有机溶剂等溶剂来蚀刻除去牺牲层，并形成空腔506。 
由图12可知，在通过湿法蚀刻形成了各电极时，第一电极502的剖面形状成为与压电体层501相接的一侧成为短边的梯形形状，第二电极503的断面形状成为与压电体层501相接的一侧成为长边的梯形形状。并且，如使用干法蚀刻等方法，则第一电极502及第二电极503的断面形状均成为端面垂直的矩形形状。 
图13是现有的其它压电谐振器的剖面图(参照专利文献2)。该现有的压电谐振器是将上述的现有的压电谐振器的空腔506，用交替层叠了低音响阻抗层605和高音响阻抗层606的声音反射镜层607代替的结构。该现有的压电谐振器也采用从基板604按顺序层叠的制造方法，所以通过湿法蚀刻形成了各电极时，第一电极602的断面形状成为与压电体层601相接的一侧成为短边的梯形形状，第二电极603的断面形状形成与压电体层601相接的一侧成为长边的梯形形状。 
专利文献1：(日本)特表2002-509644号公报 
专利文献2：(日本)特开2002-251190号公报 
但是，上述的现有的压电谐振器在形成第一电极之后以形成压电体层及第二电极的顺序制造，所以第一电极的断面形状形成与压电体相接的一侧成为短边的梯形形状或端面垂直的矩形形状。因此，存在如下问题：在压电谐振器的电特性中，产生无用的寄生等。 
此外，上述现有的压电谐振器以在第一电极上形成压电体层的顺序制造，所以存在如下问题：在第一电极端部，压电体层的结晶性变差，而作为谐振尖锐度的Q值变差。 
进而，在上述现有的压电谐振器以在牺牲层或声音反射镜层上形成压电体层的顺序制造，所以存在如下问题：形成有压电体层的表面的平坦度被损坏，使压电体层的结晶性变差。 
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种压电谐振器及其制造方法，具有没有无用的寄生的优良的特性。 
本发明面向以预定的频率振动的压电谐振器。并且，为了实现上述目的，本发明的压电谐振器具备：由压电薄膜构成的压电体层；第一电极，形成在压电体层的一个主面上，其断面具有将与压电体层相接的部分作为长边的梯形形状；及第二电极，形成在压电体层的另一个主面上，其断面具有将与压电体层相接的部分作为长边的梯形形状。 
优选，第一电极的断面形状和第二电极的断面形状夹着压电体层而对称。此外，优选，压电体层隔着由无机材料构成的支承部而固定在基板上，或者压电体层隔着由无机材料构成的薄膜层固定在基板上。 
上述结构的压电谐振器通过下述工序制造：在第一基板上形成压电体层的工序；在压电体层的一个主面上，形成其断面形状具有将与压电体层相接的部分作为长边的梯形形状的第一电极的工序；利用隔着支承部的粘合方式，将形成有第一电极的压电体层从第一基板转印到第二基板的工序；在压电体层的另一个主面上，形成其断面形状具有将与压电体层相接的部分作为长边的梯形形状的第二电极的工序。 
转印的工序可以包括使由金属构成的支承部成为熔融状态或半熔融状态而粘合的工序，可以包括使由氧化物薄膜层构成的支承部和第二基板，表面活性化并重合从而进行粘合的工序。 
上述的本发明的压电谐振器可以单独起作用，但是若连接2个以上，则可以实现滤波器或供给器等高频部件。此外，上述高频部件能够与天线、发送电路及接收电路等一起用于通信设备。 
发明的效果如下： 
根据上述本发明，能够有效地抑制无用的寄生，实现Q值高的压电谐振器。特别是，根据本发明的压电谐振器的制造方法，能够不损坏压电体层的结晶性地将高品质的压电体层应用于谐振器。 
附图说明
图1A是示意地表示本发明的第一实施方式的压电谐振器的结构的图。 
图1B是示意地表示本发明的第一实施方式的压电谐振器的结构的图。 
图1C是示意地表示本发明的第一实施方式的压电谐振器的结构的图。 
图2A是概略地示出第一实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。 
