CN101202303A - 用于高压工艺的横向pnp器件结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。本发明的横向PNP器件可以使用于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，与常规高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。

Description

用于高压工艺的横向PNP器件结构

技术领域

本发明涉及一种集成电路半导体器件，尤其涉及一种用于高压(HV)工艺的横向PNP(LPNP)器件结构。

背景技术

横向PNP(LPNP)器件广泛用于各种不同的设计中，在技术文献和论文中，发表了很多不同种类和Layout(版图)的结构和设计。

如图1所示，现有的用于高压工艺的常规LPNP器件结构，由内向外包括Collector(集电极)，Emitter(发射极)，Base(基极)和Psub(衬底)，最里面的P+Diff(P+扩散层)为集电区，其外围有一圈闭合的Field(场氧化层)作为隔离，Field外的P+Diff为发射区，HV Nwell(高压N阱)上N+Diff(N+扩散层)区域为基区电位引出端，在器件上覆盖一层HVOX(厚氧层)，定义高压氧化层区域，Psub(衬底)作为P型衬底的电位引出端。该Collector和Emitter之间采用Field(场氧化层)隔离，以HV Nwell(高压N阱)作为Base，该LPNP器件有面积较大，噪声大，放大系数小等缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，有耐高压，成本低，面积小，噪声小等特点。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。

所述的用于高压工艺的横向PNP器件作为PNP工作时，在所述的栅上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态。

所述的集电极和所述的发射极之间设有一层多晶硅。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明实现了一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，该结构在Collector和Emitter之间采用Poly(多晶硅)作为隔离，同时作为Gate(栅)可加电压，在作为PNP工作时，在Gate上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态，有效地降低了噪声；同时与Field氧化膜隔离的LPNP结构相比，Base区可以做得更窄，Base/Emitter，Base/Collector结的面积可以做得更大，有利于提高LPNP的放大倍数。因此，本发明设计的横向PNP器件结构可以使用于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，耐高压，与常规高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有的用于高压工艺的常规LPNP器件结构的版面示意图；

图2是本发明用于高压工艺的LPNP器件结构的版面示意图；

图3是本发明用于高压工艺的LPNP器件结构的截面示意图。

具体实施方式

在高压工艺下实现耐高压横向PNP器件的Layout(版图)结构如下：

如图2和图3所示，该LPNP器件包括Collector(集电极)，Base(基极)，Emitter(发射极)，Gate(栅)和Psub(衬底)，在Gate(栅)内的P-Diff(P-扩散层)和P+Diff(P+扩散层)区域为集电区，其外包围一个闭合的多晶硅环作为Gate(栅)，Gate(栅)外的P-Diff和P+Diff为发射区，HV Nwell(高压N阱)上N+Diff(N+扩散层)区域为基区电位引出端，在器件上覆盖一层HVOX(厚氧层)，定义高压氧化层区域，Psub(衬底)作为P型衬底的电位引出端。

该LPNP器件结构在Collector和Emitter之间采用Poly(多晶硅)作为隔离，同时作为Gate可加电压，在作为PNP工作时，在Gate上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态，有效地降低了噪声；同时与Field氧化膜隔离的LPNP结构相比，Base区可以做得更窄，Base/Emitter、Base/Collector结的面积可以做得更大，有利于提高LPNP的放大倍数。

Claims (3)

1.一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，其特征在于，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。

2.如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征在于，所述的用于高压工艺的横向PNP器件作为PNP工作时，在所述的栅上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态。

3.如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征在于，所述的集电极和所述的发射极之间设有一层多晶硅。

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