CN101199090B - 单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统 - Google Patents

单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统 Download PDF

Info

Publication number
CN101199090B
CN101199090B CN2006800213711A CN200680021371A CN101199090B CN 101199090 B CN101199090 B CN 101199090B CN 2006800213711 A CN2006800213711 A CN 2006800213711A CN 200680021371 A CN200680021371 A CN 200680021371A CN 101199090 B CN101199090 B CN 101199090B
Authority
CN
China
Prior art keywords
media
polarization
crystal
birefringence
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006800213711A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101199090A (zh
Inventor
T·乔治斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oxxius SA
Original Assignee
Oxxius SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oxxius SA filed Critical Oxxius SA
Publication of CN101199090A publication Critical patent/CN101199090A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101199090B publication Critical patent/CN101199090B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08031Single-mode emission
    • H01S3/08036Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0627Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0612Non-homogeneous structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08054Passive cavity elements acting on the polarization, e.g. a polarizer for branching or walk-off compensation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643YAG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673YVO4 [YVO]

Abstract

本发明涉及的激光器件包含:一个适合于产生基波波长激光束(13)的放大媒介(1、7);一个用于对基波波长激光束进行加倍来产生谐波波长激光束(14)的双折射非线性媒介(3、20、20);一个用于选择基波波长激光束偏振的偏振媒介(1b、5、6、2、8、9、16、20),所述偏振媒介要求在其输出面的基波波长与其输入面的基波波长保持平行。本发明的特征在于偏振媒介(1b、5、6、2、8、9、16、20)包含一个垂直于正在离开所述偏振媒介的基波的输出面(2b)。放大媒介和双折射非线性媒介互相结合,构成一个单块谐振腔。

Description

单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统
本发明涉及激光二极管泵浦单块固体激光器件,尤其涉及单模内腔加倍固体激光器件。还涉及用于制作这种器件的方法。
本发明可以特别有利地应用于产生蓝色或绿色激光的领域,但这并非是唯一的用途。
例如采用多模二极管,在可见光谱473nm处发射一束具有良好空间和光谱质量的激光,尤其可以在工业和医学上加以利用。被称为谐波的这种波长可以在946nm的一个被称为基波的波长处,就掺杂钕的钇铝石榴石(Nd:YAG)进行激光发射的频率加倍而获得。
一般来说,内腔加倍激光包含一个用于对固体激光器件,例如Nd:YAG进行泵浦的激光二极管,在946nm处形成放大器。为了进行加倍,可以将一个非线性晶体连接到用倍频技术把近红外基本信号转变为可见信号的放大器上(也被称为“第二谐波阶段SHG”)。从而得到等于基波波长用2除的谐波波长。放大器和非线性晶体包含在一个空腔中,在激光束的路径上,空腔的两个端头相对的表面可以反射某些波长。
但是,如果要求连续进行发射,基本发射的功率就小于激光二极管的功率,则倍频的效率很低。