图2B是概略地示出第一实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。 
图3是表示第一实施方式的压电谐振器的电特性(导纳)的图。 
图4A是用于说明图3所示的电特性的现有的压电谐振器的结构剖面图。 
图4B是用于说明图3所示的电特性的本发明的压电谐振器的结构剖面图。 
图5A是示意地示出本发明的第一实施方式的其它压电谐振器的结构的图。 
图5B是示意地示出本发明的第一实施方式的其它压电谐振器的结构的图。 
图5C是示意地示出本发明的第一实施方式的其它压电谐振器的结构的图。 
图6A是示意地示出本发明的第二实施方式的其它压电谐振器的结构的图。 
图6B是示意地示出本发明的第二实施方式的其它压电谐振器的结构的图。 
图7A是概略地示出第二实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。 
图7B是概略地示出第二实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。 
图8是表示使用了本发明的压电谐振器的压电滤波电路的例子的 图。 
图9是表示使用了本发明的压电谐振器的其它压电滤波电路的例子的图。 
图10是使用了本发明的压电谐振器的共用器的例子的图。 
图11是使用了本发明的压电谐振器的通信设备的例子的图。 
图12是示意地示出现有的压电谐振器的结构的图。 
图13是示意地示出现有的其它压电谐振器的结构的图。 
符号说明 
101、501、601压电体层；102、103、502、503、602、603  电极；104、504、604基板；105支承部；105a、105b多层膜；111成膜用基板；112、113  电极膜；205接合层；207、605低声音阻抗层；208、606高声音阻抗层；209、607声音反射镜层；302、303、304压电谐振器；305  电感；410共用器；414、425  发送滤波器；415移相电路；416、426接收滤波器；420通信设备423基带部；424功率放大器；428天线；427 LNA；506空腔 
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。 
(第一实施方式) 
图1A是示意地表示本发明的第一实施方式的压电谐振器的结构的俯视图。图1B及图1C是图1A所示的压电谐振器的A-A剖面图，图1B仅表示振动部的图，图1C表示通过支承部105将振动部放置在基板104上的图。 
振动部由压电体层101、形成为夹着该压电体层101的第一电极102及第二电极103构成。压电体层101使用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)类材料、铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)或铌酸钾(KNbO3)等压电性材料。第一电极102及第二电极103使用钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铂(Pt)、金(Au)、钛(Ti)、或铜(Cu)等 导电性材料、或它们的层叠金属或合金。 
如图1B及图1C所示，第一实施方式的压电谐振器的第一电极102在压电体层101的一个主面上，以断面将与压电体层101相接的一侧作为长边的梯形形状形成。此外，第二电极103也在压电体层101的另一个主面上以将与压电体层101相接的一侧作为长边的梯形形状形成。并且，在该例子中，示出第一电极102和第二电极103以线对称的形状形成的例子，但是不特别限制第一电极102和第二电极103之间的关系(厚度或位置等)。此外，压电体层101的形状也不特别限制。 