标题为“Diode pumped laser and doubling to obtainblue light”(“二极管泵浦激光器和加倍获得蓝光”)的美国专利US 4 809 291现已公开,在这篇专利中,R.L.Byer和T.Y.Fan提议用内腔加倍以便增加946nm基波波长的功率,从而增加加倍效率。在一篇1988年发表于Journal Optics Letters(第13卷第137-139页)的题为“Efficient blue emission from anintracavity-doubled 946nm Nd:YAG Laser”(“来自于内腔加倍946nm Nd:YAG激光器的高效蓝光发射”)的文章中,Dixon等人提出用内腔加倍Nd:YAG基激光器进行5mW蓝光(473nm)发射。Nd浓度为1.1at.%,加倍效率仅为2%。
这些内腔加倍激光器件的主要问题是存在轴模及伪偏振,轴模及伪偏振降低了激光效率并且是大功率波动的原因。举例来说,Matthews等人在题为″Diode pumping in a blue(473nm)Nd:YAG/KNbO3 microchip laser″(“蓝色(473nm)Nd:YAG/KNbO3微芯片激光器中的二极管泵浦”(CLEO′96第9卷第174页)中,展示了具有强度大于10%的波动的26.5mW蓝光。
更精确地说,内腔倍频导致选择性损耗,而损耗随主激光器件发射的泵浦功率而增加。加倍效率增加时,空腔的平均粒子数反转必须增加,以便补偿额外损耗。但是,这使得相邻模及正交偏振发射开始发出激光。对于相邻模来说,这是“空间洞燃烧”之外的效果,因为“空间洞燃烧”已经使相邻模发出激光了。
空腔中发出激光的不同模与放大媒介耦合(增益竞争)并与倍频媒介耦合(频率增加)。这些耦合是非线性的并且参与到一个复杂的非线性活动中。后者导致很高的或者甚至混乱的功率波动。
如果倍频是“类型I”的,正交偏振模不受有效倍频的影响(在基波和谐波之间没有相适应)。这些模通过泵浦功率的增长来稳定粒子数反转。它们使转换效率减缓,转换效率的增加需要增加粒子数反转。只有“空间洞燃烧”效应允许转换效率略微增加。已经提出几种制造激光单模或将非线性晶体中的模拆开的方法。这些方法可分为三类:
a)第一种是在空腔中引入一个标准具。这种方法,特别是Y.Shimoji在美国专利5,838,713中所公开的,引起了几个问题。标准具引起空腔中的损耗,除非它由YAG和加倍晶体的面形成。在后者的情况下,要求定位非常精确(亚微米),很难在工业上获得并且很难稳定。解决这个问题的一个方法是随着加倍晶体在接触面的一部分插入一个角度,将放大媒介引入光接触。这个角度在两种材料之间产生一个空气隙。这个方法使接触变弱,从而减弱了单块激光器件的完整性,并且不允许用粘合剂保护接触面。
b)第二类包括基本的偏振。放大媒介可以插入两个四分之一波长板之间,目的是消除“空间洞燃烧”效应,详见G·Hollemann等人的″Frequency-stabilized diode-pumped Nd:YAGlaser at 946nm with harmonics at 473nm and 237nm″(“带有473nm和237nm谐波的频率稳定的二极管泵浦946nm Nd:YAG激光器”)Opt.Lett.19,第192页,1994年2月。这个方法有一个缺点,就是在空腔中造成损耗。
有一个实施方案,表示可以通过类型I加倍,其中基本激光束沿晶体的一个光轴传播(通常是慢轴),谐波激光束沿晶体的其他光轴传播,与第一个正交。当它可能切割晶体时,类型I加倍出现,因此光轴对基波波长的折射率等于其他光轴对谐波波长的折射率。这就是KNbO3的情况。
有一个实施方案,表示可以通过类型II加倍,其中基本激光束存在于两个轴上,当基本激光束的偏振与光轴形成45°角时,转换系数最佳。
c)第三种方法是减小空腔的长度。这是1993年10月A.Mooradian在专利US 5,256,164中提出的。对于946nm处发射的1nm线宽来说(对比1.064μm处线的0.6nm),Mooradian的公式需要小于300μm的空腔长度,包括YAG和KNbO3。迄今公布或申请专利的微片中的Nd浓度不超过1.1at.%。这等于808.4nm处的0.85mm-1的衰减,即每100μm厚度的被吸收的泵浦功率的8.1%及每200μm被吸收的泵浦功率的15.6%。但是,KNbO3的100或200nm不能提供适当的转换效率。因此,按照Mooradian不等式设计的微片激光器件好像不能用1W激光二极管泵浦功率发射大于几mW的蓝光。
文件“Low-nois diode-pumped intracavity-doubledlaser with off-axially cut Nd:YVO4”(“用轴向截止切割Nd:YVO4的低噪声二极管泵浦内腔加倍激光器件”)(Opt.Lett.19,第1624页,K.Suzuki等人),描述了在与平凹透镜结合时离开效应的使用。此类器件不能提供高可靠性。
此外,由T.Y.FAN在″Single-Axial Mode,IntracavityDoubled Nd:YAG Laser″(“单轴向模,内腔加倍的Nd:YAG激光器”)(IEEE Journal of Quantum Electronics,第27卷,1991年9月9日)中提出的一种有效方法,因制造一种内腔加倍单频激光器件而为众所知。在这种方法中,放大媒介(Nd:YAG)在相对于空气的布儒斯特(Brewster)角处被切割。非线性,双折射晶体在45°受到基波的触击(类型II加倍)。两个布儒斯特角在正交偏振中引起显著的损耗,并阻止其发出激光。还在双折射晶体引起偏转旋转的每个波长处造成损耗。这种随波长变化的损耗调制可以制造激光器件单模。从另一方面来说,这种方法不能用于类型I倍频,因为按照原则,基频信号存在于非线性晶体的一个光轴上。但是由于双折射,不可能将在布儒斯特角处进行切割的放大晶体与非线性晶体结合。事实上,双折射引入相位效应,表示由空腔外面反射的激光束返回放大器时不会重新结合。最后,FAN提出的设计的主要困难是保持精度超过几百纳米的空腔的总长,以便消除所有模跳变以及随后发生的功率不稳定。事实上,空腔长度增长(或减少)λ/4(即大约250nm),使其能够从单模变为双模功能。长度的λ/4的额外增长使其能够回到相邻模上的单模功能。
本发明的目的在于通过提出一种内腔加倍固体激光器件来解决上述大部分缺陷,这种内腔加倍固体激光器件尺寸小,提供高工作稳定性,并且允许类型I和II倍频。本发明的另一个目的是提出一种能够在单模下工作的可调谐固体激光器件。本发明还涉及一种无论泵浦激光二极管的功率水平如何的大功率固体激光器件。本发明更进一步的目的则是获得高可靠性的固体激光器件。
包含下列各点的激光器件至少可以达到上述各目的中的一项:
-一种能够产生基波波长激光束的放大媒介;
-一种双折射非线性媒介,这种双折射非线性媒介带有用于基波波长激光束倍频的平行面,以便产生谐波波长激光束;
-用于对基波波长激光束进行偏振选择的偏振媒介,这种偏振媒介要求在其输出面的基波波长,与其输入面的基波波长保持平行。
按照本发明,偏振媒介包含与正在离开该偏振媒介的基波波长垂直的输出面。此外,放大媒介,双折射非线性媒介及偏振媒介牢固地互相附着,从而构成一个单块谐振腔。所选偏振媒介要能使基波波长激光束不偏离绝对相,即偏振媒介输出端的基波波长平行于该媒介输入端的基波波长。因此,通过将放大媒介、偏振媒介及非线性媒介结合起来,能够构成单块谐振腔。
空腔最好是线形的。
由于不同媒介可以牢固地互相附着或者结合起来,因此用本发明的器件,可以获得单块结构。不会导致激光束偏离绝对相的偏振元件(正如下面将看到的,在布儒斯特角可产生双倍偏转)可以容许获得一个输入面与输出面互相平行的线形空腔(在空腔中激光束几乎处处与一个轴平行)。因此本发明提出一种固体激光器件,这种固体激光器件可靠性高,同时易于制造,并且不论时间推移,非常稳定。构成器件的各个元件可以独立设计然后在光学上装配。就机械构造而言,空腔是固体的。
特别是,放大媒介、偏振媒介和双折射非线性媒介以线性方式结合在一起,每个媒介包含相互平行的一个输入面和一个输出面,并且和其它媒介的其它面平行;这些面与谐波波长激光束的输出方向正交。空腔一方面具有放大媒介的输入面,在另一方面具有双折射非线性媒介的输出面,于是构成空腔完整的结构。
或者减少基波波长的偏振,或者如下所述,用一面镜子对基波波长进行偏转,要在二者中作出选择。选择基波波长的偏振,事实上就是防止不能通过倍频产生蓝光的偏振振荡。这意味着无论采用什么样的泵浦功率水平,按照本发明的这种固体激光器件都能够产生大功率信号。这也使得有可能产生Lyot滤波器。
按照本发明的一个有利特征,双折射非线性媒介包含类型I非线性晶体。例如,这就不是FAN文件中所说的情况。例如类型II非线性晶体也可以用于本发明。
按照本发明的一个有利特征,双折射非线性媒介由类型I非线性晶体构成,其双折射轴相对于由偏振媒介选择的偏振,形成非零角模π/2弧度角。也可以说非线性晶体设置在轴外。该器件采用这种类型的设置,就构成一个Lyot滤波器。因此本发明值得注意的是采用了离轴类型I非线性晶体,而这种做法在这一工作中通常被认为是“不正常”而且效率不高。事实上,当基波波长的偏振平行于非线性晶体的一个双折射轴时,类型I倍频更为有效。按照本发明的实施方案,允许将单晶用于非线性的功能以及Lyot滤波器所必需的双折射。在FAN文件中,空腔不是单块的,其倍频为类型II。如果FAN原理直接用于类型I倍频,Lyot滤波器不再存在,因为那时非线性晶体的轴与所选偏振成一直线。
按照本发明的第二个有利特征,被设置为离轴的非线性媒介与一个双折射晶体相结合,从而使该双折射晶体的双折射轴与所述非线性晶体的轴保持平行。这种类型的实施方案的优点是非线性晶体的长度不是单独由Lyot滤波器的需求所决定的。事实上,增加双折射能使这些需求的一部分得到补偿,从而使非线性晶体的长度适合于倍频。
按照本发明的第三个有利特征,双折射媒介与非线性晶体无关。在这种情况下,加倍效率有助于和偏振媒介所选偏振平行的非线性晶体全部轴,或其中一个轴的定向。此外,双折射晶体和所述非线性晶体相结合,使双折射晶体的双折射轴相对于由偏振媒介所选偏振形成非零角模π/2弧度角,从而使该器件构成Lyot滤波器。
所述被选的偏振最好适合于基波波长与谐波波长之间的相匹配。
这种类型的布儒斯特角界面和一个离轴双折射晶体(或者几个晶体)结合起来,使得有可能选择单模。事实上,布儒斯特界面引起对正交偏振的选择性损耗。只有波长在双折射造成的相位移是2π的倍数时,可以在布儒斯特界面保持低损耗偏振。这构成了在波长为λm=(∑δn1I1)/m时具有最小损耗的周期滤波器,其中δn1和I1分别为离轴双折射元件的指数差及长度。其和仅适合于本发明的第二个有利特征。波长λm决定于温度,因为晶体长度及指数差决定于温度。因此滤波器可以通过温度调节。滤波器的自由光谱带(即两个传送峰值之间的波长差)为FSB=λ2/(∑δn1I1),其中λ2是激光发射长度。
当双折射轴相对于由偏振媒介激励的偏振形成θ=π/4弧度角(模π/2)时,滤波器具有更多的选择性。
特别是通过调节离轴双折射晶体的长度,能够在发射频带(一半高度时的宽度Δλm)中仅仅选择一个单模,只要FSB和Δλm为相同数量级,系数大约为2或3。最好对双折射晶体的参数进行选择,以便滤波器的FSB由放大媒介的中间宽度(Δλm)的发射波长的0.5倍和3倍之间组成。
换句话说,与双折射晶体的长度相关的各向同性媒介的指数及角θ可以进行调节,以便使空腔中只有一个单模。
按照本发明,非线性晶体的切割角是这样的,调节晶体温度(在合理的范围内)可以使基波波长和倍频波长之间进行相匹配。例如非线性晶体可以由铌酸钾(KNbO3)构成或来自硼酸锂LBO。双折射晶体可以由钒酸盐YVO4构成。
按照本发明的第一个有利的变化方案,偏振媒介包含主元件,后面是中间媒介和次元件,其折射率与主元件的折射率基本一致,主元件的输出面和次元件的输入面平行,并且按照布儒斯特角切割基波波长的长度。