在压电谐振器是使用了压电薄膜的谐振器的情况下，振动部变得非常薄(例如，2GHz带域的谐振器的情况下为几微米左右)。因此，一般，如图1C所示，压电谐振器以振动部放置在基板上的状态使用。在图1C的例子中，振动部隔着支承部105固定在基板104上。基板104使用硅(Si)、玻璃或蓝宝石等材料。支承部105使用后述的特征性的压电谐振器制造方法，所以使用以金锡(AuSn)合金为主体的材料。 
图2A及图2B是概略地示出第一实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。在该制造方法中，通过使用粘合方法，制造图1A～图1C所示的压电谐振器。 
首先，准备由硅、玻璃或蓝宝石等构成的成膜用基板111，在该成膜用基板111上形成成为第二电极103的电极膜113(图2A、工序a)。并且，在成膜用基板111上预先形成有平坦的热氧化膜作为绝缘膜(未图示)。接着，在电极膜113上形成压电体层101(图2A，工序b)。例如，在形成2GHz带域的压电谐振器时，压电体层101的厚度成为大约1100nm，电极膜113的厚度成为大约300nm。在本实施例中，在平坦的成膜用基板111上隔着电极膜113形成压电体层101，所以没有电极膜113的不连续部分的发生或构图时生成的电极膜113的表面劣化等的影响，能够得到具备良好的结晶性的压电体层101。 
接着，在压电体层101上形成成为第一电极102的电极膜112(图2A、工序c)。然后，利用通常的光刻方法，将电极膜112构图为预定的梯形 形状，形成第一电极102(图2A、工序d)。在本实施例中，利用使用了硝酸系的蚀刻剂(硝酸-硫酸-水)的湿法蚀刻方法，溶解除去电极膜112的无用部分，从而形成了第一电极102。由此，可以将第一电极102形成为断面形状具备锥形。即，能够得到将与压电体层101相接的一侧作为长边的梯形形状的电极。并且，若得到同样的梯形形状，则不限于硝酸类的蚀刻剂，还可以使用干法蚀刻等方法。 
接着，利用电子束蒸镀法或溅射法等，在压电体层101上形成成为支承部105一部分的多层膜105a(图2A、工序e)。在本实施例中，通过电子束蒸镀以Ti/Au/AuSn的顺序，利用举离(lift off)方法构图形成支承部105一部分。图形优选形成在不阻碍压电振动的第一电极102的区域以外。由此，完成成膜用基板111的准备。 
接着，准备支承振动部的基板104，利用电子束蒸镀或溅射法等，在基板104上形成成为支承部105一部分的多层膜105b(图2A、工序f)。并且，在基板104上，预先形成有平坦的热氧化膜等作为绝缘膜(未图示)。在本实施例中，利用电子束蒸镀法，按照Ti/Au/AuSn的顺序利用举离方法构图形成支承部105，以便在将基板104与成膜用基板111面对面时AuSn合金层相接。并且，形成在基板104上的支承部105的图形不需要与形成在成膜用基板111上的支承部105的图形完全一致，优选考虑两基板的位置对准精度，使其具有余量。 
接着，使成膜用基板111的支承部105(多层膜105a)与基板104的支承部105(多层膜105b)面对面，使金和锡形成共晶结晶进行粘合(图2B、工序g)。这时，可以对两基板施加压力。在本实施例中，施加3个大气压的挤压压力，进行了基板的粘合。此外，可以对粘合的基板进行加热，使相互接触的AuSn成为熔融状态，通过降低温度来得到坚固的金属结。由此，能够得到接合可靠性优良的压电谐振器。 
在该实施例中，对支承部105使用了AuSn合金，但是不限于此。例如，支承部105经过半熔融状态或熔融状态而粘合了2个基板的情况下，该熔点(固相线温度)高于将压电谐振器安装在母板时的焊锡回流温度、 且低于压电谐振器的电极材料等的熔点即可。此外，支承部105可以通过利用熔融温度以下的金属之间的相互扩散进行的扩散结合来粘合，也可以通过等离子体处理等，使连接面表面活性化而在常温下接合。通过在常温下接合，能够消除振动部的残留热应力，所以能够得到制造合格率高且频率变动等经时变化少的压电谐振器。 