中间媒介可以由空气构成。在这种情况下,主元件通过动态粘合剂或通过与多孔水洗器的闭塞接触,牢固地附着于次元件。中间媒介也可以由硅石构成。
在本发明的第一个变化方案中,当偏振媒介设置在放大媒介和双折射非线性媒介之间时,主元件可以由放大媒介构成。更精确地说,放大媒介在输入处有一个垂直于基波传播方向的面,在输出处有一个相对于基波的布儒斯特角的切割面。放大媒介最好由掺杂钕Nd的钇铝石榴石YAG(Nd:YAG)构成,次元件由未掺杂的钇铝石榴石(YAG)构成。Nd:YAG晶体可以是圆筒形,其输入面形成一个平面镜。
偏振媒介也可以与放大媒介分开。在这种情况下,主元件及次元件可以由未掺杂的钇铝石榴石(YAG)构成。另外,主元件和次元件可以由硅石构成,中间媒介则为未掺杂的钇铝石榴石(YAG)。
用这种类型的器件,只要主元件和次元件具有相同的角(当它们一起制造时这是容易做到的),制造布儒斯特角时,不必达到过高的精度(小于几分的角),这就使得在工厂制造时速度更快,成本更低。
不采用布儒斯特角时,可以按照本发明的第二个变化方案采用与空间损耗调制相关的离开效应(或双折射)。因此,偏振媒介由离轴切割的双折射晶体构成,例如在两个基波波长激光束的偏振之间呈现强烈的“离开”效应,空间损耗调制可以通过用平凸透镜封闭空腔来获得。
文件“Low-noise diode-pumped intracavity-doubledlaser with off-axially cut Nd:YVO4”(“带有离轴切割面的Nd:YVO4的低噪声二极管泵浦内腔加倍激光”)(Opt.Lett.19,第1624页,K.Suzuki等人),描述了不能作为单块装配的平凹透镜的使用。另一方面,由于放大媒介经过偏振化,不能清楚地显示哪个器件(偏振器或偏振化的发射)在偏振选择中占主导地位。
按照本发明的另一个方面,考虑激光系统包含用于如上所述的固体激光器件的泵浦方法。有利的是,用所述泵浦方法发射的激光束沿着与固体激光器件的放大媒介的输入面正交的方向传播。
通过对一个毫无局限的实施方案和附图的详细说明的考察,将使本发明的其它优点和特性显得更加清晰,其中:
-图1是按照本发明的固体激光器件的简图,包含按照布儒斯特角切割的放大媒介,偏振媒介包含空气隙;
-图2是按照本发明的固体激光器件的简图,包含按照布儒斯特角切割的放大媒介,偏振媒介包含硅石薄片;
-图3是按照本发明的固体激光器件的简图,其中偏振媒介包含按照布儒斯特角切割的两个壁之间的空气隙;
-图4是按照本发明的固体激光器件的简图,其中偏振媒介包含按照布儒斯特角切割的两个壁之间的硅石薄片;
-图5是按照本发明的固体激光器件的简图,其中偏振媒介包含带有离开效应及平凸透镜的双折射晶体;
-图6是说明采用双折射的三个示例的简图,双折射能够达到期望的滤波特性,同时保证有效的非线性效应。
现在来说明包含在946nm发射的Nd:YAG激光并且在473nm用KNbO3晶体进行内腔加倍的内腔倍频单块激光器件,虽然本发明并不限制于这个实施方案。
根据图1和2,一个泵浦激光二极管11正在808nm处向包含三个晶体1、2、3的装置的空腔发射激光束12。晶体放大器1是Nd:YAG。其折射率为n1=1.82到946nm。这个晶体1的输入面1a经过处理,构成一个平面镜。其输出面1b在通过指数n1及媒介5或6的指数n5或n6计算出的布儒斯特角处切割。在图1中,媒介5由空气构成,而在图2中媒介6是平行的一个硅石薄片。这一平行薄片5或6楔入晶体放大器1的输出面1b和由指数为n1的未掺杂钇铝石榴石(YAG)(白色YAG)2构成的晶体的输入面2a之间。这个面2b也按照布儒斯特角切割并设置为与1b面平行。1b和2a两个面最好同时抛光,然后装配可以盲目地完成。这一制作方法在按照布儒斯特角的切割精度方面的要求是非常宽松的,这样就便利了这种固体激光器件的生产。当平行空间是空气时,可以采用带有平行面的隔片,或如图1和3所示的由激光控制的动态粘合剂4或10。这一粘合剂施加在平行隔片5的周围。图2与此相反,采用硅石薄片6,它是固定在1b和2a两个平行面上的。
由铌酸钾KNbO3构成的双折射倍频器晶体3和输出面2b结合在一起。
1、2、3三个晶体形成一个线性谐振腔。
Nd:YAG1的输入面1a和KNbO34的输出面3b是平行的,用常规方式进行处理以便构成谐振腔。从3b面离去的激光束15可以设置在946nm或473nm。
图1中的简图是以Nd:YAG中946nm的信号的垂直偏振为基准的。垂直轴位于图中的平面,横轴垂直于这个平面。精通本技术的人士能够很容易地适应这个表示线性水平或其它任何偏振方式的简图。
在所表示的情况中,基本信号的偏振是垂直的。如果铌酸钾晶体的c轴是水平的,则光轴就会是水平的和垂直的。则基本信号就会沿双折射轴传播,而其偏振不再能旋转。如果c轴以及双折射轴象现在这样旋转,基波波长就不再在双折射轴中,因此其偏振在晶体中传播时旋转。这时就可以开始选择偏振的旋转方式。
在KNbO3双折射晶体中,输入面3a包含c轴,并且根据相对于b轴的角度
Figure G2006800213711D00091
切割平面ab,从而得到308K时946nm和473nm波长之间的相匹配。精通本项技术的人士能够为了其它温度下的相匹配修改这一角度。在946nm,c轴上的折射率为n3f=2.127,正交轴上的折射率为n3s=2.238。因此双折射的特征为Δn3=0.111。按照本发明的器件通常可以构成Lyot滤波器,从而使双折射晶体的轴不与布儒斯特界面平行。
在不同激光束所取的光路方面,由泵浦11发射的激光束12到达Nd:YAG晶体的输入面1a,并且按照正常方向到达这个1a面。Nd:YAG1从而被激励,产生在镜面1a和3b之间振荡的激光束13。由于激光束13穿过平行薄片5、6,因此它在1b、2a各个面经历偏转,而使离开平行薄片5、6的激光束13平行于进入平行薄片5、6的激光束13。由于在白色YAG2和KNbO3之间通过,线性双折射晶体并不使激光束13偏转。在这个KNbO3晶体3内部发生了倍频,这由通过3b面离开激光器件的谐波波长激光束14的产生来表示。
因此,空腔具有输入面和输出面,输入面和输出面相互平行,但与发生于泵浦的激光束正交,并与离开固体激光器件的激光束正交。
在图1和2中,放大媒介由Nd:YAG1构成。偏振媒介包含主元件、中间媒介和次元件,主元件也是这个Nd:YAG晶体1,或更确切地说是该晶体1的输出面1b,中间媒介是平行薄片5、6,次元件是白色YAG晶体2。
相反,在图3和4中,偏振媒介与由未切割的Nd:YAG晶体7构成的放大媒介分开。偏振媒介包含主元件8和次元件9,它们可以是与平行薄片5、16结合的白色YAG(未掺杂),平行薄片5、16可以是带有动态粘合剂10的空气5或硅石6。当平行薄片是白色YAG或空气时,主元件和次元件二者也可以是硅石。其实现及功能与参照图1和2所作的说明相同。
作为对上述的特别补充,当平行薄片是连接的硅石薄片时,在激光束通过的地方可以做一个开口,以便这些激光束实际上通过空气,而不是透入硅石。
图5中的器件的特别之处在于不包含布儒斯特角。放大媒介也是一个带有平行壁7a和7b的Nd:YAG晶体7。一个经过切割的双折射YVO4晶体23,使结合在面7b上的两个偏振之间的离开效应最大化。离轴结合的KNbO3 20,与一个平凸透镜17一起,封闭了空腔。透镜对于各个晶体的角度不足进行校正。两个偏振是基波波长激光束13的偏振以及谐波波长激光束14的偏振。激光束13被透镜17的凸面部分反射,从谐振腔中射出。
在图1到5中,采用KNbO3晶体作为非线性和双折射元件,它对温度的高度灵敏性使得发射波长14能够被调谐。这个晶体的轴在45°定向到偏振元件的偏振轴。LBO也可以用作非线性和双折射晶体。
不过,如图6中所示,通过采用KNbO3或LBO晶体18,能够将非线性功能分开,KNbO3或LBO晶体18的轴,通过采用轴旋转的钒酸盐YVO4晶体19,和偏振器的轴排成直线。钒酸盐(YVO4)晶体封闭激光空腔。这就增加了一个元件和一个界面,但优点是在其轴中采用了非线性晶体18,特别是对类型I倍频器可以获得最大加倍效率。由于YVO4具有高双折射性,因此被推荐作为双折射晶体。由于YVO4的折射率对温度的相关性低,激光比较不容易调谐,但是从另一方面来说,单个频率操作可以有更大的温度范围,即比用离轴KNbO3所得到的温度范围约大25倍。可调谐性能低的结果是Lyot滤波器的自由光谱带FSB最好能达到激光跃迁的发射宽度。事实上,用太小的FSB,有在几个模上发射激光的危险。用太大的FSB,有在发射频带找不到任何滤波峰值的危险。
在图6中,还可以看到第三个示例,其中离轴设置的非线性KNbO3晶体21与同样离轴设置的双折射YVO4晶体22结合在一起。这个解决方案使FSB在为倍频保持KNbO3最佳长度时能够被调节。
当然,本发明并局限于上述的示例,可以对这些示例作出调整而不超出本发明的范围。

Claims (21)

1.一种激光器件,所述激光器件包含:
-能够产生基波波长激光束(13)的放大媒介(1、7);
-双折射非线性媒介(3、20、18、21),这种双折射非线性媒介带有用于对基波波长激光束进行倍频的平行面,以便产生谐波波长激光束(14);
-用于对基波波长激光束进行偏振选择的偏振媒介(1b、5、6、2、8、9、16、20),这种偏振媒介在其输出处的基波波长激光束与在其输入处的基波波长激光束保持平行;
其特征在于,偏振媒介(1b、5、6、2、8、9、16、20)包含与离开该偏振媒介的基波波长激光束相垂直的输出面(2b);并且在于放大媒介、双折射非线性媒介及偏振媒介牢固地互相附着从而构成单块谐振腔。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,双折射非线性媒介包含类型I非线性晶体。
3.如权利要求1所述的器件,其特征在于,双折射非线性媒介由类型I非线性晶体构成,其双折射轴相对于由偏振媒介选择的偏振形成非零角模π/2弧度角,从而使该器件构成Lyot滤波器。
4.如权利要求3所述的器件,其特征在于,该器件还包括双折射晶体(19、22、23),该双折射晶体与该类型I非线性晶体按照以下方式结合,即:所述双折射晶体的双折射轴与该类型I非线性晶体的轴保持平行。
5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,双折射非线性媒介由类型I非线性晶体构成,其双折射轴中的一个平行于偏振媒介所选的偏振;并且其特征在于,该类型I非线性晶体按照以下方式与双折射晶体(19、22、23)结合,即:所述双折射晶体的双折射轴相对于由偏振媒介选择的偏振形成非零角模π/2弧度角,从而使该器件构成Lyot滤波器;该所选择的偏振适合于基波波长与谐波波长之间的相位匹配。
6.如权利要求5所述的器件,其特征在于,所述Lyot滤波器的自由光谱带FSB由谐波波长激光束发射宽度的0.5倍和3倍之间组成。
7.如权利要求3到6中任何一项所述的器件,其特征在于,双折射轴和所选择的偏振之间的角度大约等于π/4弧度角。
8.如权利要求4到6中任何一项所述的器件,其特征在于,所述双折射晶体(19、22、23)由钒酸盐YVO4构成。
9.如权利要求3到6中任何一项所述的器件,其特征在于,所述类型I非线性晶体(3、18)由铌酸钾(KNbO3)构成。
10.如权利要求3到6中任何一项所述的器件,其特征在于,所述类型I非线性晶体(18)由硼酸锂LBO构成。
11.如权利要求1到6中任何一项所述的器件,其特征在于,放大媒介、偏振媒介及双折射非线性媒介以线性方式结合在一起;每个媒介包含相互平行并与其它媒介的其它面平行的一个输入面和一个输出面;这些面与谐波波长激光束的输出方向垂直。