接着，从粘合了2个基板的形成物中除去成膜用基板111(图2B、工序h)。例如，可以利用干法蚀刻除去成膜用基板111。通过该工序g及工序h，原来存在于成膜用基板111上的形成物转印到基板104。接着，然后通过通常的光刻方法，将电极膜113构图为预定的梯形形状，形成第二电极103(图2B、工序i)。由此，形成将与压电体层101相接的一侧成为长边的梯形形状作为断面的第二电极103。最后，通过蚀刻除去压电体层101的无用的部分(图2B、工序j)，完成图1C所示的压电谐振器。 
并且，在上述制造方法中，示出蚀刻除去成膜用基板111的例子，但是，可以在电极膜113和成膜用基板111之间设置剥离层，从剥离层切离成膜用基板111。此外，也可以不形成电极膜113，在成膜用基板111上层叠剥离层及压电体层101。这时，在剥离了成膜用基板111之后，需要构图形成第二电极103。若使用光学特性与AIN不同的氮化镓(GsN)作为剥离层，则能够通过照射激光仅分解GaN来转印AIN。此外，作为剥离层也可以使用与电极膜113的亲和力较小的金属膜或容易溶解于溶剂等中的金属膜和氧化物、或者玻璃等。 
接着，对由利用上述制造方法形成的构造带来的第一实施方式的压电谐振器的效果进行说明。 
在现有的压电谐振器中，必须构图第一电极，接着形成压电体层。但是，在本发明中，准备成膜用基板111，在未进行构图的电极膜113上形成压电体层101。因此，没有电极膜113的不连续部分的发生或构图时产生的对电极膜113的表面劣化等的影响，能够得到具备良好的结晶性的压电体层101。具体地，相对于将电极膜(Mo)进行构图之后成膜的 压电体层(AlN)的作为结晶性的指标的X衍射的(0002)面的半值宽度(FWHM：Full Width Half Maximum)为1.5度，而不对电极膜(Mo)进行构图而成膜的压电体层(AlN)的FWHM是1.1度。 
这样，在本发明中，在形成压电体层101之后进行第一电极102的构图，所以能够大幅度提高压电体层101的结晶性。此外，由此可以提高表示作为压电谐振器的性能的Q值。在由发明人进行的实验中，能够观测到大约20％的Q值提高。这种Q值提高的效果，使用哪种电极材料、压电材料、及基板材料都能得到发挥。进而，通过结晶性的提高，压电体层的绝缘耐压也提高，压电谐振器的耐电特性也提高。 
图3是表示第一实施方式的压电谐振器的电特性(导纳)的图。此外，图4A及图4B是用于说明图3所示的电特性的压电谐振器的结构剖面图。 
图3的(a)是示出现有的压电谐振器(图4A)的特性的图，在谐振频率和反谐振频率之间观察到由无用振动引起的寄生(无用电信号)。在图3的(a)中，如图4A所示，由于电极的存在，在图中的虚线部形成声音不连续部分，产生在与振动方向垂直的方向(横向)上传播的无用模振动等反射，考虑发生了寄生。 
另一方面，图3的(b)～(e)是示出第一实施方式的压电谐振器的特性的图。相对于夹着压电体层101形成的梯形形状的第一电极102及第二电极103的长边d为(在该例子中，各电极是圆形，相当于其直径)50μm，示出r的值在图3的(b)中是0.3μm、在图3的(c)中为0.5μm、在图3的(d)中为1μm及在图3的(e)中为3μm的情况。根据该图3，可知本发明的压电谐振器与现有的压电谐振器相比，寄生被抑制。即，设定r的值，以便厚度在电极的端部逐渐变化，从而能够抑制无用模振动在电极端部的反射，在导纳特性中，可以降低寄生。r的值没有特别的制约，但若是与电极的厚度同等以上的值，就能得到寄生抑制效果。更好是，若将锥角θ的角度设为30°以下(在图3的例子中r＝0.5μm以上)，则能得到寄生的抑制效果。因此，从谐振频率附近 到反谐振频率附近，能够实现寄生少且Q值高的压电谐振器。 
如上所述，根据本发明的第一实施方式的压电谐振器，能够实现有效地抑制无用的寄生、且Q值高的压电谐振器。特别是，若使用本发明的压电谐振器的制造方法，则能够不损坏压电体层的结晶性地将高品质的压电体层应用于谐振器。 