12.如权利要求1到6中任何一项所述的器件,其特征在于,偏振媒介包含主元件(1b、8),后面是中间媒介(5、6、16)和次元件(2、9),其折射率与主元件的折射率基本一致;主元件的输出面和次元件的输入面平行,并且按照布儒斯特角切割基波波长。
13.如权利要求12所述的器件,其特征在于,中间媒介由空气(5)构成。
14.如权利要求13所述的器件,其特征在于,主元件通过由激光控制的动态粘合剂(4、10)牢固地附着于次元件。
15.如权利要求12所述的器件,其特征在于,中间媒介由硅石(6、16)构成。
16.如权利要求12所述的器件,其特征在于,偏振媒介设置在放大媒介和双折射非线性媒介之间,主元件由放大媒介(1、1b)构成。
17.如权利要求16所述所述的器件,其特征在于,放大媒介由掺杂钕Nd的钇铝石榴石YAG(1)构成,次元件由未掺杂的钇铝石榴石(YAG)(2)构成。
18.如权利要求12所述的器件,其特征在于,主元件及次元件由未掺杂的钇铝石榴石(YAG)(8、9)构成。
19.如权利要求12所述的器件,其特征在于,主元件和次元件由硅石构成,中间媒介为未掺杂的钇铝石榴石(YAG)。
20.如权利要求1到6中任何一项所述的器件,其特征在于,偏振媒介由离轴切割的双折射晶体(20)构成,使得两个基波波长激光束的偏振之间具有“离开”效应,谐振腔由一个平凸透镜封闭。
21.一种激光系统,包括用于如前述权利要求中任何一项的固体激光器件的泵浦装置(11),由所述泵浦装置发射的激光束沿着与固体激光器件放大媒介的输入面垂直的方向传播。
CN2006800213711A 2005-04-15 2006-04-07 单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统 Expired - Fee Related CN101199090B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0503798 2005-04-15
FR0503798A FR2884651B1 (fr) 2005-04-15 2005-04-15 "dispositif laser lineaire monolithique monofrequence, et systeme comprenant un tel dispositif"
PCT/FR2006/000770 WO2006108950A2 (fr) 2005-04-15 2006-04-07 Dispositif laser lineaire monolithique monofrequence, et system comprenant un tel dispositif.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101199090A CN101199090A (zh) 2008-06-11
CN101199090B true CN101199090B (zh) 2010-05-19

Family

ID=35427984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800213711A Expired - Fee Related CN101199090B (zh) 2005-04-15 2006-04-07 单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7804865B2 (zh)
EP (1) EP1875567B8 (zh)
JP (1) JP2008536322A (zh)
CN (1) CN101199090B (zh)
AT (1) ATE492052T1 (zh)
DE (1) DE602006018892D1 (zh)
FR (1) FR2884651B1 (zh)
IL (1) IL186627A (zh)
WO (1) WO2006108950A2 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5018685B2 (ja) * 2008-08-07 2012-09-05 株式会社島津製作所 光学素子および光学素子の製造方法
JP5343699B2 (ja) * 2009-05-18 2013-11-13 株式会社島津製作所 光共振装置
CN104409961A (zh) * 2014-11-07 2015-03-11 中国船舶重工集团公司第七一七研究所 一种线偏振输出的2μm激光器装置
US10746600B2 (en) * 2015-01-09 2020-08-18 California Institute Of Technology Dual wavelength context imaging Raman and fluorescence spectrometer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809291A (en) * 1984-11-26 1989-02-28 Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. Diode pumped laser and doubling to obtain blue light
US5256164A (en) * 1988-02-02 1993-10-26 Massachusetts Institute Of Technology Method of fabricating a microchip laser
US5838713A (en) * 1997-04-21 1998-11-17 Shimoji; Yutaka Continuously tunable blue microchip laser