并且，在上述第一实施方式中，示出压电谐振器的形状即第一电极102及第二电极103是圆形的情况。但是，第一电极102及第二电极103的形状如图5A～图5C所示，可以使用矩形、椭圆形或多角形等各种形状。 
此外，在上述第一实施方式的压电谐振器的结构上，可在任意的位置上设置以绝缘、温度补偿、或防止由外来异物带来的特性劣化及耐湿性提高等为目的的氧化膜、氮化膜或有机膜。 
(第二实施方式) 
图6A是示意地示出本发明的第二实施方式的压电谐振器的结构的俯视图。图6B是图6A所示的压电谐振器的B-B剖面图。该第二实施方式的压电谐振器是将上述第一实施方式的由压电谐振器的支承部105形成的空腔替换为声音反射镜层209的结构。因此，在第二实施方式中，对于声音反射镜层209以外的与第一实施方式同样的结构部位，赋予相同的参照符号，省略一部分说明。 
如图6B所示，第二实施方式的压电谐振器的第一电极102形成为与压电体层101相接的一侧成为长边的梯形形状。此外，第二电极103也形成为与压电体层101相接的一侧成为长边的梯形形状。 
声音反射镜层209是交替层叠例如由氧化硅构成的低声音阻抗层207和例如由氧化铪构成的高声音阻抗层208而构成的。在该实施例中，构成5层结构，但是不限制层叠数量。该低声音阻抗层207及高声音阻抗层208层叠在第一电极102上形成，所以如图6B所示地构成配合第一电极102的梯形形状而弯折的层。优选，将低声音阻抗层207及高声音阻抗层208的厚度分别设定为声音波长的1/4，从而有效地锁住由振动部激励的弹性波。 
图7A及图7B是概略地示出第二实施方式的压电谐振器的制造方法的顺序的图。在该制造方法中，与上述第一实施方式同样地，通过利用贴合2个基板的方法，制造图6A及图6B所示的压电谐振器。并且，在第二实施方式的压电谐振器的制造方法中，工序a～工序d与上述第一实施方式的压电谐振器的制造方法相同，所以省略说明。 
当结束图7A的工序时，接着在压电体层101及第一电极102上形成声音反射镜层209(图7A、工序k)。例如，通过化学气相法(CVD；Chemical Vapor Deposition)形成氧化硅(低声音阻抗层207)，通过物理气相法(PVD；Physical Vapor Deposition)形成氧化铪(高声音阻抗层208)。 
接着，准备支承振动部的基板104，利用电子束蒸镀或溅射法形成由Ti/Au/AuSn合金构成的接合层205(相当于支承部105)(图7A、工序1)。并且，在基板104上预先形成有平坦的热氧化膜等作为绝缘膜(未图示)。 
接着，使成膜用基板111的声音反射镜层209和基板104的接合层205面对面，使金和锡形成共晶结晶进行贴合(图7B、工序m)。这时，可以对两基板施加压力。此外，可以对贴合的基板进行加热，使相互接触的AuSn成为熔融状态，通过降低温度来得到坚固的金属结合。 
在该实施例中，接合层205利用了AuSn合金，但是不限于此。例如，接合层205经过半熔融状态或熔融状态而粘合了2个基板时，其熔点(固相线温度)高于将压电谐振器安装在母板上时的焊锡回流温度、且低于压电谐振器的电极材料的熔点即可。并且，在使用了钼或钨等金属作为声音反射镜层209时，可以通过在熔融温度以下由金属之间的相互扩散形成的扩散接合来贴合，在声音反射镜209的最下层是氧化物层的情况等的情况下，通过等离子体处理等使连接面表面活性化而在常温下接合。这时，能够在基板104侧不需要特别地形成接合层地直接接合压电谐振器和基板。 
接着，从贴合2个基板的形成物中除去成膜用基板111(图7B、工序n)。接着，然后通过通常的光刻方法，将电极膜113构图为预定的梯形形状，形成第二电极103(图7B、工序o)。由此，形成将与压电体层101相接的一侧成为长边的梯形形状作为断面的第二电极103。最后，通过蚀刻除去压电体层101及声音反射镜层209的无用的部分(图7B、工序p)，完成图6B所示的压电谐振器。 