CN2501225Y (zh) * 2001-08-23 2002-07-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 半导体激光泵浦全固态低噪声内腔倍频激光谐振腔

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3066966B2 (ja) * 1988-02-29 2000-07-17 ソニー株式会社 レーザ光源
US5315433A (en) * 1991-02-28 1994-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting apparatus
US5164947A (en) * 1991-02-28 1992-11-17 Amoco Corporation Single-frequency, frequency doubled laser
JPH0794818A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体レーザー
JPH07131100A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Sony Corp レーザ光発生装置
JPH08213686A (ja) * 1994-11-14 1996-08-20 Mitsui Petrochem Ind Ltd 波長安定化光源
DE69527830T2 (de) * 1994-11-14 2003-01-02 Mitsui Chemicals Inc Wellenlängenstabilisierter Lichtquelle
GB2300964B (en) * 1995-05-13 1999-11-10 I E Optomech Limited Monolithic laser
SE510442C2 (sv) * 1996-09-05 1999-05-25 Fredrik Laurell Mikrochipslaser
US6154472A (en) * 1997-10-08 2000-11-28 Jds Uniphase Corporation High efficiency decoupled tuning configuration intracavity doubled laser and method
JP2000133863A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Shimadzu Corp 固体レーザ装置
US6373865B1 (en) * 2000-02-01 2002-04-16 John E. Nettleton Pseudo-monolithic laser with an intracavity optical parametric oscillator
WO2005030980A2 (en) * 2003-09-22 2005-04-07 Snake Creek Lasers Llc High densiity methods for producing diode-pumped micro lasers
FR2860928B1 (fr) * 2003-10-09 2006-02-03 Oxxius Sa Dispositif laser a solide monolithique pompe par diode laser, et procede mis en oeuvre dans un tel dispositif
US7260133B2 (en) * 2004-08-23 2007-08-21 Jds Uniphase Corporation Diode-pumped laser
US7471707B2 (en) * 2004-08-27 2008-12-30 Photop Technologies, Inc. Low noise, intra-cavity frequency-doubling micro chip laser with wide temperature range
WO2006102084A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Pavilion Integration Corporation Monolithic microchip laser with intracavity beam combining and sum frequency or difference frequency mixing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809291A (en) * 1984-11-26 1989-02-28 Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. Diode pumped laser and doubling to obtain blue light
US5256164A (en) * 1988-02-02 1993-10-26 Massachusetts Institute Of Technology Method of fabricating a microchip laser
US5838713A (en) * 1997-04-21 1998-11-17 Shimoji; Yutaka Continuously tunable blue microchip laser