如上所述，根据本发明的第二实施方式的压电谐振器，能够实现有效地抑制无用的寄生、且Q值高的压电谐振器。特别是，若使用本发明的压电谐振器的制造方法，则能够不损坏压电体层的结晶性地将高品质的压电体层应用于谐振器。该第二实施方式的压电谐振器的电特性(导纳)与上述第一实施方式中说明的相同。 
并且，在上述第二实施方式中，作为压电谐振器的形状可以使用矩形、椭圆形或多角形等各种形状(参照图5A～图5C)，并且，可以在任意的位置设备以绝缘、温度补偿、或防止由外来异物带来的特性劣化及提高耐湿性等为目的的氧化膜、氮化膜、或有机膜。 
(使用了压电谐振器的结构例) 
图8是表示使用了本发明的压电谐振器的压电滤波电路的例子的图。图8所示的压电滤波电路在输入输出端子301之间以梯子形连接有串联插入的串联压电谐振器302和并联插入的并联压电谐振器303，并联压电谐振器303经由电感305接地。通过使串联压电谐振器302的谐振频率和并联压电谐振器303的反谐振频率大致一致，可以构成带通型的高频滤波器。 
此外，图9是表示使用了本发明的压电谐振器的其它压电滤波电路的例子的图。图9所示的压电滤波电路在输入输出端子301之间以格子形连接有串联插入的串联压电谐振器302和偏置压电谐振器304及并联插入的并联压电谐振器303，并联压电谐振器303经由电感305接地。通过使串联压电谐振器302的谐振频率和并联压电谐振器303的反谐振频率大致一致的同时，将偏置压电谐振器304的谐振频率设定为低于并联 
压电谐振器303的谐振频率，可以构成频带外衰减量较大且低损耗的带通型的高频滤波器。 
在这种压电滤波电路中，压电谐振器的谐振频率及反谐振频率附近的寄生信号对滤波器的通带的特性给予较大的影响。通过应用本发明的压电谐振器，是通带内没有寄生的Q值高的谐振器，所以能够得到低损失且裙特性优良的高频滤波器。 
并且，利用了本发明的压电谐振器的上述压电滤波电路的结构是一例，级数(压电谐振器的元件数量)或连接形状不限于此，可以应用于晶格型滤波器、将多个谐振器在平面方向或厚度方向上邻接配置的多模滤波器等、利用了压电谐振器的各种滤波器。 
图1 0是使用了本发明的压电谐振器的共用器410的例子的图。图10所示的共用器410在发送端子411和接收端子412之间按顺序直接连接了发送滤波器414、移相电路415、及接收滤波器416，在发送滤波器414和移相电路415之间连接有天线端子413。 
此外，图11是使用了上述那样的共用器的通信设备420的例子的图。在图11所示的通信设备420中从发送端子421输入的信号通过基带部423，由功率放大器424放大，由发送滤波器425滤波，从天线428作为电波发送。并且，由天线428接收的信号，由接收滤波器426滤波，由LNA427放大，并通过基带部423，传递到接收端子422。 
工业利用性 
本发明的压电谐振器可以利用于高频滤波器或共用器等高频电路部件及通信设备等，特别是在想要有效地抑制无用的寄生并得到较高的Q值的情况下有用。 

Claims (3)

1.一种压电谐振器的制造方法，其特征在于，具备：
在第一基板上形成压电体层的工序(a，b)；
在上述压电体层的一个主面上，形成其断面形状具有将与上述压电体层相接的部分作为长边的梯形形状的第一电极的工序(c，d)；
利用隔着支承部的粘合方式，将形成有上述第一电极的压电体层从上述第一基板转印到第二基板的工序(e，f，g)；
在上述压电体层的另一个主面上，形成其断面形状具有将与上述压电体层相接的部分作为长边的梯形形状的第二电极的工序(h，i)。
2.如权利要求1所述的制造方法，上述转印的工序包括使由金属构成的上述支承部成为熔融状态或半熔融状态而粘合的工序。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，上述转印的工序包括使由氧化物薄膜层构成的上述支承部和上述第二基板，表面活性化并重合从而进行粘合的工序。
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