CN2501225Y (zh) * 2001-08-23 2002-07-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 半导体激光泵浦全固态低噪声内腔倍频激光谐振腔

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FAN T Y.SINGLE-AXIAL MODE,INTRACAVITY DOUBLEDND:YAGLASER.QUANTUM ELECTRONICS27 9.1991,27(9),2091-2093. *
FANTY.SINGLE-AXIALMODE INTRACAVITY DOUBLEDND:YAGLASER.QUANTUM ELECTRONICS27 9.1991
KENJI SUZUKI ET AL.LOW-NOISE DIODE-PUMPED INTRACAVITY-DOUBLEDLASER WITH OFF-AXIALLY CUT ND:YVO4.OPTICS LETTERS19 20.1994,19(20),1624-1626.
KENJI SUZUKI ET AL.LOW-NOISE DIODE-PUMPED INTRACAVITY-DOUBLEDLASER WITH OFF-AXIALLY CUT ND:YVO4.OPTICS LETTERS19 20.1994,19(20),1624-1626. *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2884651B1 (fr) 2007-11-30
CN101199090A (zh) 2008-06-11
EP1875567B8 (fr) 2011-03-30
EP1875567B1 (fr) 2010-12-15
FR2884651A1 (fr) 2006-10-20
IL186627A (en) 2011-06-30
ATE492052T1 (de) 2011-01-15
US7804865B2 (en) 2010-09-28
DE602006018892D1 (de) 2011-01-27
US20090041068A1 (en) 2009-02-12
JP2008536322A (ja) 2008-09-04
WO2006108950A3 (fr) 2006-12-14
EP1875567A2 (fr) 2008-01-09
WO2006108950A2 (fr) 2006-10-19
IL186627A0 (en) 2008-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5751751A (en) Deep blue microlaser
EP0943167B1 (en) Frequency conversion laser
CA2289695C (en) A single mode laser suitable for use in frequency multiplied applications and method
JPH04229677A (ja) マイクロレーザ
JP6214070B2 (ja) 深紫外レーザ発生装置および光源装置
CN101199090B (zh) 单一频率的单块线性激光器件及包含该器件的系统
US5341393A (en) Laser-diode-pumped solid-state laser
US20040052286A1 (en) Semiconductor laser device
JP2000133863A (ja) 固体レーザ装置
US5671240A (en) Solid state laser
CN106816807B (zh) 光纤激光器作为泵浦源的腔内泵浦光参量振荡器
JP2008511182A (ja) 注入同期型高パワーレーザシステム
Saikawa et al. Performance of widely tunable Yb: YAG microchip lasers
CN100452575C (zh) 激光二极管泵浦单片固态激光装置以及所述装置的应用方法
Wang et al. Narrow linewidth continuous wave diode‐pumped Tm: YLF laser with a volume Bragg grating
CN115133389B (zh) 一种基于非线性放大环形镜的固体激光器
CN106229803B (zh) 一种光纤基单频蓝光脉冲激光器
US20140003455A1 (en) Diode-pumped solid state laser
US6668004B2 (en) Wedge-shaped microresonator and associated microlaser assembly
CN111541141A (zh) 一种用于KrF准分子激光器基于翠绿宝石晶体的248nm单频全固态深紫外种子激光器
CN116581631A (zh) 一种固体激光器及用于固体激光器的腔内光学偏振元件
Schuhmann et al. VBG stabilization of efficient high-power frequency-doubled disk laser
JP3420804B2 (ja) 固体レーザー
CN117638610A (zh) 一种连续绿光激光器
CN110994339A (zh) 一种宽调谐的窄线宽全固态拉曼激光器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100519

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee